「oxide-layer formation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

SUBSTRATE WITH LEAD OXIDE LAYER, FORMATION OF LEAD OXIDE LAYER, PHOTOVOLTAIC ELEMENT AND FABRICATION THEREOF例文帳に追加

酸化亜鉛層付基板、酸化亜鉛層の形成方法、光起電力素子及びその製造方法 - 特許庁

The bonding layer 4 and the movable weight formation layer 6 comprise a silicon crystal layer, and the beam part formation layer 5 comprises an oxide film insulating layer.例文帳に追加

接合層４および可動錘形成層６はシリコン結晶層からなり、梁部形成層５は、酸化膜絶縁層からなる。 - 特許庁

The oxide superconducting thin film layer is formed on the intermediate layer for oxide superconducting thin film layer formation.例文帳に追加

前記酸化物超電導薄膜層形成用の中間層の上に形成されている酸化物超電導薄膜層。 - 特許庁

RAW MATERIAL SOLUTION FOR FORMATION OF OXIDE SUPERCONDUCTING THIN FILM LAYER, OXIDE SUPERCONDUCTING THIN FILM LAYER, AND OXIDE SUPERCONDUCTING THIN FILM WIRE MATERIAL例文帳に追加

酸化物超電導薄膜層形成用の原料溶液、酸化物超電導薄膜層および酸化物超電導薄膜線材 - 特許庁

INTERMEDIATE LAYER FORMATION METHOD FOR TAPE-LIKE OXIDE SUPERCONDUCTING THIN FILM WIRE例文帳に追加

テープ状の酸化物超電導薄膜線材の中間層形成方法 - 特許庁

A silicon oxide layer 25 remains in n+ type source (drain) formation region.例文帳に追加

ｎ^+型ソース（ドレイン）形成領域上には、シリコン酸化層２５が残っている。 - 特許庁

Since the inner layer oxide film 26 hinders formation of the outer layer oxide film, even if the catalyst carrying apparatus 20 is installed after that in high temperature steam atmosphere, formation of the outer layer oxide film is hindered.例文帳に追加

内層酸化膜２６は、外層酸化膜の形成を阻害するから、その後触媒担持装置２０が高温の水蒸気雰囲気下に配置されても外層酸化膜の形成は阻害される。 - 特許庁

In a bottom-gate structure thin film transistor, an oxide insulating layer as a channel protecting layer is formed on part of an oxide semiconductor layer superimposed on a gate electrode layer, and during the formation of the oxide insulating layer, an oxide insulating layer for covering a peripheral portion (including a side surface) of the oxide semiconductor layer is formed.例文帳に追加

ボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導体層の一部にチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、その酸化物絶縁層の形成時に酸化物半導体層の周縁部（側面を含む）を覆う酸化物絶縁層を形成する。 - 特許庁

FORMATION METHOD OF OXIDE LAYER AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT INCLUDING THE SAME例文帳に追加

酸化物層の形成方法及びそれを含む半導体素子の製造方法 - 特許庁

The dual-depth buried oxide layer facilitates the formation of an asymmetrical semiconductor structure.例文帳に追加

デュアル・デプス埋め込み酸化物層は、非対称半導体構造を容易にする。 - 特許庁

This manufacturing method of a bimorph element comprises a metal layer formation step of forming a metal layer on a sacrifice layer; an annealing step of annealing the metal layer formed in the metal layer formation step; and a silicon oxide layer formation step of forming a silicon oxide layer on the metal layer annealed in the annealing step.例文帳に追加

バイモルフ素子の製造方法は、犠牲層の上に金属層を形成する金属層形成段階と、金属層形成段階で形成した金属層を焼き鈍しする焼き鈍し段階と、焼き鈍し段階において焼き鈍しされた金属層の上に酸化シリコン層を形成する酸化シリコン層形成段階とを備える。 - 特許庁

The oxide semiconductor layer or the oxide insulation layer in contact with the oxide semiconductor layer may be formed in a film-formation chamber with reduced impurity concentration by exhaustion using a cryopump.例文帳に追加

