on ionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4042件
An air blowing port 3 for blowing air from the blower 2 is arranged on the ion generation means 1.例文帳に追加
イオン生成手段1に送風機2からの空気を吹出す空気吹出し口3を設ける。 - 特許庁
An ion accelerating electrode 122 is mounted on a moving table 120 housed in a cartridge 121.例文帳に追加
イオン加速電極122はカートリッジ121に納められて移動台120に搭載されている。 - 特許庁
Preferably, a surface layer 3 is provided on the elastic layer 2 and the surface layer 3 contains the ion conductor.例文帳に追加
好適には、弾性層2上に表層3を備え、表層3がイオン導電剤を含有する。 - 特許庁
A negative ion generator 1 is attached on the lamp shade 6 in which a solar battery 5 is attached.例文帳に追加
内側に太陽電池5を貼り付けた電灯笠6の上にマイナスイオン発生器1を取付ける。 - 特許庁
Then, the film forming on the lower surface of the substrate W by the first ion plating apparatus 51 is started.例文帳に追加
その後、第1イオンプレーティング装置51による基板W下面への成膜が開始する。 - 特許庁
A mask material 18 for ion implantation is formed on a principal surface of a SiC semiconductor substrate 10.例文帳に追加
SiC半導体基板10の主面上にイオン注入用マスク材18を形成する。 - 特許庁
This method/instrument uses a metal ion having the convergency higher than Ar as a primary ion species, and an oxide 2 of an element reactive with a sample 1 is irradiated with a primary ion 3 under the condition where the oxide 2 is deposited on the surface of the sample 1, so as to generate a secondary ion 4.例文帳に追加
Arより高い収束性を持つ金属元素のイオンを一次イオン種として用いるとともに、試料1と反応性に富む元素の酸化物2を試料1の表面に付着させた状態で一次イオン3を照射して二次イオン4を発生させる。 - 特許庁
When at least one ion species having a reverse electric charge, especially a phosphonium salt is used, a suitable complex is formed between an ion part of the dye and an ion species of a pair ion, then a crash or a precipitation of the coloring agent component is generated on a printed medium from an aqueous-based ink.例文帳に追加
少なくとも1つの反対の電荷のイオン種、特にホスホニウム塩を用いると、染料のイオン部分と対イオンのイオン種との間の適当な錯体の形成によって着色剤成分に水ベースインクからプリント媒体上に「クラッシュ」又は沈殿を生起させる。 - 特許庁
The controller carries out recovery processing for recovering a capacity of the lithium ion secondary battery by overdischarge of the lithium ion secondary battery (10), and controls charge and discharge of the lithium ion secondary battery depending on a deterioration state specified by the capacity of the lithium ion secondary battery after the recovery processing.例文帳に追加
コントローラは、リチウムイオン二次電池(10)の過放電によってリチウムイオン二次電池の容量を回復させる回復処理を行い、回復処理を行った後におけるリチウムイオン二次電池の容量から特定される劣化状態に応じて、リチウムイオン二次電池の充放電を制御する。 - 特許庁
The method utilizing the configuration of water electrolysis partitioned by a positive ion-exchange membrane includes putting the aqueous solution of sodium hypochlorite on a positive electrode chamber side, and producing the molecule of hypochlorous acid HOCl by coupling the hydrogen ion H^+ generated at a positive electrode with the hypochlorous ion ClO^- being a negative ion.例文帳に追加
陽イオン交換膜で隔てられた水の電気分解の構成で、陽極室側に次亜塩素酸ナトリウムの水溶液を入れて、陽電極で発生する水素イオンH^+と陰イオンの次亜塩素酸イオンClO^−を結合させて次亜塩素酸HOCl分子をつくる。 - 特許庁
In this tandem type analysis system, by ionizing an object to be measured and performing mass spectrometry on generated various ion species, ion species having a specific mass-to-charge ratio are selected from among the generated various ion species and dissociated, and ion mass spectrometry measurement is repeated at n-stages (n=1, 2, etc.).例文帳に追加
