「region Al」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

In such a case, the drive region of a DMD 2 is Al where all micromirrors are selected and color paper 35 is subjected to printing exposure at the print size indicated by B1.例文帳に追加

この場合、ＤＭＤ２の駆動領域は、全マイクロミラーが選択されたＡ１となり、カラーペーパー３５にはＢ１で示すプリントサイズで焼付露光される。 - 特許庁

First, in the initial first step, an Al alloy film 8 is formed on the region, on the condition that a whisker is not generated on the upper layer of said high-melting point metal film.例文帳に追加

該高融点金属膜の上層に、まず初期の第１段階では、ウイスカが発生しない条件領域で、Ａｌ系合金膜８を成膜する。 - 特許庁

To provide an Al-Mg based alloy sheet with good press formability, namely, with high forming limits in the uniaxial tension to plane strain region.例文帳に追加

プレス成形性に優れる、即ち引張り領域から平面ひずみ領域における成形割れ限界が高いＡｌ−Ｍｇ系合金板を提供すること。 - 特許庁

The Al film deposited in the trench 102 constitutes a shading wall 104 and prevents leakage of light from the effective pixel region side to the OPB pixel.例文帳に追加

また、トレンチ１０２に堆積したＡｌ膜は遮光壁１０４を構成し、有効画素領域側からＯＰＢ画素への光の漏れ込みを防止する。 - 特許庁

The optical fiber (10) for amplification comprises a quarts glass as a main component, and Er element as well as Al element at 4 wt.% or higher is added to at least a part of the light propagation region containing the core region (11).例文帳に追加

また、当該増幅用光ファイバ(10)は、石英ガラスを主成分とし、該コア領域(11)を含む光伝搬領域の少なくとも一部には、Ｅｒ元素及び４ｗｔ％以上のＡｌ元素が添加されている。 - 特許庁

An electrode, which is connected with a p+ region 6 (a p-type base region 3) via a contact hole 11a, is constituted of an Al film 22, and this film 22 is formed only at a position separated from the side surface of the hole 11a.例文帳に追加

コンタクトホール１１ａを介して、ｐ型領域６（ｐ型ベース領域３）に接続される電極をＡｌ膜２２で構成し、このＡｌ膜２２をコンタクトホール１１ａの側面から離間した位置にのみ形成する。 - 特許庁

To provide a highly reliable constricted oxide layer type surface emission semiconductor laser element, by reducing a stress being applied to the boundary of an Al oxide layer and a current injection region, i.e., the forward end of the Al oxide layer (central side of mesa post).例文帳に追加

Ａｌ酸化層と電流注入領域との境界、つまりＡｌ酸化層の先端部（メサポスト中央部側）に加わる応力を低減して素子信頼性の良好な酸化層狭窄型の面発光型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The reflecting electrode is formed between the transparent pixel electrode and the substrate in a region directly connecting the Al oxide layer and the transparent pixel electrode.例文帳に追加

反射電極は、Ａｌ酸化物層と前記透明画素電極とが直接接続する領域において、透明画素電極と前記基板との間に形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor structure, capable of improving controllability and reproducibility of the shape of an oxide region in the structure having an oxidized region in a semiconductor layer containing Al in its composition and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

Ａｌを組成に含む半導体層を酸化した領域を有する半導体構造において、酸化領域の形状の制御性および再現性を向上させることの可能な半導体構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Light entering each lens 58 of the fly eye lens 57 from an LED 50a through a collimator 56 is superimposed in a specified light irradiation region Al including the imaging region Ac of the camera unit 18.例文帳に追加

コリメータレンズ５６を介してＬＥＤ５０ａからフライアイレンズ５７の各レンズ部５８に入射する光を、カメラユニット１８の撮像領域Ａｃを包含する特定の光照射領域Ａｌで互いに重畳させるよう構成する。 - 特許庁

The catalyst carrier which has pores in a meso-pore region and contains tetragonal zirconia and in which at least parts of ZrO_2 and TiO_2 are converted into a ZrO_2-TiO_2 solid solution by burning a precipitate coprecipitated from a solution of acid salts of Al, Zr, and Ti at 550°C or above is prepared.例文帳に追加

Al，Zr及びTiの酸塩の溶液から共沈させた沈殿物を 550℃以上で焼成して、メソ細孔領域の細孔を有するとともに、テトラゴナル型ジルコニアを含み、かつZrO_2及びTiO_2の少なくとも一部がZrO_2−TiO_2固溶体となっている触媒担体を調製する。 - 特許庁

