「on ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The ion beam device includes an ion beam source 110 for generating an ion beam 170 emitted along a first axis 142, an aperture unit adapted to shape the ion beam, and an achromatic deflection unit 162 adapted to deflect ions on the ion beam with a predetermined mass at a deflecting angle.例文帳に追加

イオンビーム装置は第１軸１４２に沿って放射されるイオンビーム１７０を発生させるためのイオンビーム源１１０と、イオンビームを整形するよう適合された開口ユニットと、所定の質量のイオンビームのイオンを偏向角でもって偏向するよう適合された収差補正型偏向ユニット１６２を含む。 - 特許庁

Ion implanation is performed on the rear-surface silicon carbide 23, which is grown simultaneously on the rear surface of a substrate 21 at the time of growing silicon carbide 22 on the front surface of the substrate 21, and an ohmic electrode 26 is formed on the ion-implanted layer 24.例文帳に追加

基板２１に対して炭化珪素２２を表面に成長させる際に同時に成長する裏面炭化珪素２３に対して窒素イオン注入を行い、イオン注入層２４にオーミック電極２６を形成する。 - 特許庁

To provide a simple method for evaluating the reliability of insulation on ion migration, especially on the migration of a chlorine ion which is generated when a voltage is applied on an electronic component mounting board where wiring is formed on an insulating base material.例文帳に追加

簡便な方法により、絶縁基材上に配線が形成された電子部品搭載用基板の通電中のイオンマイグレーション、特に塩素イオンのマイグレーションに対する絶縁性の信頼性を評価するための方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the punched ion core members 2 are laminated while being arranged annularly and sequentially on a cradle 35 which carries out fixed rotation whenever the ion core member 2 is punched.例文帳に追加

更に、当該鉄心片２の打ち抜き毎に一定回転する受け台３５上に、前記打ち抜かれた鉄心片２を環状に順次並べつつ積層する。 - 特許庁

Among generated ions, an ion having an upward directional velocity vector is changed in the downward direction on the direction by an electric field formed by an ion shielding electrode 13.例文帳に追加

発生したイオンの内、上方向の速度ベクトルを有するイオンは、イオン遮蔽電極１３が形成する電場によってその方向を下方向に変えられる。 - 特許庁

A detection unit 2 detects an ion distribution along the wind flow direction based on detection signals from the collector electrodes 6, and obtains the wind speed from the ion distribution.例文帳に追加

検出部２は、集電電極６からの検出信号に基づいて、風の流れる方向におけるイオン分布を検出し、イオン分布から風速を求める。 - 特許庁

Then an n-type ion implantation region n1 is formed by performing ion implantation dp01 on the principal surface s1 below the side of the memory gate insulating electrode MG1.例文帳に追加

その後、メモリゲート電極ＭＧ１の側方下部の主面ｓ１にイオン注入ｄｐ０１を施してｎ型イオン注入領域ｎ１を形成する。 - 特許庁

To provide a charge up restraint device which can irradiate electrons on ion beam irradiation region of a substrate with excellent uniformity, and an ion injection device.例文帳に追加

高い均一性をもって、基板のイオンビーム照射領域に電子を照射することができるチャージアップ抑制装置およびイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To facilitate treatment to impart leather with a minus ion generating function and to makes generated minus ion effectively act on a user.例文帳に追加

マイナスイオンを発生させる機能を皮革に付与する際に行う処理を容易にし、発生したマイナスイオンを使用者に有効に作用させるようにする。 - 特許庁

An ion sheath is formed on the inner wall of the reaction tube 14 through capacitive coupling and almost all ions in plasma move toward a sample 22 and etch the sample.例文帳に追加

反応管１４内壁には、容量結合によりイオンシース（ion sheath）が形成され、プラズマ中のイオンのほとんどは試料２２に向かい、それをエッチングする。 - 特許庁

HAP film is formed on the surface of the base material by subjecting it to electric heating, or the like, in an aqueous solution containing phosphate ion and calcium ion.例文帳に追加

燐酸イオンとカルシウムイオンとを含む水溶液中においた基材を、通電加熱等することにより基材表面にＨＡＰ被膜を形成する。 - 特許庁

In this ion generating element 10, an ion generating electrode 12 and an induction electrode 13 are disposed on the top face and the lower face of a dielectric substrate 11 respectively.例文帳に追加

