「p-i-n junction」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Since no grain boundary exists in these p-n junction and p-i-n junction or in the channel region, the concentration of the catalytic substance is lowered and a diode or a transistor having characteristics close to those attained by using a single crystal can be manufactured.例文帳に追加

この場合、これらのｐ−ｎ接合やｐ−ｉ−ｎ接合領域またはチャネル領域内に結晶粒界がなく、触媒物質濃度が低くなり、単結晶を用いた場合に近い特性のダイオードやトランジスタを作製することができる。 - 特許庁

To manufacture a crystalline thin film semiconductor device having good characteristics by improving the p-n junction, p-i-n junction or crystallinity of a semiconductor film in a channel forming region and minimizing an impurity concentration having an adverse effect on the characteristics.例文帳に追加

ｐ−ｎ接合やｐ−ｉ−ｎ接合またはチャネル形成領域の半導体膜の結晶性を良好にし、特性に悪影響を及ぼす不純物濃度を極力低減して、良好な特性の結晶性薄膜半導体装置を作製する。 - 特許庁

To provide an organic-inorganic hybrid junction type photoelectric transducer of high sensitivity, which has signal gain G and has a visible-ultraviolet optical wave band having superior response and low dark current property such as a p-i-n or Schottky type.例文帳に追加

信号利得Ｇを有しかつ、p-ｉ-nやショットキー型のような優れた応答性と低い暗電流性を備えた可視−紫外光波帯の高感度の有機−無機ハイブリッド接合型光電変換素子を提供する。 - 特許庁

An i-type a-Si layer 2 and a p-type a-Si layer 3 are deposited on the substrate 1 (an n-type silicon wafer), and a PIN junction is formed (a).例文帳に追加

基板１（ｎ型シリコンウエハ）上に、ｉ型ａ−Ｓｉ層２及びｐ型ａ−Ｓｉ層３を堆積させてｐｉ接ｎ合を作成する（ａ）。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon layer 2 and a p-type amorphous silicon layer 3 are formed on a substrate 1 composed of n-type silicon (a), and an nip junction is obtained (b).例文帳に追加

ｎ型シリコンからなる基板１上に（ａ）、ｉ型非晶質シリコン層２及びｐ型非晶質シリコン層３を形成してｎｉｐ接合を得る（ｂ）。 - 特許庁

A pin-junction is formed by laminating an i-type hydrogenated amorphous silicon layer 2 and a p-type hydrogenated amorphous silicon layer 3 on an n-type silicon wafer 1.例文帳に追加

ｎ型のシリコンウェハ１に、ｉ型の水素化非晶質シリコン層２及びｐ型の水素化非晶質シリコン層３を積層して．ｐｉｎ接合を構成する。 - 特許庁

One acicular crystal is grown in a thin line 1 by adding a catalytic substance, and a crystalline thin film diode having a p-n junction or a p-i-n junction is manufactured in the thin line part 1, or a crystalline thin film transistor having the thin line part 1 as a channel is manufactured.例文帳に追加

触媒物質を添加して細線部１内に一つの針状結晶を成長させ、この細線部１内にｐ−ｎ接合やｐ−ｉ−ｎ接合を有する結晶性薄膜ダイオードを作製するか、細線部１をチャネルとする結晶性薄膜トランジスタを作製する。 - 特許庁

The cell includes a reflecting metal substrate (2) which serves as a lower electrode, a stack of hardened amorphous silicon layers forming a P-I-N junction (8), and an upper transparent electrode (9).例文帳に追加

電池は、下部電極の役目をする反射金属基板（２）、ｐ−ｉ−ｎ接合（８）を形成する硬化アモルファスシリコン層のスタック、及び、透明な上部電極（９）を含む。 - 特許庁

A diaphragm part 1 in which a detecting element (a p-n junction diode) D_j,_i is arranged is supported in an array isolation region 3 in a hollow state by a first support leg 2a and a second support leg 2b.例文帳に追加

