「sn s」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W can be cited.例文帳に追加

Ｎ以外の固溶元素としては、Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｓ，Ａｒ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，及びＷがある。 - 特許庁

To provide an optical heterodyine detection system for generating a heterodyne signal having an improved S/N ratio.例文帳に追加

改善されたSN比を有するヘテロダイン信号を生成する光ヘテロダイン検波システムを提供すること。 - 特許庁

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W are given.例文帳に追加

Ｎ以外の固溶元素としては、Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｓ，Ａｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，及びＷがある。 - 特許庁

The light absorption layer 16 is a sulfide compound semiconductor film including Cu, Zn, Sn and S.例文帳に追加

光吸収層１６が、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＳを含む硫化物系化合物半導体の膜である。 - 特許庁

The (n)th antenna electrode is arranged so that a projection area (S) and a range (R) from the developer carrier 12 satisfy the next relation, Sn-1≤Sn, and Rn-1≤Rn(2<n≤N).例文帳に追加

ｎ番目のアンテナ電極は、現像剤担持体１２からの投影面積（Ｓ）と距離（Ｒ）が、 Ｓｎ−１≦Ｓｎ 且つ Ｒｎ−１≦Ｒｎ （２≦ｎ≦Ｎ） の関係を満たす。 - 特許庁

The oily substance contains at least one kind of atoms from N, P, S and Sn in its molecule.例文帳に追加

前記オイル状物質が分子中にＮ、Ｐ、Ｓ、Ｓn原子を少なくとも１種以上有するセパレータとする。 - 特許庁

As the oil-form substance, one having at least one kind of N, P, S, or Sn atom in the molecule is preferable.例文帳に追加

オイル状物質としては、分子中にＮ、Ｐ、Ｓ、Ｓn原子を少なくとも１種以上有するものがよい。 - 特許庁

In the oily substance for use, at least one kind of N, P, S and Sn atoms is contained in an molecule.例文帳に追加

前記オイル状物質が分子中にＮ、Ｐ、Ｓ、Ｓn原子を少なくとも１種以上有するものを使用する。 - 特許庁

In the microphone system that uses output signals of two microphones to output a talker voice signal with the enhanced S/N through adaptive signal processing, the two microphones 11, 12 are closely arranged and the S/N of a signal outputted from one microphone is made higher and the S/N of a signal outputted from the other microphone is made lower.例文帳に追加

２つマイクロホン１１，１２の出力信号を用いて適応信号処理を行いSN比を改善した話者音声信号を出力するマイクロホンシステムにおいて、各マイクロホン１１，１２を接近して配置すると共に、一方のマイクロホンから出力する信号のSN比を高くし、他方のマイクロホンから出力する信号のSN比を低くする。 - 特許庁

(1) The optical recording medium is characterized by containing Ge, Sb, Sn and S as principal components of a phase change recording layer.例文帳に追加

（１）相変化記録層の主成分として、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｓｎ及びＳを含むことを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

The flanged nut is configured so that a plurality of grooves are formed radially at the seat face of the second flange, wherein Sn/S should range between 1 and 1.6, where Sn is the area of the seat face excluding the grooves and S is the effective section area of male thread to be engaged with female thread.例文帳に追加

フランジ付きナットは、第２フランジの座面に複数の凹溝が放射状に形成され、凹溝を除く座面の面積をＳｎ、雌ねじに螺合する雄ねじの有効断面積をＳとするとき、Ｓｎ／Ｓが１以上１．６以下である。 - 特許庁

(1) The chalcogenide-based compound semiconductor contains Cu, Zn, Sn, an element X_3(=S and/or Se), and O as essential elements.例文帳に追加

（１）カルコゲナイト系化合物半導体は、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、元素Ｘ_3（＝Ｓ及び／又はＳｅ）、及び、Ｏを必須元素として含む。 - 特許庁

Favorable example(s) of the metal or its compound other than lead is/are Sb or Sb compound and/or Sn or Sn compound.例文帳に追加

さらに、この鉛以外の金属もしくは金属化合物として、ＳｂもしくはＳｂ化合物および／またはＳｎもしくはＳｎ化合物を正極活物質中に適量含有させることが好ましい。 - 特許庁

