「process of defect formation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The defect and damage of the coated hard material at the edge part due to plasma generated in the formation process of the coated hard material are avoided to maintain the sharp edge of the blade part.例文帳に追加

被覆硬質材の形成プロセスで発生するプラズマによるエッジ部での被覆硬質材の欠陥やダメージを回避し、シャープエッジの刃部を維持できる。 - 特許庁

To maintain adhesion and to improve wear resistance of a small-diameter member by avoiding defect and damage of a coating hard material at an edge due to plasma generated in a formation process of the coating hard material.例文帳に追加

被覆硬質材の形成プロセスで発生するプラズマによるエッジ部での被覆硬質材の欠陥やダメージを回避し、密着性を維持し、小径部材の耐摩耗性を改善することである。 - 特許庁

To provide a packing method for a process cartridge capable of preventing detachment of a photoreceptor and a charging roll due to vibration and the like, during transportation and the like, and capable of restraining generation of stripe-like defect, and the like in image formation.例文帳に追加

輸送時等の振動等による感光体と帯電ロールとが離れることを防止し、画像形成時の筋状等の欠陥の発生を抑制することができるプロセスカートリッジの梱包方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a defect in electrostatic charging and the formation of a defective image by preventing variation in load on the rotary motion of a photoreceptor drum or stabilizing conditions under which a process means abuts against the photoreceptor drum.例文帳に追加

感光体ドラムの回転運動への負荷変動の発生を防止し、又は感光体ドラムへのプロセス手段の当接条件安定化を実現して帯電不良や不良画像を発生を防止する。 - 特許庁

The method includes: a process (4) to form defects in a semiconductor material (2) during formation of a defect region by mechanical action or by oxygen injection; and then performing heat treatment of the semiconductor material (2) during generation of a material precipitate in the defect region.例文帳に追加

機械的作用によって、または、酸素注入によって欠陥領域を形成する間に、半導体材料（２）内に欠陥を形成する工程（４）と、その後、欠陥領域内に材料析出物を生成する間に、上記半導体材料（２）の熱処理を行う工程とを含む。 - 特許庁

To facilitate management of a manufacturing process by supplying inspection data capable of inspecting the electrical characteristics of a TFT formed on the same substrate and the formation defect of a contact hole provided on a transparent organic insulating film to an inspection apparatus.例文帳に追加

同一基板上に形成されたＴＦＴの電気的特性及び透明有機絶縁膜に設けられたコンタクトホールの形成不良を検査可能な検査データを検査装置に供給し、製造プロセスの管理を容易にすることを課題とする。 - 特許庁

To provide a process which provides a strong mechanical function, eliminates a streak defect problem on copy/print-out, enables the formation of an imaging member belt with a prolonged service life, and releases internal stress/strain of a flexible multi-layer web stock.例文帳に追加

堅牢な機械的機能を提供し、かつコピー・プリントアウトのストリーク欠陥問題がなく、サービス寿命の延長されるイメージング部材ベルトの作成を可能にする、柔軟な多層ウェブ・ストックの内部応力／ひずみを解放するプロセスを提供する。 - 特許庁

To form a sealing member in which there is little unevenness of a cut surface of the sealing member in which a resin layer and a sealing substrate are pasted together, seal a spontaneous light emitting part formed on a panel substrate with high precision by a simple process, and prevent connection defect and display defect due to formation of the resin layer on an extraction wiring.例文帳に追加

樹脂層と封止基板が貼り合わされた封止部材の切断面の凹凸が少ない封止部材を形成すること、パネル基板上に形成された自発光部を簡単な工程により高精度に封止すること、引出し配線上に樹脂層が形成されることによる接続不良や表示不良を防止すること、等。 - 特許庁

To improve the yield in a manufacturing process step by gently sloping the pattern sectional shape of the pattern formation performed by using selective etching by dry etching and abating a shorting defect in manufacturing a liquid crystal display device of an active matrix type.例文帳に追加