イオン発生素子１０は、誘電体基板１１の上面及び下面にイオン発生電極１２及び誘導電極１３をそれぞれ配置している。 - 特許庁

Consequently, the crystal growth reaction between the fluoride ion and aluminum ion proceeding on the crystal surface is promoted, and the treatability of the reaction treatment is improved.例文帳に追加

その結果、結晶表面にて進行するフッ素イオンとカルシウムイオンとの結晶成長反応が促進し、反応処理の処理性が向上する。 - 特許庁

A pair of ion working electrodes 12, 13 are formed on an oxygen ion conductive substrate 11, and a heater electrode is composed so as to surround the electrodes 12, 13.例文帳に追加

酸素イオン導電性基板１１にイオン動作電極対１２、１３を形成し、その電極１２、１３を取り囲むようにヒーター電極を構成する。 - 特許庁

The ion injection device 1 comprises an ion irradiation part 11 which can irradiate ions under different conditions for each of a plurality of regions on a treatment board.例文帳に追加

イオン注入装置１は、処理基板上の複数の領域のそれぞれに対して異なる条件でイオンを照射可能なイオン照射部１１を含む。 - 特許庁

The PCM 30 determines the combustion state of the engine 1 based on the ion current detected by the ion current detecting circuit 33.例文帳に追加

また、ＰＣＭ３０は、イオン電流検出回路３３により検出されたイオン電流に基づいて、エンジン１の燃焼状態を判定するようになっている。 - 特許庁

Besides, the ion generator is provided with a means for recognizing the temperature and the humidity, and a means for controlling the ambient temperature of the ion generator based on the temperature and humidity information.例文帳に追加

さらに、温度と湿度を認識する手段を有し、イオン発生器の近傍の温度を該温度と湿度の情報に基づいて制御する手段をそなえた。 - 特許庁

An environment control part 4 makes a minus ion generating device 5 generate minus ion and a scent generating device 6 generates scent of lemon based on the degree of stress S (t).例文帳に追加

環境制御部４は、緊張度Ｓ（ｔ）に基づいて、マイナスイオン発生装置５にマイナスイオンを発生させ、香り発生装置６にレモン香を発生させる。 - 特許庁

To provide an ion milling system that can obtain an ion beam having a desired facial distribution and energy distribution and can form a desired etched shape on a material to be worked.例文帳に追加

所望のイオンビーム面分布、エネルギー分布をもつイオンビームを得ることができ、被加工物に所望のエッチング形状を形成することが可能となる。 - 特許庁

The hole or the hole structure has a structure where a cross section area of the gaseous ion introduction side is larger than a cross section area on the ion lead-out side.例文帳に追加

ここでの穴又は穴構造は、気体状のイオンが導入される側の断面積が導出される側の断面積よりも大きい構造を有する。 - 特許庁

To accurately judge the operation condition of an intake air flow control valve 29 based on the ion current detected by an ion current detection circuit 33.例文帳に追加

イオン電流検出回路３３によって検出されるイオン電流に基づいて、吸気流動制御弁２９の作動状態を精度よく判定する。 - 特許庁

The surface of an electrode 21 provided on the ion generating surface of the ion generating device 20 is disposed toward upstream side of air conditioned wind in a duct passage 9a.例文帳に追加

イオン発生装置２０のイオン発生面に設けられる電極２１の表面をダクト通路９ａ内に、空調風の上流側に向けて配置する。 - 特許庁

An ion implanter carries out two-dimensional scanning of a substrate relative to a beam for ion implantation so that the beam draws a raster of scan line on the substrate.例文帳に追加

イオン注入装置は、イオン注入用ビームに対して基板の二次元走査を行って、ビームが基板上に走査線のラスタを描くようにする。 - 特許庁

When the injector flag Faraday cup 32 is inserted in the beam line and shields the ion beam, the ion beam abuts on graphite 32a provided at the injector flag Faraday cut 32.例文帳に追加

インジェクタフラグファラデーカップ３２をビームラインに挿入してイオンビームを遮断すると、イオンビームがインジェクタフラグファラデーカップ３２に設けられたグラファイト３２ａに当たる。 - 特許庁

The ion generating element 1 includes ion generating parts 1a, 1d, 1c, and is made in a plate shape with a circuit connection terminals 1g, 1h fitted on its rear face.例文帳に追加