The catalyst support which has pores in a meso-pore region and contains tetragonal zirconia and in which at least parts of ZrO_2 and TiO_2 are converted into a ZrO_2-TiO_2 solid solution by burning a precipitate coprecipitated from a solution of acid salts of Al, Zr, and Ti at 650°C or above is prepared.例文帳に追加

Al，Zr及びTiの酸塩の溶液から共沈させた沈殿物を 650℃以上で焼成して、メソ細孔領域の細孔を有するとともに、テトラゴナル型ジルコニアを含み、かつZrO_2及びTiO_2の少なくとも一部がZrO_2−TiO_2固溶体となっている触媒担体を調製する。 - 特許庁

Moreover, since the TiWN is excellent in the barrier performance even at a high temperature region, the reaction can be prevented between the Al in the Al-containing ohmic electrode 2 and the Au in the Au wire electrode 7 even when a high temperature anneal processing is applied to the semiconductor device 100.例文帳に追加

また、ＴｉＷＮは高温域においてもバリア性に優れていることから、半導体装置１００に高温アニール処理を施しても、Ａｌ含有オーミック電極２中のＡｌとＡｕ配線電極７中のＡｕとの反応を防止することができる。 - 特許庁

The present invention is a manufacturing method of a semiconductor device having a p-channel MISFET in a pMIS formation region 1A, and an n-channel MISFET in an nMIS formation region 1B, comprises: a process of forming an Al film 8a on an HfON film 5; and a process of forming a Ti-rich TiN film 7a on the Al film.例文帳に追加

本発明は、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴをｐＭＩＳ形成領域１Ａに有し、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴをｎＭＩＳ形成領域１Ｂに有する半導体装置の製造方法であって、ＨｆＯＮ膜５上にＡｌ膜８ａを形成する工程と、Ａｌ膜上にＴｉリッチなＴｉＮ膜７ａを形成する工程と、を有する。 - 特許庁

An n-type diffusion layer 210 is formed at one portion of the n-type epitaxial layer 202 that becomes a drain region, the Al wiring 207 is performed on it, and one end of the Al wiring 207 is connected to a p-diffusion layer 204 in the isolation layer 203, thus forming a Schottky barrier diode.例文帳に追加

ドレイン領域となるｎ型エピタキシャル層２０２の一部にｎ拡散層２１０を形成し、その上にＡｌ配線２０７を施し、そのＡｌ配線２０７の一方をｐアイソレーション層２０３の中のｐ拡散層２０４と接続して、ショットキバリアダイオードを形成する。 - 特許庁

To provide an Al-Si alloy casting having superior toughness and stress corrosion cracking resistance, in which the amount of an acicular Al-Fe-Si intermetallic compound existing in a liquid-phase solidified region corresponding to a liquid phase is reduced as much as possible, and occurrence of segregation is prevented.例文帳に追加

液相に対応した液相凝固領域における針状Ａｌ−Ｆｅ−Ｓｉ系金属間化合物の存在量を極力減少させ，また偏析の発生を防止した，優れた靱性と耐応力腐食割れ性を有するＡｌ−Ｓｉ系合金鋳物を提供する。 - 特許庁

A round edge of flat bar part 24 of a beam shaping lens AL is formed in such a manner that a front face where light enters is inclined and the front face in the peripheral region becomes nearer to the incident side.例文帳に追加

ビーム整形レンズＡＬのコバ部２４は、入射（前面）側のコバの形状が、半径方向外側に進むにつれて入射側に接近する方向に斜めに傾いている。 - 特許庁

The Al component is removed, and thereby, a cavity 19 is formed, and a plurality of protrusions 39 remain in a confronting region 41 on the upper surface 29 of the Si substrate 2.例文帳に追加

Ａｌ成分が除去されることにより、空洞１９が形成されるとともに、Ｓｉ基板２の上面２９における対向領域４１には、複数の凸部３９が残存する。 - 特許庁

In the optical waveguide, a portion of glass in an optical transmission region contains ≥10mol% Al oxide and ≥90mol% total oxides of three elements or less.例文帳に追加

本発明に係る光導波路は、光伝搬領域のガラスの一部が、Ａｌ酸化物を１０mol％以上含み、３種類以下の元素の酸化物を合計で９０mol％以上含む。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting device made from (Al, Ga, In)N-based materials has an active region 3 for light emission including InGaN quantum dots or InGaN quantum wires.例文帳に追加

（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ材料系によって作製された半導体発光デバイスは、ＩｎＧａＮ量子ドットまたはＩｎＧａＮ量子細線を含む、発光のための活性領域３を有している。 - 特許庁

