「oxidation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

A polymer layer 14 which is present in contact with the top of a transparent pixel electrode controlled by a TFT 13 as a driving element and has electric activity and discolors through electrochemical oxidation or reduction and a high polymer solid electrolyte layer 15 which is in contact with the polymer layer 14 and contains a coloring agent are interposed between the transparent pixel electrode 12 and a common electrode 16.例文帳に追加

駆動素子であるＴＦＴ１３によって制御される透明画素電極１２と、共通電極１６の間に、透明画素電極上に接触して存在し電気活性を有し且つ電気化学的な酸化もしくは還元により変色するポリマー層１４と、このポリマー層１４と接触し着色剤を含有した高分子固体電解質層１５とを介在させる。 - 特許庁

The gas detecting cell 1 includes a catalytic chemical light emitting element 3 which emits light by the catalytic oxidation reaction of the combustible gas contained in an inspection target gas, a flow channel 4 which is formed in parallel to the surface of the catalyst layer 3a belonging to the catalytic chemical light emitting element 3 and from which the catalyst layer 3a is exposed, and a heater 3b for heating the catalyst layer 3a.例文帳に追加

本発明に係るガス検出用セル１は、検査対象ガスに含まれる可燃性ガスの触媒酸化反応によって発光する触媒化学発光素子３と、この触媒化学発光素子３が有する触媒層３ａの表面と平行に形成され且つ上記触媒層３ａが露出している流路４と、上記触媒層３ａを加熱するヒータ３ｂとを備える。 - 特許庁

More specifically, the optoelectrochemical device 11 comprises a semiconductor electrode 5, including a semiconductor layer 2, an organic compound layer 1 producing a radical compound at least in one process of electrochemical oxidation reaction or deoxidation reaction making contact with the semiconductor electrode 5, counter electrode 4 facing to the semiconductor electrode 5 and an electrolyte layer 6 provided between the organic compound layer 1 and the counter electrode 4.例文帳に追加

より具体的には、半導体層２を有する半導体電極５と、その半導体電極５に接して電気化学的酸化反応または還元反応の少なくとも一方の過程でラジカル化合物を生成する有機化合物層１と、その半導体電極５に対峙する対向電極４と、その有機化合物層１と対向電極４との間に設けられた電解質層６とから構成される光電気化学デバイス１１とする。 - 特許庁

The capacitor 10 comprises a positive electrode 11 composed of a porous body of valve metal, a dielectric layer 12 formed through surface oxidation of the positive electrode 11, and a solid electrolytic layer 13 formed on the surface of the dielectric layer 12 wherein the solid electrolytic layer 13 contains a π conjugated system conductive polymer, and a water soluble compound or a water dispersion compound other than a compound having a sulfonic acid group.例文帳に追加

本発明のコンデンサ１０は、弁金属の多孔質体からなる陽極１１と、陽極１１表面が酸化されて形成された誘電体層１２と、誘電体層１２表面側に形成された固体電解質層１３とを具備し、固体電解質層１３がπ共役系導電性高分子とスルホン酸基を有する化合物と該スルホン酸基を有する化合物以外の水溶性化合物または水分散性化合物とを含有する。 - 特許庁

The second element has a dielectric oxidation film 14 and a negative electrode layer made of a solid-state electrolyte 15 and a conductive member 16, all provided on both sides of the valve action metallic base 1 to form a negative electrode part 20 for forming the transmission line.例文帳に追加

第２の素子は、弁作用金属基体１の両面に誘電体酸化被膜１４、固体電解質１５および導電性部材１６からなる陰極電極層を設けて、伝送線路形成用の陰極部２０とする。 - 特許庁

Next, a silicon oxide film 23 is formed by thermal oxidation in order to fill a stepped portion between a projected part 21N formed at the end of an aperture 21A of the interlayer insulating film 21 and a semiconductor layer 14 at the side wall of the second trench 22.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜２１の開口部２１Ａの端に形成された突起部２１Ｎと、第２のトレンチ２２の側壁の半導体層１４との段差を埋めるように、熱酸化処理によってシリコン酸化膜２３を形成する。 - 特許庁

To provide a magnetic head having excellent magnetic characteristics and a spin valve type giant magneto resistive effective film provided with a non-magnetic oxidation shielding conductive layer and an oxide formation protecting film for realizing high output and to provide a magnetic recording device.例文帳に追加

磁気特性が良好でかつ高出力を実現するための非磁性酸化遮蔽導電層と酸化物形成保護膜を設けたスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜を有する磁気ヘッドおよび磁気記録装置を提供する。 - 特許庁

