「strain region」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

In the temperature region lower than the recrystallization temperature and not lower than (plating bath temperature -30)°C in a cooling step after heating of a base material, 0.1-10% strain is applied to the surface of the base material.例文帳に追加

母材を加熱した後の冷却工程における再結晶温度未満、（めっき浴温度−３０）℃以上の温度領域において、母材表面に０．１％以上、１０％以下の歪みを付与する。 - 特許庁

The molten region of the flat part 4b is small because the flat part 4b is not directly irradiated with the laser beam, the deformation and strain of the welded zone is kept small and the positional variation in the collimator lens 2 is suppressed.例文帳に追加

平面部４ｂはレーザビームＢが直接照射されることはないので溶融範囲が小さく、溶接箇所の変形や歪みが小さくて済み、コリメータレンズ２の位置変化が抑えられる。 - 特許庁

An oligonucleotide has a specific base sequence and functions as a primer in a PCR (polymerase chain reaction) method and thereby selectively amplifies a specific region of a 16SrDNA of the Clostridium bifermentans DPH-1 strain.例文帳に追加

特定の塩基配列を有するとともに、PCR法におけるプライマーとして機能することでクロストリジウム・ビフェルメンタンスDPH-1株の16SrDNAの特定領域を選択的に増幅させることのできるオリゴヌクレオチド。 - 特許庁

The irradiating laser pulses travel in the sapphire in an optical-axis direction along a transient optical waveguide formed by self-channeling effect to form a stress-strain region of high aspect ratio in the sapphire.例文帳に追加

照射されたレーザパルスは、セルフチャネリング効果により形成される一過性の光導波路に沿ってサファイア内を光軸方向に伝播し、サファイア内にアスペクト比の高い応力ひずみ領域を形成する。 - 特許庁

The HTLV virus antigen is prepared from in vitro expression of an attenuated modified recombinant virus incorporated with an exogenous DNA in a nonessential region, which DNA encodes envelope protein of HTLV-I strain 1171 which is one of tumor viruses.例文帳に追加

腫瘍ウイルスの１つであるHTLV-Iの菌株1171のエンベロープタンパク質をコードする外来DNAを非必須領域に組み込んだ、弱毒化された変性組換えウイルスのインビトロ発現からHTLVウイルス抗原を調製する。 - 特許庁

A channel region 8, in which a distance between a source electrode 6 and a drain electrode 7 is defined as a channel length L and a direction orthogonal to the direction of the channel length L is defined as a channel width W, is disposed in an organic semiconductor layer 5 and a direction parallel with the direction of the channel length L is defined as a strain detection direction to detect a strain.例文帳に追加

ソース電極６とドレイン電極７との間の距離をチャネル長Ｌ、このチャネル長Ｌの方向と直交する方向をチャネル幅Ｗとするチャネル領域８を有機半導体層５内に設け、チャネル長Ｌの方向と平行方向を歪検出方向として、歪みを検知することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a support apparatus of a ball arrangement mask for minimizing the strain and deflection of the ball arrangement mask by suction and support on a contacting surface in contact with the upper surface of a non-mount region so that the mount region of the ball arrangement mask is surrounded.例文帳に追加

本発明は、ボール配列マスクの搭載領域を囲むように非搭載領域の上面に当接する当接面で吸着支持することにより、ボール配列マスクの歪みや撓みを最小限に抑えるボール配列マスクの支持装置を提供しようとするものである。 - 特許庁

Firstly, strain energy in the P-type region as the base is fixed in a minimum state and secondly, a linear defect region is provided nearby an element which may cause a problem to adsorb interstitial silicon produced in an important junction part of the element by the defect IG capability.例文帳に追加

１つ目は下地となるＰ型領域内の歪エネルギーを最小の状態で固定化することで、２つ目は問題となる素子の近傍に線状欠陥領域を設け、素子の重要な接合部中に発生している格子間シリコンを欠陥のＩＧ能力で吸着せしめる。 - 特許庁

