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「on ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索
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on ionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 4042



例文

To enable an ion implanter uniformly implanting ions on a target substrate by irradiating wide shape ion beams with a beam cross section shape long in one direction on the target substrate to adjust a beam width of the ion beam freely in accordance with a size of the target substrate.例文帳に追加

ビーム断面形状が一方向に長い、幅広形状のイオンビームをターゲット基板に照射して、ターゲット基板にイオンを均一に注入するイオン注入装置であって、イオンビームのビーム幅をターゲット基板のサイズに応じて自在に調整する。 - 特許庁

Many ion emitting units 104 are disposed at positions in correspondence to madining spots on an object 135 immerzed in molecular species 103, and ion beams are individually emitted for many spots on the object 135 from many ion emitting units 104.例文帳に追加

加工対象135の加工箇所に対応した位置に多数のイオン出射ユニット104を配列して分子種103に浸漬させ、多数のイオン出射ユニット104から加工対象135の多数の加工箇所にイオンビームを個々に出射させる。 - 特許庁

An exciting laser beam for triggering photodissociation is irradiated on the center of a capturing zone A in an ion trap 1, and an exciting signal for making the fragment ion excite without exciting a precursor ion is applied on end cap electrodes 12 and 13.例文帳に追加

光解離を起こすための励起レーザ光をイオントラップ1内の捕捉領域Aの中央に照射し、それとともにプリカーサイオンを励振させずにフラグメントイオンを励振させるような励振信号をエンドキャップ電極12、13に印加する。 - 特許庁

The inhomogenous ion injection device includes a wide ion beam generator which forms wide ion beams composed of a plurality of wide ion beams overlapping respectively on a plurality of regions of at least two places or more out of the total regions of a wafer, and a wafer rotating device which rotates the wafer in a fixed direction while the wide ion beams formed by the wide ion generator are irradiated.例文帳に追加

本発明の不均一イオン注入装置は、ウエハの全体領域のうち少なくとも2箇所以上の複数の領域にそれぞれ重なる複数のワイドイオンビームからなるワイドイオンビームを形成するワイドイオンビーム生成器と、ワイドイオンビーム生成器により形成されたワイドイオンビームが照射される間に、ウエハを一定方向に回転させるウエハ回転装置と、を備える。 - 特許庁

例文

A deceleration electric field electric-potentially set to reflect the ion creaved in the time-of-flight spectrum part and to pass the ion not creaved in the time-of-flight spectrum part and a reacceleration electric field electric potentially set to accelerate the ion until the ion reaches speed exceeding speed at the time when the ion is incident on the deceleration electric field are provided immediately before the ion detector.例文帳に追加

飛行時間型分光部内で開裂したイオンを反射すると共に、飛行時間型分光部内で開裂しなかったイオンを通過させるように電位設定された減速電場と、イオンが減速電場に入射したときの速度を超える速度に到達するまでイオンを加速させるように電位設定された再加速電場とを、イオン検出器の直前に設けた。 - 特許庁


例文

The ion generation device includes: a dielectric material; ion generation elements 11, 12 composed of an ion generation electrode and an induction electrode formed on their surfaces via the dielectric material; and current detecting electrodes 27a, 27b that are disposed along the ion generation electrode in the vicinity of the ion generation elements 11, 12 and detect a discharge current by absorbing the ions generated from the ion generation electrode.例文帳に追加

誘電体と、誘電体を介しそれぞれの面に形成されたイオン発生電極及び誘導電極とからなるイオン発生素子11、12と、イオン発生素子11、12の近傍でイオン発生電極に沿って配置され、イオン発生電極から発生するイオンを吸引して放電電流を検出する電流検出電極27a、27bと、を備える。 - 特許庁

Ion is poured after forming an oxide silicon film on a substrate and sequentially a nitride silicon film is formed on the oxide silicon film.例文帳に追加