イオン発生素子１は、イオン発生部１ａ，１ｄ，１ｃが設けられ、裏面に回路接続用端子１ｇ，１ｈを設けた、板状をなしている。 - 特許庁

The ion generating device has a printed-circuit board 1 and a plurality of chip-shape ion generating elements 5 to be pasted on a printed-circuit board 1 by solder.例文帳に追加

イオン発生装置は、プリント回路基板１と、半田によりプリント回路基板１に貼り付けられる複数のチップ状イオン発生素子５とを有する。 - 特許庁

Negative ion generation dots 4 comprising a negative ion generation fine powder material are applied on a sheetlike base 2 linearly in several rows at a fixed interval.例文帳に追加

シート状のベース２に、マイナスイオン発生微粉末材からなるマイナスイオン発生ドット４を、複数行にわたり直線方向に一定間隔おきに塗着する。 - 特許庁

To provide an ion generating device capable of achieving adequate control of an ion generating part in accordance with electrostatic charge volumes of a deposition object on which ions are deposited.例文帳に追加

イオンが付着される付着対象物の帯電量に応じたイオン発生部の適切な制御を実現できるイオン発生装置を提供する。 - 特許庁

A recovery container 23 for recovering the ion exchange resin Es which has become small in diameter due to deterioration of ion exchange function is installed on the circulation piping 12.例文帳に追加

前記循環配管１２にイオン交換機能が低下して小径となったイオン交換樹脂Ｅｓを回収するための回収容器２３を装着する。 - 特許庁

In an acidic water solution containing a tin (II) compound and hydrogen chloride, tin (II) ion in a specified amount, based on the amount of tin (I) ion, is caused to be present.例文帳に追加

第一スズ化合物及び塩化水素を含有する酸性水溶液中に、第一スズイオンに対して一定の量の第二スズイオンを存在させる。 - 特許庁

A processing cross-sectional surface 10 of a workpiece 4 is formed on an ion beam-irradiated side surface 26 obtained by moving a radiation axis 24 of an ion beam 20 along a processing line.例文帳に追加

イオンビーム２０の照射軸２４が加工ラインに沿って移動して得られるイオンビーム照射側面２６に、ワーク４の加工断面１０を形成する。 - 特許庁

Thereby, compared with the conventional method of providing the ion electrode on top of the insulating mold 3, the height of the unit body of the negative ion generator can be reduced.例文帳に追加

従って、従来の絶縁モールド３の上にイオン電極が設けられていたのに比べて、マイナスイオン発生器の器体高さを削減することができる。 - 特許庁

At this point, hard water components of Ca^++ and Mg^++ adsorbed on the ion exchange resin bed 13 are substituted with Na^+ of the saline solution to regenerate the ion exchange resin bed 13.例文帳に追加

その時、イオン交換樹脂１３に吸着されたＣａ＋＋、Ｍｇ＋＋の硬水成分は、食塩水のＮａ＋＋で置換され再生される。 - 特許庁

To provide an ion beam processing method and an ion beam processing device capable of processing a feature having a draft on an exposed material with high accuracy.例文帳に追加

被露光材上に精度良く「抜け勾配」を持った形状を加工することのできるイオンビーム加工方法およびイオンビーム加工装置を提供する。 - 特許庁

To provide a processing method of focusing ion beams that minimizes the damages to a sample in processing, by irradiating an ion beam on the surface of the sample.例文帳に追加

試料の表面にイオンビームを照射して加工する際に、試料の損傷を最小限とする集束イオンビームの加工方法を提供する。 - 特許庁

This is a device for a neutral particle ray beam having a plasma chamber 1 for forming plasma and emitting ion beams, a capillary part 2 for neutralizing ion beams, and a processing chamber 3 for irradiating the beams passing the capillary part on the processed object.例文帳に追加

この中性化を、イオンビームの生成条件や加工条件とは独立に制御可能とし、品質の高い中性粒子ビームを得る。 - 特許庁

To provide a photocatalytic material obtained by implanting F (fluorine) ion in a bulky TiO2 (titanium oxide) crystal or a TiO2 thin film formed on a substrate and then annealing the F ion-implanted TiO2 crystal or TiO2 thin film and a method for manufacturing the photocatalytic material.例文帳に追加

