「radiation amplification」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a radiation sensitive resin composition having high transparency to radiation as a chemical amplification type positive type resist, excellent in basic solid state properties as the resist, e.g. sensitivity, resolution and pattern shape, not causing development defects in microfabrication and capable of producing semiconductor devices in a high yield.例文帳に追加

化学増幅型ポジ型レジストとして、放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れるのみならず、微細加工時の現像欠陥を生じることがなく、半導体素子を高い歩留りで製造しうる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition having high transparency to radiation as a chemical amplification type resist, excellent in basic physical properties as a resist such as dry etching resistance, sensitivity, resolution and pattern shape, not causing development defects in microfabrication and capable of producing a semiconductor device in a high yield.例文帳に追加

化学増幅型レジストとして、放射線に対する透明性が高く、しかもドライエッチング耐性、感度、解像度、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れるとともに、微細加工時の現像欠陥を生じることがなく、半導体素子を高い歩留りで製造しうる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Electric charges (carriers) are generated at a photoelectric conversion layer 18 in accordance with radiated radiation, and generated positive holes are amplified through an avalanche amplification action at an avalanche layer 22, are collected at electric charge collection electrodes 40, and are read out.例文帳に追加

照射された放射線に応じて光電変換層１８で電荷（キャリア）が発生し、発生した正孔がアバランシェ層２２でアバランシェ増幅作用により増幅されて、電荷収集電極４０で収集され、読み出される。 - 特許庁

To provide a chemical amplification type radiation sensitive resist composition having improved dependence on a thin-dense pattern and usable in an ultramicrolithographic process and another photofabrication process for producing VLIS and high capacity microchips.例文帳に追加

疎密パターン依存性が改善され、超ＬＳＩや高容量マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケ−ションプロセスに使用することができる化学増幅型の感放射線性レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To obtain a monomer for forming a resist highly transparent to radiation and satisfying a fundamental function, a polymer for a resist material and an acid dissociable group-containing resin used in a chemical amplification type resist.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、レジストに要求される基本性能を満たすレジストを形成するための単量体、レジスト材用重合体および化学増幅型レジストに用いられる酸解離性基含有樹脂を提供する。 - 特許庁

To provide a calixarene-based compound useful as a raw material of a substrate component contained in a radiation-sensitive composition which can form a chemistry amplification type positive resist film which can form a stabilized and highly precise fine pattern.例文帳に追加

高精度な微細パターンを安定して形成することができる化学増幅型のポジ型レジスト膜を形成可能な感放射線性組成物に含有される基材成分の原料として有用なカリックスアレーン系化合物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type radiation sensitive composition used as a positive type chemical amplification resist and having such high process admissibility as to ensure excellent resolving power and pattern profile even if considerable time elapses from the end of exposure to post-heating.例文帳に追加

ポジ型化学増幅レジストにあって、露光した後、後加熱までに時間が相当経過しても優れた解像力及びパターンプロファイルが得られるプロセス許容性が大きいポジ型感放射線性組成物を提供すること。 - 特許庁

To obtain a new compound useful as a radiation-sensitive acid generator for chemical amplification-type resists useful in microfabrication using far- ultraviolet rays such as KrF excimer laser (wavelength: 248 nm), charged particle beams such as electron beams, radiation such as X-rays.例文帳に追加

化学増幅型レジストの感放射線性酸発生剤として、特にＫＲＦエキシマレーザー等に代表される遠紫外線に対して高感度（低露光エネルギー量）で酸を発生でき、かつ優れた解像性能およびパターン形状をもたらしうる、新規なジアゾジスルホン化合物、並びに当該化合物を含有する感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a lactone copolymer resin which is highly transparent to radiation, can solve the problem on how to take a trade-off between resolution and exposure latitude and is suitable as a resin component in a chemical amplification resist to provide the resist with excellent dry etching resistance and pattern figure; and a radiation-sensitive resin composition containing the lactone copolymer resin.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、特に解像度と露光余裕とのトレードオフの問題を解決でき、しかもドライエッチング耐性、パターン形状等にも優れた化学増幅型レジストの樹脂成分として好適なラクトン系共重合樹脂、および当該ラクトン系共重合樹脂を含有する感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition having sensitivity to active light rays such as far-ultraviolet light represented by an ArF excimer laser, for example, superior in the flatness of a pattern surface without impairing fundamental material properties such as transparency to radiation, sensitivity, a resolution, and a pattern shape, and useful as a chemical amplification type resist which is improved against pattern collapse on a substrate.例文帳に追加

