「position al」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

If the determination is denied, default image data DS0 previously prepared are provided to the position and album data AL are created.例文帳に追加

判定が否定されると予め用意されたデフォルト画像データＤＳ０をその付与位置に付与してアルバムデータＡＬを作成する。 - 特許庁

The movement of each actuator is executed by a temporally varying velocity profile ordered as a function of the position (S _n^actual) decided concerning the set position (S _setpoint) of the component, and thereafter the position (S _n^actual) is redecided.例文帳に追加

アクチュエータの移動は部品の設定位置（Ｓ_setpoint）に関する決定された位置（Ｓ_n ^actual）の関数として指令された時間的に変化する速度プロファイルにより実行され、その後にその位置（Ｓ_n ^actu^al）が再決定される。 - 特許庁

The portable point indicator 50 is a laser pointer projecting an indication point Pi to an arbitrary position of an operator Mn of imaging areas AL, and AR.例文帳に追加

携帯式ポイント指示器５０は、撮影エリアＡＬ，ＡＲのうち、操作者Ｍｎの任意な位置に指示ポイントＰｉを投射するレーザポインタである。 - 特許庁

Thus the barrier metal 4 can be etched from a position further interior than the opening ends of the Al film 5 by etching through the openings 23a, so that undercuts of the barrier metal 4 underlying the Al film 5 can be prevented.例文帳に追加

このように、開口部５ｃよりも内側の開口部２３ａを通じてエッチングを行うことにより、Ａｌ膜５の開口端よりも内側からバリアメタル４をエッチングできるため、Ａｌ膜５の下側に位置するバリアメタル４のアンダーカットを防止することができる。 - 特許庁

And Al coil 1 is mounted to a delivering machine 11 after being cut which an edge face cutting device 2 to a predetermined width at the arbitrary position in a longitudinal direction.例文帳に追加

本発明によれば、ＡＬコイル１は、端面切削装置２によって長さ方向の任意の位置が所定の巾に切削された後、送出機１１に取り付けられる。 - 特許庁

A video additional information display controller 1 determines a projection position of a display object in a video V to be projected on a head-mounted display 3, and determines a coordinate AL for additional information A so as to disallow the information to be overlaid on the projection position.例文帳に追加

映像付加情報表示制御装置１は、ヘッドマウントディスプレイ３へ投影される映像Ｖ内の表示物の投影位置を求め、当該投影位置に重ならないように付加情報Ａの座標ＡＬを求める。 - 特許庁

To provide a lighting apparatus capable of easily securing the position al relationship between a light incident surface of an optical fiber cable and an infrared absorption filter to be fixed in elliptic mirror.例文帳に追加

光ファイバの光入射端面と赤外光吸収用フィルタとの位置関係を容易に確保して楕円面鏡に固定することのできる照明装置を提供すること。 - 特許庁

The Al electrode pads 20 are arranged at the position distant from the outer periphery of the layer 63 in the predetermined distance, and provided in no contact with the layer 63.例文帳に追加

Ａｌ電極パッド２０は、筒状絶縁層６３の外周より所定距離離間位置に配置されており、筒状絶縁層６３と非接触となるように設けられている。 - 特許庁

The anamorphic afocal converter (AL) can vary the power by changing the focus distance of the entire system without changing an image surface position in the state of being mounted in front of a master lens (ML).例文帳に追加

アナモフィックアフォーカルコンバータ（ＡＬ）は、マスターレンズ（ＭＬ）の前方に装着された状態で像面位置を変えることなく全系の焦点距離を変化させることにより変倍を行うことが可能である。 - 特許庁

A lead 3 of an electrochemical device includes a lead body 3A including Al, and first and second metal thin films 3a which are provided at the tip of the lead body 3A and protrudes from this tip position.例文帳に追加

電気化学デバイスのリード３は、Ａｌを含むリード本体３Ａと、リード本体３Ａの先端部に設けられ、この先端位置から突き出した第1及び第２の金属薄膜３ａを有している。 - 特許庁

An electrode, which is connected with a p+ region 6 (a p-type base region 3) via a contact hole 11a, is constituted of an Al film 22, and this film 22 is formed only at a position separated from the side surface of the hole 11a.例文帳に追加

コンタクトホール１１ａを介して、ｐ型領域６（ｐ型ベース領域３）に接続される電極をＡｌ膜２２で構成し、このＡｌ膜２２をコンタクトホール１１ａの側面から離間した位置にのみ形成する。 - 特許庁

When the distance between a certain position in a contact area of the transfer belt and a part in the contact area nearest to an image carrier body and current flowing into the part are defined respective as L and I, a transfer brush 1 satisfying I<aL+b (a>0, b>0) is selected.例文帳に追加