Since the probe needle 1 is coated with the Ni-B plated layer 3 containing PTFE at the tip, electrical conductivity is good, the oxidation at an end face and adhesion of aluminum oxide are prevented, and stable conductivity can be retained.例文帳に追加

プローブ針１は、先端部がＰＴＦＥ含有Ｎｉ−Ｂメッキ層３によって覆われることにより、電導性が良好で、端面の酸化が防止され、酸化アルミニウムの付着がほぼ完全に防止され、安定した導電性を保持できる。 - 特許庁

In the electric-double-layer capacitor excelling in a long-term reliability, the surface of its each aluminum electrode terminal which faces at least the stuck portion of its container to its electrode terminal is coated with an oxide film by an anodic oxidation processing (alumite processing), etc.例文帳に追加

アルミニウム電極端子の少なくとも容器の貼り合わせ部と対面する表面が、陽極酸化処理（アルマイト処理）等により酸化皮膜で被覆されてなる、長期信頼性に優れた電気二重層キャパシタとする。 - 特許庁

The titanium on the surface of the base material is deformed plastically by the collision energy of the projectile 5 and heated/activated by the frictional heat and the heated/activated titanium causes an oxidation reaction with oxygen in the atmosphere to form a titanium oxide layer on the surface of the base material.例文帳に追加

投射材５の衝突エネルギーにより基材表面のチタンが塑性変形摩擦熱で加熱されて活性化し、大気中の酸素と酸化反応を起こし、基材表面に酸化チタン層を生成するものである。 - 特許庁

The surface of titanium or a titanium alloy is subjected to grinding and oxidation treatment with an acid liquid, and is thereafter subjected to washing treatment with water, thus a thin, uniform and dense surface oxidized layer of <10 nm is formed on the surface of the metal.例文帳に追加

チタンまたはチタン合金の表面を酸液により研磨並びに酸化処理し、その後水により洗浄処理して、当該金属の表面に１０ｎｍ未満の薄い均一かつ緻密な表面酸化層を形成させる。 - 特許庁

To solve the problem that when an SOI substrate is used and a trench element isolation structure is applied, an oxide film at a trench corner part becomes thin during oxidation of a trench sidewall to generate a crystal defect reaching a semiconductor layer in an element region owing to stress concentration.例文帳に追加

SOI基板を用いてトレンチ素子分離構造を適用した場合、トレンチ側壁の酸化時にトレンチコーナー部の酸化膜が薄膜化し、応力集中により素子領域の半導体層に達する結晶欠陥が発生する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory which prevents an occurrence of an abnormal oxidation due to an exposure of a metal layer in the upper part of a gate when an insulating film spacer is removed, and can enhance the reliability of the process.例文帳に追加

絶縁膜スペーサの除去の際にゲート上部の金属層が露出して異常酸化が発生することを防止して工程の信頼性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the lateral transistor, a polysilicon layer 14 is formed on a LOCOS (local oxidation of silicon) oxide film (a field insulating film) 12 so as to cover a collector region 5 and a base region 4 towards an emitter region 6 from the collector region 5.例文帳に追加

本発明に係るラテラルトランジスタは、ＬＯＣＯＳ酸化膜（フィールド絶縁膜）１２上に、コレクタ領域５からエミッタ領域６に向けて、コレクタ領域５とベース領域４とを覆うようにポリシリコン層１４を形成する。 - 特許庁

The protective film for preventing metal oxidation is provided with a tacky adhesive layer on a base material and has a 0.5 to 18.0% change rate E of a contact angle which is a change rate of the contact angle to methylene iodide of SUS 430BA before and after sticking.例文帳に追加

基材上に粘着剤層を備え、ＳＵＳ４３０ＢＡのヨウ化メチレンに対する接触角の貼付前後での変化率である接触角変化率Ｅが０．５％〜１８．０％である金属酸化防止用保護フィルム。 - 特許庁

An external oxidation type oxide film having 2 to 500 nm film thickness and ≤30% proportion of a low density layer and composed essentially of silica is formed between the tension-imparting insulation film and the finish- annealed grain-oriented silicon steel sheet.例文帳に追加

張力付与性絶縁皮膜と仕上げ焼鈍済みの一方向性珪素鋼板との間に膜厚２ｎｍ以上５００ｎｍ以下で密度低下層比率３０％以下のシリカを主体とする外部酸化型酸化膜を形成させる。 - 特許庁

The catalytic vapor-phase oxidation method includes replacing at least one portion of a catalyst disposed in a gas outlet portion in a reaction gas flow direction with an un-used catalyst and/or additionally charging the un-used catalyst in the gas outlet portion to extend the length of the layer.例文帳に追加