酸化シリコン膜を基板に形成したのちに、イオン注入を行い、次に窒化シリコン膜をその上に形成する。 - 特許庁

To eliminate harmful effect influenced on an element on a base board to be processed caused by a charge-up generated when implanting ion on the base board to be processed through a mask member formed at an opening part determining an ion implantation region.例文帳に追加

イオン注入領域を定める開口部が形成されたマスク部材を介して被処理基板へイオン注入する場合において、チャージアップにより被処理基板上の素子が受ける悪影響を排除すること。 - 特許庁

An ion trap(IT) type mass spectroscope 33 on one hand and a time of flight(TOF) type mass spectroscope on the other hand are arranged so as to be placed on a straight line with an ion deflector 321 interposed in between.例文帳に追加

イオンデフレクタ321を挟んで、一方にはイオントラップ型(IT)質量分析装置33を、他方には飛行時間型(TOF)質量分析装置34を、これらが1直線上に並ぶように配置する。 - 特許庁

例文

After an oxide film is formed by a vacuum vapor deposition method on a substrate containing a fluoride or on a fluoride thin film, another oxide film is formed by an ion plating method or an ion assist method on the first oxide film.例文帳に追加

フッ化物を含む基板上またはフッ化物薄膜上に、真空蒸着法により酸化物膜を形成した後、酸化物膜の上にイオンプレーティング法またはイオンアシスト法により酸化物膜を形成する。 - 特許庁

例文

To provide the use of vanadium ion water having reliability on adult disease patients based on the clinical trial result obtained by reviewing the effect of drinking vanadium ion water in a predetermined period on the people having adult diseases.例文帳に追加

成人病疾患を持つ人々を対象に一定期間バナジウムイオン水の飲用による効果を検証し、これらの治験結果に基づいて、成人病疾患に対する信頼できるバナジウムイオン水の用途を提供する。 - 特許庁

A beam diameter calculation part 12 calculates the beam diameter of an ion beam based on an implanting waveform of the ion beam, and a beam diameter control part 13 controls voltages applied to Q lenses 7a to 7c, and controls the focusing amount of the ion beam so that the beam diameter of the ion beam incident on a sample S is within a range of 20 to 40 mm.例文帳に追加

ビーム径算出部12は、イオンビームの注入波形に基づいてイオンビームのビーム径を算出し、ビーム径制御部13は、Qレンズ7a〜7cに印加される電圧を制御し、試料Sに入射するイオンビームのビーム径が20〜40mmの範囲内になるようにイオンビームの収束量を制御する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device including a means for detecting an amount of an ion flux of plasma (plasma density) and a device state on a distribution of the amount of an ion flux of plasma, wherein the amount of an ion flux of plasma is related to a stability in mass production and a reduction in a performance difference among chambers or devices.例文帳に追加

量産安定性と機差低減に関わるプラズマのイオンフラックスの量(プラズマ密度)と、その分布に関する装置状態を検知する手段を備えたプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The ionizer 53 is equipped with a main body, an ion chamber in which decarborane is ionized by an energy-emitting element that produce a plasma, an exit aperture through which an ion beam is extracted, and a cooling mechanism to lower temperature on the wall face of the ion chamber.例文帳に追加

イオナイザー53は、本体、デカボランがプラズマを作り出すエネルギー放出要素によってイオン化されるイオン室、イオンビームを引き出す出口開口、及びイオン室の壁面の温度を低下させる冷却機構を有する。 - 特許庁

The air path 2 is provided with a discharge port 21 for discharging air and an ion discharge port 22 for discharging negative ions generated from an ion generation part 62 of the ion generating function part 6 is provided on a surface where the discharge port 21 is formed.例文帳に追加

空気経路2に空気を吐出する吐気口21を設け、該吐気口21が形成された面にイオン発生機能部6のイオン生成部62より生成されるマイナスイオンを吐出するイオン吐出口22を設けた。 - 特許庁