測定対象物質をイオン化し、生成した種々のイオン種を質量分析し、生成した種々のイオン種の中から特定の質量対電荷比を持つイオン種を選択して解離させ、イオンの質量分析測定をn段階(n=1,2,…)繰り返すタンデム型の分析システムである。 - 特許庁
This ion generating device for the vehicle comprises an ion generator 1 connected to a vehicle power source V without passing through an ignition key switch SW, and a control means for allowing the ion generator to start ion generating operation according to preset conditions regardless of the on/off state of the ignition key switch SW.例文帳に追加
イグニッションキースイッチSWを介することなく車両用電源Vに接続されたイオン発生装置1と、イグニッションキースイッチSWのオンオフ状態にかかわらず予め設定された条件に応じて上記イオン発生装置にイオン発生動作を開始させる制御手段とを備える。 - 特許庁
The ion beam emittance measuring mechanism 15 comprises an ion beam emittance measuring instrument 151 which is inserted into the passage of ion beam, that is, on a beam line at the time of measurement, and is controlled so as to be outside of the beam line at the time other than measurement, and can inspect at least divergence degree of ion beam.例文帳に追加
イオンビームエミッタンス測定機構15は、測定時にイオンビームの経路すなわちビームライン上に挿入され、測定時以外はビームラインから外れるように制御され、イオンビームの少なくとも発散度合いが検査可能なイオンビームエミッタンス測定器151を有する。 - 特許庁
When the ion reaches toward the orifice 70, force toward the optical axis C in a direction nearly orthogonally crossing the optical axis C operates on the ion, thus the orbit is prevented from spreading easily even if the ion hits against a gas molecule halfway, and the ion is efficiently fed to the later stage through the orifice 70.例文帳に追加
イオンがオリフィス70に向かって到来するとイオンには光軸Cに略直交する方向で光軸Cに向かう力が作用するため、途中でガス分子に衝突しても軌道が広がりにくく、効率良くオリフィス70を通過して後段へと送られる。 - 特許庁
An oxide film is formed by electron beam type ion plating or sputtering in 1-10 μm thickness on a nitride film formed by cathode arc type ion plating and a silicon oxide film of ≤5 μm thickness is further formed by a sol-gel process on the oxide film.例文帳に追加
また、カソードアーク式イオンプレーティング法で形成した窒化膜上に、酸化膜を1〜10μm形成し、更にその上にゾル・ゲル法で5μm以下の酸化珪素膜を形成した膜構造。 - 特許庁
By conduction ion implantation, layers 20 having disturbed state oxide film structures are formed on the tops of the sidewalls 15 due to the ion implantation, but the layers 20 are removed through anisotropic etching, which is performed on the oxide film.例文帳に追加
このとき、酸化膜サイドウォール15の上部にはこのイオン注入により酸化膜構造の乱れた状態の層20が形成されるが、その層20を酸化膜の異方性エッチングにより除去する。 - 特許庁
Since the initial drift current value io is overlapped on the ion current value Pi in the ion current detection value, a detection of misfire is carried out based on the current value AD (P/H) and the initial drift current value io.例文帳に追加
イオン電流検出値には、イオン電流値Piに初期ドリフト電流値ioが重畳するため、電流値AD(P/H)と初期ドリフト電流値ioとに基づいて失火検出を行う。 - 特許庁
In the mixing chamber 15, anode water, which is acidic ion water, is generated on the side of the anode 12 consisting of a carbon-based electrode, and cathode water, which is alkaline ion water, is generated on the cathode 13 side.例文帳に追加