反応ガス流れ方向に対してガス出口部に配置された触媒の少なくとも一部を未使用の触媒に交換および／またはガス出口部に未使用の触媒を追加充填して層長を延長する。 - 特許庁

By suppressing the wire formation silicon layer 4 from being excessively oxidized by the silicon nitride film 20, it is possible to oxidize only a desired region and thus it is possible to prevent breakage of the nanowire 11 by excessive oxidation.例文帳に追加

このように、配線形成シリコン層４が過度に酸化されることをシリコン窒化膜20により抑制させることで、所望の領域のみ酸化させることができ、かくして、過度に酸化されることにより生じるナノワイヤ11の断線を防止できる。 - 特許庁

To provide an EUV mask blank in which initial EUV light reflectance is high and decrease of EUV light reflectance due to oxidation of a Ru protective layer is inhibited, and to provide a substrate with a function membrane that is used for production of the EUV mask blank.例文帳に追加

初期のＥＵＶ光線反射率が高く、かつ、Ｒｕ保護層の酸化によるＥＵＶ光線反射率の低下が抑制されたＥＵＶマスクブランク、および該ＥＵＶマスクブランクの製造に使用される機能膜付基板の提供。 - 特許庁

The metallic member 1 is provided with; a metallic base material 2; and the oxidizing layer 4 which is formed on the surface of the metallic base material 2 by thermal oxidation, has catalytic activity and contains an amorphous oxide and a crystalline oxide.例文帳に追加

本発明の金属部材１は、金属製の基材２と、基材２の表面に熱酸化によって形成された触媒活性を有する非晶質性酸化物と結晶性酸化物とを含有する酸化層４と、を備える。 - 特許庁

By this, the sealing film 11 formed of epoxy resin etc can be made hard to separate from the surface of the wiring 8 and the outer surface of the columnar electrode 9 compared with the case that the oxidation-reduced copper layer 10 is not present.例文帳に追加

これにより、酸化還元銅層１０が無い場合と比較して、エポキシ系樹脂等からなる封止膜１１が配線８の表面および柱状電極９の外周面から剥離しにくいようにすることができる。 - 特許庁

The self oxidation film is formed at a surface layer part of the Ta-Si-O ternary alloy thin film resistor of the heater 26, whereby the corrosion of the Ta-Si-O system thin film resistor by the ink is effectively prevented.例文帳に追加

またヒータ２６のＴａ−Ｓｉ−Ｏ三元合金薄膜抵抗体には表層部に自己酸化被膜が形成されており、これにより、インクによるＴａ−Ｓｉ−Ｏ系薄膜抵抗体の腐蝕が効果的に防止される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device formed with a pad electrode layer of copper with high reliability taking into consideration an oxidation resistance, or the like and taking into consideration influences on a removal of an unwanted metal film, a wafer inspection and a bonding step.例文帳に追加

耐酸化性等を考慮し、かつ、不要な金属膜の除去、ウェーハ検査、およびボンディングの工程等への影響も考慮して、信頼性の高い、銅のパッド電極層が形成された半導体装置を提供すること。 - 特許庁

After forming a gate insulating film 12a on a semiconductor substrate 10, a gate electrode 14a, and an interlayer insulating film 16a are formed by depositing a polysilicon layer, thermal oxidation, etching the shoulder of an oxide film, and patterning a gate.例文帳に追加

半導体基板１０の表面にゲート絶縁膜１２ａを形成した後、ポリシリコン層の堆積、熱酸化、酸化膜の肩部エッチング、ゲートパターニングの処理によりゲート電極層１４ａ及び層間絶縁膜１６ａを形成する。 - 特許庁

As positive oxide film forming treatment including the oxidation prior to the ion implantation to the epitaxial layer 3 is neglected, the number of thermal hysteresis loaded on the buried ion implanted layers 71', 72' is lowered, thereby, the diffusion in the lateral direction is effectively suppressed.例文帳に追加

注入前酸化を含めたエピタキシャル層３への積極的な酸化膜形成処理が排除される結果、埋込イオン注入層７１’，７２’に加わる熱履歴の回数が減って横方向拡散が効果的に抑制される。 - 特許庁

A projecting portion 12b of the electrolyte-membrane electrode assembly 12 is provided with an oxidation-reduction catalyst layer 46 which is formed separately from an anode 42, between the fuel gas inlet passage 20a and the fuel gas channels 28.例文帳に追加

電解質膜・電極構造体１２の突出部１２ｂには、燃料ガス入口連通孔２０ａと燃料ガス流路２８との間に、アノード電極４２とは別体に構成された酸化還元触媒層４６が配設される。 - 特許庁