活性光線、例えばＡｒＦエキシマレーザー等に代表される遠紫外線等に感応し、放射線に対する透明性、感度、解像度、パターン形状等の基本物性を損なわずに、パターン表面の平滑性に優れ、かつ基板上でのパターン倒れが改善された化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

A circuit 124 for signal amplification or a heat-generating source, a signal processing substrate 122, a circuit board 128 with a power supply circuit 129, a gate line driver 126, the power supply circuit 129 and the cooling fan 142 are arranged on a second chassis 112 to be isolated from a radiation detector 400.例文帳に追加

発熱源たる信号増幅用回路124、信号処理基板122、電源回路129を有する回路基板128、ゲート線ドライバ126、電源回路129及び後述の冷却ファン142が、第２筐体112に配置され、放射線検出器400と隔離されている。 - 特許庁

The chemical amplification type radiation sensitive resist composition containing a sulfonium salt having a group linked or ring condensed with ≥2 aromatic structures having small ionization potential and high sensitivity to ion beams and iodonium salt is used.例文帳に追加

イオン化ポテンシャルが小さくイオンビームに対する感度の高い芳香族構造が２つ以上連結または縮環している基を有するスルホニウム塩およびヨードニウム塩を含むことを特徴とする化学増幅型感放射線レジスト組成物を用いる。 - 特許庁

To obtain a resin composition suitable for use as the resin component of a chemical amplification type positive type photoresist which exhibits superior sensitivity and resolution and gives a pattern having a good cross-sectional shape when a fine resist pattern is formed using radiation, e.g. KrF excimer laser light.例文帳に追加

放射線、例えばＫｒＦエキシマレーザーを用いて微細なレジストパターンを形成する際に、優れた感度、解像度を示し、かつ断面形状の良好なパターンを与える化学増幅型ポジ型ホトレジストの樹脂成分として好適な樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a gas radiation detector according to a conductive capillary plate that operates stably with a high gain also for a large-intensity X-ray application by allowing glass with a capillary surface to be conductive and hence eliminating ions being generated by the amplification of gas.例文帳に追加

毛細管表面のガラスに導電性を持たせることにより、ガス増幅によって生成されたイオンを取り除き、大強度のＸ線照射に対しても高利得で安定に動作する導電型キャピラリープレートによるガス放射線検出器を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition, sensitive particularly o far UV and charged particle beams, such as electron beam, having superior resolution and pattern shape and suitable particularly for use as a chemical amplification type resist which has small nano-edge roughness.例文帳に追加

特に、遠紫外線や、電子線等の荷電粒子線に感応し、解像性能およびパターン形状が優れるとともに、特にナノエッジラフネスが小さい化学増幅型レジストとして好適に使用することができる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive material having high sensitivity to high energy rays such as a far ultraviolet radiation, an electron beam, an X-ray, etc., capable of developing in an alkali aqueous solution, excellent in heat resistance, and useful for a chemical amplification positive type resist material which is suitable for micromachining technology, etc.例文帳に追加

遠紫外線、電子線、Ｘ線などの高エネルギー線に対して高い感度を有し、アルカリ水溶液で現像可能であり、耐熱性に優れかつ微細加工技術に適した化学増幅ポジ型レジスト材料等に有用な感光性材料を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition excellent in dry etching resistance, sensitivity, resolution, etc., as a chemical amplification type resist, capable of avoiding a change of the line width of a resist pattern due to a change of the time elapsed from exposure to post-exposure heating and having superior process stability.例文帳に追加

