region Alの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 120件
A region (high Al composition region 123) where the value of p is set to 1 (p=1) (AlN) is formed between the substrate connection region and active layer connection region.例文帳に追加
これらの領域間には、ｐ＝１（ＡｌＮ）となっている領域（高Ａｌ組成領域１２３）が設けられている。 - 特許庁
A composition ratio of Al atoms of the semiconductor forming the impurity diffusion controlling region 13 is larger than that of Al atoms of the p^+-type semiconductor region 14.例文帳に追加
不純物拡散抑制領域１３を構成する半導体のＡｌ原子の組成比は、ｐ^＋型の半導体領域１４のＡｌ原子の組成比よりも大きい - 特許庁
With this structure, the Al atoms of the wire Al piece spreads gradually into the electrode film piece and thermal reacting layer under the high temperature condition and such Al atoms are fetched into a high impurity concentration n-type SiC region at the lower part.例文帳に追加
電極素片８または加熱反応層９と配線Ａｌ素片１０との間に、Ａｌ拡散阻止層１１を設け、Ａｌ原子の拡散を防止する構成とする。 - 特許庁
These are provided with a crystal growth substrate, at least the surface region of which includes an Al-containing group-III nitride semiconductor, and a scandium nitride film formed on top of the surface region.例文帳に追加
少なくとも表面部分がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板と、前記表面部分上に形成されたスカンジウム窒化物膜とを具えることを特徴とする。 - 特許庁
The resistivity of the high Al composition region 123 is the highest in the buffer layer 12.例文帳に追加
高Ａｌ組成領域１２３の抵抗率は、この緩衝層１２中で最も高くなっている。 - 特許庁
To provide a method of making an (Al, Ga, In)N semiconductor device having a substrate and an active region.例文帳に追加
基板および活性領域を有する（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ半導体デバイスの作製方法が提供される。 - 特許庁
The substrate includes fine precipitates of 10 pieces or more containing both Mg and Al in the area of 20 μm×20 μm at least in the surface layer region, when the surface layer region is defined as a region from the surface of the substrate down to 20 μm in a thickness direction.例文帳に追加
この基材の表面から厚さ方向に20μmまでの範囲を表層領域とするとき、少なくとも表層領域には、MgとAlとの双方を含む微細析出物が20μm×20μmに対して10個以上存在する。 - 特許庁
This aluminum alloy hot rolled sheet for press structural parts having a bent region by a bend inside radius of ≤1.5 times the sheet thickness has an Al-Mg based Al alloy composition containing 1.5 to 3.5% Mg, and in which proof stress lies in the range of 110 to 130 MPa, and tensile strength lies in the range of 220 to 250 MPa.例文帳に追加
板厚の1.5 倍以下の曲げ内半径による曲げ部位を有するプレス構造部品用のアルミニウム合金熱延板であって、Mg:1.5〜3.5%を含むAl-Mg 系Al合金組成を有し、耐力が110 〜135MPa、引張り強さが220 〜250MPaの範囲にあることである。 - 特許庁
The layer 25 is formed into an Al oxide layer 28 formed by oxidizing selectively the Al in the layer 25 from the center region of the layer 25 to the side surface of the laminated structure excepting the center region.例文帳に追加
ＡｌＩｎＡｓ層は、中央領域を残し、中央領域から積層構造側面まで、ＡｌＩｎＡｓ層中のＡｌが選択的に酸化されたＡｌ酸化層２８となっている。 - 特許庁
A peripheral region 15A of a cathode electrode 12 is formed of an Al ring 15 as a foundation board.例文帳に追加
基礎台としてのＡｌリング１５によりカソード電極１２の周辺領域１５Ａが構成されている。 - 特許庁
A section AL which has possibility of leaking a light of an image signal of the optical black region is previously obtained.例文帳に追加
オプティカルブラック領域の画像信号のうち、光が漏れ込む可能性がある区間Ａ_Lを予め求める。 - 特許庁
As a result, Al of the region including the hole 13 and its periphery is made to flow, and recovery of coverage is realized.例文帳に追加
これにより、ホール１３とその周辺を含む領域のＡｌを流動させ、カバレッジの回復を図る。 - 特許庁
The oxide film has an Al concentration transit region where the highest concentration part of the Al concentration is formed on the outer surface side and the lowest concentration part of the Al concentration is formed on the base metal surface side, and the difference in the Al concentration between the highest concentration part and the lowest concentration part is controlled to ≥30% of the Al concentration in the base metal.例文帳に追加