Since anodic oxidation is accelerated on the exposed surfaces PC and PD of the anode 11 at the time of formation treatment, the dielectric layer parts 12C and 12D are formed with high quality to cover the exposed surfaces PC and PD sufficiently.例文帳に追加

化成処理時に陽極１１の露出面ＰＣ，ＰＤにおいて陽極酸化反応が促進されるため、その露出面ＰＣ，ＰＤを十分に覆うように誘電体層部分１２Ｃ，１２Ｄが高品質に形成される。 - 特許庁

Since the organic acid anhydride and ketones have reducibility to copper, the barrier layer consisting of the compound of the additional metal and the constituting element in the insulating film can be formed while suppressing the oxidation of copper contained in the alloy film.例文帳に追加

有機酸、有機酸無水物及びケトン類は銅に対して還元性を持つため、合金膜に含まれる銅の酸化を抑えつつ、添加金属と絶縁膜中の構成元素との化合物からなるバリア層を形成することができる。 - 特許庁

The high field layer 6 is formed whose surface side of a polycrystalline silicon 3 formed on the n-type silicon substrate 1 is made to have a porosity by a anode oxidation treatment and thereafter is made to be oxidized by a dilute nitric acid.例文帳に追加

強電界ドリフト層６は、ｎ形シリコン基板１上に形成された多結晶シリコン３の表面側を陽極酸化処理により多孔質化した後、希硝酸によって酸化することにより形成されている。 - 特許庁

By forming the coated steel wire S6 using this manufacturing device 1, oxidation film or the like is hardly formed on the surface of the steel wire S5 during the time until the resin coated layer P is formed, and cleanliness of the surface is easily maintained.例文帳に追加

この製造装置１を用いて被覆鋼線Ｓ６を形成すると、樹脂被覆層Ｐが形成されるまでの間に鋼線Ｓ５表面に酸化被膜などが形成されにくく、また、同表面の清浄性が維持され易い。 - 特許庁

The oxide or multi component oxide of the silicon is formed on the front layer of the material and the extremely strong front surface having no possibility of peeling with respect to corrosion and oxidation is formed, by which the high-performance high-temperature corrosion resistant material is manufactured.例文帳に追加

シリコンの酸化物又は複合酸化物が材料の表層に形成し、高温での腐食・酸化に対して、剥離の恐れがない非常に強い表面が形成され、高性能な耐高温腐食性材料を製造できる。 - 特許庁

Concerning the electrode for the electro-deposition type display element having an electrolyte layer 5 between opposite electrodes and performing drive operation of the opposite electrodes, at least one of the opposite electrodes contains a carbon material having an oxidation reduction reactive group.例文帳に追加

対向電極間に電解質層５を有し、該対向電極の駆動操作を行うエレクトロデポジション方式表示素子用電極であって、該対向電極の少なくとも一つが、酸化還元反応基を有する炭素素材を含む。 - 特許庁

Since the particulates in the exhaust gas are effectively collected in the hole of the porous catalyst layer on the cell surfaces, even when the catalyst carrier is a flow-through type, the oxidation catalyst 30 has a high particulate collection capacity.例文帳に追加

しかも、排気ガス中のパティキュレートがセル表面の多孔質の触媒層の空孔に効果的に捕集されるから、たとえ触媒担体がフロースルー型であっても、酸化触媒３０は高いパティキュレート捕集能力を具備する。 - 特許庁

Especially in this case, by performing oxidation treatment after these thin films are formed of non-oxide (metal state), the dense orientation control layer can be formed, and superior characteristic of the ferroelectric substance film can be stably obtained.例文帳に追加

特にこの場合、非酸化物（金属状態）でこれらの薄膜を形成した後に酸化処理を施すことで緻密な配向制御層を形成することができ、強誘電体薄膜の良好な特性を安定に得ることが可能であった。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a dielectric material thin film capacitor which is formed on a substrate having wiring conductors such as via holes and does not generate problems resulting from oxidation of wiring conductor and diffused barrier layer.例文帳に追加

ビアホール等の配線導体を有する基板上に形成される誘電体薄膜キャパシタであって、配線導体や拡散バリヤ層の酸化に伴う諸問題が生じない誘電体薄膜キャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor body is then exposed to an environment suitable for oxidation, to thicken the remaining portions of the initial oxide film, thereby forming the gate oxide film, and to form the tunnel oxide film over the heavily doped N+ layer.例文帳に追加

