「porogen」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In a step of extracting and removing porogen from a thermosetting resin sheet 1 containing porogen, the thermosetting resin sheet 1 is brought into contact with a first liquid having a relatively low temperature, and thereafter brought into contact with a second liquid having a relatively high temperature to extract and remove porogen.例文帳に追加

ポロゲンを含む熱硬化性樹脂シート１からポロゲンを抽出除去する工程において、相対的に低い温度の第１液に熱硬化性樹脂シート１を接触させた後、相対的に高い温度の第２液に熱硬化性樹脂シート１を接触させることによって、ポロゲンの抽出除去を行う。 - 特許庁

Porogen precursors form pores within the preliminary film and are subsequently removed to provide the porous film.例文帳に追加

ポロゲン前駆体が予備的な膜中に細孔を形成し、続いて除去されて多孔質膜を与える。 - 特許庁

A CVD process is introduced to a substrate to which a frame precursor and a porogen precursor are supplied.例文帳に追加

ＣＶＤプロセスは、基板に導入され、ここで、枠体前駆体及びポロゲン前駆体は供給される。 - 特許庁

MULTIBRANCHED TYPE POLYALKYLENE OXIDE POROGEN, ITS PRODUCTION METHOD AND LOW DIELECTRIC INSULATING FILM USING THE SAME例文帳に追加

多分枝型ポリアルキレンオキシドポロゲンおよびその製造方法並びにそれを用いた低誘電性絶縁膜 - 特許庁

To provide a constituent for forming a porous interlayer dielectric that contains porogen of saccharide system.例文帳に追加

糖類系ポロゲンを含有する多孔性層間絶縁膜を形成するための組成物を提供する。 - 特許庁

ULTRAVIOLET ASSISTED POROGEN REMOVAL AND/OR CURING PROCESS FOR FORMING POROUS LOW-K DIELECTRIC例文帳に追加

多孔性の低ｋの誘電体を形成するために、紫外線を利用してポロゲンを除去及び／又はキュアするプロセス - 特許庁

The improved method for producing a resin comprises conducting steam stripping of the porogen from the polymer under the reduced pressure.例文帳に追加

本発明は、減圧下、ポリマーからポロゲンを蒸気ストリッピングすることを含む、樹脂の改良製造方法に関する。 - 特許庁

POROGEN, POROGENATED PRECURSOR, AND METHOD FOR USING THE SAME TO FORM POROUS ORGANOSILICA GLASS FILM WITH LOW DIELECTRIC CONSTANT例文帳に追加

ポロゲン、ポロゲン化前駆体、および低誘電定数を有する多孔性有機シリカガラスフィルムを得るためにそれらを用いる方法 - 特許庁

The method for preparing the macroreticular polymer comprises polymerizing one or more monoethylenically unsaturated monomers in the presence of a silicone-based porogen.例文帳に追加

シリコーンベースポロゲンの存在下で１以上のモノエチレン性不飽和モノマーを重合することを含むマクロレティキュラーポリマーを調製する。 - 特許庁

The preliminary film contains fine pores and substantially all of porogen is removed to provide the porous film with a dielectric constant less than 2.6.例文帳に追加

その予備的な膜は細孔を持ち、誘電率が２．６未満である多孔質膜を得るために、実質的にすべてのポロゲンを除去される。 - 特許庁

At the same time, the low-k dielectric film maintains a concentration of the porogen material substantially the same before and after exposure to the first ultraviolet radiation pattern.例文帳に追加

このとき同時に、この第一の紫外線照射パターンへの露光の前後で、ポロゲン材料の濃度は、実質的に同一に維持している。 - 特許庁

To provide a method for producing a thermosetting resin porous sheet, which prevents damage and shape change, and can efficiently remove porogen.例文帳に追加

損傷や形状変化を防ぎつつ、効率よくポロゲンを除去することのできる熱硬化性樹脂多孔シートの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an effective method, which is not currently present, for cleaning a translucent window in a reduced pressure state at site, after UV annealing of a composite film of porogen and organosilicate.例文帳に追加

ポロゲンとオルガノシリケート複合フィルムのＵＶアニーリングの後に、現場において減圧下で透過性窓を清浄にするための有効な方法が、現状では存在していない。 - 特許庁

