「strain region」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To solve the above problem, an adhesive H1309a of a UV curable type quickly hardening at low temperature is used in the adhering region with great thermal strain.例文帳に追加

これを防ぐために、熱歪の大きい接着領域に低温で早く硬化するＵＶ硬化型の接着剤Ｈ１３０９ａを用いる。 - 特許庁

A part of the silicon layer subjected to tensile strain forms a channel region 13, which makes an N-channel for electron transit.例文帳に追加

引っ張り歪みを受けたシリコン層の一部がチャネル領域１３となっており、このチャネル領域１３は電子が走行するｎチャネルとなっている。 - 特許庁

To provide a laser machining apparatus capable of highly precisely and rapidly forming a stress strain region on sapphire along a cutting schedule line.例文帳に追加

切断予定ラインに沿ってサファイアに応力ひずみ領域を高精度かつ高速に形成することができるレーザ加工装置を提供すること。 - 特許庁

To reconstruct a mask region while suppressing a possibility of deteriorating strain-shape reproducibility in a circular-orbit cone-beam reconstruction method.例文帳に追加

円軌道コーンビーム再構成法において、マスク領域を歪み・形状再現性の劣化が発生する可能性が抑えて再構成すること。 - 特許庁

To obtain a low-cost field-effect transistor excellent in characteristics by using a silicon layer subjected to tensile strain, as a channel region.例文帳に追加

引っ張り歪みを受けたシリコン層をチャネル領域として利用することにより、特性のよいかつ安価な電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a new strain technology capable of effectively applying a compressive stress to a channel region of a p-channel transistor and a tensile stress to the channel region of n-channel transistor, even with a miniaturized transistor.例文帳に追加

微細化されても、ｐチャネルトランジスタのチャネル領域には圧縮歪を、ｎチャネルトランジスタのチャネル領域には引っ張り歪をそれぞれ効果的に印加できる新しい歪技術を提供する。 - 特許庁

The dynamic bending deformation of the mirror substrate is suppressed, the region in which the dynamic strain is small is expanded, and the dynamic bending quantity in the region is also reduced by the presence of the connecting members.例文帳に追加

このような連結部材の介在によりミラー基板の動的撓み変形が抑制され、動的歪み量の小さい領域が拡大し、かつ、その領域内の動的撓み量も減少する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a fin-type transistor increasing charge mobility in a channel region by effectively generating a strain in the channel region formed in a fin and its method for manufacturing.例文帳に追加

フィン内に形成されるチャネル領域に効果的に歪みを発生させて、チャネル領域内の電荷移動度を向上させたフィン型トランジスタを有する半導体装置、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ball mounting mask that has neither a step nor strain due to a difference in plate thickness at a boundary between an opening region and a non-opening region by protruding many ribs (protrusions) having a specified height downward on the bottom surface of the non-opening region.例文帳に追加

非開口部領域の底面に所定の高さを有する多数のリブ（突条）を下向きに突設することにより、開口部領域と非開口部領域との境目に板厚の差に基づく段差や歪みが発生しないボール搭載マスクを得る。 - 特許庁

In the region to be highly strengthened, the amount of strain impartation is set to ≥0.1, a strain impartation rate in normal press forming is set to ≥0.1 per second, and a cooling rate on the surface of the steel sheet in the press forming is set to ≥20°C per second.例文帳に追加

上記高強度化する部位について、付与歪量を０．１以上、プレス成形定常時の歪付与速度を毎秒０．１以上、プレス成形時の鋼板表面での冷却速度を毎秒２０℃以上に設定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of efficiently generating a tensile strain in a channel region even when the aspect ratio of a trench of STI (shallow trench isolation) structure is enlarged.例文帳に追加

ＳＴＩ構造のトレンチのアスペクト比を大きくしても、チャネル領域に効率的に引張歪を生じさせることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device improved in carrier mobility owing to effective strain of a channel region by a stress liner film, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ストレスライナー膜によるチャネル領域の効果的な歪みによりキャリア移動度が向上した半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a laser beam machining method which can form a stress strain region along the cutting schedule line of a workpiece with high precision at a high speed.例文帳に追加

加工対象物の切断予定ラインに沿って応力ひずみ領域を高精度かつ高速に形成することができるレーザ加工方法を提供すること。 - 特許庁

To improve characteristics of a semiconductor device by introducing strain in a channel region and prevent disconnection of a gate wiring covered with a stress application film.例文帳に追加

チャネル領域に歪みを導入して半導体装置の特性を向上するとともに、応力印加膜に覆われたゲート配線の断線を防止する。 - 特許庁

Accordingly, strain is generated in a channel region extremely under the gate electrode 8 held by the source-drain 10 in the Si layer 5, and the carrier mobility is improved.例文帳に追加