混合室15においては炭素系電極からなる陽極12側では酸性イオン水である陽極水が生成され、陰極13側ではアルカリイオン水である陰極水が生成される。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for the process of forming catalyst layers on an ion exchange membrane using coating liquid, in which a joined unit of an electrode and membrane has a smooth joining surface with no wrinkles on ion exchange membrane.例文帳に追加
イオン交換膜上に、塗工液を用いて触媒層を形成する方法において、イオン交換膜にしわが発生せず接合面が平滑な電極・膜接合体を得る方法の提供。 - 特許庁
In the removal step, the carbon layer and step bunching, which occurs on the surface of the substrate in the ion activation step, are removed by heating the substrate on which the ion activation step is performed under a Si vapor pressure.例文帳に追加
除去工程では、イオン活性化工程が行われた基板をSi蒸気圧下で加熱することで、カーボン層と、イオン活性化工程で基板表面に発生するステップバンチングと、を除去する。 - 特許庁
The ion implanter for implanting ions into an object of ion implantation, by impressing a voltage on an acceleration electrode 5 contained in an accelerating tube 3 to accelerate an ion beam 51 taken out from an ion source by generating an acceleration electric field, is provided with an X-ray shielding material 6 in vacuum in the accelerating tube 3 so as to cover an orbit of the ion beam 51.例文帳に追加
イオン源から取出されたイオンビーム51を、加速管3内に収められた加速電極5に電圧を印可して加速電場を生成することにより加速し、イオン注入対象物へイオン注入するイオン注入装置に、加速管3内の真空中にイオンビーム51の軌道を覆うようにX線遮蔽材6を設置する。 - 特許庁
This ion implantation device is provided with an ion source 2 for extracting ions 8 by extraction voltage VE, an accelerating tube 12 for accelerating the ions from the ion source by accelerating voltage VA, and a momentum separating magnet 14 for selecting the ion having specific momentum in the ions from the accelerating tube, and is constituted so as to make the objective ion incident on the target 16.例文帳に追加
このイオン注入装置は、イオン8を引出し電圧V_E で引き出すイオン源2と、それからのイオンを加速電圧V_A で加速する加速管12と、それからのイオンの内の特定の運動量を有するイオンを選別する運動量分離マグネット14とを備えていて、目的のイオンをターゲット16に入射させる構成をしている。 - 特許庁
This device is provided with an ion source 2 for emitting an ion beam IB, and a sample stage 8 equipped with a rotary stage that holds a semiconductor element 12 and rotates the semiconductor element 12; and adjusts an angle at which the ion beam IB enters into the surface of the semiconductor element 12 by adjusting the inclination angle of an ion column 1 having the ion source 2 on its inside.例文帳に追加
イオンビームIBを出射するイオン源2と、半導体素子12を保持するとともに、半導体素子12を回転させる回転ステージを備えた試料ステージ8とを備え、イオン源2を内部に備えたイオンカラム1の傾斜角度を調節することによって、イオンビームIBが半導体素子12の表面に入射する角度を調節する。 - 特許庁
The ion guide has eight sheets of metal plates as an electrode 11A which extend in the ion optical axis C direction and of which end face is arranged so as to surround the ion optical axis C, and the end edge on the ion optical axis C side of the electrode 11A is made to be circular or hyperbolic convex toward the optical axis C in the surface orthogonal to the ion optical axis C.例文帳に追加
イオン光軸C方向に延伸し、その端面がイオン光軸Cを取り囲むように配置された8枚の金属板を電極11Aとするとともに、イオン光軸Cに直交する面内で、電極11Aのイオン光軸C側端縁が光軸に向けて凸の円弧状又は双曲線状であるようにする。 - 特許庁
An ion exchange membrane cleaned and cut out is positioned on a thin plate substrate, and furthermore the thin plate substrate is placed on a screen printing table.例文帳に追加
洗浄し裁断したイオン交換膜を薄板基板上に位置決めし、さらに薄板基板をスクリーン印刷台上に置く。 - 特許庁
Based on those above-stated ion information and component information, analytic values on the amount of the above component to be measured are acquired.例文帳に追加
