「protective insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a protective sheet for solar cell modules having excellent electrical insulation properties.例文帳に追加

電気絶縁性に優れる太陽電池モジュール用保護シートの提供。 - 特許庁

PIPING MATERIAL PROTECTIVE COVER AND METHOD FOR ARRANGING THERMAL INSULATION MATERIAL ON ITS BASE例文帳に追加

配管材保護カバー、及びその基台に断熱材を配置する方法 - 特許庁

An insulation protective layer 10 is installed on a non-contact surface of an anisotropic electro-conductive connector layer 1 and an insulation supporting layer 20 is made to exist between the anisotropic electro-conductive connector layer 1 and the insulation protective layer 10.例文帳に追加

異方導電コネクタ層１の非接触面に絶縁保護層１０を設け、異方導電コネクタ層１と絶縁保護層１０との間に絶縁支持層２０を介在させる。 - 特許庁

PROTECTIVE FILM, INSULATION LAYER THEREWITH, AND METHOD FOR MANUFACTURING WIRING BOARD例文帳に追加

保護フィルム及び保護フィルム付き絶縁層並びに配線基板の製造方法 - 特許庁

A polyimide or similar insulation film 50 is formed on the protective film 40.例文帳に追加

保護膜４０の上に、ポリイミドなどの絶縁膜５０が形成されている。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a protective insulation layer 50, the pad opening 60 provided in the protective insulation layer 50, and the wiring layer that the pad opening ends at.例文帳に追加

半導体装置は、保護絶縁層５０と、保護絶縁層５０において設けられたパッド開口部６０と、パッド開口部が達している配線層とを含む。 - 特許庁

Following to the formation of an interlayer insulation film 18 and respective electrodes, a silicon nitride film is formed as a protective insulation film 22.例文帳に追加

層間絶縁膜１８および各電極を形成後、窒化シリコン膜を形成して保護絶縁膜２２とする。 - 特許庁

PROCESS FOR FORMING PROTECTIVE INSULATION FILM FOR BUMP ON PRINTED BOARD MOUNTING ELECTRONIC COMPONENT例文帳に追加

電子部品実装プリント基板における絶縁性バンプ保護膜の形成方法 - 特許庁

A protective layer 159 is formed on the entire surface of the substrate by using an insulation film.例文帳に追加

また、基板の全面に絶縁膜で保護層１５９をさらに形成する。 - 特許庁

The insulation protective layer 14 is a film made by CVD or PVD.例文帳に追加

絶縁性保護層１４は、ＣＶＤ又はＰＶＤにより形成した膜である。 - 特許庁

The protective film 41 has properties of both humidity resistance and electric insulation.例文帳に追加

保護膜４１は、耐湿性と電気絶縁性の両方の特性を有している。 - 特許庁

Then, after a protective insulation film 7 and an upper layer insulation film 8 are formed on the substrate, a contact hole 8a is formed in the upper layer insulation film 8.例文帳に追加

その後、基板上に保護絶縁膜７及び上層用絶縁膜８を形成した後、上層用絶縁膜８にコンタクトホール８ａを形成する。 - 特許庁

PHOTOSENSITIVE THERMOSETTING RESIN COMPOSITION AND INSULATION PROTECTIVE COATING FORMED BY CURING THE SAME例文帳に追加

感光性熱硬化性樹脂組成物及びこれを硬化させてなる絶縁保護皮膜 - 特許庁

The under-barrier metal 6 coats an area ranging from the pad electrode 3 exposed from an opening 5 formed in a protective insulation film 4 to the protective insulation film 4 around the opening 5.例文帳に追加

アンダーバリアメタル６は保護絶縁膜４に形成された開口５に露出するパッド電極３上から開口５周囲の保護絶縁膜４上までを被覆する。 - 特許庁

A protective film 222 is formed at an upper portion of the insulation film and inside the contact hole.例文帳に追加

前記絶縁膜の上部および前記コンタクトホールの内部に保護膜２２２を形成する。 - 特許庁

In addition, a protective film 8 is provided to approximately entirely cover the gate insulation layer 6.例文帳に追加

また、ゲート絶縁層６のほぼ全面を覆うように保護膜８が設けられている。 - 特許庁

The separation insulation films 6 on the sacrifice insulation film 3 and the film 3 are removed by polishing, to have the protective film 20 exposed.例文帳に追加

犠牲酸化膜３上の分離絶縁膜６および犠牲絶縁膜３が研磨除去され、保護膜２０が露出される。 - 特許庁

To provide a composition for insulation layers, capable of forming insulation layers (e.g., gate insulation films and protective layers of transistors) at a low temperature and capable of forming an insulation layer having excellent withstand voltage.例文帳に追加

低温で絶縁層（例えば、トランジスタのゲート絶縁膜や保護層）を形成することが可能であり、しかも優れた絶縁耐圧を有する絶縁層を形成可能な絶縁層用組成物を提供すること。 - 特許庁

In the liquid crystal device provided with electrodes 3, 4, formed on surfaces of synthetic resin substrates 1, 2 and covered with insulation protective layers 5, 6, the insulation protective layers 5, 6 with specified layer thickness are formed by laminating plural layers of insulation protective layers 5a, 6a with ≤400 Å layer thickness.例文帳に追加