前記酸化被膜は、外表面側にＡｌ濃度の最高濃度部が形成され、母材表面側にＡｌ濃度の最低濃度部が形成されたＡｌ濃度移行領域を有し、前記最高濃度部と最低濃度部におけるＡｌ濃度の差が母材のＡｌ濃度の３０％以上とされたものである。 - 特許庁
The Al composition of the first AlGaN layer 25 is largest in the first conductive type clad region 13, and the Al composition of the second AlGaN layer 27 is smaller than the Al composition of the first AlGaN layer 25.例文帳に追加
第１のＡｌＧａＮ層２５のＡｌ組成は第１導電型クラッド領域１３において最も大きく、第２のＡｌＧａＮ層２７のＡｌ組成は第１のＡｌＧａＮ層２５のＡｌ組成よりも小さい。 - 特許庁
These are provided with a crystal growth substrate, at least the surface region of which includes an Al-containing group-III nitride semiconductor, and a scandium nitride film formed by nitrogen treatment of Sc (scandium) formed on top of the surface region.例文帳に追加
少なくとも表面部分がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板と、前記表面部分上に形成されたSc(スカンジウム)を窒化処理したスカンジウム窒化物膜を具えることを特徴とする。 - 特許庁
A half- width ratio ΔD of a X-ray diffraction peak of Al in the dendrite region, is preferably 0.70 times or less of a half-width ratio ΔD_0 of a X-ray diffraction for a standard sample.例文帳に追加
デンドライト領域のAlのＸ線回析ピーク半価幅率ΔＤが標準試料のＸ線回析ピーク半価幅率ΔＤ_0 の0.70倍以下であることが好ましい。 - 特許庁
In the process for producing a crystal of Al based III nitride such as aluminium nitride by causing reaction of the gas of Al based III halide such as aluminium trichloride and ammonia gas on a substrate held in a reaction region thereby causing vapor phase epitaxy on the substrate, the Al based III halide gas is touched to metal aluminium 15 before being fed out to a growth reaction tube 16 to cause reaction.例文帳に追加
三塩化アルミニウム等のAl系III族ハロゲン化物ガスとアンモニアガス等とを反応域に保持された基板上で反応させることにより、基板上に気相成長させて窒化アルミニウム等のAl系III族窒化物結晶を製造する方法において、該Al系III族ハロゲン化物ガスを金属アルミニウム１５と接触させた後に成長反応器１６に流出せしめて反応させる。 - 特許庁
In the thickness direction of the sheet, when the region to 30% of the thickness of the sheet from the surface is defined as a surface region, and, from this surface region, an optional 50 μm^2 of small area is taken, the number of the grains of crystallized products including both of Al and Mn is ≤15 pieces.例文帳に追加
この板の厚さ方向において、その表面から当該板の厚さの30％までの領域を表面領域とし、この表面領域から任意の50μm^2の小領域をとったとき、AlとMnとの双方を含む晶出物の粒子が15個以下である。 - 特許庁
A clamp pulse is output during a section AB (period TC_1) in which the section AL near the effective pixel region of the image signal corresponding to the black region.例文帳に追加
オプティカルブラック領域に対応する画像信号のうち、有効画素領域に近い区間Ａ__Lを除いた区間Ａ_B（期間Ｔ_C1）にわたりクランプパルスを出力する。 - 特許庁
An Al ion is injected selectively into a guard ring schedule region 23a and a JTE schedule region 23b in an upper layer part of an n type epitaxial layer 2.例文帳に追加
ｎ型エピタキシャル層２の上層部にガードリング予定領域２３ａ及びＪＴＥ予定領域２３ｂにＡｌイオンを選択的に注入する。 - 特許庁
In the second optical fiber 12, Al element is added to the core region in conjunction with the rare-earth element.例文帳に追加
第２の光ファイバ１２は、希土類元素に加えてＡｌ元素がコア領域に共添加されたものである。 - 特許庁
An abnormal load determination level AL to be compared with an estimated load T obtained in an observer for each region is set.例文帳に追加
各領域毎にオブザーバで求められる推定負荷Ｔと比較する異常負荷判定レベルＡＬを設定する。 - 特許庁
The Al-Si alloy casting contains, by volume fraction Vf, 40% to 60% solid-phase solidified region S_S corresponding to the solid phase.例文帳に追加
固相に対応した固相凝固領域Ｓ_Ｓ の体積分率Ｖｆは４０％≦Ｖｆ≦６０％である。 - 特許庁
Relative binocular positions AR, AL of the viewer M in relation to the control panel 3 are specified, and the left eye viewing region XL and the right eye viewing region XR of the control panel 3 in relation to the binocular positions AR, AL are determined.例文帳に追加
制御パネル３に対する観察者Ｍの相対的な両眼位置ＡＲ，ＡＬを特定し、両眼位置ＡＲ，ＡＬに対応する制御パネル３の左眼視界領域ＸＬと右眼視界領域ＸＲとを決定する。 - 特許庁
A region (peripheral edge region) where a metal sheet 2 (Al sheet) and a region (peripheral edge region) where a fiber sheet 3 (CF sheet) are coated with an adhesive 6 being a heat-resistant rubbery adhesive (a).例文帳に追加
金属シート２（Ａｌシート）と樹脂とが一体化される領域（周縁領域）と、繊維シート３（ＣＦシート）と樹脂とが一体化される領域（周縁領域）とに、耐熱ゴム系接着剤である接着剤６を塗布する（ａ）。 - 特許庁