これにより、薄膜Ｓｉ層５内でソース・ドレイン１０に挟まれたゲート電極８直下のチャネル領域に歪みを発生させ、キャリア移動度を向上させる。 - 特許庁

The method for preparing the long-lived Bacillus subtilis mutant strain comprises deleting the yydD-rocR gene region in the Bacillus subtilis genome to be the object.例文帳に追加

また、本発明に係る長寿命化した枯草菌変異株の作製方法は、対象となる枯草菌ゲノムにおけるyydD-rocR遺伝子領域を欠失させるものである。 - 特許庁

To provide an Al-Mg based alloy sheet with good press formability, namely, with high forming limits in the uniaxial tension to plane strain region.例文帳に追加

プレス成形性に優れる、即ち引張り領域から平面ひずみ領域における成形割れ限界が高いＡｌ−Ｍｇ系合金板を提供すること。 - 特許庁

This method for identifying the genotype of SRSV is characterized by analyzing a molecular strain on the basis of the base sequence of a specific region on the 5'-terminal side of the ORF (open reading frame 2) 2 region of SRSV genome to identify the genotype of SRSV.例文帳に追加

小型球形ウイルス（ＳＲＳＶ）ゲノムのＯＲＦ２領域の５’末端側の特定の領域の塩基配列に基づいて分子系統解析を行うことにより、ＳＲＳＶの遺伝子型を同定する。 - 特許庁

A region of interest is set on a thin layer along the endocardium of the left ventricle wall for the ultrasonic apex long-axis tomogram of a patient taken when the patient is at rest, and the strain rate of the set region of interest is computed.例文帳に追加

安静時に撮影された超音波心尖部長軸断層像について、左室壁の心内膜に沿っての薄層に関心領域を設定し、設定された関心領域のストレインレートを算出する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate which has a strain Si region and an easing Si region almost on a level with each other and its manufacturing method, and a semiconductor device using the semiconductor device.例文帳に追加

ほぼ同一の高さを有する歪みＳｉ領域及び緩和Ｓｉ領域を具備する半導体基板及びその製造方法並びにこの半導体基板を使用する半導体装置を製造することである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving characteristics in a transistor with a strain silicon layer as a channel region by forming the high-quality strain silicon layer, where a crystalline defect is reduced on a silicon germanium layer, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

シリコンゲルマニウム層の上に結晶欠陥を低減した高品質の歪みシリコン層を形成することにより、歪みシリコン層をチャネル領域とするトランジスタの特性を改善できる半導体装置及び半導体装置製造方法を提供する。 - 特許庁

The strain layer 5 is so bent in a region 12 under the recessed part 10 as to relax the strain attributable to the difference of the lattice constant between the InGaAs layer 3 and the GaAs layer 4, so that the constituent element layer 6A is raised vertically to the GaAs substrate 1.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓ層３とＧａＡｓ層４との格子定数の差に起因する歪を緩和するように歪層５が凹部１０の下方の領域１２で湾曲し、構成要素層６ＡがＧａＡｓ基板１に対して垂直に起立する。 - 特許庁

A pitch distance (d) of the hearth roller 2 in a region having temperature exceeding temperature at which a thermal strain occurs to at least a plate-form substance A to be heated is narrowed to a value at which even when the plate-form substance A to be heated is placed directly on the hearth roller 2, so that no strain occurs thereto.例文帳に追加

少なくとも板状被加熱物Ａが熱歪みを生じる温度以上になる領域のハースローラー２のピッチ間隔ｄを、板状被加熱物Ａを直接ハースローラー２上に載置しても歪みが生じないように狭くした。 - 特許庁

To provide an iron core of a rotating electrical machine of a low iron loss, wherein plastic strain introduced near an end face of a punch-processed part that could be a cause for degradation of iron loss is removed by removing a region with the plastic strain introduced therein by shaving processing without annealing.例文帳に追加

鉄損を劣化させる原因となる、打抜き加工部の端面近傍に導入された塑性歪を、焼鈍することなく、塑性歪の導入された領域をシェービング加工で除去した低鉄損の回転電機鉄心を提供する。 - 特許庁

The toner is set to ≤100 dyn/cm^2 in the variation for the prescribed time of 200 seconds of storage modulus (G'(NL)) in a nonlinear region at 180°C in a step strain measurement from a linear region to nonlinear region of the viscoelastic characteristics.例文帳に追加

本発明のトナーは、粘弾性特性の線形領域から非線形領域へのステップストレイン測定において１８０℃での非線形領域における貯蔵弾性率（Ｇ′（ＮＬ））の所定時間２００秒間の変化量が１００ｄｙｎ／ｃｍ^２以下に設定されている。 - 特許庁

