「on ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an ion implantation device which can quickly remove accumulated abnormal negative charges on the negative electrode of Q-lens, and a method for stable ion implantation therewith.例文帳に追加

Ｑレンズの負電極に負電荷の異常蓄積が生じても直ちにこれを除去することができるイオン注入装置およびこれにより安定したイオン注入を行うことができるイオン注入方法を提供する。 - 特許庁

To improve the operating efficiency for an ion implantation apparatus for conducing ion implantation, in order to form an impurity dispersed layer on a semiconductor wafer, for example, the producing process of a semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、例えば、半導体装置の製造過程における、半導体ウェーハに不純物拡散層を形成するためにイオン注入を行うイオン注入装置に関し、稼働効率を向上させることが課題である。 - 特許庁

After that, a well region 41 is formed by performing first ion implantation on one surface side of the semiconductor substrate 1, and after that, second ion implantation for controlling threshold voltage of the MOS transistor 4 is performed.例文帳に追加

その後、半導体基板１の一表面側に第１のイオン注入を行ってウェル領域４１を形成してから、ＭＯＳトランジスタ４のしきい値電圧を制御するための第２のイオン注入を行う。 - 特許庁

The method for treating selenium-containing waste water comprises the steps of: adding salt or a metal ion to the selenium-containing waste water as a chemical for forming a sulfate ion and hard-to-dissolve salt; and adsorbing selenium in the selenium-containing waste water on a resin and removing the selenium-adsorbed resin.例文帳に追加

セレン含有排水に硫酸イオンと難溶解性塩を形成する薬剤として塩又は金属イオンを添加した後に、前記セレン含有排水中のセレンを樹脂で吸着除去する。 - 特許庁

The external diameter of an image formation body 1 is ≤50 mm and an ion generator 2 is used; and a DC voltage 18 is applied between an ion generating electrode 12 and a reference potential and a driving AC voltage 17 is applied between the ion generating electrode 12 and an induction electrode 13 to discharge corona ions from the ion generating electrode 12 on the reference potential side.例文帳に追加

像形成体１の外径がφ５０ｍｍ以下、イオン発生器２を用い、前記イオン発生電極１２と基準電位との間に直流電圧１８、前記イオン発生電極１２と前記誘導電極１３との間に駆動用交流電圧１７を印加して基準電位側のイオン発生電極１２からコロナイオンを放出させるように構成したことを特徴とする。 - 特許庁

This device is provided with an ion current detection means 33 detecting ion current generated in a combustion chamber 6 of an engine 1, and a judgment means 30 judging the operation condition of the intake air flow control valve 29 based on a waveform shape of ion current in relation to progress of crank angle detected by the ion current detection means 33 after ignition in the combustion chamber 6.例文帳に追加

エンジン１の燃焼室６内に発生するイオン電流を検出するイオン電流検出手段３３と、燃焼室６における点火後にイオン電流検出手段３３によって検出された、クランク角の進行に対するイオン電流の波形形状に基づいて、吸気流動制御弁２９の作動状態を判定する判定手段３０と、を備える。 - 特許庁

When a whole lithium ion battery pack 20 is charged by a power supply system 3 and voltage of the whole lithium ion battery pack 20 reaches to a designated total voltage, or when voltage of either of lithium ion cells 2 reaches the designated voltage, charging on the basis of the power supply system 3 is stopped, and each lithium ion cell 2 is sequentially charged with a battery charger 4.例文帳に追加

電力供給系統３によってリチウムイオン組電池２０全体を充電し、リチウムイオン組電池２０全体の電圧が所定の総電圧に達した場合、または、いずれかのリチウムイオンセル２の電圧が所定の電圧に達した場合に、電力供給系統３による充電を停止し、充電器４によって各リチウムイオンセル２を順次充電する。 - 特許庁

In the ion-trap mass spectrometer, when performing MS/MS measurement after MS measurement, a controller 18 refers to last MS data from an ion-trap section 16; retrieves ions with the highest signal intensity and decides on the MS/MS target ion; observes unwanted ions surrounding the MS/MS target ion; and then automatically selects the range of window so as to eliminate these unwanted ions.例文帳に追加