転写ベルトの接触領域のうちもっとも像担持体に近い部分からの距離Ｌ、その部分に流れる部分電流Ｉを、Ｉ＜ａＬ＋ｂ（ａ＞０、ｂ＞０）を満たす転写ブラシ１を選別する。 - 特許庁

A patterned Al layer 22 is formed on the surface of a silicon substrate 21 for manufacturing the orifice plate, and the silicon substrate 21 is subjected to dry etching while using an Al layer 22 as a mask, thereby forming a hole 21a serving as a recessed part disposed at the position corresponding to a discharge opening on the surface of the silicon substrate 21 and forming a groove-shaped cut line 21d.例文帳に追加

オリフィスプレートを作製するためのシリコン基板２１の表面に、パターニングされたＡｌ層２２を形成し、Ａｌ層２２をマスクとしてシリコン基板２１のドライエッチングを行うことで、シリコン基板２１の表面における吐出口に対応する位置に配置された、凹部としての穴２１ａ、および溝状の切断ライン２１ｄを形成する。 - 特許庁

When an incoming call to a telephone number shared by the plural radio units is received, the MSC accesses the position registering data base, and transfers the incoming call to al the radio units assigned to the shared telephone number.例文帳に追加

ＭＳＣが複数の無線ユニットによって共有される電話番号についての着呼を受信すると、ＭＳＣは位置登録データベースにアクセスし、共有された電話番号に割り当てられる全ての無線ユニットに着呼を転送する。 - 特許庁

In the semiconductor device having a constitution where the Ni plating layer 20 of the semiconductor chip is bonded to solder 6b, a void 25 is provided in the Al electrode 19 at a position on th upper side of the contact hole 18.例文帳に追加

このような構成の半導体チップのＮｉメッキ層２０と半田６ｂとを接合した半導体装置において、Ａｌ電極１９のうち、コンタクトホール１８の上側に位置する部位に、空孔２５を設けた構造とする。 - 特許庁

The laser beam AL defected by the mirror 41 is condensed on the position of a material point on an objective 42 to form a beam profile image C1 and the image C1 is formed on the detecting surface of a CCD camera 43 enlarged through the objective 42.例文帳に追加

反射ミラー４１で偏向されたレーザ光ＡＬは、対物レンズ４２の物点位置に集光してビームプロファイル像ＣＩを形成し、対物レンズ４２を通して拡大されＣＣＤカメラ４３の検出面に結像する。 - 特許庁

A heat resistant adhesive tape 6 is slit to leave an adhesive surface in accordance with a position to form an Al electrode pad 2 on a semiconductor wafer 1, a packaging terminal 5 is adhered on the adhesive surface, and the packaging terminal 5 is coated with a solder 8.例文帳に追加

耐熱性粘着テープ６に半導体基板１上のＡｌ電極パッド２の形成位置に合わせて粘着面が残るように切り込みを入れ、粘着面上に実装端子５を接着し、実装端子５の上に半田８を塗布する。 - 特許庁

A lead 3 of an electrochemical device includes a lead body 3A including Al and a pair of first and second metal thin films 3a which is provided at the tip of the lead body 3A and protrudes from this tip position, and these tips come into contact with each other.例文帳に追加

電気化学デバイスのリード３は、Ａｌを含むリード本体３Ａと、リード本体３Ａの先端部に設けられ、この先端位置から突き出した一対の第1及び第２の金属薄膜３ａを有し、これらの先端は互いに接触している。 - 特許庁

To provide a pad capable of fixing a filament or the like at a higher position in an electron tube such as a fluorescent light emitting tube in which the pad such as an Al wire is used for a member to fix the end part of the filament for a cathode and a linear damper or the like, and retain the parts at a prescribed height.例文帳に追加

陰極用フィラメントや線状ダンパー等の端部を固定し、所定の高さに保持する部材に、Ａｌ線等のパッドを用いている蛍光発光管等の電子管において、フィラメント等をより高い位置に固定できるパッドを提供すること。 - 特許庁

A position corresponding to a light reception section 52 in a wiring structure layer 90, where the interlayer insulating film made of SOG, or the like and an Al layer are laminated, is etched back to form the opening 120.例文帳に追加

ＳＯＧ等からなる層間絶縁膜とＡｌ層とが積層された配線構造層９０の受光部５２に対応する位置をエッチバックして開口部１２０を形成した後、ＣＶＤ法によりシリコン窒化膜１３０を開口部１２０の側壁面及び底面に堆積する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of coating a TiN film 41 of an antireflection film on an Al shielding film 10, forming a black dye-filled polyimide film 11 thereon, opening the film 11 on a position for forming the marker 15, and thereafter opening the film 41 by anisotropically etching.例文帳に追加