An Al composition of low refractive point layer in the primary region 44 is made lower than that of the low refractive point layer in the secondary region 46, and oxidation of the low refractive point layer is controlled in the primary region 44 as generated when doing oxidation treatment for forming an Al oxidation layer 25.例文帳に追加
第１の領域４４の低屈折率層のＡｌ組成を、第２の領域４６の低屈折率層のＡｌ組成よりも低くし、第１の領域４４において、Ａｌ酸化層２５の形成のための酸化処理に際して生ずる低屈折率層の酸化を抑制する。 - 特許庁
To provide a refining method capable of improving the accuracy of controlling Al concentration in a region of an Al concentration of 0.001% or more and 0.007% or less.例文帳に追加
本発明は、上記課題を鑑み、Ａｌ濃度０．００１％以上０．００７％以下の領域にてよりＡｌ濃度制御精度を向上させる精錬方法を提供する。 - 特許庁
The mirror 1 comprises a three-layer film in the entire region, comprising an Al layer 11, a SiN layer 12, and an Al layer 13 successively layered from one side and is configured into a planar state.例文帳に追加
ミラー１は、その全体の領域が、一方側から順に積層されたＡｌ層１１、ＳｉＮ層１２及びＡｌ層１３の３層からなる膜で、平板状に構成される。 - 特許庁
The light-reflecting layer 2 is brought into good ohmic contact with the semiconductor region 3, while having a reflectivity higher than Al.例文帳に追加
光反射層２はＡｌより高い反射率を有すると共に半導体領域３に良好にオーミック接触する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing an Fe-Cr-Al-Mn-based damping alloy material that has excellent damping properties in a region of a low strain amplitude and a high frequency region.例文帳に追加
低歪振幅域、高周波数域において優れた制振性を有するＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｍｎ系の制振合金材の製造方法を提供する。 - 特許庁
The method of manufacturing the continuous wave semiconductor laser diode of the N (Al, Ga, In) material system comprises a step of continuously growing a primary cladding region 4, a primary light guide region 5, an active region 6, a secondary light guide region 7 and a secondary cladding region 8.例文帳に追加
（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料系の連続波半導体レーザダイオードを製造する方法は、第１のクラッド領域（４）、第１の光ガイド領域（５）、活性領域（６）、第２の光ガイド領域（７）および第２のクラッド領域（８）を連続して成長させるステップを包含する。 - 特許庁
The fiber 10 for optical amplification is constituted of a principal constituent of quartz glass and is provided with a core region, wherein Er element, Al element and F element are added, and a clad region surrounding the core region and having a refractive index lower than that of the core region.例文帳に追加
光増幅用ファイバ１０は、石英ガラスを主成分とするものであって、Ｅｒ元素，Ａｌ元素およびＦ元素が添加されたコア領域と、このコア領域を取り囲みコア領域より屈折率が低いクラッド領域とを有する。 - 特許庁
The electrode 16 comprising an alloy between Ni and Al is formed on the surface of the first region 15.例文帳に追加
第１の領域１５の表面には、ＮｉとＡｌとからなる合金によって構成される電極１６が形成されている。 - 特許庁
In the second region where the first core layer is removed, a second core layer 30 is formed of a compound semiconductor containing Al.例文帳に追加
第１のコア層が除去された第２の領域に、Ａｌを含む化合物半導体からなる第２のコア層３０を形成する。 - 特許庁
On the other hand, the second region may be formed by the conductive metal, for example, Ag (silver), Al (aluminum), Au (gold), and Cu (copper).例文帳に追加
一方、第二領域２２ｂは、導電性金属、例えば、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）Ａｕ（金）Ｃｕ（銅）などから構成されれば良い。 - 特許庁
A period T in which a period corresponding to the section AL of a clamping period of the black region is removed, is previously obtained.例文帳に追加
これに基づいてオプティカルブラック領域のクランプ期間のうち、区間Ａ_Lに対応する期間を除いた期間Ｔ_C1を予め求める。 - 特許庁
The hollow aluminum alloy has a primary crystal compound phase containing Al and Ca in an Al matrix, and has a hollow region in one part between the primary crystal compound phases.例文帳に追加
Ａｌマトリックス中にＡｌおよびＣａを含む初晶化合物相を有し、かつ前記初晶化合物相同士の間の一部に中空領域を有することを特徴とする中空アルミニウム合金である。 - 特許庁
In the buffer layer 3, the entire Al composition of one pair of the first buffer region 331 and the adjacent second buffer region 332 at the nitride-based compound semiconductor 4 side is set to be larger than the Al composition of one pair of the regions at the substrate side.例文帳に追加