イオントラップ形質量分析装置において、ＭＳ測定後にＭＳ／ＭＳ測定を行う場合、制御部１８はイオンとラップ部１６からの直前のＭＳデータを参照して、最も信号強度の高いイオンを検索してＭＳ／ＭＳ対象イオンを決定し、ＭＳ／ＭＳ対象イオンの周りの不要イオンを観測し、この不要イオンを排除するようにウィンドウの範囲を自動選択する。 - 特許庁

The organic-inorganic hybrid particle comprises a block copolymer containing an unchargeable hydrophilic polymer chain segment and a polymer chain segment containing a repeating unit having a carboxylate ion group on a side chain, a calcium ion (Ca^2+), a phosphate ion (PO_4^3-) or a carbonate ion (CO_3^2-) or a mixture of these anions, and a contrast medium.例文帳に追加

非荷電性親水性ポリマー鎖セグメントと側鎖にカルボキシラートイオン基を有する繰り返し単位を含むポリマー鎖セグメントを含んでなるブロック共重合体、カルシウムイオン（Ｃａ^２＋）、リン酸イオン（ＰＯ_４^３−）もしくは炭酸イオン（ＣＯ_３^２−）またはこれらのアニオンの混合物、および造影剤を必須成分として含んでなる有機−無機ハイブリッド型粒子、が提供される。 - 特許庁

Intermittent clearances 4e are formed on an adhesion surface 4d between the ion exchange resin powder 4b and the binder 4c by evaporating organic solvents 12, 13 absorbed in both the ion exchange resin powder and the binder, contracting both the ion exchange resin powder 4b and the binder 4c and peeling off part of the binder 4c from the ion exchange resin powder 4b.例文帳に追加

イオン交換樹脂粉体４ｂとバインダ４ｃとの接着面４ｄには、イオン交換樹脂粉体およびバインダの双方に吸収させていた有機溶媒１２，１３を蒸発させてイオン交換樹脂粉体４ｂおよびバインダ４ｃの双方を収縮させて、バインダ４ｃの一部をイオン交換樹脂粉体４ｂから剥離させて断続的な隙間４ｅを形成した。 - 特許庁

A failure of a section relating to ion current detection and an ignition system of the internal combustion engine is diagnosed by determining whether a predetermined style occurs on ion signal ION1-ION4 acquired from ion current detection sensors B1-B4 detecting ion current generated during combustion in the internal combustion engine during a predetermined period of one operation cycle of the internal combustion engine.例文帳に追加

内燃機関の燃焼時に発生するイオン電流を検出するイオン電流検知センサＢ１〜Ｂ４から得られるイオン信号ＩＯＮ１〜ＩＯＮ４に、内燃機関の１作動サイクル中のある期間に所定の態様が生じているか否かを判断することによって、内燃機関の点火系やイオン電流検出に関連する部位などの故障を診断する。 - 特許庁

The TMR element manufacturing method is provided with: a resist pattern formation process for forming a resist pattern on a generated TMR film; a first ion milling process for performing the ion milling using the resist pattern as a mask; a slimming process for slimming the resist pattern; and a second ion milling process for performing the ion milling of the TMR film again using the slimmed resist pattern as the mask.例文帳に追加

本発明のＴＭＲ素子製造方法は、生成したＴＭＲ膜上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、レジストパターンをマスクとしてＴＭＲ膜をイオンミリングする第１イオンミリング工程と、レジストパターンのスリミングを行うスリミング工程と、スリミングされたレジストパターンをマスクとしてＴＭＲ膜を再びイオンミリングする第２イオンミリング工程と、を備えるよう構成する。 - 特許庁

The stage of generation of the work to be milled generated by the ion milling when the work is irradiated with the ion beam is measured and evaluated, and at least one of the parameters including the current, the voltage and the high-frequency power of an ion source is fed back based on the result of evaluation, and the ion milling is achieved by automatically calculating the optimum milling time by the obtained milling rate.例文帳に追加

イオンビームをミリング対象物に照射して加工した際にイオンミリングによって発生した被ミリング物の発生状況を計測評価し、評価結果に基づいてイオン源の電流、電圧、高周波数電力を含むパラメータの内の少なくとも一つにフィードバックをかけ、得られたミリングレートにより最適なミリング時間を自動算出してイオンミリングを行う。 - 特許庁