初期の酸化膜の残りの部分の厚みを増しそれによってゲート酸化膜を形成するために、さらに濃くドープされたＮ＋層上にトンネル酸化膜を形成するために、半導体本体は酸化に適切な環境にその後さらされる。 - 特許庁

Next, an SiON film 7 is made at the sidewall of the SOI layer 3 by nitriding oxidation treatment, and then element isolation is performed by STI method, and lastly an oxide film 10 and an electrode 10 are made to complete a MOSFET.例文帳に追加

つぎに、窒化酸化処理によりＳＯＩ層３の側壁面にＳｉＯＮ膜７を形成し、その後、ＳＴＩ法で素子分離を行って、最後に酸化膜９及び電極１０を形成してＭＯＳＦＥＴが完成する。 - 特許庁

To provide a detergent capable of exhibiting high detergency comparable to HCFC 225 against the whole type dirt, having low toxicity and low ignitability, and providing no fear of depletion of the ozone layer at all while preventing the deterioration by oxidation at high temperature.例文帳に追加

あらゆるタイプの汚れに対して、ＨＣＦＣ２２５に匹敵する高い洗浄力を示し、かつ、高温下における酸化劣化を防止しつつ、低毒性で、引火性が低く、オゾン層破壊の恐れが全くない洗浄剤を提供する。 - 特許庁

A layer 14 of softening material such as boron which decreases the glass softening point is formed as buried in a CVD oxide film 6 as deep as prescribed by implantation of ions or thermal oxidation carried out in vapor phase, liquid phase or solid phase.例文帳に追加

イオン注入あるいは気相、液相、または、固相での熱酸化により、ホウ素等のガラス軟化点温度を低下させる軟化物質層１４を、ＣＶＤ酸化膜６の表面から所定の深さにかけて形成する。 - 特許庁

Either a metal protective film 5 having oxidation-resistance or a metal protective film 5 wherein oxide has conductivity is disposed on an antiferromagnetic layer 2 constituting an extraordinary magnetoresistance effect film 1 via a mutual diffusion preventing film 4.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果膜１を構成する反強磁性層２上に、相互拡散防止膜４を介して、耐酸化性を有する金属保護膜５或いは酸化物が導電性を有する金属保護膜５のいずれかを設ける。 - 特許庁

The degassing hollow fiber membrane includes a homogeneous membrane having gas permeability, and a porous support layer supporting the homogeneous membrane, wherein the amount of an oxidation inhibitor is ≤0.005 mass%.例文帳に追加

気体透過能を有する均質膜と、該均質膜を支持する多孔質支持層とを有する脱気用複合中空糸膜において、酸化防止剤量が０.００５質量％以下であることを特徴とする脱気用複合中空糸膜。 - 特許庁

By the above, as only the exothermic partial oxidation reaction proceeds temporarily, and the temperature inside a catalyst layer increases, the temperature inside the catalyst when restarting is heightened, and the time for restarting the system is shortened.例文帳に追加

これにより、発熱反応である部分酸化反応のみが一時的に継続し、触媒層内温度を上昇させるので、再起動時の触媒層内温度を高めることができ、システム再起動に要する時間を短縮することができる。 - 特許庁

To improve the durability of a filter by accelerating oxidation reaction, causing to be the HC contained in the exhaust gas with a catalyst layer installed in the filter, reducing the burning temperature of particulate material, heating and incinerating the particulate material.例文帳に追加

このディーゼルパティキュレートフィルタ装置は，フィルタに設けた触媒層によって排気ガス中のＨＣの酸化反応を促進して消滅させ，パティキュレート物質の燃焼温度を低減して加熱焼却し，フィルタの耐久性を向上させる。 - 特許庁

A heat shield oxidation resistant coating 14 for an organic matrix composite substrate 12 has a constitution provided with a bond coat 24 containing nanoparticles dispersed in a polyimide matrix, and a heat shield layer 22 containing a silsesquioxane or an inorganic polymer.例文帳に追加

有機マトリックス複合材基材１２用の遮熱酸化防止コーティング１４を、ポリイミドマトリックス中に分散したナノ粒子を含むボンドコート２４と、シルセスキオキサン又は無機ポリマーを含有する遮熱層２２とを備える構造とする。 - 特許庁

To provide a coating type catalyst having high durability hard to cause the peeling of a coating layer even if the flow rate of a supplied combustible gas is high, its manufacturing method and an oxidation method of the combustible gas using the catalyst.例文帳に追加

供給される可燃性ガスの流速が速くても、コート層の剥離が生じにくい高い耐久性を有する、コート型触媒およびその製造方法ならびにその触媒を用いた可燃性ガスの酸化処理方法を提供する。 - 特許庁