化学増幅型レジストとして、ドライエッチング耐性、感度、解像度等に優れるとともに、露光から露光後の加熱処理までの引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変動を回避でき、優れたプロセス安定性を示す感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a negative type radiation sensitive resin composition suitable for use as a chemical amplification type negative type resist developable with an alkali developing solution having the conventional concentration, capable of forming a high resolution rectangular resist pattern in an ordinary line-and- space pattern (1L1S) and excellent also in focus latitude.例文帳に追加

通常濃度のアルカリ現像液に適用でき、通常のライン・アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）において、高解像度で矩形のレジストパターンを形成することができ、かつフォーカス余裕度にも優れた化学増幅型ネガ型レジストとして好適なネガ型感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

A coating of the composition is formed on a mask blank and then a coating of a positive type chemical amplification type photosensitive resin composition is formed on the above coating, irradiated with active actinic radiation and developed to produce the objective resist image.例文帳に追加

マスクブランクス上に上記のアンダーコート樹脂組成物の塗膜を形成し、この塗膜上にポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物の塗膜を形成し、次いで、このポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物の塗膜に活性化学線を照射し、現像するレジスト像の製造法。 - 特許庁

To provide a negative type radiation sensitive resin composition excellent in suitability to coating particularly on a substrate of a larger diameter by a spin coating method, capable of stably performing microfabrication, excellent in shelf stability and suitable for use as a chemical amplification type resist forming a resist film which gives a good pattern shape.例文帳に追加

特に大口径化された基板へのスピンコート法による塗布性に優れ、微細加工を安定的に行うことができ、保存安定性に優れ、良好なパターン形状を与えるレジスト被膜を形成する化学増幅型レジストとして好適なネガ型感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Then scattered γ-ray data are subtracted from the SEW data, to thereby acquire SEW data from which the scattered component is removed, and reconstitution processing is performed by an amplification rate storage means 14, and a high-quality RI distribution image having a small scattered radiation is displayed on a display means 16.例文帳に追加

そして、散乱ｒ線データをＳＥＷデータから減算することで、散乱成分が除去されたＳＥＷデータを得、増幅率記憶手段１４により再構成処理がされて、散乱線の少ない良質なＲＩ分布画像が表示手段１６に表示される。 - 特許庁

To provide a resin which makes it possible to produce such a photoresist having excellent transparency and dry etching-proof property as a chemical amplification resist for a radiation, especially for KrF excimer laser, etc., and further having excellent characteristics in resolution, sensitivity, heat resistance, wide focus margin and wide exposure margin etc.例文帳に追加

化学増幅型レジストとして特にＫｒＦエキシマレーザーなどの放射線に対する透明性、耐ドライエッチング性に優れ、さらに解像度、感度、耐熱性、広いフォーカスマージン、広い露光マージンなど優れた特徴をもつフォトレジストの製造を可能にする樹脂を提供する。 - 特許庁

The chemical amplification type resist composition is obtained by dissolving in an organic solvent (A) a (meth)acrylic acid copolymer having an ester of acrylic acid and a specified monocyclohexane or bicycloheptane carbolactone or the like as repeating units and having a molecular weight distribution of 1.01-1.50 and (B) a compound which generates an acid when irradiated with radiation.例文帳に追加

（Ａ）アクリル酸と特定のモノシクロヘキサン又はビシクロヘプタンカルボラクトン等とのエステルを繰り返し単位とし、分子量分布が１．０１〜１．５０の範囲である（メタ）アクリル酸共重合体、（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する化合物、を有機溶剤に溶解してなる化学増幅型レジスト組成物。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive composition which effectively sensitizes (extremely) far ultraviolet rays such as KrF excimer laser, ArF excimer laser, or EUV, X-rays such as synchrotron radiations, and electron beams, has excellent sensitivity, and can form chemical amplification type positive resist films capable of high precisely and stably forming fine patterns.例文帳に追加

ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、ＥＵＶ等の（極）遠紫外線、シンクロトロン放射線等のＸ線、電子線に有効に感応し、感度に優れ、微細パターンを高精度に且つ安定して形成可能な化学増幅型ポジ型レジスト膜を成膜することができる感放射線性組成物を提供すること。 - 特許庁

A resist film 11 comprising a chemical amplification type resist material having a base resin containing at least one selected from a t-butyl group, a t-butyloxycarbonyl group and a t-butyloxycarbonylmethyl group as a protective group and an acid generator is formed and patternwise exposed by irradiation with extreme-ultraviolet radiation (13.5 nm band) 13.例文帳に追加

保護基として、ｔ−ブチル基、ｔ−ブチルオキシカルボニル基及びｔ−ブチルオキシカルボニルメチル基のうちの少なくとも１つを含むベース樹脂と酸発生剤とを有する化学増幅型レジスト材料よりなるレジスト膜１１を形成した後、該レジスト膜１１に極紫外線（１３．５ｎｍ帯）１３を照射してパターン露光を行なう。 - 特許庁

After the irradiation of the exposure light is stopped and idle reading is stopped, radiation Q is applied to the first conductivity layer 11 to record electrostatic latent images in the detector 10, while the recording voltage for generating avalanche amplification operation is being applied between the electrode of the first conductivity layer 11 and the stripe electrode 16.例文帳に追加

この前露光光の照射を停止させて空読みを停止させた後、第１導電層１１の電極とストライプ電極１６との間にアバランシェ増幅作用を生ぜしめる記録用電圧を印加した状態で第１導電層１１に放射線Ｑを照射して、検出器１０に静電潜像の記録を行う。 - 特許庁

To provide a new base resin for a positive type resist giving a radiation sensitive chemical amplification type positive resist composition having high sensitivity and high resolution, ensuring good heat resistance, good focal depth-width characteristics, good aging stability relating to pattern form and good shelf stability of a resist solution and capable of forming a resist pattern having no substrate dependency and excellent in profile shape.例文帳に追加

高感度、高解像性を有し、かつ耐熱性、焦点深度幅特性、引置き経時安定性及びレジスト溶液の保存安定性がよく、基板依存性がなくプロファイル形状の優れたレジストパターンを形成できる、放射線に感応する化学増幅型のポジ型レジスト組成物を与える新規なポジ型レジスト用基材樹脂を提供する。 - 特許庁

The surfactant content of a chemical amplification type positive resist composition containing (A) a compound which generates an acid when irradiated with radiation, (B) resin having alkali solubility increased by the action of the acid and, optionally, (C) a tertiary aliphatic amine and/or (D) an organic carboxylic acid, is adjusted to ≤50 ppm.例文帳に追加

（Ａ）放射線の照射により酸を発生する化合物及び（Ｂ）酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂及び所望に応じ（Ｃ）第三級脂肪族アミン又は（Ｄ）有機カルボン酸あるいは（Ｃ）及び（Ｄ）の両方を含有してなる化学増幅型ポジ型レジスト組成物において、界面活性剤の含有量を５０ｐｐｍ以下に調整する。 - 特許庁

In a period that a laser light source 1 is maintained by writing power in the recording mode, a laser control part 121 is driven on the basis of a WRF signal obtained by adding the 1st and 2nd signals S1, S2 outputted from the 1st and 2nd addition amplification means 2014, 2016 respectively, so that the radiation power of the laser light source 1 can be optimally controlled.例文帳に追加

記録モード時のうち、レーザ光源１が書き込みパワーに維持された期間においては、第１、第２の加算増幅手段２０１４、２０１６のそれぞれから出力される第１、第２の信号Ｓ１、Ｓ２を加算して得られるＷＲＦ信号に基づいてレーザ制御部１２１が作動されることでレーザ光源１の出射パワーが最適に制御される。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition excellent in sensitivity and resolution, having a small light proximity effect, capable of accurately and stably forming a fine pattern even in an isolated line pattern, capable of ensuring a sufficient focus margin for the isolated line pattern and useful as a positive type or negative type chemical amplification type resist.例文帳に追加