To provide a composition in order to form a porous insulating layer capable of improving resistance to short-circuiting of a lithium ion secondary battery on a surface of the positive electrode or the negative electrode for the lithium-ion secondary battery, the positive electrode and the negative electrode for the lithium ion secondary battery having the porous insulating layer formed by the composition, and the lithium ion secondary battery having the positive electrode or the negative electrode.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池用正極または負極の表面に、リチウムイオン二次電池の耐短絡性を良好に高め得る多孔性絶縁層を形成するための組成物、該組成物により形成された多孔性絶縁層を有するリチウムイオン二次電池用正極および負極、並びに、上記正極または負極を有するリチウムイオン二次電池を提供する。 - 特許庁

The hot water supply apparatus includes: a silver ion generator which has silver electrodes arranged in a supply path of hot water, and operating in supplying hot water to generate silver ions in the hot water; a setting means setting a concentration of the silver ion contained in a predetermined amount of the hot water; and a control means controlling operation of the silver ion generator based on the silver ion concentration set by the setting means.例文帳に追加

湯水供給装置において、湯水の供給路に設けられた銀製の電極を有し、湯水の供給時に動作して湯水中に銀イオンを発生させる銀イオン発生器と、所定量の湯水に含まれる銀イオンの濃度を設定する設定手段と、設定手段で設定された銀イオンの濃度に基づいて銀イオン発生器の動作を制御する制御手段を有する。 - 特許庁

The lithium ion conductivity improving material used for lithium ion batteries has a metal oxide carrier, and a lithium ion conductive group or a lithium ion conductive metal oxide which is carried on the metal oxide carrier and higher in acidity than that of the metal oxide carrier.例文帳に追加

本発明は、リチウムイオン電池に用いられるリチウムイオン伝導性向上材であって、金属酸化物担体と、上記金属酸化物担体上に担持され、上記金属酸化物担体よりも酸性度の高い、リチウムイオン伝導性基またはリチウムイオン伝導性金属酸化物と、を有することを特徴とするリチウムイオン伝導性向上材を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

In a method for bringing whey into contact with an ion exchanger to adsorb lactoferrin isophome contained in whey by the ion exchanger and eluting lactoferrin isophome by an eluent, the ion exchanger comprises porous particles having a hydrophilic polymeric layer on the surfaces thereof and substantially having an ion exchange group only in the hydrophilic polymeric layer.例文帳に追加

イオン交換体に乳清を接触させて、該乳清に含有されるラクトフェリンアイソフォームをイオン交換体に吸着させた後、溶離液により溶離する方法において、該イオン交換体が、粒子表面に親水性高分子層を有し、且つ実質的に該親水性高分子層のみにイオン交換基を有する多孔質粒子からなるものである乳清からのラクトフェリンアイソフォームの分離方法。 - 特許庁

This ion-generating sheet has the fibrous layer which is formed on one side or both sides of the ion-generating layer capable of generating a negative ion and also has fibers partially penetrating the ion-generating layer.例文帳に追加

その中で特に、放射線を発生する放射線発生層と放射線によって物質をイオン化する導電性の金属層からなるイオン発生層に繊維層を設けることによって、この繊維層に合成樹脂を含浸させることができ、それによって強度の向上が図られ、他の構造物との接着も可能な合成樹脂構成のイオン発生部材を提供するものである。 - 特許庁

To accurately control the adding of an insolubilizer into fluorine-containing wastewater based on this value obtained by measuring a fluoride ion concentration after removing a metal ion which becomes a hindrance substance in fluoride ion concentration analysis by a micro reactor when fluorine is separated as a hardly-soluble fluoride by adding the insolubilizer of fluorine into the fluorine-containing wastewater containing the metal ion as an impurity.例文帳に追加

金属イオンを不純物として含むフッ素含有排水にフッ素の不溶化剤を添加してフッ素を難溶性フッ化物として分離するに当たり、フッ素イオン濃度分析において妨害物質となる金属イオンをマイクロリアクタで除去した後フッ素イオン濃度を測定し、この値に基いてフッ素含有排水への不溶化剤添加量を的確に制御する。 - 特許庁