The semiconductor is provided with a porous layer 2, a structure 13" which is formed on the porous layer 2 and has the semiconductor region 13' whose height of the sectional shape is larger than the width of its cross section, and a strain inducing region 17 which strains the structure 13 by applying stress to it.例文帳に追加

半導体装置は、多孔質層２と、多孔質層２上に形成された、断面形状の高さが該断面形状の幅よりも長い半導体領域１３’を有する構造体１３’’と、構造体１３に応力を加えて歪みを生じさせる歪み誘起領域１７と、を備える。 - 特許庁

To omit a high temperature tensile test by estimating a stress-strain relation ranging from a room temperature region to a high temperature region from yield stress and tensile strength obtained by a tensile test at a room temperature or the yield stress or yield strength and tensile strength at the room temperature entered in the mill sheet of a steel material.例文帳に追加

室温での引張試験で得られる降伏応力と引張強度から、又は、鋼材のミルシートに記載される室温での降伏応力若しくは耐力と引張強度から、室温域から高温域に至るまでの応力−歪み関係を予測し、高温引張試験を省略する。 - 特許庁

The SiCMOS structure is formed by the steps which include a step where a relaxing SiGe layer is formed on a substrate surface, a step where a separation region and a well implanting region are formed in the relaxing SiGe layer, and a step where a strain Si layer is formed on the relaxing SiGe layer.例文帳に追加

基板表面上に緩和ＳｉＧｅ層を形成するステップと、前記緩和ＳｉＧｅ層内に分離領域およびウェル打込み領域を形成するステップと、前記緩和ＳｉＧｅ層上に歪みＳｉ層を形成するステップとを含むステップで、歪みＳｉＣＭＯＳ構造が形成される。 - 特許庁

The strain of the acid-fast bacterium is identified by performing a molecular phylogenetic analysis based on a base sequence selected from a region corresponding to the base numbers 78-614 of a base sequence exhibiting a specific sequence of 16S rRNA gene and including at least a region corresponding to the base numbers 109-340.例文帳に追加

16S rRNA遺伝子の、特定の配列を示す塩基配列の塩基番号78〜614に相当する領域内から選ばれる、塩基番号109〜340に相当する領域を少なくとも含む塩基配列に基づいて分子系統解析を行うことにより抗酸菌の菌種を同定する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a base substrate, a 1st semiconductor region including a 1st silicon layer formed above the base substrate, a 2nd semiconductor region including a 2nd silicon layer which is formed above the base substrate nearly on a level with the surface of the 1st silicon layer and has strain, and an insulating film on the boundary surface between the 1st semiconductor region and 2nd semiconductor region.例文帳に追加

本発明による半導体基板は、支持基板と、前記支持基板の上方に形成された第１のシリコン層を含む第１の半導体領域と、前記支持基板の上方に前記第１のシリコン層表面とほぼ同じ高さに形成された、歪みを有する第２のシリコン層を含む第２の半導体領域と、前記第１の半導体領域と第２の半導体領域との境界面に絶縁膜を具備する。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device in which the reaction between a metallic material of wiring and an electrode connected to a semiconductor region hardly occurs in high-temperature operation, and strain hardly occurs in the high-temperature operation.例文帳に追加

高温動作において配線の金属材料と半導体領域に接続する電極との反応が生じにくく、かつ、高温動作において歪みが生じにくい電力用半導体装置を実現する。 - 特許庁

To provide a fiber sheet molded object having sufficient impact resistance in a low strain and stress region, that is, in the case that an impact is low and the object is easy to be deformed but does not easily cause breakage in the case that the impact is large.例文帳に追加

低歪み、低応力領域、即ち、衝撃が小さい場合は、十分な耐衝撃性を有し、衝撃が大きい場合は、変形し易く、容易に破断には至らない繊維シート成形体を提供する。 - 特許庁