前記イオン情報および成分情報に基づいて、前記測定対象成分の量に関する解析値を取得する。 - 特許庁
A diffusion layer 5 is formed by an ion implantation on the substrate 1 positioning on both sides of the electrode 3.例文帳に追加
ゲート電極3の両側に位置する半導体基板1には、イオン注入により形成された拡散層5が形成されている。 - 特許庁
An ion implantation device 15 implants ions into the wafer on the basis of the data on the dosage computed by the arithmetic unit.例文帳に追加
イオン注入装置15は、前記演算装置により演算されたドーズ量のデータに基づき、前記ウェハにイオンを注入する。 - 特許庁
A ground (GN) layer 24 is provided on the outermost shell part (on the opposite side from the ion generating electrode) on the side of the induction electrode 13.例文帳に追加
また、前記誘導電極13側の最外郭部(前記イオン発生電極の反対側)に、グランド(GN)層24を設けた構成としたことを特徴とする。 - 特許庁
Ion exchange partition walls 5 between a wager tank 2 side on one side and a water tank part 3 side on the other side are provided on the communicative parts 4 to constitute an electrolytic bath 1.例文帳に追加
連通部4には、一方の水槽部2側と他方の水槽部3側との間のイオン交換隔壁5を設けて電解槽1を構成する。 - 特許庁
It is also possible that a film of Si or Si oxide is formed on a quartz glass substrate with ITO and by ion injecting on this film, and furthermore by ion injecting directly on the Si substrate, a light emitting thin film is formed.例文帳に追加
ITO付き石英ガラス基板上にSiやSi酸化物の薄膜を形成し、この薄膜に対してイオン注入することにより、さらにはSi基板に直接イオン注入することにより形成することも可能である。 - 特許庁
To provide an ion implantation apparatus and an ion implantation method, capable of preventing a charge-up damage from being easily generated on a substrate to be processed in implanting positive charge ions into the substrate to be processed.例文帳に追加
被処理基板に正電荷のイオン注入の際、被処理基板にチャージアップダメージが発生しにくいイオン注入装置およびイオン注入方法を提供する。 - 特許庁
This catalyst having activity under irradiation of visible light comprises an oxide semiconductor such as titanium oxide containing hydrogen ion and/or an alkali metal ion on at least the surface layer.例文帳に追加
少なくとも表層に水素イオン及び/又はアルカリ金属イオンを含有する酸化チタン等の酸化物半導体からなる可視光照射下で活性を有する触媒。 - 特許庁
The polymer-coated solid electrolyte having a lithium ion conductive inorganic solid electrolyte particle coated on its surface with a lithium ion conductive polymer is used.例文帳に追加
リチウムイオン伝導性無機固体電解質粒子の表面がリチウムイオン伝導性ポリマーで被覆されてなるポリマー被覆固体電解質を用いる事を特徴とする。 - 特許庁
An OCV calculation part 72 derives voltage-current characteristics of the lithium ion battery, and calculates an OCV of the lithium ion battery based on the acquired voltage-current characteristics.例文帳に追加
OCV算出部72は、リチウムイオン電池の電圧電流特性を導出し、その得られた電圧電流特性に基づいてリチウムイオン電池のOCVを算出する。 - 特許庁
Then, the secondary ion yield is calculated by dividing the standard secondary ion intensity by the calculated concentration for each of the composition areas on the surface of the standart specimen.例文帳に追加
次に、標準試料の表面における各組成領域の各々について、標準二次イオン強度を算出濃度で除した二次イオン収率を算出する。 - 特許庁
An ion exchange filter 1 includes: a water permeable cylinder 2; and a laminated sheet 3 of a flow channel material sheet 4 wound on the periphery of this cylinder 2 and an ion exchange sheet 5.例文帳に追加
イオン交換フィルタ1は、水透過性の筒体2と、この筒体2の外周に巻回された、流路材シート4とイオン交換シート5との積層シート3とを備えている。 - 特許庁