感度および解像度に優れ、かつ光近接効果が小さく、孤立ラインパターンおいても微細パターンを高精度にかつ安定して形成することができ、しかも孤立ラインパターンに対して十分なフォーカス余裕度を確保しうる、ポジ型あるいはネガ型の化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The medium is heat-generated by the radiation and amplification of induced phonons by the interaction of each or both of thermal phonons in the medium and phonons introduced from the outside of a system by various methods, and the atomic nucleus in the Al metallic medium containing the atomic nucleus having deuterium (D2) aggregate, heavy water (D20) and other nuclear spin I≥1.例文帳に追加

例えば重水素（D_２)集合体、重水（ D_２O）その他核スピンI≧１を持つ原子核を含むＡｌ金属媒質の中で、当該媒質中の熱フォノン、及び種々の方法で系外から導入されるフォノンの夫々、或いは双方と当該原子核との、相互作用による誘導フォノンの放射及び増幅により、媒質が発熱する。 - 特許庁

To provide a negative type radiation sensitive resin composition for a chemical amplification type negative type resist applicable to an alkali developing solution of ordinary concentration, capable of forming a high resolution rectangular resist pattern with respect to an ordinary line-and-space pattern, free of resist pattern defects (bridging and chipping) after development and excellent also in sensitivity, developability, dimensional faithfulness, etc.例文帳に追加

通常濃度のアルカリ現像液に適用でき、かつ通常のライン・アンド・スペースパターンにおいて、高解像度で矩形のレジストパターンを形成することができ、現像後にレジストパターン欠陥(橋架け(ブリッジング)、欠け）がなく、感度、現像性、寸法忠実度等にも優れる化学増幅型ネガ型レジストのためのネガ型感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

The chemical amplification type positive working resist composition contains (A) a polyhydroxystyrene having acid dissociable dissolution inhibiting groups substituted for at least part of the hydrogen atoms of hydroxyl groups and (B) a compound which generates an acid when irradiated with radiation, and the residual ratio of the acid dissociable dissolution inhibiting groups after a dissociation test with hydrochloric acid is ≤40%.例文帳に追加

次の成分（Ａ）及び（Ｂ）、（Ａ）水酸基の水素原子の少なくとも一部が酸解離性溶解抑制基で置換されたポリヒドロキシスチレン、及び（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する化合物を含有し、前記（Ａ）成分の、塩酸による解離試験後の酸解離性溶解抑制基の残存率が、４０％以下であることを特徴とする化学増幅型ポジ型レジスト組成物。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition useful as an excellent chemical amplification type resist which prevents a change of the line width of a resist pattern and the formation of T shape due to the time elapsed from exposure until heating after exposure [post-exposure delay(PED)], is not affected by a stationary wave due to reflection from a substrate and can be applied even in a very small pattern size.例文帳に追加

露光後の加熱処理までの引き置き時間（ＰＥＤ）により、レジストパターンが線幅の変化を生じたりＴ型形状になったりすることがなく、且つ基板からの反射による定在波の影響も無く、超微細なパターンサイズにおいても適用可能となる優れた化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

The chemical amplification type positive photoresist composition is obtained by adding (D) a bisazido compound to an organic solvent containing (A) a base resin component comprising at least one hydroxystyrene copolymer having acid dissociable groups substituted for the hydrogen atoms of at least part of phenolic hydroxyl groups or carboxyl groups present in the copolymer, (B) a compound which generates an acid when irradiated with radiation and (C) an organic amine.例文帳に追加

（Ａ）その中に存在するフェノール性水酸基若しくはカルボキシル基の少なくとも一部の水素原子が酸解離性基で置換されたヒドロキシスチレン系共重合体の少なくとも１種からなる基材樹脂成分、（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する化合物及び（Ｃ）有機アミンを含む有機溶剤中に（Ｄ）ビスアジド化合物を添加した化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物とする。 - 特許庁