By forming a shape of the trench g2 having Σ like shape, a compressive strain applied to a channel region of the p-channel type field effect transistor can be increased.例文帳に追加

このように、溝ｇ２の形状をΣ形状とすることで、ｐチャネル型電界効果トランジスタのチャネル領域に加わる圧縮歪みを大きくすることができる。 - 特許庁

To provide a variant of Bacillus subtilis from which a large region of genome is deleted based on a wild strain, and to provide a method for producing a gene product by using the variant.例文帳に追加

野生株に対してゲノムの大領域が欠失した枯草菌変異株、及び当該枯草菌変異株を用いた目的遺伝子産物の製造方法の提供。 - 特許庁

The device includes a shape-evaluating means 19, which determines the strain, by comparing the curvatures in the identical region of curvature values of these data with each other and evaluates the external shape.例文帳に追加

これらのデータの曲率値の同一の領域の曲率同士を比較することで歪みを求め外面形状を評価する形状評価手段１９を備えた。 - 特許庁

In the FDSOI transistor having an extremely thin SOI structure 6, a stress generating region is provided on the rear side 5 of the extremely thin BOX layer 4 to impress strain on a channel forming part.例文帳に追加

極薄のSOI構造６を有するFDSOI型トランジスタで、極薄のBOX層４の裏側５に応力発生領域を設けてチャネル形成部分に歪を印加する。 - 特許庁

The gallium nitride-based semiconductor layer includes strain while the first conductivity type buffer layer 15 performs lattice relaxation on the principal plane 13a of the semiconductor region 13.例文帳に追加

第１導電型バッファ層１５は半導体領域１３の主面１３ａ上において格子緩和する一方で、窒化ガリウム系半導体層は歪みを内包する。 - 特許庁

Soluble PBP2B is prepared by isolating a gene encoding PBP2B from genome DNA of Streptococcus pneumoniae R6 strain and deleting a membrane-bound region.例文帳に追加

肺炎連鎖球菌（Ｓｔｒｅｐｔｏｃｏｃｃｕｓ ｐｎｅｕｍｏｎｉａｅ）Ｒ６株のゲノムＤＮＡからＰＢＰ２Ｂをコードする遺伝子を単離した後、その膜結合領域を欠失させて、可溶化するＰＢＰ２Ｂを作製した。 - 特許庁

According to give the temperature gradient to a steel strip coil at the time of reaching to the starting temperature of a secondary recrystallization, the secondary recrystallized grains are grown along the strain-giving region crossed with the rolling direction, and thus the subdividing effect, that the magnetic domain does not dissipate even after performing the strain-removal annealing, is obtained.例文帳に追加

二次再結晶開始温度に達した時点で温度勾配が鋼帯コイルに付与されていれば、二次再結晶粒が圧延方向と交差する歪付与領域に沿って成長し、歪取り焼鈍でも消失しない磁区細分化効果が得られる。 - 特許庁

A semiconductor substrate includes a porous layer 12 formed on a substrate 11, a semiconductor layer 13 formed on the porous layer 12, and a strain inductive region 14 which generates strain in the semiconductor layer 13 by applying a stress to the semiconductor layer 13.例文帳に追加

半導体基体は、基板１１上に形成された多孔質層１２と、多孔質層１２上に形成された半導体層１３と、半導体層１３に応力を加えて半導体層１３に歪みを生じさせる歪み誘起領域１４と、を備える。 - 特許庁

A PCR analysis using a primer set useful for detecting Bacillus cereus strain having a vormitting poison synthetase gene by specific, simple and rapid PCR is provided by identifying the base sequence of an vormitting poison synthetase gene DNA which the vormitting poison-producing strain has among all Bacillus cereus and bringing the region detected from the base sequence in the region to be as a target.例文帳に追加

B. cereusの中でも嘔吐毒を産生する菌株が有する嘔吐毒合成酵素遺伝子のDNAの塩基配列を同定し、当該領域の塩基配列から見出した当該領域を標的とした、特異的かつ簡便、迅速なPCRによる嘔吐毒合成酵素遺伝子を保有するB. cereus菌株検出に有用なプライマーセットを用いたPCR解析。 - 特許庁

The ratio G'(L1)/G'(NL) of the storage modulus (G'(N1)) in a linear region at 180°C and the storage modulus (G'(NL)) in a nonlinear region in a step strain measurement from a linear region to nonlinear region of the viscoelastic characteristics is set to 5 to 20 and G'(NL) at 100 to 400 dyn/cm^2.例文帳に追加