A p-type polysilicon layer 11 is formed between a p-type collector region 10 of a reverse blocking IGBT and a collector electrode 13, so that spinkings can be prevented from invading from an Al collector electrode to the p-type collector region, to obtain a high breakdown voltage non-detectiveness ratio.例文帳に追加

逆阻止ＩＧＢＴのｐ型コレクタ領域１０とコレクタ電極１３の間にｐ型ポリシリコン層１１を形成することで、Ａｌのコレクタ電極からｐ型コレクタ領域へスパイキングが侵入すること防止し、高い耐圧良品率を得ることができる。 - 特許庁

In the homogenizing treatment method capable of reducing blistering and lowering energy cost, the Al-Zn based die cast alloy product is heated for 2 to 30 min in the high temperature region of 400 to 500°C, and for 0.3 to 5 hr in the intermediate temperature region of 300 to 400°C.例文帳に追加

Ａｌ−Ｚｎ系ダイカスト合金製品を高温領域４００〜５００℃では２分間〜３０分間、中温領域３００〜４００℃では０．３時間〜５時間加熱する事により，フクレも少なく，且つエネルギーコストも安くできる均質化処理法である。 - 特許庁

The conductive film 71' has a light shielding property like a metal film such as Al and becomes a lower electrode 71 in an image display region and a light shielding film 71a in a peripheral region by being patterned into a predetermined shape in subsequent steps.例文帳に追加

導電膜７１´は、Ａｌ等の金属膜のように遮光性を有する導電膜であり、後の工程で所定の形状にパターニングされることによって、画像表示領域では下部電極７１となり、周辺領域では遮光膜７１ａになる。 - 特許庁

To provide a connection material in which the joining temperature of a Zn/Al clad material is reduced, thus residual thermal stress in a using temperature region is reduced, and reliability of the joint can be improved.例文帳に追加

Ｚｎ／Ａｌクラッド材の接合温度を低下させることによって、使用温度域における残留熱応力を低減し、接合部の信頼性を向上させることができる接続材料を提供する。 - 特許庁

To prevent disconnection of a transmission electrode by suppressing a cell reaction generated between a reflection electrode composed of Al or an Al alloy film and a transmission electrode composed of an ITO film in a transflective liquid crystal display wherein a barrier metal film is disposed between the transmission electrode and the reflection electrode provided in each pixel region.例文帳に追加

各画素領域に設けられた透過電極と反射電極の間にバリアメタル膜が配置されている半透過型液晶表示装置において、ＡｌまたはＡｌ合金膜からなる反射電極とＩＴＯ膜からなる透過電極の間で生じる電池反応を抑制して、透過電極の断線を防止する。 - 特許庁

The surface emission semiconductor laser element has a mesa post of multilayer structure comprising a multilayer reflector 22 of compound semiconductor layer and an Al oxide layer 44 for forming a current constriction region in the multilayer reflector, wherein the Al oxide layer is provided annularly at the outer circumferential part of the mesa post to surround a current injection region in the center of the mesa post.例文帳に追加

本面発光型半導体レーザ素子は、化合物半導体層の多層膜からなる多層膜反射鏡２２と、多層膜反射鏡内に設けられ、電流狭窄領域を形成するＡｌ酸化層４４とを有する積層構造をメサポストとして備え、Ａｌ酸化層が、メサポストの中央部の電流注入領域４２を取り囲むようにしてメサポストの外周部に環状に設けられている。 - 特許庁

The array substrate and counter substrate have a pair of electrodes which are covered with alignment films AL respectively and opposed to define a rectangular display region DA, and the polarizing plate PL has an axis of absorption nearly parallel or nearly perpendicular to respective sides of the display region DA.例文帳に追加

アレイ基板および対向基板は配向膜ＡＬでそれぞれ覆われて矩形の表示領域ＤＡを規定するように対向した一対の電極を有し、偏光板ＰＬは表示領域ＤＡの各辺に対して略平行または略直角な吸収軸を有する。 - 特許庁

Moreover, a GaN layer 103 is grown in the AlGaN layer 102 at about 1,000°C, so that crystallization can be progressed and phase isolation can be generated in the InAlN layer 101, and a nitride semiconductor in which an In-rich region and an Al rich region coexist can be formed.例文帳に追加

さらに、ＡｌＧａＮ層１０２上にＧａＮ層１０３を約１０００℃の温度で成長させることにより、ＩｎＡｌＮ層１０１の層中で結晶化を進行させるとともに相分離を発生させ、Ｉｎリッチ領域とＡｌリッチ領域とが混在する窒化物半導体を形成する。 - 特許庁