The novel gene mouse EZI derived by OSM is identified or isolated by the cDNA subtraction method using the cell strain LO originating from the AGM region and a human-homologue gene of the gene is obtained.例文帳に追加

ＡＧＭ領域由来の細胞株ＬＯを用いたｃＤＮＡサブトラクション法により、ＯＳＭによって誘導される新規遺伝子マウスＥＺＩを同定・分離すると共に、当該遺伝子のヒトホモログ遺伝子を取得した。 - 特許庁

Thereafter by applying these error compensation coefficients, strain and asymmetry property, which may be generated on shape of signal in peak region of CPS distance measurement profile signal data unless this invention is used, can be reduced.例文帳に追加

後に、誤差補償係数を適用して、本発明を使用しない場合にはＣＰＳ距離測定プロファイル信号データのピーク領域内の信号の形状に発生する歪みおよび非対称性を低減することができる。 - 特許庁

Electron beam is converged to irradiate the local region of the crystal base material and the distance between the sets of Kikuchi lines each consisting of deficit and excess lines parallel to each other in the transmitted and diffracted electron beams appearing on a screen is measured and, on the basis of the measured result, the lattice strain of a local region is measured.例文帳に追加

電子線を収束して結晶基材の局所領域に照射し、スクリーン上に現れた透過電子線と回折電子線のうち、平行な欠損線と過剰線より成る菊地線の組の間の距離を計測し、その結果に基づいて該局所領域の格子歪を測定するように構成する。 - 特許庁

The method for producing 1-butanol comprises performing a 1-butanol fermentation production process using bacteria in an optimal proliferation temperature region for the fermentation strain and further performing the separation recovery of the 1-butanol by a pervaporation separation membrane method using a PV membrane having a specific membrane thickness in the temperature region.例文帳に追加

本発明は、細菌を用いた１−ブタノール発酵生成工程を発酵菌株の至適増殖温度域で行い、さらにその温度域において特定の膜厚を有するＰＶ膜を用いたパーベーパレーション分離膜法により１−ブタノールの分離回収を行う１−ブタノールの製造方法に関する。 - 特許庁

To provide a ultrasonic diagnostic apparatus capable of performing an accurate diagnosis by automatically following a set ROI (Region Of Interest) in accordance with the movement of a living tissue object in a function of temporally analyzing a tissue strain tomogram of a living body.例文帳に追加

生体の組織歪み断層像を時間的に解析する機能において、設定したＲＯＩを生体組織対象の動きに応じて自動追従させ正確な診断を可能にする超音波診断装置を提供する。 - 特許庁

The emitted laser pulse propagates inside the workpiece to an optical axis direction along a transient optical waveguide formed by a self-channeling effect, so as to form a stress strain region having a high aspect ratio inside the workpiece.例文帳に追加

照射されたレーザパルスは、セルフチャネリング効果により形成される一過性の光導波路に沿って加工対象物内を光軸方向に伝播し、加工対象物内にアスペクト比の高い応力ひずみ領域を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of enhancing driving force of a transistor by reducing stress lowering the driving force of the transistor based upon stress received from an element isolation region and further employing strain silicon technique.例文帳に追加

素子分離領域から受ける応力に基づいた、トランジスタの駆動力を低下させる歪みを緩和し、さらに、歪みシリコン技術を用いることでトランジスタの駆動力を向上させることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor substrate for sufficiently relieving strain of an SiGe film and suppressing penetration dislocation on a region forming an element in the SiGe film formed on an Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に形成されたＳｉＧｅ膜について、ＳｉＧｅ膜の歪を十分に緩和するとともに素子が形成される領域に発生する貫通転位を抑制するようにした半導体基板を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The transparent film for the electronic display consists of a transparent film of ≥50% transmittance of the UV rays in a wavelength region of a 250 to 450 nm and ≥180°C glass transition temperature measured by a TMA (stress and strain measurement).例文帳に追加