合成樹脂基板１，２の表面に形成した電極３，４を絶縁保護膜５，６で覆うようにした液晶装置において、膜厚４００オングストローム以下の絶縁保護膜５ａ，６ａを複数層積層して所定膜厚の絶縁保護膜５，６を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a fluid pipe protective duct capable of easily installing a thermal insulation material inside, and hardly slipping out the thermal insulation material installed once.例文帳に追加

内部に断熱材を簡単に取着できると共に、一旦取着した断熱材が外れにくい流体管保護ダクトの提供である。 - 特許庁

Diameter of an opening of the recess 10 of the interlayer insulation film 9 is larger than the diameter of the opening 15a of the protective insulation film 15, and edge of the opening 15a of the protective insulation film 15 is formed in such a way that it projects toward the inside of the opening of the recess 10 of the interlayer insulation film 9 like eaves.例文帳に追加

層間絶縁膜９の凹部１０の開口径は保護絶縁膜１５の開口部１５ａの開口径よりも大きく、且つ保護絶縁膜１５の開口部１５ａ側の端部は、層間絶縁膜９の凹部１０の側面から内側に突き出す庇状に形成されている。 - 特許庁

Next, a second insulation film 22 and a second conductor film 32 are formed in sequence, a protective film 51 is formed thereon, and the protective film 51 is etched back.例文帳に追加

続いて、第２絶縁膜２２と第２導体膜３２とを順に形成し、その上から保護膜５１を形成し、保護膜５１をエッチバックする。 - 特許庁

After an interlayer insulation film 18 and each electrode are formed, a silicon nitride film is formed by plasma CVD as a protective insulation film 22.例文帳に追加

層間絶縁膜１８および各電極を形成した後、プラズマＣＶＤ法により窒化シリコン膜を形成して保護絶縁膜２２とする。 - 特許庁

Thereafter, a silicon oxide film including at least one side of phosphorus (P) and boron (B) is formed on the protective insulation film as an interlayer insulation film.例文帳に追加

その後、保護絶縁膜上に、層間絶縁膜として燐（Ｐ）及び硼素（Ｂ）の少なくとも一方を含んだシリコン酸化膜を成膜する。 - 特許庁

At performing of the plasma etching, in addition, the film thicknesses of the protective film formed on the surface of the substrate placing section and protective films and insulation films formed in the other sections are set, so that the etching time of the protectively film may become equal to the etching time of the protective and insulation films.例文帳に追加

また、前記プラズマエッチングの際、基板載置部の表面に形成する保護膜のエッチング時間と、基板載置部以外の部分に形成される保護膜及び絶縁膜のエッチング時間とが等しくなるようにこれらの膜厚を設定する。 - 特許庁

The insulation protective layer 10 is formed in two layer-structure with an insulation lining 11 of hardness 15° H to 50° H or less, which contacts the insulation supporting layer 20, and an insulation outer layer 12 of thickness 0.01 to 0.1 mm and hardness 70° H or more.例文帳に追加

絶縁保護層１０を、絶縁支持層２０に接触する硬度１５°Ｈ〜５０°Ｈ以下の絶縁内層１１と、厚さ０．０１〜０．１ｍｍで硬度７０°Ｈ以上の絶縁外層１２とから二層構造に形成する。 - 特許庁

The protective cover 11 has insulation properties, and the electronic component 1 is insulated from the outside.例文帳に追加

さらに、保護カバー１１は絶縁性を有するから、電子部品１と外部との絶縁を図ることができる。 - 特許庁

POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PROTECTIVE FILM, INTERLAYER INSULATION FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、およびそれを用いた半導体装置、表示素子。 - 特許庁

The plug 107 is buried in a first protective insulation film 103 on a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００上の第１の保護絶縁膜１０３にはプラグ１０７が埋め込まれている。 - 特許庁

The insulation protective films 17 include a portion formed by an electron beam evaporation method above the positive electrode 16.例文帳に追加

絶縁保護膜１７は、正電極１６の上方に、電子ビーム蒸着法で形成された部分を含む。 - 特許庁

Thereafter, contact holes 14 and 15 are formed in the upper layer insulation film 16 and the upper surface protective films 12 and 13.例文帳に追加

次に、上層絶縁膜１６および上面保護膜１２、１３にコンタクトホール１４、１５を形成する。 - 特許庁

An organic protective film 22 of a moisture-proof insulation film is formed in a shape covering them.例文帳に追加

更にこれらを覆う形で、防湿性の絶縁膜である有機系の保護フィルム２２が設けられている。 - 特許庁

A vibration insulation part 23 is provided between a rear surface 22A and a front surface 22B of the protective plate 22.例文帳に追加

保護板２２の裏面部２２Ａと表面部２２Ｂとの間には振動絶縁部２３が設けられる。 - 特許庁

To provide a protective insulation material capable of improving the electrical reliability of a circuit board and forming an insulating protective film having excellent smoothness.例文帳に追加