また、酸化物半導体層、又は酸化物半導体層に接する酸化物絶縁層を、クライオポンプを用いて排気して不純物濃度が低減された成膜室内で成膜すればよい。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT COMPRISING OXIDE LAYER FOR CURRENT CONSTRICTION, AND FORMATION METHOD THEREOF例文帳に追加

電流狭窄用の酸化物層を有する磁気抵抗効果素子およびその形成方法 - 特許庁

ELEMENT FOR ULTRA HIGH FREQUENCY USING POROUS SILICON OXIDE LAYER, AND ITS FORMATION METHOD例文帳に追加

多孔性酸化シリコン層を用いて形成した超高周波用素子及びその形成方法 - 特許庁

A diffusion barrier layer formation process (step S6) is performed after a free layer formation process (step S5), and an oxide layer (diffusion barrier layer) is formed only on the surface of the free ferromagnetic layer by oxidizing an oxygen radical.例文帳に追加

自由層形成工程（ステップＳ５）の後に拡散バリア層形成工程（ステップＳ６）を行い、酸素ラジカルの酸化によって、自由強磁性層の表面にのみ、酸化層（拡散バリア層）を形成する。 - 特許庁

The thermochromic material is obtained by using a laminate of zirconium oxide/tin oxide as a seed layer for vanadium oxide, and consequently by making possible to form a crystalline substance layer suitable for film-forming the vanadium oxide of thermochromic characteristics and a zirconium oxide/tin oxide seed layer of an orientation property by means of a non-heating type film formation, and then by forming a vanadium oxide layer on the seed layer.例文帳に追加

酸化バナジウムのシード層として、酸化ジルコニウム／酸化錫の積層体を用いることで、サーモクロミック特性を有する酸化バナジウムの成膜に適した結晶質層および配向性を有する酸化ジルコニウム／酸化錫シード層を非加熱成膜で形成することを可能にし、そのシード層に酸化バナジウム層を形成したサーモクロミック体を得る。 - 特許庁

Also, the surface treatment method of a titanium electrode material includes a titanium oxide layer formation step, an alloy layer formation step, and a heat treatment step.例文帳に追加

また、電極用チタン材の表面処理方法は、酸化チタン層形成工程と、合金層形成工程と、熱処理工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The second insulating layer is etched, a collar insulating layer is formed on the pad layer structure in the trench and a side wall of the pad oxide layer, and the bottom insulating layer is eliminated in accordance with the formation of the collar insulating layer.例文帳に追加

次に第２絶縁層をエッチングして、トレンチ内のパッド層構造及びパッド酸化物層側壁にカラー絶縁層を形成し、これに伴って底部絶縁層を除去する。 - 特許庁

Doping of zirconium oxide with an effective amount of the lanthanide series oxide results in the formation of a dense reactive layer at an interface between the outer layer of TBC and CMAS.例文帳に追加

ジルコニウム酸化物に有効量のランタン系列酸化物をドープすると、ＴＢＣの外側層とＣＭＡＳとの界面に稠密な反応層が形成される。 - 特許庁

Alternatively, a method comprises a heat treatment process which is performed at temperature higher than film formation temperature of the amorphous oxide layer after forming the amorphous oxide layer on the substrate.例文帳に追加

または、基板上に、非晶質酸化物層を形成する後に、非晶質酸化物層の成膜温度よりも高い温度で熱処理する工程を含む。 - 特許庁

Finally, a surface oxide film of the conductive layer 8 is removed by using the metal oxide film sidewall 6 as a mask, thus performing the silicide formation of the conductive layer 8.例文帳に追加

この後、金属酸化膜サイドウォール６をマスクとして、導電層８の表面酸化膜が除去され、導電層８のシリサイド化が行われる。 - 特許庁

To provide a formation method of an oxide layer, and a manufacturing method of a semiconductor element including the same.例文帳に追加

酸化物層の形成方法及びそれを含む半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cluster treatment device capable of completely protecting a steel layer from oxide formation.例文帳に追加

酸化物形成から完全に鋼層を保護することができるクラスタ処理装置を提供する。 - 特許庁

Processing from the removal of the oxide to the formation of the dielectric layer can be performed under in-situ.例文帳に追加