波長２５０〜４５０ｎｍの領域における紫外線の透過率が５０％以上であって、ＴＭＡ（応力歪み測定）で測定したガラス転移温度が１８０℃以上である透明フィルムからなる電子ディスプレイ用の透明フィルム。 - 特許庁

An oligonucleotide for detecting emetic type Bacillus cereus has a sequence containing a part or all of a specific region or its complementary sequence in a strain of a chromosomal DNA of the food poisoning emetic type Bacillus cereus.例文帳に追加

食中毒嘔吐型Ｂａｃｉｌｌｕｓ ｃｅｒｅｕｓ菌の染色質ＤＮＡの該菌株に特異的な領域の一部あるいは全部を含む配列又はその相補配列を有する嘔吐型セレウス菌検出用オリゴヌクレオチド。 - 特許庁

To provide a semiconductor strain-sensitive sensor that is superior in temperature stability by separating a formation region of an electrode from a diaphragm forming a piezoresistant element, and is less likely to receive influence of thermal stress from the electrode by the piezoresistant element.例文帳に追加

この発明は、電極の形成領域をピエゾ抵抗素子が形成されているダイヤフラムから離間させて、ピエゾ抵抗素子が電極からの熱応力の影響を受け難くし、温度安定性に優れた半導体感歪センサを得る。 - 特許庁

Strains of multiple regions constituted of a measurement object region 2 and a proximity region 1 adjacent to it are measured by plural strain gauges 3, 4, having gauge lengths longer than the width of the measurement object region 2.例文帳に追加

測定対象領域２の幅よりも長い標点距離を有する複数・歪みゲージ３，４を用いて、測定対象領域２とこれに隣り合う近接領域１とからなる複数の領域の歪みを計測し、計測により得た複数・歪み値を複数・変数とし、複数の歪みゲージ３，４のそれぞれの標点距離と測定対象領域の幅の長さ又はそれに対応する長さを係数とする複数・連立方程式を作成する。 - 特許庁

Then the semiconductor device has a source-drain region having an SiGe layer 8 which is buried in a recessed portion formed on a surface of the silicon substrate 1 with the gate electrode 4 interposed therebetween to induce strain in the channel formed on the surface of the silicon substrate 1 below the gate electrode 4.例文帳に追加

そして、ゲート電極４を挟むシリコン基板１表面に形成された凹部に埋め込まれ、ゲート電極４下のシリコン基板１の表面に形成されるチャネルに歪みを誘起するＳｉＧｅ層８を備えたソース・ドレイン領域を備える。 - 特許庁

Koshihikari species of rice, to which a region, including Lhd4 locus and Hd5 locus of an indian strain of Kouryouwai 4-go (G4) species in a remote relation with the Koshihikari species is introduced, is created, by using the Kouryouwai 4-go as the donating parent of a chromosome to be introduced to a genetic background of the Koshihikari species.例文帳に追加

コシヒカリの遺伝的背景に導入する染色体の供与親として、コシヒカリと遠縁関係にあるインド型品種「広陸矮4号(G4)」を用い、該品種のLhd4座およびHd5座を含む領域が導入されたコシヒカリの作出を行った。 - 特許庁

To simultaneously display hardness/softness of a tissue in a region of interest and an elastic image by capturing an elastic modulus and a strain amount in an arbitrary vertical/horizontal lines in an elasticity display area displayed at real time and performing a graph display.例文帳に追加

リアルタイムで表示される弾性表示領域内の任意の縦横ラインにおける弾性率・歪み量を切り出し、グラフ表示を行なうことにより、関心領域の組織の硬さ・軟らかさと弾性像と同時に表示する事を提供する。 - 特許庁

The laser machining apparatus condenses the laser pulse and irradiates the vicinity of the surface of the sapphire with the laser pulse to form a stress strain region starting at the surface of the sapphire and directed to the inside and having a shape extending in the optical axis direction by utilizing self-channeling effects.例文帳に追加