To provide a method of cleaning equipment surfaces in a semiconductor material processing chamber, after deposition of a porous film containing a porogen in the processing chamber.例文帳に追加

半導体材料処理室においてポロゲンを含有する多孔質膜を堆積させた後にその処理室において装置表面をクリーニングする方法を提供すること。 - 特許庁

The composite containing at least a siloxane polymer (A), a solvent (B), and porogen (C) is used as the composite for the silica-based film formation for forming the low dielectric film.例文帳に追加

シロキサンポリマー（Ａ）と、溶剤（Ｂ）と、ポロージェン（Ｃ）とを少なくとも含有してなる組成物を、低誘電性被膜を形成するためのシリカ系被膜形成用組成物として、用いる。 - 特許庁

To provide a method for preparing a monoterpene as a porogen for a porous oxidized silicon dielectric membrane-piled material in an electronic device by separating oxygen-containing impurity compounds from the monoterpene.例文帳に追加

モノテルペンから酸素含有不純物化合物を分離することにより、電子デバイスにおける多孔質酸化ケイ素誘電体膜堆積物のためのポロゲンとしてモノテルペンを調製する方法を提供する。 - 特許庁

Processes for forming porous low-k dielectric materials from low-k dielectric films containing a porogen material include exposing the low-k dielectric film to ultraviolet radiation.例文帳に追加

ポロゲン材料を包含する低ｋの誘電体フィルムから多孔性の低ｋの誘電体材料を形成するプロセスが、紫外線照射へ低ｋの誘電体フィルムを露光することを含んでいる。 - 特許庁

When an interlayer insulation film LI2 is formed by a plasma CVD method, the flow rate of porogen supplied into a CVD device is adjusted to 30% or more but not exceeding 60% of the total flow rate of porogen and methyl diethoxysilane to reduce the size of holes 10 formed within the interlayer insulation film LI2, thereby preventing an altered layer CL from being formed on the surface of the interlayer insulation film LI2 by process damage.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法によって層間絶縁膜ＩＬ２を形成する際にＣＶＤ装置内に供給するポロジェンの流量を、ポロジェンおよびメチルジエトキシシランの合計の流量の３０％以上６０％以下とすることで、層間絶縁膜ＩＬ２内に形成される空孔１０の大きさを小さくし、プロセスダメージによって層間絶縁膜ＩＬ２の表面に変質層ＣＬが形成されることを防ぐ。 - 特許庁

The porogen is substantially compatible with the B-stage organo polysilica dielectric substance and the porogen comprises at least one compound selected from a silyl-containing monomer and a poly(alkylene oxide) monomer as a polymerization unit and one or more crosslinking agents is polymerized.例文帳に追加

Ｂ−ステージ有機ポリシリカ誘電体内に除去可能な架橋重合体ポロゲンを分散し；Ｂ−ステージ有機ポリシリカ誘電体を硬化して；少なくても部分的にポロゲンを除去する方法であって、該ポロゲンは、Ｂ−ステージ有機ポリシリカ誘電体と実質的に相溶性であり、該ポロゲンは、重合単位としてシリル含有モノマーまたはポリ（アルキレンオキサイド）モノマーから選択される少なくても一つの化合物および１以上の架橋剤を含む方法。 - 特許庁

The film can be formed by adding porogen such as 1-methyl-4-isopyr-1, 3-cyclohexadiene or the like or the film can be formed by changing high-frequency electric power for generating plasma, the flow rate of film forming gas or a film forming pressure.例文帳に追加

１−メチル−４−イソピル−１，３−シクロヘキサジエンなどのポロジエンを添加して成膜してもよく、プラズマ発生用高周波電力、成膜用ガスの流量あるいは成膜圧力を変化させて成膜してもよい。 - 特許庁

The filtration filter is formed by a step that a porous filtration film made by curing a composition for forming film containing an active energy ray curing compound and porogen, and a fibrous filtration film are adhered by the curing of the composition for forming film.例文帳に追加

活性エネルギー線硬化性化合物と孔形成剤を含有する製膜用組成物を硬化してなる多孔性濾過膜と、繊維質濾過膜とが、製膜用組成物の硬化により固着されてなる濾過フィルター。 - 特許庁