To obtain an ion distribution image of a plurality of mass numbers on a two-dimensional region on a test piece with high speed and high space resolution, and suppress cost of the device.例文帳に追加

試料上の二次元領域についての複数の質量数のイオン分布イメージを高速且つ高空間分解能で取得し、且つ装置のコストを抑える。 - 特許庁

A glass probe, whose tip has a curved face, is mounted on a driving mechanism 19, and the manipulator consisting of the probe and the driving mechanism 19 is mounted on a processing chamber 15 for focused ion beam.例文帳に追加

先端が曲面状のガラス製プローブを駆動機構１９に取り付け、プローブと駆動機構１９から成るマニピュレータを集束イオンビームの加工室１５に取り付ける。 - 特許庁

Next, the concentration of the element C is calculated for each of the composition areas on the surface of the standard specimen based on the ion implantation conditions.例文帳に追加

次に、標準試料の表面における各組成領域の各々についてイオン注入条件をもとに元素Ｃの濃度を算出して算出濃度を得る。 - 特許庁

Then, the silicon nitride film 6 is masked to ion-implant nitrogen for formation of nitrogen introduction layers 9, 9a on the side of the SOI layer 4 and on BOX layer 4.例文帳に追加

その後、シリコン窒化膜６をマスクにして窒素のイオン注入を行って、ＳＯＩ層４の側面及びＢＯＸ層４に窒素導入層９，９ａを形成する。 - 特許庁

As an example, the copper wiring 18 on the integrated circuit 10 is exposed to an environment containing chromium ion while the current being supplied for depositing chromium on the wiring 18.例文帳に追加

一例として、集積回路１０の銅配線１８は、配線１８上にクロムを堆積するため電流が供給されている間、クロムイオン含有環境に晒される。 - 特許庁

An impurity region 28 of a source-drain region is formed on the semiconductor substrate 11 on both sides of the gate electrode 24 by use of the ion implantation mask 20.例文帳に追加

そのイオン注入マスク２０を用いてゲート電極２４の両側の半導体基板１１にソース・ドレイン領域の不純物領域２８を形成することを特徴とする。 - 特許庁

Phosporus ions and arsenic ions are implanted on the surface layer of a semiconductor wafer 11 with an ion implantation masked by a gate electrode 13 on the semiconductor wafer 11.例文帳に追加

半導体基板１１上のゲート電極１３をマスクにしたイオン注入によって、半導体基板１１の表面層にリンイオン及びヒ素イオンを導入する。 - 特許庁

To solve the problem of charge-up on the surface of a wafer by providing ideal and homogeneous quantity of electrons with respect to an ion beam irradiated on the surface of the wafer.例文帳に追加

ウエハ表面上を照射するイオンビームに対して最適かつ均一な電子量を供給できるようにして、ウエハ表面でのチャージアップの問題を解消する。 - 特許庁

The respective filters 11, 12 and 13 are reticulated filters comprising an ion exchange resin and the meshes thereof are largest on the side of the filter 11 and smallest on the side of the filter 13.例文帳に追加

各フィルタ１１、１２、１３はイオン交換樹脂からなる網目状のフィルタであり、その網目はフィルタ１１の側が最も大きく、フィルタ１３が最も小さい。 - 特許庁

A P type epitaxial layer is provided on an N+ substrate, and a buried N region is formed by ion implantation on a boundary between the N+ substrate and the P type epitaxial layer.例文帳に追加

Ｎ＋基板上に、Ｐ型エピタキシャル層を設け、当該Ｎ＋基板とＰ型エピタキシャル層との境界に埋込Ｎ領域をイオン注入によって形成する。 - 特許庁

This device includes a means for preventing generation of ON side voltage by setting the reverse voltage value of a diode 12 of an ion detecting circuit 10 to a value higher than an ON side voltage value.例文帳に追加

イオン検知回路１０のダイオード１２の逆電圧値をＯＮ側電圧値より高い値に設定することによりＯＮ側電圧の発生を防止する手段を備える。 - 特許庁

By using a two-dimensional scattered ion detector 8, the energy spectrum is measured on the basis of a detection position of the scattered ions, the crystal axis of the sample is detected on the basis of a detection amount distribution of the scattered ions, and the crystal axis and the beam axis of the ion beam are aligned.例文帳に追加