検出素子（ｐｎ接合ダイオード）Ｄ_j,iを配置しているダイアフラム部１が、第１支持脚２ａと第２支持脚２ｂにより中空状態でアレイ分離領域３に支持されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor element, where both of an n-type cladding layer and a p-type one are mainly made of the same kind of mixed crystal, resistance can be reduced, and type I junction with an active layer can be achieved.例文帳に追加

ｎ型クラッド層およびｐ型クラッド層が共に主として同種の混晶からなり、かつ低抵抗化可能であって活性層とタイプＩ接合し得る半導体素子を提供する。 - 特許庁

In the thin-film semiconductor epitaxial substrate 1 having an n+GaAs layer 4 for composing a p-n junction, and a p+GaAs layer 8, an i-InGap layer 5 having a bandgap that is larger than that of the n+GaAs layer 4 is provided on a surface 4a of the n+GaAs layer 4, thus improving reverse withstand voltage characteristics.例文帳に追加

ｐｎ接合を構成するためのｎ^+ ＧａＡｓ層４とｐ^+ ＧａＡｓ層８とを備えた薄膜半導体エピタキシャル基板１において、ｎ^+ ＧａＡｓ層４の面４ａに、ｎ^+ ＧａＡｓ層４のバンドギャップ値よりも大きいバンドギャップ値を有するｉ−ＩｎＧａＰ層５を設けることにより、逆方向耐圧電圧特性を改善した。 - 特許庁

The photonic crystal has a PIN junction structure formed by joining a P clad 130 made of a P-type semiconductor, an I part 170 including an active part, and an N clad 140 made of an N-type semiconductor together in a first direction, and has the plurality of resonators including the active part 160.例文帳に追加

フォトニック結晶は、Ｐ型半導体からなるＰクラッド１３０、活性部を含むＩ部１７０およびＮ型半導体からなるＮクラッド１４０が第１の方向に接合されたＰＩＮ接合構造を有するとともに、該活性部１６０を含む複数の共振器を有する。 - 特許庁

When a surge is inputted from the I/O pad, the surge is allowed to escape by utilizing the sharp concentration change in a p-n junction section, to be formed from the heavily-doped drain region 7b to a substrate region 1a.例文帳に追加

入出力パッドからサージが入力された場合には、高濃度ドレイン領域７ｂから基板領域１ａに形成されるｐｎ接合部の濃度変化が急峻なことを利用してサージを逃すように構成されている。 - 特許庁

Further, each of the n-type semiconductor region 21 and the p-type semiconductor region 22 is jointed with the i-type semiconductor region 23, and the junction surface extends in the direction intersecting with the optical receiving side 11 and rear side 12.例文帳に追加

また、ｎ型半導体領域２１及びｐ型半導体領域２２のそれぞれとｉ型半導体領域２３とが互いに接合しており、該接合面が受光面１１及び裏面１２と交差する方向に延びている。 - 特許庁

The detecting element (the p-n junction diode) D_j,_i which is composed of an anode region 51, a cathode region 52 and a cathode contact region 53 is housed at the inside of the diaphragm 1 which is used as the lid or the roof of a very small cavity region C_j,_i.例文帳に追加

アノード領域５１，カソード領域５２及びカソードコンタクト領域５３からなる検出素子（ｐｎ接合ダイオード）Ｄ_j,iが、微小空洞領域Ｃ_i,jの蓋若しくは屋根となるダイアフラム部１の内部に収納されている。 - 特許庁

In a thin-film solar battery containing pin junction in which a non-single crystalline silicon thin film containing a crystal is used as an i- layer, the oxygen atom concentration on the interface between a p-type or an n-type conductive layer on a substrate side and the i-layer is suppressed to be 5×10^20 atoms/cm^3 or below.例文帳に追加

結晶質を含む非単結晶シリコン系薄膜をｉ層として用いたｐｉｎ接合を含む薄膜太陽電池における基板側のｐまたはｎ型導電層とｉ層との界面における酸素原子濃度を５×１０^20ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下に抑制する。 - 特許庁

In the photovoltaic device having pin junction using a-SiGe: H where an unbonding hand is terminated by hydrogen for (i) layer, the amount of hydrogen in a film decreases from a P-layer side to an n-layer side in the (i) layer, and at the same time the amount of Ge decreases in linkage.例文帳に追加