酸化物の除去から誘電体層の形成までインサイチュで行うことが可能である。 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR UNIFORM MULTI-PLANE SILICON OXIDE LAYER FORMATION FOR OPTICAL APPLICATIONS例文帳に追加

光学用途のための均一な複数面のシリコン酸化物層を形成するシステム及び方法 - 特許庁

CONDUCTIVE OXIDE LAYER CRYSTAL-ORIENTED ON AMORPHOUS BASE MATERIAL AND FORMATION METHOD OF THE SAME例文帳に追加

非晶質基材上に結晶配向した導電性酸化物層およびその形成方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMATION OF GATE OXIDE LAYER WITH VARITIES OF THICKNESSES IN GATE-DIELECTRIC STACK STRUCTURE例文帳に追加

ゲート誘電体積層構造体に複数種類の厚さのゲート酸化物層を形成する方法 - 特許庁

The method of peeling a layer to be peeled off comprises the steps of forming an oxide layer containing metal, forming a layer to be peeled off having thin-film transistors and the like on the oxide layer, and crystallizing the oxide layer by heat-treating the oxide layer, thereby giving rise to the formation of crystal strain or crystal defects in the crystallized oxide layer.例文帳に追加

金属を有する酸化物層を形成し、酸化物層上に薄膜トランジスタ等を有する被剥離層を形成し、酸化物層に対して加熱処理を行うことにより、酸化物層を結晶化し、結晶化された酸化物層に、結晶歪み、又は格子欠陥を生じさせることにより、被剥離層を剥がす方法である。 - 特許庁

The oxide superconducting thin film wire material comprises: the orientated metal base; the intermediate layer for oxide superconducting thin film layer formation formed on the orientated metal base; and the oxide superconducting thin film layer formed on the intermediate layer.例文帳に追加

配向金属基材上に、前記酸化物超電導薄膜層形成用の中間層が形成され、さらに、前記中間層の上に、酸化物超電導薄膜層が形成されている酸化物超電導薄膜線材。 - 特許庁

Next, the aluminum conductor 13 for electrode formation is oxidized in plasma for conversion into an aluminum oxide for the formation of a dielectric layer 14.例文帳に追加

さらに、電極材料であるアルミをプラズマ酸素処理することにより酸化させ、酸化アルミとして誘電体１４を形成する。 - 特許庁

The diffusion prevention layer 15 is formed between the ferroelectric oxide layer 14 and the upper electrode layer 16, so that diffusion of Pb atoms of the ferroelectric oxide layer 14 to the upper electrode layer 16 is prevented, and the formation of Pb atom deficiency in the ferroelectric oxide layer 14 is inhibited.例文帳に追加

強誘電体酸化物層１４と上部電極層１６との間に拡散防止層１５を設けることにより、強誘電体酸化物層１４のＰｂ原子の上部電極層１６への拡散を防止し、強誘電体酸化物層１４中のＰｂ原子欠損の形成を防止する。 - 特許庁

To provide a formation method for the pattern of a titanium dioxide photocatalyst layer, capable of simply and easily forming an oxide layer integrated with a base material.例文帳に追加

母材と一体化した酸化層を簡便に形成し得る二酸化チタン光触媒層のパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

ZINC OXIDE DISPERSION LIQUID, COATING LIQUID FOR PRIMER LAYER FORMATION AND HIGH DURABILITY UV CUTOFF PLASTIC BASE MATERIAL例文帳に追加

酸化亜鉛分散液とプライマー層形成用塗布液および高耐久性ＵＶカットプラスチック基材 - 特許庁

The nickel-plated layer 7 restrains the formation of a nickel oxide layer onto the surface of the gold-plated layer 9, thus maintaining high wettability and bonding property to the wiring layer.例文帳に追加

ニッケルめっき層７が金めっき層９表面に酸化ニッケル層が形成されることを抑制し、配線層への半田のヌレ性やボンディング性を高く維持する。 - 特許庁

Impurity ions are additionally implanted into the surface of the RESURF layer 14, which is lessened in impurity concentration due to the formation of an oxide film for the formation of an additional layer 21.例文帳に追加