また，２次元の散乱イオン検出器８を用いて，散乱イオンの検出位置に基づくエネルギースペクトル測定や，散乱イオンの検出量分布に基づく試料の結晶軸検出及び該結晶軸とイオンビームのビーム軸との軸合わせを行う。 - 特許庁

A high frequency voltage is impressed on a pair of metal thin films facing each other out of the four metal thin films, and the voltage having reversed phase is impressed on the other pair of metal thin films, and by the above, an ion converging electric field is formed in a space formed soon after the passage of ion through the orifice 7.例文帳に追加

この４つの金属薄膜には対向する２つが同一で且つ隣接するものが逆位相になるような高周波電圧が印加され、これによってイオンがオリフィス７を通過した直後の空間にイオンを収束するような電場を形成する。 - 特許庁

Furthermore, by installing a conductive pattern 17, as a counter electrode near the ion discharge port 15 on the main body case 11 side, the holder 40 is attached and detached via a holder removing port 20, provided on the sidewall 13B side, separately from the ion discharge port 15 side.例文帳に追加

また、対向電極としての導電パターン１７を本体ケース１１側においてイオン放出口１５の近傍に設けて、ホルダ４０をイオン放出口１５側とは別に、側壁１３Ｂ側に設けたホルダ取り外し口２０を介して着脱する構成である。 - 特許庁

A superimposing filed between an electric field and a magnetic field is formed in a space crossing a clearance of an iron core 21 and a space between the parallel flat electrodes 24, and electromagnetic force based on the superimposing field works only on an ion placed in an electron path so as to eject the ion from the electron beam path.例文帳に追加

鉄心２１の間隙Ｓと平行平板電極２４間に交差する空間に、電場と磁場の重畳場が形成され、電子軌道に乗ったイオンに対してのみ前記重畳場による電磁力が働いて該イオンが電子ビーム軌道から外れる。 - 特許庁

A recipe for plug-ion implantation for a junction contact of a transistor is adjusted, (S3), based on the measured critical dimension of a gate electrode formed on a wafer, then the plug ions for the junction contact are implanted (S5) using the adjusted recipe for plug-ion implantation for a junction contact.例文帳に追加

ウェーハ上に形成されたゲート電極の計測された臨界ディメンションに基づいてトランジスタのジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピを調整した後（Ｓ３）、調整されたジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピを使用してジャンクションコンタクトプラグイオンを注入する（Ｓ５）。 - 特許庁

At the same time, groundwater source is determined based on coincidence of ratio of ion concentration values in the ion concentration data from a plurality of sites and the result determined is identified based on a result computing recharge height from coincidence of isotopic ratio in isotopic ratio data of a plurality of sites.例文帳に追加

また、複数地点のイオン濃度データにおけるイオン濃度の比の一致度から地下水起源を算出し、複数地点の同位体比データにおける同位体比の一致度から涵養高度を算出する結果に基づいて算出された結果を判定する。 - 特許庁

The ion implanter comprises a disk 20 in which a semiconductor wafer 1 is arranged on the surface; a projecting guard member 22 that is provided on the surface of the disk 20 and is positioned around the semiconductor wafer 1; and an ion source for implanting ions to the semiconductor wafer 1.例文帳に追加

本発明に係るイオン注入装置は、表面に半導体ウェハ１が配置されるディスク２０と、ディスク２０の表面に設けられ、半導体ウェハ１の周囲に位置する凸状のガード部材２２と、半導体ウェハ１にイオンを注入するイオン源とを具備する。 - 特許庁

Thus, since operation of the ion generator 6 synchronizes with ON/OFF of the power transformer opening-closing switch 26, the power transformer opening-closing switch 26 is turned on simultaneously with indication for starting operation, and a negative ion is generated, and comfortable heating is performed by refreshing indoor air.例文帳に追加

したがって、イオン発生器６の動作は電源トランス開閉スイッチ２６のＯＮ／ＯＦＦと同期するため、運転開始の指示とともに電源トランス開閉スイッチ２６はＯＮとなってマイナスイオンが発生し、室内の空気をリフレッシュして快適な暖房を行う。 - 特許庁