An electron source is positioned on the surface of the wafer for an oxygen ion beam to be irradiated and outside a line of the ion beam, so that an electron beam is irradiated thereon by the same amount as an ion beam current value or less, with electron energy set at 50 eV or more.例文帳に追加

酸素イオンビームが照射されるウエハ面側に有ってイオンビームライン外に電子源を設置し、イオンビーム電流値と同量、それ以下の電子ビームを照射し、電子エネルギーが50eV以上である。 - 特許庁

To improve air purifying effect, or a digesting/pasteurizing effect and to reduce generating amount of ozone as least as possible, by providing an exchanging means of a secondary alternating current output of a piezoelectric transformer so that voltage application polarity to an ion generating electrode is dominant on the negative side, and making the ion generating electrode mainly serve as a negative ion generating source.例文帳に追加

負イオンの発生が主体となり、空気清浄効果あるいは浄化・殺菌効果に優れ、かつオゾンの発生量を可及的に小さくすることができるイオン発生装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ion implanting device in which the rapid withdrawal and the temporary withdrawal of an ion beam can be performed without giving an effect on a peripheral member irrespective of a beam diameter and a cross-sectional shape of the ion beam.例文帳に追加

イオンビームの高速退避、一時的退避を、イオンビームのビーム径や断面形状にかかわりなくかつ周辺部材に影響を及ぼすことなく実現できるようにしたイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

A thin film 2b not reacting to Li ion, through which Li ion passes, and having no Li ion conductivity is provided on a metallic active material 2a of at least one of a positive electrode 1 and a negative electrode 2.例文帳に追加

正極1及び負極2の少なくとも一方の金属活物質2aの上に、Liイオンと反応せず、Liイオンが通過し、かつLiイオン導電性を有しない薄膜2bを設けることを特徴としている。 - 特許庁

Inner surfaces 55, 56 of the casing 41 and an outer surface of the rotors 42, 43 are coated by ion-exchange resin on surfaces which may be touched by the hydrogen off gas, and the corrosive ion component is adsorbed by the ion-exchange resin.例文帳に追加

ケーシング41の内面55,56及びロータ42,43の外周面は、水素オフガスが接触され得る面にイオン交換樹脂をコーティングされ、イオン交換樹脂によって腐食生成イオン成分を吸着する。 - 特許庁

To provide an ion implanting device and an ion implanting method, capable of providing heat treatment for a particular region on a semiconductor substrate as soon as having provided ion implantation for the particular region.例文帳に追加

イオン注入装置で半導体基板の特定領域にイオン注入を施した後、間を置かずに特定領域の熱処理を施し得るイオン注入装置およびイオン注入方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an ion generating device equipped with an ion generating element having a discharge electrode, in which dust or the like is hard to deposit on the discharge electrode, and the ion generating element can be simply cleaned.例文帳に追加

放電電極を有するイオン発生素子を備えたイオン発生機であって、放電電極に塵埃等が堆積しにくく且つイオン発生素子を簡単に掃除することが可能なイオン発生機を提供する。 - 特許庁

Between the ion gun 2 and the material 4, lead-out electrodes which are composed of accelerating and decelerating electrodes and used for pulling out an ion beam and a correction electrode which corrects the intensity distribution of the ion beam on the material 4 are provided.例文帳に追加

イオンガン2と被加工物4との間には、加速電極と減速電極からなるイオンビームを引き出すための引き出し電極と、被加工物でのイオンビーム強度分布を補正する補正電極とが設けられている。 - 特許庁

The hyperthermia panel is constituted of a negative ion generating plate 6 made of a synthetic resin impregnated with a negative ion generating material and the sheetlike heating element 7 mounted on at least the single surface of the negative ion generating plate 6.例文帳に追加

温熱治療パネルは、マイナスイオン発生素材を含浸させた合成樹脂製のマイナスイオン発生板6と、このマイナスイオン発生板6の少なくとも片面に装着された面状発熱体7とからなる。 - 特許庁