In this way, as compared with a liquid-state fuel flying region Al without increase correction, a direct hit to a piston top surface is eliminated in a liquid- state fuel flying region D1 applying increase correction, and the piston top surface is prevented from being exposed in liquid-state fuel for a long time.例文帳に追加

このことにより増加補正がされていない液状燃料飛翔領域Ａ１に比較して増加補正された液状燃料飛翔領域Ｄ１は、ピストン頂面を直撃しなくなり、長時間ピストン頂面が液状の燃料に曝されることがない。 - 特許庁

A surface-emitting semiconductor laser includes a lower DBR 14 formed on a VCSEL 10 and a substrate 12, including a current construction layer 32, consisting of Al, an active region 16, and an upper DBR 18 fabricated on a post P.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１０、基板１２上に形成され、Ａｌを構成元素とする電流狭窄層３２を含む下部ＤＢＲ１４と、活性領域１６と、ポストＰに加工された上部ＤＢＲ１８とを備える。 - 特許庁

The VCSEL 10 includes: a lower DBR 14 formed on a substrate 12 and including a semiconductor oxidized layer 32 whose constitution element is Al; an active region 16; and an upper DBR 18 worked on a post P.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１０、基板１２上に形成され、Ａｌを構成元素とする半導体被酸化層３２を含む下部ＤＢＲ１４と、活性領域１６と、ポストＰに加工された上部ＤＢＲ１８とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device in this invention is characterized in that a variable potential insulating electrode 5 and a gate region 9 are held at the same potential through an Al layer 16, and they are used as a voltage drive type semiconductor element.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、可変電位絶縁電極５とゲート領域９とをＡｌ層１６を介して同電位に保ち、主に、電圧駆動型の半導体素子として用いることに特徴を有する。 - 特許庁

The semiconductor device in this invention is characterized in that a variable potential insulating electrode 5 and a gate region 9 are held at the same potential through an Al layer 15, and they are used as a voltage drive type semiconductor element.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、可変電位絶縁電極５とゲート領域９とをＡｌ層１５を介して同電位に保ち、主に、電圧駆動型の半導体素子として用いることに特徴を有する。 - 特許庁

A VCSEL 10 has: a lower DBR(Distributed Bragg Reflector) 14 including a semiconductor oxidized layer 32 formed on a substrate 12 and whose constituent element is Al; an active region 16; and an upper DBR 18 processed on a post P.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１０、基板１２上に形成され、Ａｌを構成元素とする半導体被酸化層３２を含む下部ＤＢＲ１４と、活性領域１６と、ポストＰに加工された上部ＤＢＲ１８とを備える。 - 特許庁

The method for treating the AL amyloidosis comprises determining a base sequence of DNA encoding an immunoglobulin light chain deposited on organisms of mammal in which AL amyloidosis is generated and administering an antisense oligonucleotide in a part corresponding to a variable region of the immunoglobulin light chain of the base sequence to the mammal.例文帳に追加

本発明のＡＬアミロイドーシスの治療方法は、ＡＬアミロイドーシスが発生した哺乳動物の臓器に沈着した免疫グロブリン軽鎖をコードするＤＮＡの塩基配列を決定し、該塩基配列の免疫グロブリン軽鎖の可変領域に相当する部分のアンチセンスオリゴヌクレオチドを上記哺乳動物に投与することを特徴とする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device which comprises a process of forming an Al alloy interconnection film to be electrically connected to each region of a transistor, on a silicon substrate formed with the transistor, the Al alloy interconnection film is formed by sputtering, and a bias voltage applied to the silicon substrate side when sputtering is set to 0 V or ground potential.例文帳に追加

トランジスタが形成されたシリコン基板上に、トランジスタの各領域と電気的に接続されるＡｌ合金配線膜を形成する工程を有した半導体装置の製造方法において、Ａｌ合金配線膜の形成工程をスパッタリングによって行い、スパッタリング時に、シリコン基板側に印加するバイアス電圧を０Ｖもしくは接地電位とする。 - 特許庁

The semiconductor structure comprises a crystal mixed region 7 formed by crystal mixing a part of a semiconductor superlattice structure 3 constituted by alternatively laminating two or more types of III-V semiconductor layers containing different Al compositions, and a selectively oxidized region 8 formed by selectively oxidizing a non-crystal mixing region obtained by not crystal mixing the structure 3.例文帳に追加