To improve S/N ratio by decreasing the impedance of a current path to be inspected.例文帳に追加

検査対象の電流路におけるインピーダンスを下げることによって、SN比を向上させた回路基板導通検査装置および方法を提案する。 - 特許庁

The difference-weighting part adds the difference value (Sn-T) with weight of "weight factor Wn of surrounding pixel", to obtain a weighted sum S.例文帳に追加

差分加重部は、これら差分値（Ｓｎ−Ｔ）を「周辺画素の重み係数Ｗｎ」で重み付け加算し、下記の加重和Ｓを求める。 - 特許庁

Moreover, the device is provided with a shift register DFF-S/R which successively supplies primary pulses Bn according to the switching transistors Sn and logical gate means NORn, which are interposed between the shift register DFF-S/R and the transistors Sn and which shape waveforms of the primary pulses Bn to secondary pulse Φn.例文帳に追加

スイッチングトランジスタＳｎに対応して順次一次パルスＢｎを供給するシフトレジスタＤＦＦ−Ｓ／Ｒと、スイッチングトランジスタＳｎとシフトレジスタＤＦＦ−Ｓ／Ｒの間に介在して一次パルスＢｎを二次パルスΦｎに整形する論理ゲート手段ＮＯＲｎとを備えている。 - 特許庁

In a source driver S group consisting of source drivers S1 to Sn, the input - output terminal SPD1 of the start pulse signal (SPD) of the source driver S1 and the input - output terminal SPD2 of the SPD of the source driver Sn are both connected and the SPD is supplied to both terminals.例文帳に追加

ソースドライバＳ(1) …Ｓ(n) からなるソースドライバＳ群において、ソースドライバＳ(1) のスタートパルス信号(SPD) の入出力端子SPD1と、ソースドライバＳ(n) のSPD の入出力端子SPD2とを共に接続し、両方にSPD を供給する。 - 特許庁

The oxygen-free copper compound is suitably a compound of Cu and at least one kind of element selected from Sn, Sb, S and Se.例文帳に追加

酸素非含有銅化合物は、Ｃｕと、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｓ及びＳｅから選択される少なくとも１種の元素との化合物であることが好適である。 - 特許庁

The voice section part 121 is composed of a first section part 41 for dividing the voice signals S into a pronouncing section PA and a non-pronouncing section PB based on an SN ratio of the voice signal S, and a second section part 42 for dividing the voice signals S by regarding each trough part D of an envelope E of the voice signal S.例文帳に追加

音声区分部１２１は、音声信号ＳのＳＮ比に基づいて音声信号Ｓを発音区間ＰAと非発音区間ＰBとに区分する第１区分部４１と、音声信号Ｓの包絡線Ｅの各谷部Ｄを境界として音声信号Ｓを区分する第２区分部４２とで構成される。 - 特許庁

A compound semiconductor which is a sulfide which contains Cu, Zn, Ge and S and whose Cu/Ge ratio (atomic ratio) is less than 2.00, or a compound semiconductor which is a sulfide which contains Cu, Zn, Ge, Sn and S and whose Cu/(Sn+Ge) ratio (atomic ratio) is less than 2.00, is used as a light-absorbing layer of the photoelectric element.例文帳に追加

Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ及びＳを含む硫化物であり、Ｃｕ／Ｇｅ比（原子比）が２．００未満である化合物半導体若しくはＣｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＳを含む硫化物であり、Ｃｕ／（Ｓｎ＋Ｇｅ）比（原子比）が２．００未満である化合物半導体を光電素子の光吸収層とする。 - 特許庁

A mode-analyzing portion 68 determines whether an S/N ratio of #Xn to Sn is equal to or smaller than an allowable value, and makes the quantizing and normalizing portion 62 select another trial mode, when it is determined that the S/N ratio is not smaller than the predetermined allowable value.例文帳に追加

モード解析部６８は、Ｓ_nに対する◇Ｘ_nのＳ／Ｎ比が許容値以下であるか否かを判定し、Ｓ／Ｎ比が許容値を超えると判定すると、量子化＆正規化部６２に対して次の試行モードを選択させる。 - 特許庁