An n type ion is implanted to a memory cell transistor 110 in an on-state, and a p type ion is implanted to at least a part of a memory cell transistor 120 in an off-state.例文帳に追加
オン状態のメモリセルトランジスタ110にn型イオンが注入されており、オフ状態のメモリセルトランジスタ120の少なくとも一部にp型イオンが注入されている。 - 特許庁
An ion generator apparatus 60 is mounted on a fan casing 25 with the aid of a mounting tool 70 such that the longitudinal direction of an ion generator device 62 intersects the flow direction of air.例文帳に追加
イオン発生装置60はイオン発生素子62の長手方向が空気の流れ方向に直交するように取付具70によってファンケーシング25に取り付けられている。 - 特許庁
Thereby, the cubical expansion by the ion exchange during the turning on electricity is suppressed so that a wrinkle in the ion-exchange membrane is prevented and the adhesion to a living body is kept high.例文帳に追加
これにより通電中のイオン交換による体積膨張が抑制され、イオン交換膜に皺がよったりすることがなくなり、生体との密着性が高く保たれる。 - 特許庁
There is provided a metal ion supporting titanium oxide particle having a transition metal ion face-selectively supported on a titanium oxide particle having an exposed crystal face.例文帳に追加
本発明の金属イオン担持酸化チタン粒子は、露出結晶面を有する酸化チタン粒子に、遷移金属イオンが面選択的に担持されていることを特徴とする。 - 特許庁
At this time, ions generated by an ion generation element arranged in the ion generation space 33 puts on the wind, and are sent out together with the wind from the blowing-out port 34a.例文帳に追加
このとき、イオン発生空間33内に配置されたイオン発生素子により発生させたイオンがこの風に乗り、この風とともに吹き出し口34aから送出される。 - 特許庁
A resist 2 is applied onto a substrate 1, then, the resist 2 on a place to be subjected to ion implantation is eliminated according to a lithography step and, subsequently, the ion implantation is performed with a prescribed impact.例文帳に追加
基板1の上にレジスト2を塗布し、リソグラフィ工程により、イオン注入を行いたい場所のレジスト2を除去しておき、所定の強さでイオン注入を行う。 - 特許庁
To evaluate with higher accuracy the influence on atoms forming a substrate due to irradiation of ion in regard to ion radiation effect evaluation method, process simulator, and device simulator.例文帳に追加
イオン照射効果評価方法、プロセスシミュレータ及びデバイスシミュレータに関し、イオン照射にともなって基板を構成する原子が受ける影響を精度良く評価する。 - 特許庁
The recirculation flow 246 decreases oxygen concentration on the transmitting side 220b of the ion conducting film 220 and increases oxygen flow passing through the ion conducting film 220.例文帳に追加
再循環流れ246は、イオン導伝膜220の透過側220b内の酸素濃度を低下せしめ、また、イオン導伝膜220を通る酸素流れを増大させる。 - 特許庁
The ion implantation of phosphor that forms an N well region 53 on the whole surface of a silicon substrate 51 is performed and then the ion implantation of boron that forms a P well region 54 is performed.例文帳に追加
シリコン基板51の全面にNウエル領域53を形成するリンのイオン注入を行い、その後にPウエル領域54を形成するボロンのイオン注入を行う。 - 特許庁
An ion emitting cycle S whereby a plurality of ion generating pulse voltages IP having different polarities are alternately impressed on the discharge needle 4 is repeated with an interval period t left.例文帳に追加
極性の異なる複数のイオン発生用パルス電圧IPを放電針4に交互に印加するイオン放出サイクルSがインターバル期間tを置いて反復される。 - 特許庁
Before stacking the photocatalyst activated self-cleaning coating, a sodium ion diffusion barrier layer is stacked on the substrate to prevent sodium ion poisoning of the photocatalyst activated self-cleaning coating.例文帳に追加
光触媒活性化自浄性被覆を堆積する前に、基体上にナトリウムイオン拡散障壁層を堆積し、光触媒活性化自浄性被覆のナトリウムイオン被毒を防ぐ。 - 特許庁
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