酸化膜１８の形成により不純物濃度の低下したＲＥＳＵＲＦ層１４表面側に追加のインプラを行うことにより追加層２１を形成する。 - 特許庁

The organic insulating layer is formed after the oxide semiconductor layer is formed so as to prevent deterioration in semiconductor characteristics due to mixing of an organic substance in the organic insulating layer with the oxide semiconductor during the formation of the oxide semiconductor layer.例文帳に追加

酸化物半導体層を形成した後に有機絶縁層を形成するため、酸化物半導体層の形成時に有機絶縁層中の有機物が酸化物半導体層に混入して半導体特性が劣化することが防止される。 - 特許庁

Or after the amorphous oxide layer 2 is formed, a step of heat treatment at a temperature higher than a film formation temperature of the amorphous oxide layer 2 is performed on the substrate 1.例文帳に追加

または、基板１上に、非晶質酸化物層２を形成する後に、非晶質酸化物層２の成膜温度よりも高い温度で熱処理する工程を含む。 - 特許庁

The formation of the oxide structure includes a step of forming a buffer layer of a buffer layer metal which is superposed on the free layer when forming, a step of forming a coated layer of a coated layer metal oxide which is superposed on the buffer layer and is put in contact with the buffer layer, and a step of oxidizing the buffer layer to form a buffer layer metal oxide.例文帳に追加

この酸化物構造の形成には、形成時にバッファ層金属であるバッファ層をフリー層の上に重ねて形成するステップと、被覆層金属の被覆層金属酸化物である被覆層をバッファ層に重ねて、かつバッファ層に接触させて形成するステップと、バッファ層を酸化させてバッファ層金属酸化物を形成するステップとが含まれる。 - 特許庁

Steps are performed in the following order: a second insulating film is formed on an oxide semiconductor layer over a substrate and then heat treatment is performed, instead of performing heat treatment during a period immediately after formation of the oxide semiconductor layer and immediately before formation of an inorganic insulating film including silicon oxide on the oxide semiconductor layer.例文帳に追加

酸化物半導体層成膜直後から酸化物半導体層上に接して酸化シリコンを含む無機絶縁膜を形成する直前までの間に１回も加熱処理を行わず、基板上の酸化物半導体層上に接して第２の絶縁膜を形成した後に加熱処理を行うプロセス順序とする。 - 特許庁

An acquisition layer formation region Y is covered with a silicon oxide film 10 and then, a metal layer 11 is formed on the surface of a silicon substrate 1.例文帳に追加

捕捉層形成領域Ｙをシリコン酸化膜１０で覆ったのち、シリコン基板１の表面に金属層１１を成膜する。 - 特許庁

In addition, formation of a silane coupling agent layer on the reinforcing bar having an oxide layer containing Fe, P and V on its surface is recommended.例文帳に追加

表面にＦｅとＰとＶとを含む酸化物層を有する鉄筋に、さらにシランカップリング剤層が積層されていることが好ましい。 - 特許庁

Step (a): A solution for the preparation of a sol-gel solution for the formation of a desired oxide dielectric layer is prepared.例文帳に追加

（ａ）工程：所望の酸化物誘電層を製造するゾル−ゲル溶液調製のための溶液調製工程。 - 特許庁

A protective layer 52 such as a silicon nitride layer, a silicon oxynitride layer, or the like is separately formed on an MTJ laminate structure 20 before the formation of a silicon oxide layer 53 prior to a CMP process.例文帳に追加

ＣＭＰプロセスに先立つシリコン酸化物層５３の形成前に、ＭＴＪ積層構造２０の上に、シリコン窒化物層またはシリコン酸化窒化物層等の保護層５２を別途形成する。 - 特許庁

A method for manufacturing a thin film transistor having an oxide semiconductor as a semiconductor layer including a channel formation region includes; forming an oxide insulating film to come into contact with the oxide semiconductor layer.例文帳に追加

チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層に接する酸化物絶縁膜を形成する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device including a thin film transistor including an oxide semiconductor layer as a channel formation region, the oxide semiconductor layer is heated under a nitrogen atmosphere to lower its resistance, thereby forming a low-resistance oxide semiconductor layer.例文帳に追加

チャネル形成領域として酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層を窒素雰囲気下で加熱して低抵抗化し、低抵抗な酸化物半導体層を形成する。 - 特許庁