In the method, the droplets 13 of the melt 11 of a metal matrix and inclusion particles 12 are sprayed onto a target 15, and are mixed and solidified so as to be a compound alloy where a fine inclusion(s) containing a dopant element(s) is uniformly dispersed into an Sn matrix.例文帳に追加

金属マトリックスの融液１１の小滴１３と介在物微粒子１２とをターゲット上１５に噴霧して、混合、固化し、ドーパント元素を含有する微細介在物が錫マトリックス中に均一に分散した複合合金。 - 特許庁

A shielding plate S is installed on an outer face side of a furnace outer shell of the heating furnace by providing a space from the furnace outer shell, or, in addition, one or more layers of shielding plates Sn are installed on an outer side of the shielding plate S by providing a space from the shielding plate.例文帳に追加

加熱炉の炉外殻の外面側に、炉外殻との間で空間を設けて遮蔽板Ｓを設置し、或いは遮蔽板Ｓの外側に、さらに、遮蔽板間で空間を設けて１層以上の遮蔽板Ｓnを設置する。 - 特許庁

The measuring instrument display is constituted by arraying a display segment group S which is consisting of measuring instrument displays S1 to Sn having a sub-pointer image display segment column like a half circle (like a fan) along scales M shown in Fig.(a).例文帳に追加

図１（ａ）のように目盛Ｍに沿って副指針像表示セグメント列Ｓ１〜Ｓｎからなる表示セグメント群Ｓを半円状（扇状）に配設してある。 - 特許庁

One embodiment comprises that the step to calculate the speed-normalized summation signal (Sn) subtracts a detector offset (So) from the summation signal (S).例文帳に追加

１つの実施形態において、上記速度正規化した積算信号（Ｓｎ）を算出するステップが、検出器オフセットＳｏを積算信号（Ｓ）から減ずること、を包含する。 - 特許庁

To provide a magnetic resonance imaging apparatus which can lower SAR while maintaining a S/N ratio and an image contrast for a GrE pulse sequence regardless of the presence of synchronous photographing.例文帳に追加

GrE系のパルスシーケンスに対して、同期撮影の有無に関わらず、SN比や画像コントラストを維持したままSARを低減可能な磁気共鳴イメージング装置を提供する。 - 特許庁

The magnesium compound is essentially composed of a compound Mg_2X of an element(s) X selected from the group consisting of Si, Ge, Sn and Pb, and magnesium (Mg), and in which the compositional molar ratio between the element(s) X and Mg lies in the range of 1:1 to 1:1.9.例文帳に追加

マグネシウム化合物は、Ｓｉ、Ｇｅ，ＳｎおよびＰｂから成る群から選ばれる元素Ｘと、マグネシウム（Ｍｇ）との化合物Ｍｇ_２Ｘを主体とし、元素ＸとＭｇとの組成モル比が、１：１〜１：１．９の範囲内にあることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an Sn based alloy for Nb_3Sn superconducting wire comprising a finer compound inclusion(s) with a dopant(s) in order to produce Nb_3Sn superconductor wire having a superior current carrying capacity, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

優れた電流伝導能力を有するＮｂ_３Ｓｎ超電導体物質を生成するためのドーパントを有し、より微細な複合介在物を含む、Ｎｂ_３Ｓｎ超電導線用の錫基合金およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

While the negative scanning pulses Psc-s and Psc-A are impressed to the scanning electrode Sn where the writing is made, and to the auxiliary electrode A2n-1 adjacent to the lower side of the scanning electrode Sn respectively, the positive pole data pulse Pd is impressed to the data electrode D.例文帳に追加

また、書き込みが行われる行の走査電極Ｓｎ及びこの走査電極Ｓｎの下側に隣接している補助電極Ａ２ｎ−１には、夫々負極性の走査パルスＰｓｃ−ｓ及びＰｓｃ−Ａを印加し、データ電極Ｄには正極性のデータパルスＰｄを印加する。 - 特許庁

The method for evaluating the fatigue of a solder junction containing Sn as a main component includes the steps of enlarging a cut section of the junction by an electron microscope, measuring a phase size (d) of an Sn phase 20 and an Ag_3Sn phase 22, and biquadrating the measured value (d) to a phase growth evaluating parameter S.例文帳に追加