Ａｌ組成の異なる２種以上のIII−Ｖ族半導体層を交互に積層することによって構成された半導体超格子構造３の一部が混晶化されて混晶化領域７として形成されており、前記半導体超格子構造３の混晶化されていない非混晶化領域が選択酸化されて選択酸化領域８として形成されている。 - 特許庁

To prevent in the method of manufacturing a semiconductor device that ions are deeply implanted due to channeling by employing a very simplified means on the occasion of forming, with the ion implantation, a source region and a drain region of a MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) where a gate electrode is formed of a columnar crystal metal such as Mo, Al, and W.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、Ｍｏ、Ａｌ、Ｗなど柱状結晶のメタルをゲート電極とするＭＯＳＦＥＴのソース領域及びドレイン領域をイオン注入で形成する際、極めて簡単な手段を採ることでイオンがチャネリングに依って深く打ち込まれることを防止できるようにする。 - 特許庁

Afterwards, the resist mask Re1 and the Al mask 22 are removed, and ion is injected into a high resistance SiC layer 2 at a high temperature of 150°C or higher, by using the silicon dioxide mask 21, so that a p-well region 3 being an impurity diffused layer can be formed.例文帳に追加

その後、レジストマスクＲｅ１，Ａｌマスク２２を除去し、二酸化珪素マスク２１を用いて、１５０℃以上の高温で高抵抗ＳｉＣ層２内にイオン注入して、不純物拡散層であるｐウェル領域３を形成する。 - 特許庁

An active region is constituted of a DQW structure of an InGaP barrier layer 26 and an InGaAsP well layer 27 constituted by lattice matching with a GaAs substrate while guide layers 24, 28 are constituted of AlGaAs having an Al composition larger than 0.20.例文帳に追加

活性領域をＩｎＧａＰバリア層２６とＧａＡｓ基板と格子整合したＩｎＧａＡｓＰ井戸層２７とのＤＱＷ構造とし、Ａｌ組成が０．２０よりも大きいＡｌＧａＡｓでガイド層２４，２８を構成する。 - 特許庁

To provide an Al-Si alloy casting having superior toughness and stress corrosion cracking resistance, which minimizes an amount of primary crystal Si in a liquid-phase-solidified region corresponding to a liquid phase, and prevents the occurrence of segregation.例文帳に追加

液相に対応した液相凝固領域における初晶Ｓｉ量を極力減少させ，また偏析の発生を防止した，優れた靱性と耐応力腐食割れ性を有するＡｌ−Ｓｉ系合金鋳物を提供する。 - 特許庁

To provide an Al-Mn-Mg based annealed sheet having excellent corrosion resistance, containing fine crystal grains in the whole region of the sheet thickness of ≥0.6 mm, useful as the stock for various uses, thereby having an excellent balance of strength and ductility.例文帳に追加

耐食性に優れるＡｌ−Ｍｎ−Ｍｇ合金において、種々の用途の素材として有用な０．６ｍｍ以上の板厚の全領域で微細結晶粒を有し、これにより強度と延性のバランスに優れた焼鈍板を得る。 - 特許庁

The upper semiconductor DBR 107 includes an oxidized narrow structural body in which an oxidized layer 108a containing an oxide generated by oxidizing a portion of a selected oxidized layer containing Al surrounds a current passing-through region 108b.例文帳に追加

上部半導体ＤＢＲ１０７は、Ａｌを含む被選択酸化層の一部が酸化されて生成された酸化物を含む酸化層１０８ａが電流通過領域１０８ｂを取り囲む酸化狭窄構造体を含んでいる。 - 特許庁

To provide an embedded-ridge type semiconductor laser, whose operating voltage is low, and whose efficiency is high and is capable of suppressing high resistance of a third upper clad layer in the upper region of the edge face on a ridge, by including Al in a current block layer.例文帳に追加

電流ブロック層がＡｌを含むことに起因する、リッジ上端面の上部の領域における第３上部クラッド層の高抵抗化を抑制し、動作電圧が低く、高効率な埋込リッジ型半導体レーザを提供する。 - 特許庁

A lead-out electrode 2 at least in a bonding region is composed of a Cu wiring 2a which is comparatively thick and buried inside a recessed pattern 4 and a comparatively thin, Al film 2b coating the Cu wiring 2a.例文帳に追加

少なくともボンディング領域における引き出し電極２を、絶縁膜３に設けられた凹パターン４の内部に埋め込まれた相対的に厚いＣｕ配線２ａと、このＣｕ配線２ａを覆う相対的に薄いＡｌ膜２ｂとで構成する。 - 特許庁