Ａｌ遮光膜１０上に反射防止膜であるＴｉＮ膜４１を被覆し、その上に黒色染料入りポリイミド膜１１を形成し、マーカ１５を形成する箇所の上の黒色染料入りポリイミド膜１１を開口し、その後、ＴｉＮ膜４１を異方性エッチングで開口する。 - 特許庁

In this case, nitride radicals are emitted before spin coating to form a portion 5a which is not a shade of the nano-columns 2 into an insulative nitride aluminum layer on the surface layer of the Al substrate 5 by self-aligning the nano-columns 2 dispersed on the arbitrary position, thereby preventing short-circuit between the nano-columns 2 and the organic metal.例文帳に追加

ただし、スピンコートの前に窒素ラジカルを照射し、任意の位置に散布されたナノコラム２に対して、その自己整合によって、Ａｌ基板５の表層部において、ナノコラム２の影になっていない部分５ａを絶縁性の窒化アルミニウム層として前記有機金属との短絡を回避する。 - 特許庁

The method comprises a process for forming the barrier metal layer 5 in a prescribed position on a Cu wiring layer 3 formed on a semiconductor substrate by a CVD method or an ALD method, and a process for forming an Al layer 6 on the barrier metal layer without air-exposing the barrier metal layer 5.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたＣｕ配線層３上の所定位置に、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法によりバリアメタル層５を形成する工程と、前記バリアメタル層５を大気暴露することなく、前記バリアメタル層上にＡｌ層６を形成する工程を備える。 - 特許庁

A very deep etch pit 1b is formed in the position corresponding to a leak portion by performing molten KOH etching and the like after Al ion implantation and activation annealing, based on findings that a dislocation causing leak such as a drain leak of a vertical MOSFET is a threading screw dislocation.例文帳に追加

縦型ＭＯＳＦＥＴのドレインリークなどのリークを引き起こす転位は貫通らせん転位であるということに基づき、Ａｌイオンの注入および活性化アニール後に溶融ＫＯＨエッチング等を行うことにより、リーク部に相当する場所に非常に深いエッチピット１ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a vehicle body panel structure capable of reducing an HIC value even if a movement distance of a head part is short, making the HIC value uniform not depending on a collision position to a hood, sufficiently reducing the HIC value even at the hood made of an Al alloy and contributing to the light weight of the vehicle body.例文帳に追加

頭部移動距離が小さくてもＨＩＣ値を低減することができ、フードへの衝突部位によらずＨＩＣ値を均一化することができ、更に、Ａｌ合金製フードでも、十分ＨＩＣ値を低減できて、車体の軽量化に寄与する車体パネル構造体を提供する。 - 特許庁

Stripe-like or mesh-like auxiliary electrodes 125 formed of a metal selected from Mo, Al and aluminum alloy, minimizing influence of conductor resistance, and complementing the deviation of intensity of a drive signal generated depending on a position on the first electrode 120 are formed on the first electrode 120 formed on a substrate 110 and formed of ITO.例文帳に追加

基板110上に形成されたITOからなる第１電極120上に、Ｍｏ、Ａｌ、アルミニウム合金から選択される金属からなり、導線抵抗の影響を最小にし、第１電極120上の位置によって発生する駆動信号の大きさの偏差を補完するストライプ状又はメッシュ状の補助電極125を形成する。 - 特許庁

The annular electrode 11 includes an underlayer 12, formed on the main surface 1a of the piezoelectric substrate 1 by a metal material with Al as the main constituent; an adhesive electrode layer 13, formed at a position of covering the underlayer 12; and a barrier metal electrode layer 14 formed on the adhesive electrode layer 13.例文帳に追加

環状電極１１は、圧電基板１の主面１ａに、Ａｌを主成分とする金属材料で形成されている下地層１２と、下地層１２を覆う位置に形成されている密着電極層１３と、密着電極層１３上に形成されているバリアメタル電極層１４とを含んでいる。 - 特許庁

In addition, the left radar 11L is arranged, to the predetermined preceding vehicle Q which exists at a position separated from the vehicle (own vehicle P) in the front in the cross direction by specific distance, so that the right end of a detection area AL of the left radar 11L matches the rear right end QR of the preceding vehicle Q.例文帳に追加

また、左レーダ１１Ｌは、車両（自車両Ｐ）から前後方向前方に所定距離だけ離れた位置に存在する所定の先行車両Ｑに対して、左レーダ１１Ｌの検出領域ＡＬの右端と先行車両Ｑの後部右端ＱＲとが一致するようにして配置されている。 - 特許庁