A gate width (concretely, integration processing time in integrating part 70, that is, ion current detecting period) is determined on the basis of the waveform of an ion current (ion current generating period) (gate (GATE) width setting part 80).例文帳に追加

イオン電流の波形(イオン電流の発生期間)に基づいてゲート幅(具体的には、積分部70における積分処理期間、即ちイオン電流検出期間)を設定する(ゲート(GATE)幅設定部80)。 - 特許庁

In the fiber 50 for the ion exchange filter, a granular ion exchange resin 10 is embedded in a base material 54 made of a hydrophobic resin and at least a part of the ion exchange resin 10 embedded is exposed on the surface.例文帳に追加

粒状のイオン交換樹脂10が疎水性樹脂製の基材54に埋没しており、埋没しているイオン交換樹脂10のうち少なくとも一部は表面に露出しているイオン交換フィルター用繊維50。 - 特許庁

Optimized ion beam current and the current (accumulated value) generated by the direct current generator are measured in an ion beam current measuring part 4 before radiation of the ion beam 1 upon the wafer 3 placed on the platen 2.例文帳に追加

イオンビーム1がプラテン2上のウエハ3に照射される前に、最適なイオンビーム電流値を直流電流発生器6により発生した電流値(積算値)のみを、イオンビーム電流計測部4で計測する。 - 特許庁

A louver 23 is placed on a blow-off outlet 222 on a back surface 221 of a garnish 22, on which a negative ion generating electrode 11 is placed.例文帳に追加

ガーニッシュ22の裏面221の吹き出し口222にはルーバ23が設けられ、ルーバ23にはマイナスイオン発生電極11が取り付けられている。 - 特許庁

Further, the device is provided with a plurality of ion beam supply units 50 each to supply ion beams 54 of a ribbon shape to each treatment chamber 10, and to irradiate ion beams 54 on a whole surface of each substrate 2 in collaboration with the transfer of the substrates 2, and a plurality of ion beam irradiations are carried out on the whole surface of each substrate 2 by the plurality of the ion beam supply units 50.例文帳に追加

更に、各処理室10にリボン状のイオンビーム54をそれぞれ供給して、基板2の搬送と協働して、各基板2の全面にイオンビーム54をそれぞれ照射する複数のイオンビーム供給装置50を備えていて、各基板2の全面に対して複数のイオンビーム供給装置50による複数のイオンビーム照射をそれぞれ行うよう構成されている。 - 特許庁

A thin type lithium ion secondary cell having a high output property of a 5-volt class and easy to be made in a thinner film, can be achieved by manufacturing through application and calcination of coating liquid including lithium ion, manganese ion, nickel ion or cobalt ion, with a composition ratio of (1+y):(2-x-y):x on a current collector body having gold or gold base alloy on the outermost face.例文帳に追加

最表面に金または金基合金を有してなる集電体上に、リチウムイオン、マンガンイオン、ニッケルイオンまたはコバルトイオンを(1+y):(2−x−y):xの組成比で含有する塗工液を、該集電体上に塗布・焼成処理して作製することにより、5ボルト級の高出力特性を有しかつ薄膜化が容易な薄型リチウムイオン二次電池を実現することができる。 - 特許庁

The ion elution unit 110 mounted on a washing machine 1 has electrodes 113 and 114.例文帳に追加

洗濯機1に搭載されるイオン溶出ユニット110は電極113、114を備える。 - 特許庁

A first electrode membrane having perforations is formed on the oxygen ion conductor membrane 2.例文帳に追加

酸素イオン伝導体薄膜2の上面に、貫通孔を有する第1電極薄膜を形成する。 - 特許庁

By means of addition of the copper thereto, a copper ion aids in removing a koga on a surface of a resistance element.例文帳に追加

銅を加えることにより、銅イオンは、抵抗体の表面におけるコガの除去を支援する。 - 特許庁

The hose is provided with a layer containing a negative ion- producing substance and formed on at least the inner surface side.例文帳に追加