トナーの、粘弾性特性の線形領域から非線形領域へのステップストレイン測定において、１８０℃での線形領域における貯蔵弾性率（Ｇ′（Ｌ１））と非線形領域における貯蔵弾性率（Ｇ′（ＮＬ））との比Ｇ′（Ｌ１）／Ｇ′（ＮＬ）が５〜２０に設定され、かつＧ′（ＮＬ）が１００〜４００ ｄｙｎ／ｃｍ^２に設定されている。 - 特許庁

To provide a high-strength hot-dip galvanized steel sheet which has high strength (tensile strength TS of 590 MPa or more), is excellent in workability, has a large absorption energy up to a low strain region of the order of 5% even when no strain is introduced by pressing, and to provide a method of manufacturing the high-strength hot-dip galvanized steel sheet.例文帳に追加

高強度（５９０ＭＰａ以上の引張強度ＴＳ）を有し、加工性に優れ、かつプレス加工による歪の導入がなくても、５％程度の低歪域までの吸収エネルギーが大きく、耐衝突特性に優れる溶融亜鉛めっき鋼板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When an insulating layer 3 and electrodes 4 and a resistor 5 are formed on the base material 2 by burning, the alpha phase of the stainless steel is transferred to the sigma phase by heat treatment of the burning, and strain applicable within the range of the elastic region spreads and residual strain decreases also.例文帳に追加

金属基材２に絶縁層３および電極４と抵抗体５とを焼成して形成する際に、焼成の熱処理によりステンレス鋼のアルファ相がシグマ相に転移し、弾性領域の範囲内で印加可能な歪みが広がり、また残留歪みも少なくなる。 - 特許庁

Provided is the electric charge donor which has a strained region obtained by introducing strain into the crystal structure of the crystalline semiconductor surface and is characterized in that electric charges are imparted from the strained region.例文帳に追加

本発明は、結晶性半導体表面の結晶構造に歪みを導入した歪み領域を有し、前記歪み領域から電荷が付与されることを特徴とする電荷付与体を提供することにより前記目的を達成するものである。 - 特許庁

On the superlattice layer of InN and In_xGa_1-xN, the active region is disposed to relax strain generated on the active region, so that crystallinity of the quantum well is improved to enhance a recombination rate.例文帳に追加

ＩｎＮとＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮの超格子層上に活性領域が配置されることによって、活性領域に発生するストレインを緩和させることができ、量子井戸の結晶性を改善することによって再結合率を高めることができる。 - 特許庁

In the road structure of a road 3, a resin structure A is designed such that the maximum shear strain in the proportional region of the horizontal stress-strain curve is smaller than the shear strain at the maximum designed response speed in the road structural design based on the calculation by the response displacement method in the stratum at the depth where the resin structure A is to be embedded.例文帳に追加

道路３の道路構造において、樹脂製構造体Ａは、水平応力・ひずみ曲線での比例領域における最大剪断ひずみが、応答変位法により算出される道路構造設計時の最大設計応答速度での樹脂製構造体Ａが埋設される予定の埋設深度における地層の剪断ひずみを超えないように設計されている。 - 特許庁

The propriety of shaping is determined by the use of a shapable region determined by relating a strain gradient in the vicinity of the sheared edge 2 of a pressed article 1 to a deformation limit.例文帳に追加

プレス品１のせん断縁２近傍のひずみ勾配を変形限界量と関連づけることによって決定した成形可能領域を用いて成形可否判定を行う。 - 特許庁

The energy distribution of the Raman scattering light is calculated from the image signal of a CCD detector 90, and the amount of strain is calculated in the silicon wafer region on which the ultraviolet light is irradiated.例文帳に追加

ＣＣＤ検出器９０の映像信号からラマン散乱光のエネルギ分布を演算し、紫外光が照射されるシリコンウェーハの領域における歪量を演算する。 - 特許庁

To provide structure of a strain balanced active region capable of improving performance of a light-emitting electronic device such as a light emitting diode (LED) or a laser diode (LD), and to provide a method of designing the same.例文帳に追加

発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザーダイオード（ＬＤ）のような発光電子デバイスの性能を向上できる歪平衡活性領域の構造及びその設計方法を提供する。 - 特許庁

When the region where the prescribed value or more is detected is determined to be continuously detected in the range corresponding to the nip width between the members, the wet type image forming apparatus determines the generation of the strain.例文帳に追加

所定値以上が検出される領域が、部材間のニップ幅に相当する範囲で連続して検出されると判断される場合には、ひずみが発生していると判定する。 - 特許庁

To provide a method for simply discriminating a fungal strain in which a part of a region similar to an aflatoxin biosynthase gene cluster is deficient in a koji mold (Aspergillus oryzae) and to provide a primer set therefor.例文帳に追加

麹菌のうち、アフラトキシン生合成遺伝子クラスターと類似する領域の一部を欠損している菌株を簡便に識別する方法及びそのためのプライマーセットを提供すること。 - 特許庁