この発明は、未結合手を水素により終端したａ−ＳｉＧｅ：Ｈをｉ層に用いたｐｉｎ接合を備えた光起電力装置において、ｉ層でｐ層側からｎ層側へ向かって膜中の水素量が減少するとともにＧｅ量が連動して減少する。 - 特許庁

To enhance the efficiency of an amorphous thin film solar cell having at least one pin junction formed of a p-type semiconductor layer or an n-type semiconductor layer comprising an amorphous thin film including a microcrystalline phase, a substantially intrinsic i-type semiconductor layer comprising an amorphous thin film, or an n-type semiconductor layer or a p-type semiconductor layer comprising an amorphous thin film.例文帳に追加

微結晶相を含む非晶質薄膜からなるｐ型半導体層またはｎ型半導体層、非晶質薄膜からなり実質的に真性なｉ型半導体層、非晶質薄膜からなるｎ型半導体層またはｐ型半導体層で構成されるｐｉｎ接合を少なくとも一つ有する非単結晶薄膜太陽電池において、効率の向上を図る。 - 特許庁

By this method, a solar cell satisfying a single p-i-n junction having a single-intrinsic amorphous silicon layer having a thickness of 800 to 2,200 Å and having an open circuit voltage of a range from 0.887 V to 0.986 V and a fill factor of a range from 0.645 to 0.74 is manufactured.例文帳に追加

本方法により８００〜２２００Åの厚みの単−真性アモルファスシリコン層を有する単ｐ−ｉ−ｎ接合を具備し、０．８８７V〜０．９８６Vの範囲の開放電圧及び０．６４５〜０．７４の範囲の曲線因子を有する太陽電池を作製する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a photoelectric conversion device capable of improving electric power generation characteristics of a solar cell having a hetero junction cell composed of a p-type crystal Ge (substrate), an i-type amorphous silicon semiconductor layer, and an n-type amorphous silicon semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型結晶Ｇｅ（基板）／ｉ型非晶質シリコン半導体層／ｎ型非晶質シリコン半導体層からなるヘテロ接合セルを有する太陽電池の発電特性を向上させることのできる光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The electrically pumped VCSEL includes a pair of distributed Bragg reflectors(DBR), an optical cavity located between DBR, active regions located in the optical cavity, and p-i-n junction structure of the equal number to the active regions.例文帳に追加

本発明は、１対の分布型ブラッグ・レフレクタ（ＤＢＲ）、ＤＢＲ間に配置された光共振器、光共振器内に配置された活性領域、及び、活性領域と等しい数のｐ−ｉ−ｎ接合構造を含む、電気ポンピング式垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）である。 - 特許庁

The waveguide type semiconductor optical device 20 is a waveguide type semiconductor optical device with the pin type junction structure comprising n-type cladding layers 2, 3, an i-type absorption layer 4 and p-type cladding layer 6 formed on a semi-insulating substrate 1 wherein an impurity concentration in the i-type absorption layer is 10^16 cm^-3 or less.例文帳に追加

導波路型半導体光デバイス２０は、半絶縁性基板１上に、ｎ型クラッド層２、３、ｉ型吸収層４及びｐ型クラッド層６とからなるｐｉｎ型接合構造を形成した導波路型半導体光デバイスであって、前記ｉ型吸収層における不純物濃度が１０^１６ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

To provide a durable organic photoelectric conversion element having high efficiency of photoelectric conversion, along with a method of manufacturing a bulk hetero-junction organic photoelectric conversion element having a p-i-n laminated structure at a low temperature and under the atmospheric pressure, and to provide a solar cell and an optical sensor array using the organic photoelectric conversion element.例文帳に追加

高い光電変換効率を有し、かつ耐久性を有する有機光電変換素子、低温かつ大気圧下でｐ−ｉ−ｎ積層構造を有するバルクへテロジャンクション型の有機光電変換素子の製造方法、この有機光電変換素子を用いた太陽電池及び光アレイセンサを提供することにある。 - 特許庁