回路基板の電気的信頼性を向上することができ、かつ、平滑性に優れた絶縁保護皮膜を形成可能な保護絶縁材を提供する。 - 特許庁

A protective film 20 is formed on a semiconductor substrate 10, and a sacrifice insulation film 3 with larger polishing speed than that of the protective film 20 is formed on the film 20.例文帳に追加

半導体基板１０上に保護膜２０が形成され、保護膜２０より研磨速度が大きい犠牲絶縁膜３が保護膜２０上に形成される。 - 特許庁

On the second protective insulation film 111, a capacitance insulation film 112A composed of an oxide dielectric film and a capacitance upper electrode 113A are formed.例文帳に追加

第２の保護絶縁膜１１１の上には、酸化物誘電体膜からなる容量絶縁膜１１２Ａ及び容量上部電極１１３Ａが形成されている。 - 特許庁

To surely prevent the occurrence of insulation failure of an insulation protective film of a flexible wiring board which is provided with an insulation protective film to cover wiring and is used while bending, to simply suppress the occurrence of breaking a wiring pattern during the bending and to provide a display module having superior reliability.例文帳に追加

配線を覆う絶縁保護膜を備え、折り曲げて使用されるフレキシブル配線板において、絶縁保護膜の絶縁不良が確実に防止され、かつ、折り曲げ時の配線パターンの断線を簡便に抑制し、信頼性に優れた表示モジュールを提供する。 - 特許庁

A through-hole is formed through the sacrifice insulation film 3, and the protective film 20 at a position where element separation 17 is formed to have the sacrifice insulation film 3, the protective film 20, and the semiconductor substrate 10 etched sequentially through the through-hole.例文帳に追加

犠牲絶縁膜３および保護膜２０には、素子分離１７の形成位置に貫通孔が形成され、当該貫通孔を通じて犠牲絶縁膜３、保護膜２０、および半導体基板１０が順にエッチングされる。 - 特許庁

This field-effect transistor includes: an insulation protective film 24 covering carbon nanotubes 23; a plasma CVD film 29; and a metal film 30 formed between the insulation protective film 24 and the plasma CVD film 29.例文帳に追加

本発明の電界効果トランジスタは、カーボンナノチューブ２３を被覆する絶縁保護膜２４と、プラズマＣＶＤ膜２９と、絶縁保護膜２４とプラズマＣＶＤ膜２９との間に形成された金属膜３０とを有する。 - 特許庁

A lower electrode 103 composed of Ti/Pt is formed in a prescribed region on a protective insulation film 102.例文帳に追加

保護絶縁膜１０２上の所定の領域にＴｉ／Ｐｔからなる下部電極１０３が形成されている。 - 特許庁

The material for cooking food and drink comprises a laminate 100a including a conductive substance layer 30 and a protective insulation layer 40 which are laminated on one of surfaces of a base 20, wherein a surface of the laminate 100a on a side of the protective insulation layer 40 is joined with a lagging heat insulation layer 50.例文帳に追加

飲食品調理用素材１０は、基体２０の片面に導電性物質層３０及び保護絶縁層４０を積層してなる積層体１００ａと、保温断熱層５０からなり、積層体１００ａの保護絶縁層４０側の面が保温断熱層５０に接合されている。 - 特許庁

An interlayer insulation film 29 is formed atop a gate insulation film 22 including the electrostatic protective element 13 and thereafter contact holes 44, 45 and 46 are formed by a photolithography method.例文帳に追加

そして、静電保護素子１３を含むゲート絶縁膜２２の上面に層間絶縁膜２９を形成した後に、フォトリソグラフィ法により、コンタクトホール４４、４５、４６を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device, an insulation coating 11 is formed on the surface of the semiconductor chip 2 and/or the bonding wire 6 using an insulation protective coating agent 10.例文帳に追加

この半導体装置において、半導体チップ２表面又はボンディングワイヤ６の一方、又は両方に絶縁保護コーティング剤１０を用いて絶縁被膜１１を形成する。 - 特許庁

The picture display panel has a structure where a wiring structure 3, an electrode 5 for connection, an insulation layer 17, a protective insulation layer 18 and an insulation layer 19 are successively laminated on a substrate 21 in a terminal region 2 of the picture display panel.例文帳に追加

画像表示パネルの端子領域２において、基板２１上に配線構造３および接続用電極５、絶縁層１７、保護絶縁層１８、絶縁層１９を順次積層した構造を有する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 is composed of a silicon oxide insulation film 7, a silicon nitride insulation film 8, aluminum wirings 10, 11, 12, 13, and a polyimide resin protective film 14 covering the insulation film 8 and the sets of wiring 10, 11, 12, 13; and has a silicon oxide intermediate film 9 provided between the insulation film 8 and the protective film 14.例文帳に追加

半導体装置１は、酸化シリコンからなる絶縁膜７と、窒化シリコンからなる絶縁膜８と、アルミニウムからなる配線１０，１１，１２，１３と、絶縁膜８および配線１０，１１，１２，１３を覆うポリイミド樹脂からなる保護膜１４とからなり、絶縁膜８と保護膜１４との間に、酸化シリコンからなる中間膜９を設ける。 - 特許庁