光触媒機能を持つＴｉＯ_2結晶にＦをイオン注入後、焼鈍することによって得られた新規光触媒材料。 - 特許庁

This decoration display substrate is formed by forming an ion irradiated layer on a diamond growth substrate by ion irradiation, then it is processed in a specified pattern, and finally by epitaxial growth of a single crystal of a diamond film on the surface.例文帳に追加

ダイヤモンド成長基板にイオン照射してイオン照射層を形成し、これを所定のパターンに加工し、この表面に単結晶のダイヤモンド膜をエピタキシャル成長させ、形成する。 - 特許庁

To provide an ion current density measuring method and a device for measuring ion current density indicating the amount of ion irradiation to a treated article in plasma treatment, along with plasma density and an electron temperature using a probe measuring instrument without depending on an ion current measuring instrument.例文帳に追加

プラズマ処理において被処理物品へのイオン照射量を示すイオン電流密度を、イオン電流計測器に頼ることなく、プローブ計測器を利用して、プラズマ密度や電子温度と併せて計測できるイオン電流密度計測方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The ion implantation system comprises a wafer, a spectrometer, a photodetector, and an ion source generator, wherein the ion source generator is configured to implant the wafer with ions, and the photodetector is configured to detect ion induced luminescence both on and off the wafer.例文帳に追加

このイオン注入システムは、ウエハ、分光器、光検出器、イオン源発生器を含み、イオン源発生器は、ウエハにイオンを注入するように構成され、光検出器は、ウエハ上及びウエハ外の両方のイオン励起発光を検出するように構成されている。 - 特許庁

Ions generated by an ion generation source 1 are introduced into an ion trap 2; the ions are selected and cleaved in the ion trap 2 and thereafter the various kinds of fragment ions are extracted from the ion trap 2 and put on an orbit A through an gate electrode 31 in a main flight space 3.例文帳に追加

イオン発生源１で発生させたイオンをイオントラップ２に導入し、イオントラップ２内でイオン選別及びイオン開裂を行った後に各種フラグメントイオンをイオントラップ２から引き出し、主飛行空間３でゲート電極３１を介して周回軌道Ａに乗せる。 - 特許庁

This device includes: ion current detection means 33 for detecting ion current generated in a combustion chamber 6; and pre-ignition detection means 30 for detecting occurrence of pre-ignition based on the ion current detected by the ion current detection means 33.例文帳に追加

燃焼室６内で発生するイオン電流を検出するイオン電流検出手段３３と、イオン電流検出手段３３によって検出されたイオン電流に基づいてプリイグニッションの発生を検出するプリイグニッション検出手段３０とを備える。 - 特許庁

The coating of hydroxyapatite titanate is formed on a TiO_2 vapour-deposited film surface layer by bonding ionized calcium ion Ca^2+ and phosphoric acid ion PO_4^3- to the titanate ion on the surface layer of the vapour-deposited film in the aqueous solution of the hydroxyapatite for medical use.例文帳に追加

蒸着膜の表層に医療用ヒドロキシアパタイトの水溶液中でイオン化したカルシウムイオンＣａ^2+およびリン酸イオンＰＯ_4 ^3-をチタン酸イオンに結合させることにより、チタン酸ヒドロキシアパタイトの皮膜をＴｉＯ_2 蒸着膜表層に形成する。 - 特許庁

Since the formation of an ion sheath in the wafer outer circumferential part can be controlled, it is possible to control the ion energy injected into a wafer 9 and the distribution of ion amount on a wafer surface, and as a result, distribution on a surface of etching treatment of the wafer 9 can be corrected.例文帳に追加

ウェハ外周部におけるイオンシースの形成を制御することができるため、ウェハに入射するイオンエネルギーおよびイオン量のウェハ面内分布を制御することができ、その結果ウェハのエッチング処理の面内分布を補正することができる。 - 特許庁

The ion implantation preventing film on the peripheral circuit region is removed, while leaving the ion implantation preventing film behind on the cell array area and a field oxidized film is formed in the element isolation region of the peripheral circuit region which is exposed from the ion implantation preventing film.例文帳に追加

セルアレイ領域にイオン打ち込み防止膜を残留させたまま周辺回路領域上のイオン打ち込み防止膜を除去し、イオン打ち込み防止膜から露出している周辺回路領域の素子分離領域にフィールド酸化膜を形成する。 - 特許庁