The method includes: introducing a gaseous reagent into a vacuum chamber, the gaseous reagent containing precursor selected from a group consisting of organosilane and organosiloxane and porogen; and applying energy to the gaseous reagent to induce reaction of the gaseous reagent to deposit a preliminary film on the substrate.例文帳に追加

オルガノシラン及びオルガノシロキサンからなる群より選ばれる前駆体並びにポロゲンを含むガス状試薬を真空チャンバに導入し、ガス状試薬にエネルギーを加え、ガス状試薬の反応を生じさせて基体上に予備的な膜を堆積させる。 - 特許庁

Compositions include organosilane and/or organosiloxane compounds containing at least one Si-H bond and porogen precursors of hydrocarbons containing alcohol, ether, carbonyl, carboxylic acid, ester, nitro, primary amine, secondary amine, and/or tertiary amine functionality or combinations thereof.例文帳に追加

組成物は、少なくとも１つのＳｉ−Ｈ結合を含有するオルガノシラン及び／又はオルガノシロキサン化合物と、アルコール、エーテル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトロ、第一、第二及び／又は第三アミン官能性又はそれらの組み合わせを含有する炭化水素のポロゲン前駆体とを含む。 - 特許庁

The film formation composition which is formed on a silicon wafer to constitute a diffusion film for diffusing impurity elements into the silicon wafer contains (A) a high molecular silicon compound, (B) an oxide of the impurity elements or a salt containing the element, and (C) a porogen.例文帳に追加

シリコンウエハ上に形成され、当該シリコンウエハへの不純物元素の拡散を行うための拡散膜を構成する膜形成組成物であって、（Ａ）高分子ケイ素化合物と、（Ｂ）前記不純物元素の酸化物又は当該元素を含む塩と、（Ｃ）ポロージェンと、を含有する膜形成組成物。 - 特許庁

The adhesion promoting composition comprises a film forming polymer, the plating catalyst and porogen.例文帳に追加

本発明は、基体上に金属膜を堆積する方法であって、基体を準備する工程、基体上に接着促進組成物の層を堆積する工程、および接着促進組成物上に金属層を堆積する工程を含み、接着促進組成物が膜形成ポリマー、メッキ触媒およびポロゲンを含有する方法に関する。 - 特許庁

The low-k dielectric film can be then processed to form a metal interconnect structure therein and subsequently exposed to a second ultraviolet radiation pattern effective to remove the porogen material from the low-k dielectrics film and form a porous low-k dielectric film.例文帳に追加

低ｋの誘電体フィルムは、それから、そこで金属の相互接続構造を形成するために処理され、連続して、低ｋの誘電体フィルムから、ポロゲン材料を除去するのに有効な第二の紫外線照射パターンへ露光され、多孔性の低ｋの誘電体フィルムを形成する。 - 特許庁

The method is comprised of contacting the equipment surfaces in the semiconductor material processing chamber with a proton donor containing an atmosphere to make it react with the porogen deposited on the equipment surfaces; contacting the equipment surfaces with a fluorine donor containing atmosphere, to make it react with the thin film deposited on the equipment surfaces.例文帳に追加

半導体材料処理室の装置表面をプロトン供与体含有雰囲気と接触させてその装置表面に堆積せしめられたポロゲンと反応させることと、装置表面をフッ素供与体含有雰囲気と接触させてその装置表面に堆積せしめられた薄膜と反応させることとを含んでなるように構成する。 - 特許庁

The method is constituted so that it may include a process of putting the equipment surface in the semiconductor material processing chamber into contact with an atmosphere including a proton donor, and causing it to react with the porogen deposited on the equipment surface, and a process of putting the equipment surface into contact with an atmosphere including a fluorine donor, and causing it to react with a thin film deposited on the equipment surface.例文帳に追加

半導体材料処理室の装置表面をプロトン供与体含有雰囲気と接触させてその装置表面に堆積せしめられたポロゲンと反応させることと、装置表面をフッ素供与体含有雰囲気と接触させてその装置表面に堆積せしめられた薄膜と反応させることとを含んでなるように構成する。 - 特許庁