A moving mechanism 75 is formed on beam forming units 61, 62 for decelerating ions 80 emitted from an ion source and forming them into an ion beam 81 by reducing the beam diameter, so that the ions 80 are prevented from being applied on the beam forming units 61, 62 before a secondary electron current is measured.例文帳に追加

イオン源から放出されるイオン８０を減速し、ビーム径を絞ってイオンビーム８１とするビーム成形器６１、６２に、移動機構７５を設け、二次電子電流を測定する前に、ビーム成形器６１、６２にイオン８０が照射されないようにする。 - 特許庁

Bath water passes through the ion generation part 20 and the vicinity of the magnet part and, when both of the magnet and the ion generation part 20 (tourmaline and granite porphyry) act on bath water, miniaturized water molecule groups become easy to act on the body along with negative ions.例文帳に追加

そして、これらイオン発生部２０及び磁石部近傍を風呂水が通過し、これら磁石及びイオン発生部（トルマリン及び麦飯石）がともに風呂水に作用すると、小型化された水分子集団がマイナスイオンとともに身体に作用しやすくなる。 - 特許庁

For example, a gold catalyst carried on a nickel oxide which is doped with a copper ion exhibits an extremely excellent catalyst performance as a catalyst for the synthesis of acetic acid from ethanol, and a gold catalyst carried on zinc oxide doped with an iron ion exhibits extremely excellent catalytic characteristics as an oxidation catalyst for carbon monoxide.例文帳に追加

例えば、銅イオンをドープしたニッケル酸化物担持金触媒は、エタノールからの酢酸合成用触媒として、また鉄イオンをドープした亜鉛酸化物担持金触媒は、一酸化炭素の酸化触媒として、極めて優れた触媒特性を示す。 - 特許庁

A Pt-carrying carbon nanotube 31 is orientated on a fluorine system ion exchange ion membrane 11, a carbon nanotube 35 is orientated on a diffusion layer 17, and a catalyst layer 15 taking charge of battery reaction with the Pt-carrying carbon nanotube 31 and the carbon nanotube 35 is formed.例文帳に追加

フッ素系イオン交換樹脂膜１１にＰｔ担持カーボンナノチューブ３１が配向され、拡散層１７にカーボンナノチューブ３５が配向されており、Ｐｔ担持カーボンナノチューブ３１とカーボンナノチューブ３５とで電池反応を担う触媒層１５が形成されている。 - 特許庁

In this electrode 9 for the carboxylic acid sensor, this ion sensitive film 3 in contact with a solution 23 to be measured is provided on a film support 1, and an electrolytic solution 5 and an internal electrode 7 in contact therewith are provided on the opposite side of the ion sensitive film 3 relative to the solution 23 to be measured.例文帳に追加

膜支持体１に被測定溶液２３に接触されるイオン感応膜３を設け、そのイオン感応膜３の被測定溶液２３とは反対側に電解液５とこれに接する内部電極７とを設けたカルボン酸センサ用電極９である。 - 特許庁

By using the oxygen pump element in which a cathode electrode 2 and a first auxiliary electrode 3 are formed on one surface of an oxygen ion conductive substrate 1 and in which an anode electrode 4 and a second auxiliary electrode 5 are formed on the other surface, the temperature of the substrate 1 is detected based on of an oxygen ion current and based on the potential difference between the electrode 3 and the electrode 5.例文帳に追加

酸素イオン導電性基板１の一方の表面にカソード電極２と第１補助電極３を、他の表面にアノード電極４と第１補助電極３を形成した酸素ポンプ素子を用いて、酸素イオン電流および第１補助電極と第２補助電極間の電位差から酸素イオン導電性基板１の温度を検出する。 - 特許庁

Then processing using a pattern on the resist film as a mask (e.g. etching processing using the pattern on the resist film as the mask and an ion injection processing using the pattern on the resist film as the mask) is applied to the wafer on which the resist film having the rugged surface is formed.例文帳に追加

その後、レジスト膜の表面に凹凸が形成されたウエハは、レジスト膜のパターンをマスクとした処理（たとえば、レジスト膜のパターンをマスクとするエッチング処理、レジスト膜のパターンをマスクとするイオン注入処理）を受ける。 - 特許庁