バッファ層３において窒化物系化合物半導体４側の第１のバッファ領域３３１とそれに隣接する第２のバッファ領域３３２との１組の全体のＡｌ組成は基板側の１組のＡｌ組成に対して大きく設定されている。 - 特許庁
This method of manufacturing the semiconductor device includes processes of: forming a P-type region on a surface of a semiconductor substrate; forming an Al electrode on the P-type region; forming an interlayer film contacting with the Al film and formed of a substance hardly reacting with Si relative to Al; and forming a semi-insulating film containing Si on the interlayer film.例文帳に追加
半導体基板表面にＰ型領域を形成する工程と、該Ｐ型領域上にＡｌ電極を形成する工程と、該Ａｌ電極と接し、Ａｌと比較してＳｉと反応しづらい物質からなる層間膜を形成する工程と、該層間膜上にＳｉを含有する半絶縁性膜を形成する工程とを備えることを特徴とする。 - 特許庁
To produce a method for producing a damping material made of an Fe-Cr-Al-Mn based alloy which has excellent damping properties in a low strain amplitude region and a high frequency region, and is further enough in ductility.例文帳に追加
低歪振幅域、高周波数域において制振性に優れると共に、延性にも富むＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｍｎ系合金からなる制振材の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for producing a damping material made of an Fe-Cr-Al-Mn based alloy which has excellent damping properties in a low strain amplitude region and high frequency region, and is further enough in ductility.例文帳に追加
低歪振幅域、高周波数域において制振性に優れると共に、延性にも富むＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｍｎ系合金からなる制振材の製造方法を提供する。 - 特許庁
In the third region where the first core layer is removed, a third core layer 35 is formed of a compound semiconductor containing Al.例文帳に追加
第１のコア層が除去された第３の領域に、Ａｌを含む化合物半導体からなる第３のコア層３５を形成する。 - 特許庁
In an element formation region RP, as heat treatment is performed under a temperature of about 700 to 900°C, aluminum (Al) in an aluminum (Al) film 7a diffuses into a hafnium oxide nitride (HfON) film 6, thereby aluminum (Al), as an element, is added to the hafnium oxide nitride (HfON) film 6.例文帳に追加
温度約７００〜９００℃のもとで施す熱処理に伴い、素子形成領域ＲＰでは、アルミニウム（Ａｌ）膜７ａ中のアルミニウム（Ａｌ）がハフニウム酸窒化（ＨｆＯＮ）膜６へ拡散することによって、ハフニウム酸窒化（ＨｆＯＮ）膜６に元素としてアルミニウム（Ａｌ）が添加される。 - 特許庁
To provide a method for producing an aluminum alloy cast plate where, even in a double roll type continuous casting method for an Al-Mg based aluminum alloy having a wide solid-liquid coexistent temperature region, the defects in the central part of the plate thickness can be suppressed.例文帳に追加
固液共存温度領域の広いAl-Mg 系アルミニウム合金の双ロール式連続鋳造方法であっても、板厚中心部の欠陥を抑制できる、アルミニウム合金鋳造板の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for producing an aluminum alloy cast plate where, even in a twin roll type continuous casting method for an Al-Mg based aluminum alloy having a wide solid-liquid coexistent temperature region, the defect of the central part in the plate thickness can be suppressed.例文帳に追加
固液共存温度領域の広いAl-Mg 系アルミニウム合金の双ロール式連続鋳造方法であっても、板厚中心部の欠陥を抑制できる、アルミニウム合金鋳造板の製造方法を提供する。 - 特許庁
Exposure conditions where an opening 4 is formed on an insulating film 3 on the Al wiring 2 of a product acquiring region 51 are controlled by a photolithographic technique and an etching technique, so that the opening is not formed on the insulating film 3 on the Al wiring 2 of the plating power feeding region 52.例文帳に追加
フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によって製品取得領域５１のＡｌ配線２上の絶縁膜３に開口部４を形成する際の露光条件を調整して、めっき給電領域５２のＡｌ配線２上の絶縁膜３に開口部を形成しない。 - 特許庁
The method for manufacturing the resin material coated with high resistivity metallic thin film includes a thin film formation process for forming the high resistivity metallic thin film containing Al and Mg on the surface of the resin base materia by a pulse laser deposition method using a target divided into a metal Al region and a metal Mg region.例文帳に追加
金属Ａｌ領域と金属Ｍｇ領域に分割されたターゲットを用いて、パルスレーザーデポジション法により、樹脂基材表面にＡｌ及びＭｇを含む高抵抗金属薄膜を形成する薄膜形成工程を備えた高抵抗金属薄膜被覆樹脂材料の製造方法。 - 特許庁
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