アクティブマトリックス方式の液晶表示装置の製造に際し、ドライエッチングによる選択エッチングを用いて行なったパタン形成のパタン断面形状をなだらかにし、ショート不良を低減することにより製造工程における歩留まりを向上すること。 - 特許庁

To provide a charging device which prevents image defect for a long period of time by preventing degradation in the cleaning performance of a cleaning member due to a lapse of time and also prevents a foreign matter from adhering to a gap formation member, which is specific to a close contact system, and to provide a process cartridge and image forming apparatus.例文帳に追加

経時によるクリーニング部材のクリーニング性能の低下を防止し、かつ、近接方式特有のギャップ形成部材への付着物の付着を防止することによって、長期に亘って画像不良の発生しない帯電装置、プロセスカートリッジ及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁

In the process of forming a thin film having a different lattice constant on the substrate 1, the semiconductor containing Sb is first formed and a buffer layer to vary the lattice constant is formed as an overlay, which facilitates formation of a thin film having no crystal defect using the buffer layer that is thinner than a conventional layer.例文帳に追加

基板１上に格子定数の異なる薄膜を形成する際に、まずＳｂを含む半導体を形成し、その上層に格子定数を変化させるためのバッファ層を形成することで、従来に比べ薄いバッファ層で結晶欠陥のない薄膜形成が可能となる。 - 特許庁

To provide an organic photoreceptor which exhibits stable moire generation prevention effect even in image exposure using interference light of a laser etc. and also generates no image defect such as a black spot and to provide an apparatus and a method for image formation and a process cartridge which use the organic photoreceptor.例文帳に追加

本発明は、レーザ等の干渉光を用いた像露光でも安定したモアレ発生防止効果を有し、且つ黒ポチ等の画像欠陥を発生しない有機感光体を提供することであり、且つ該有機感光体を用いた画像形成方法、画像形成装置、プロセスカートリッジを提供することにある。 - 特許庁

To provide an organic photoreceptor which exhibits stable moire generation prevention effect even in image exposure using interference light of a laser etc. and also generates no image defect such as a black spot and to provide an apparatus and a method for image formation and a process cartridge which use the organic photoreceptor.例文帳に追加

本発明の目的は、レーザ等の干渉光を用いた像露光でも安定したモアレ発生防止効果を有し、且つ黒ポチ等の画像欠陥を発生しない有機感光体を提供することであり、且つ該有機感光体を用いた画像形成方法、画像形成装置、プロセスカートリッジを提供することにある。 - 特許庁

To compensate an oxygen defect in a Ta2O5 film and to minimize the formation of an oxide film at the interface between the Ta2O5 film and an Si substrate during a heat treatment process for crystallizing the Ta2O5 film, and to minimize the diffusion of impurity elements in a channel doped region in a semiconductor device having the Ta2O5 film as a gate insulating film.例文帳に追加

Ｔａ_2 Ｏ_5 膜をゲート絶縁膜として有する半導体装置において、前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償し、またこれを結晶化させる熱処理工程の際に前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜とＳｉ基板との界面において生じる酸化膜の形成を最小化し、またチャネルドープ領域中の不純物元素の拡散を最小化する。 - 特許庁

To provide a high-resistivity silicon wafer that has high resistance optimum for manufacturing a diode for high frequencies, secures defect density caused by the deposition of oxygen required for gettering, can effectively suppress the generation of oxygen donors in a device heat-treatment process, has sufficient mechanical strength, and dispenses with the formation of a recombination center in a high specific-resistance layer when manufacturing the diode for high frequencies.例文帳に追加

高周波用ダイオードの作製に最適な高抵抗なものであり、ゲッタリングに必要な酸素析出起因欠陥密度が確保され、デバイス熱処理工程での酸素ドナーの発生を効果的に抑制でき、十分な機械的強度を有し、高周波用ダイオードを作製する場合に高比抵抗層における再結合中心を形成する必要がない高抵抗率シリコンウェーハを提供する。 - 特許庁