Ｓｎを主成分とするはんだの接合部の疲労評価方法において、はんだ接合部の切断面を電子顕微鏡により拡大して、Ｓｎ相２０やＡｇ_３Ｓｎ相２２の相寸法ｄを測定し、この測定値ｄを４乗して相成長評価パラメータＳとする。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus and an imaging method capable of suppressing deterioration in the image quality by ensuring the resolution and the S/N while enhancing a dynamic range and properly carrying out an interleaving photographing.例文帳に追加

ダイナミックレンジを向上させながら、解像度およびSN比を確保して画質劣化を抑え、さらに、適切な間引き撮影が可能な固体撮像装置および撮像方法を提供する。 - 特許庁

Next, a plating layer 3 constituted of tin (Sn) (tin plating layer) is formed by non-electrolytic plating or the like, respectively to cover each of the plurality of conductor pattern s 2 formed.例文帳に追加

次に、形成された複数の導体パターン２の各々を覆うように、無電解めっき等により錫（Ｓｎ）からなるめっき層（以下、錫めっき層と呼ぶ）３をそれぞれ形成する。 - 特許庁

To provide an imaging device that improves the S/N ratio of images without changing strength distributions by applying an execution threshold value decision method to finalize the threshold values without requiring any reference waveform.例文帳に追加

参照波形を必要とせず、実行閾値決定手法を備えた閾値処理を用いることで、強度分布の値を変化させることなく画像のSN比を向上させるイメージング装置の提供。 - 特許庁

The photoelectric element includes a sulfide system compound semiconductor that contains Cu, Zn, Sn, and S and that does not contain a substance having Na and O and that uses this sulfide system compound semiconductor as a light-absorbing layer.例文帳に追加

Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、及びＳを含み、Ｎａ及びＯを含む物質を含まない硫化物系化合物半導体、及びこれを光吸収層として用いた光電素子。 - 特許庁

The alloy element(s) Y is one or more kinds selected from Al in ≥1 mass% as concentrated quantity, Si in ≥2 mass%, P in ≥0.5 mass%, Ti in ≥0.5 mass%, V in ≥2 mass%, Cr in ≥13 mass%, Zn in ≥7 mass%, Sn in ≥2 mass% and W in ≥5 mass%.例文帳に追加

合金元素Ｙの濃縮量が、Al：１質量％以上，Si：２質量％以上，Ｐ：0.5質量％以上，Ti：0.5質量％以上，Ｖ：２質量％以上，Cr：13質量％以上，Zn：７質量％以上，Sn：２質量％以上，Ｗ：５質量％以上のうちの１種または２種以上である。 - 特許庁

The high-speed differential transmission cable is composed by forming each signal line pair S (Sp, Sn) carrying out differential transmission by using two electric conductors 11 as a set, arranging the plurality of signal line pairs in a flat shape, and covering them by extruding an insulation resin.例文帳に追加

電気導体１１の２本を一組として差動伝送する信号線対Ｓ（Ｓｐ，Ｓｎ）とし、該信号線対をフラット状に複数配列し、絶縁樹脂を押出して被覆した高速差動伝送ケーブルである。 - 特許庁

Preferably, the metal having hydrogen overpotential larger than that of the steel material is one chosen from Cr, Mn, Zn, In, Sn and Bi or is an alloy of one chosen from B, S, P, V, Mo and RE (rare earth element) and one chosen from Fe, Co and Ni.例文帳に追加

鋼材より水素過電圧の大きな金属は、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｂｉから選ばれる1種であるか、またはＢ，Ｓ，Ｐ，Ｖ，Ｍｏ，ＲＥ（希土類元素）から選ばれる1種と、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉから選ばれる1種との合金であることが望ましい。 - 特許庁

When the pad section 30p is beaten, internal pressure in the space section S is increased, and a detection signal is output from each pad sensor section SN, while the vibration detection sensor PZ outputs a signal according to vibration of the base object 20.例文帳に追加