本発明のレーザ加工装置は、レーザパルスをサファイアの表面近傍に集光照射して、サファイアの表面を起点として内部に向かう、光軸方向に伸張した形状の応力ひずみ領域を、セルフチャネリング効果により形成する。 - 特許庁

According to the structure, an angle formed by the (110) plane and the (100) plane of the substrate is 45°, and the first inclined plane is formed in a relatively acute angle, thereby a compressive strain can be applied to a channel region of the p-channel type MISFET effectively.例文帳に追加

上記構成によれば、基板の表面（１１０）面と（１００）面とのなす角は４５°となり、比較的鋭角に第１斜面が形成されるため、効果的にｐチャネル型のＭＩＳＦＥＴのチャネル領域に圧縮歪みを印加することができる。 - 特許庁

In this manufacturing method, in order to prevent the generation of strain in assembling a cell 101 by sticking an array substrate 200 and a counter substrate 300 together, a row of columnar spacers is provided in a peripheral region 5, to be removed by scribing, on the counter substrate or the array substrate.例文帳に追加

アレイ基板と対向基板とを貼り合わせてセルを組み立てる際に歪みが生じるのを防止するために、対向基板またはアレイ基板上のスクライブ除去される周辺領域６に柱状スペーサの列１を設けておく。 - 特許庁

To enable reduction of crystal defect of a conventional strain- relaxation buffer layer and a burden on a growing device in III-V compound semiconductor epitaxial wafer having an operative region where a substrate crystal and a grating constant are different equal to or greater than 0.15%.例文帳に追加

基板結晶と格子定数が０．１５％以上異なる動作領域を持つIII−Ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、従来の歪緩和バッファ層の結晶の欠点と、成長装置の負担を低減することを可能とする。 - 特許庁

To provide a fundamental honeycomb structure reduced in residual strain at the time of molding and preventing the thickness of a wash coat layer from becoming different by the region of the sidewall of a small hole, its extrusion molding die and a manufacturing method of a large-sized honeycomb structure.例文帳に追加

成形時の残留歪みが小さくウォッシュコート層の厚みが小孔の側壁の部位によって異なることが防止された基本ハニカム構造体及びその押し出し成形用ダイス、並びに大型ハニカム構造体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor strain gauge and the manufacturing method for preventing generation of channels in the semiconductor strain gauge, which stabilizes the resistance value of output by preventing the generation of channel which tends to be generated between electrodes pads, when impurities and charge are adhered around a diffusion resistor region, or when the impurity concentration of the semiconductor substrate is low, and which can be used for various acceleration sensors, pressure sensors, etc.例文帳に追加

半導体の歪みゲージのチャネル発生を防止するもので、拡散抵抗領域の周囲に不純物や電荷が付着した場合、あるいは半導体基板の不純物濃度が低い場合に電極パッド間に発生しやすくなるチャネルの発生を防止して、出力の抵抗値を安定させることのできる、各種加速センサ、圧力センサ等に利用できる半導体歪みゲージ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a material tester wide in application range capable of suitably corresponding not only to a material test in a wide strain speed region but also to a compression test and a tensile test.例文帳に追加

広いひずみ速度域での材料試験に好適に対応することができ、また、圧縮試験のみならず引張試験にも好適に対応することのできる、応用性の広い材料試験機、材料試験機用引張試験用治具セット、材料試験方法を提供する。 - 特許庁

To enable a semiconductor device and its manufacturing method to realize an ultra high-speed semiconductor device, wherein using Si/SiC Hetero junction in an active region, a suitable strain for n-channel transistor and p-channel transistor respectively is made to be applicable by SiC.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、動作領域にＳｉ／ＳｉＣのヘテロ接合を用い、ＳｉＣに依ってｎチャネル・トランジスタ及びｐチャネル・トランジスタそれぞれに好適な歪みを印加できるようにして超高速の半導体装置を実現しようとする。 - 特許庁