A baffle plate member 15 comprises a baffle plate main body 15b substantially containing a vibration damping alloy consisting of 6-10 wt.% of Al and the ballance of Fe, and a weight member 15c installed in a projection 15a at a predetermined position near the circumference of the baffle plate main body 15b.例文帳に追加

バッフルプレート部材１５は、実質的に、Ａｌ：含有量６〜１０重量％と残部Ｆｅとを含んで構成される制振合金体を含んで構成されるバッフルプレート本体１５ｂと、バッフルプレート本体１５ｂの外周付近の予め定める位置の突出部１５ａに設けられた錘部材１５ｃとを含んで構成される。 - 特許庁

The seal material is adhered to a surface of the repairing frame material having a mount at al lower end, and the repairing frame material adhered with the seal material is moved to the part to be repaired on the inner surface of the pipe material while being contracted, the repairing frame material is expanded at that position to add the seal material on the part to be repaired on the inner surface of the pipe material.例文帳に追加

下端に台座を有する補修枠材の表面にシール材を付着し、このシール材が付着した補修枠材を収縮した状態で管材の内面の補修個所まで移動し、その位置で前記補修枠材を膨張させて管材の内面の補修個所へ前記シール材を添設させる管材の補修方法である。 - 特許庁

The Schottky electrode 2 includes: an electrode body 6; a connection electrode 8, which is formed in a position apart from the electrode body 6 when viewed from the semiconductor layer 1, and contains Al; and a barrier layer 7 formed between the electrode body 6 and connection electrode 8, and containing at least one selected from a group consisting of W, TiW, WN, TiN, and Ta.例文帳に追加

ショットキー電極２は、電極本体６と、半導体層１から見て電極本体６よりも離れた位置に形成され、かつＡｌを含む接続用電極８と、電極本体６と接続用電極８との間に形成された、Ｗ、ＴｉＷ、ＷＮ、ＴｉＮ、およびＴａよりなる群から選ばれる少なくとも１種を含むバリア層７とを含んでいる。 - 特許庁

The electrodes includes an electrode body 6, a connector electrode 8 formed at a position distant from the electrode body 6 from the view from the semiconductor layer 1 and containing Al, and a barrier layer 7 formed between the electrode body 6 and the connector electrode 8 and containing at least one selected from the group consisting of W, TiW, WN, TiN, Ta and TaN.例文帳に追加

電極は、電極本体６と、半導体層１から見て電極本体６よりも離れた位置に形成され、かつＡｌを含む接続用電極８と、電極本体６と接続用電極８との間に形成されたＷ、ＴｉＷ、ＷＮ、ＴｉＮ、Ｔａ、およびＴａＮよりなる群から選ばれる少なくとも１種を含むバリア層７とを含んでいる。 - 特許庁

The surface emitting laser element comprises a GaAs layer 16 having a thickness exhibiting a high reflectivity to an oscillation wavelength and formed on an upper DBR mirror 14, and a recess 42 of a depth exhibiting a low reflectivity to the oscillation wavelength at the GaAs layer 16 directly under a position bridged over the extension line of the boundary between an Al oxide layer 32 and an AlAs layer 31 on the GaAs layer 16.例文帳に追加

上部ＤＢＲミラー１４上に、発振波長に対して高い反射率を示す厚みのＧａＡｓ層１６を形成するとともに、そのＧａＡｓ層１６上であってＡｌ酸化層３２とＡｌＡｓ層３１の境界の延長線上をまたいだ位置に、直下のＧａＡｓ層１６が発振波長に対して低い反射率を示す厚みとなるような深さの窪み４２を形成する。 - 特許庁

Generation of the stretcher strain marks in press molding under severe forming conditions is suppressed by devising temper treatment after the final annealing when the Al-Mg based aluminum alloy sheet consisting of a specific composition containing Mg, Zn is manufactured and making a position of a first proximity peak obtained by analyzing EELS spectrums on a K loss end of Mg to be measured by electronic energy loss spectroscopy of the sheet be within a specific range.例文帳に追加

特定のＭｇ、Ｚｎを含む組成からなるＡｌ−Ｍｇ系アルミニウム合金板製造の際の、最終焼鈍後の調質処理を工夫して、この板の電子エネルギー損失分光法で計測されるＭｇのＫ損失端のＥＥＬＳスペクトルを解析して得られた第一近接ピークの位置が特定範囲内にあるようにして、厳しい成形条件でのプレス成形時のストレッチャーストレインマークの発生を抑制する。 - 特許庁