少なくとも内面側に、マイナスイオン発生物質を含有してなる層を形成してある。 - 特許庁

In the milling method, in addition, ion particles are made incident on the substrate 1 obliquely to the vertical direction of the substrate 1.例文帳に追加

また、ミリング法において、イオン粒子を、基板垂直方向に対して斜めに入射させる。 - 特許庁

This relates to an electromagnetic control unit for generating a continuous magnetic field impressed on the continuous ion beams.例文帳に追加

連続イオンビームに加えられる連続磁場を生成するための電磁制御体が記載される。 - 特許庁

In each of the various treatment circuits 30, a solenoid valve 37 is provided on the upstream side of the ion exchanger 32, etc.例文帳に追加

各種処理回路(30)には、イオン交換装置(32)などの上流に電磁弁(37)が設けられている。 - 特許庁

The material includes an adsorbent (gel 11) containing a high polymer on which the metal ion has been adsorbed.例文帳に追加

その物質は、金属のイオンを吸着した高分子を含有する吸着剤(ゲル11)を含む。 - 特許庁

Thereafter, a protection layer (platinum) 5-14 is formed on an ion-implanted diamond thin film 5-13.例文帳に追加

その後、イオン注入ダイヤモンド薄膜5−13上に保護層(白金)5−14を形成する。 - 特許庁

High voltage is impressed on the needle electrode 2 of the ion generating device 1 from a high-voltage transformer 4.例文帳に追加

イオン発生装置1の針状電極2には高圧トランス4から高電圧が印加される。 - 特許庁

The heavy metal ion adsorbent is constituted by supporting α-zirconium phosphate crystals on a porous material.例文帳に追加

重金属イオン吸着材を、α‐リン酸ジルコニウム結晶を多孔質材に担持したものとする。 - 特許庁

LITHIUM ION BATTERY ELEMENT MADE OF MICRO COMPOSITE POWDER BASED ON FILLER AND FLUOROPOLYMER例文帳に追加

充填材とフルオロポリマーとをベースにしたミクロ複合粉末から作られるリチウムイオン電池の要素 - 特許庁

In the ion activation step, the ions are activated by heating the substrate on which the carbon layer is formed.例文帳に追加

イオン活性化工程では、カーボン層が形成された基板を加熱してイオンを活性化させる。 - 特許庁

Ions produced on the two sample plates are focused toward a detector 113 by an ion lens.例文帳に追加

2個の試料皿で生成されたイオンは、イオンレンズにより検出器113に向けて収束される。 - 特許庁

The ion adsorption layer 7 is formed on a peripheral light shielding body 5 outside the displaying region.例文帳に追加

イオン吸着層7は、表示領域外の周辺遮光体5の上に形成されている。 - 特許庁

DETERMINATION OF CHEMISTRY EXPERIMENTAL FORMULA ON UNKNOWN CHEMICAL COMPOUND USING ACCURATE ION MASS MEASUREMENTS OF ALL ISOTOPES例文帳に追加

全同位体の正確なイオン質量測定値を用いた未知化合物の化学実験式の決定 - 特許庁

On the surface of an n-type epitaxial growth layer 12, a mask 13M for ion implantation is formed.例文帳に追加

n型エピタキシャル成長層12の表面にイオン注入用マスク13Mを形成する。 - 特許庁

A mixed layer is formed on the surface of the work by the ion implanting, and a film is deposited thereon.例文帳に追加

イオン注入により被処理物表面に混合層を形成し、その上に成膜させる。 - 特許庁

Based on these comparison results, the experimental formula scheme to be a major candidate of analyte ion will be determined.例文帳に追加

これらの比較に基づいて、検体イオンの有力候補である実験式案が決定される。 - 特許庁

例文

An aperture 9 corresponding to the ion sensitive section 5 is arranged on the insulating film 10 beforehand.例文帳に追加

絶縁フィルム10にはイオン感応部5に対応した開口部9が予め設けられている。 - 特許庁




  
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