To provide am inexpensive aluminum alloy die-cast molding which is excellent in dynamic characteristics and in which high strength and high elongation can stably and consistently be obtained even when the molding is applied to automotive body parts or the like and a condition of a high strain rate region such as the case of collision is considered.例文帳に追加

自動車の車体部品等に適用し衝突時のような高歪速度域の状態を考慮したときでも、高強度と高い伸びが安定的に両立して得られる安価な動的特性に優れたアルミニウム合金ダイカスト鋳物を提供する。 - 特許庁

The method for expressing a protein in a large amount by introducing a plasmid carrying a material in which a structural gene part of a target gene is connected to the downstream of 5'-untranslated region of adhE into the defective strain of RnaseG of Escherichia coli and the expression system mused for this method are provided.例文帳に追加

大腸菌 (Escherichia coli)のRNaseG欠損株に、adhEの5’-非翻訳領域の下流に目的遺伝子の構造遺伝子部分を接続したもの担持するプラスミドを、導入することによるタンパク質の大量発現方法並びに該方法に用いる発現系が提供される。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor substrate whose outermost surface (surface layer region) has much more excellent quality than its inner region, to form a production method therefor by devising a surface treating method capable of relieving strain in the outermost surface to provide the high quality outermost surface layer, and to provide a nitride semiconductor device using the nitride semiconductor substrate and the production method therefor.例文帳に追加

内部領域よりも格段に優れた品質の最表面（表層領域）を有する窒化物半導体基板、表面加工方法を工夫することによって最表面（表層領域）の歪みを開放し、高品質の層を最表面に設けることが可能な窒化物半導体基板の製造方法及びこれらを用いた窒化物半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

Thus, the strain and the warpage are not generated in the lens effective region 64c and the dimension in the subscanning direction of the cylindrical lens need not be set large as in the conventional manner and consequently the dimension in the subscanning direction of the cylindrical lens 64 is allowed to be kept small.例文帳に追加

このことにより、レンズ有効領域６４ｃに歪みや反りを発生させることなく、従来のようにシリンドリカルレンズにおける副走査方向の寸法を大きく設定する必要がない分、シリンドリカルレンズ６４における副走査方向の寸法を小さく抑えることができる。 - 特許庁

When the pinching pieces 11a are bent, since strain concentrated in a base end part of a bent piece is dispersed and distributed to peripheral areas of the curved part 112 and the side face curved part 111, concentration of the unevenly distributed stress is avoided and the deformation becomes easy to stay within the deformation in the elastic region.例文帳に追加

挟持片１１ａが屈曲した際、屈曲片の基端部に集中する歪は湾曲部１１２周辺領域及び側面湾曲部１１１周辺領域に分散分布するので偏在的な応力の集中は回避され変形は弾性域内の変形に収まりやすくなる。 - 特許庁

In one embodiment, the strain-balancing layer is made of In_xAl_yGa_1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1) of a quaternary alloy composition, whose lattice-constant is adjusted to apply opposite strains to adjacent layers within the active region.例文帳に追加

一実施形態において、歪平衡層は、四元合金組成であるＩｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）から構成され、その格子定数を調節することによって、相反する歪を活性領域における隣接している層に加える。 - 特許庁

The discrimination of the beer turbidity is carried out based on a cleavage pattern by a restriction enzyme, obtained by amplifying a part of a B-gene region of the test Lactobacillus brevis strain by using as DNA gyrase subunit B gene (gyrB)-specific primer, and cleaving the amplified DNA fragment by the restriction enzyme.例文帳に追加

DNAジャイレースサブユニットB遺伝子（gyrB）特異的プライマーを用いて、被検ラクトバチルス・ブレビス菌株の該B遺伝子領域の一部を増幅して、得られた増幅ＤＮＡ断片を制限酵素で切断し、得られた制限酵素切断パターンに基づき、そのビール混濁性の判定を行う。 - 特許庁