パッド部３０ｐが打撃されると、空間部Ｓの内圧が上昇して各パッドセンサ部ＳＮから検出信号が出力されると共に、振動検出センサＰＺがベース体２０の振動に応じた信号を出力する。 - 特許庁

The sulfide compound semiconductor is obtained by producing a sulfide compound semiconductor containing Cu, Zn, Sn and S in the presence of Na, and by washing the sulfide compound semiconductor, using a polar solvent.例文帳に追加

Ｎａ共存下において、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＳを含む硫化物系化合物半導体を製造し、極性溶媒を用いて前記硫化物系化合物半導体を洗浄することにより得られる硫化物系化合物半導体。 - 特許庁

This casting has a casting space forming the main body part 3 from the feeder head part 1 through the sprue part 2 and this casting can be manufactured by casting the above molten high Cr cast iron into a mold having 0.10-0.75 Sn/S and cooling and solidifying.例文帳に追加

この鋳物は、押し湯部１から湯口部２を介して本体部３が形成された鋳造空間を有し、前記Ｓｎ／Ｓを０．１０〜０．７５とする鋳型に前記高Ｃｒ鋳鉄の溶湯を鋳込み、冷却凝固させることで製造することができる。 - 特許庁

In the photoelectric element that has the light-absorbing layer formed of the sulfide system compound semiconductor containing Cu, Zn, Sn, and S, members other than the light-absorbing layer forming the photoelectric element is formed of a material that does not contain Na.例文帳に追加

Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、及びＳを含む硫化物系化合物半導体からなる光吸収層を備えた光電素子において、前記光電素子を構成する前記光吸収層以外の部材は、Ｎａを含まない材料からなる光電素子。 - 特許庁

The copper alloy tube for heat exchanger has a composition containing 0.1-2.0 mass% of Sn, 0.005-0.1 mass% of P, 0.005 mass% or lower of S, 0.005 mass% or lower of O, 0.0002 mass% or lower of H and balance Cu with inevitable impurities.例文帳に追加

Ｓｎ：０．１乃至２．０質量％、Ｐ：０．００５乃至０．１質量％、Ｓ：０．００５質量％以下、Ｏ：０．００５質量％以下、及びＨ：０．０００２質量％以下を含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなる組成を有する。 - 特許庁

A composite contains active material particles represented by M_xP_y, where X and Y each represent a number equal to or larger than 0.9 and equal to or smaller than 10 and may be identical to or different from each other, and M represents Sn, Si, Zn, Al, or In; and a sulfide-based solid electrolyte containing Li and S.例文帳に追加

Ｍ_ｘＰ_ｙ（ＸとＹは０．９以上１０以下の数であり、同一でも異なっていてもよく、ＭはＳｎ，Ｓｉ，Ｚｎ、Ａｌ又はＩｎである。）で示される活物質粒子と、Ｌｉ及びＳを含む硫化物系固体電解質とを含む組成物。 - 特許庁

Then, in the case of converting the data into mapping data corresponding to QPSK by every symbol, amplitude values of each sub-carrier are set so that ratio (namely, S/N ratio) between an amplitude value of the sub-carrier and the superposed noise level becomes a value larger than the target SN ratio and the data are transmitted.例文帳に追加

そして、データを各シンボル毎にＱＰＳＫに対応したマッピングデータに変換する際、サブキャリアの振幅値と重畳ノイズレベルとの比（つまり、ＳＮ比）が目標ＳＮ比よりも大きな値となるように各サブキャリアの振幅値を設定し、データを送信する。 - 特許庁

The nonoriented magnetic steel sheet has a composition comprising C, Si, Al, Mn, P, S and N in specified ranges, further comprising 0.003 to 0.01% rare earth metals, >0.0015 to 0.005% Ti, 0.01 to 0.1% Sn and 0.0020 to 0.0050% O, and the balance substantially iron.例文帳に追加

特定の範囲のＣ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｐ、Ｓ、Ｎを含有し、さらにＲＥＭ：０．００３〜０．０１％、Ｔｉ：０．００１５超〜０．００５％、Ｓｎ：０．０１〜０．１％、Ｏ：０．００２０〜０．００５０％を含み、残部は実質的に鉄よりなる無方向性電磁鋼板。 - 特許庁