「stressor」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The stresses applied by the embedded dielectric stressor element and the surface dielectric stressor element collaborate in applying shearing stress to the channel region of the FET.例文帳に追加

埋込み誘電体ストレッサ要素及び表面誘電体ストレッサ要素によって加えられた応力が協働して、せん断応力をＦＥＴのチャネル領域に加える。 - 特許庁

To provide a method for forming an SiGe stressor, and to provide a transistor structure of an integrated circuit.例文帳に追加

ＳｉＧｅストレッサの形成方法と集積回路のトランジスタ構造を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having dielectric stressor elements and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

誘電体ストレッサ要素をもつ半導体デバイス及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

It is also a way to learn if some unknown stressor is acting on a system.例文帳に追加

また，未知のストレッサーがある系に影響しているか否か知るための方法でもある。 - 英語論文検索例文集

To provide a stressor for engineered strain on a channel and a forming method thereof.例文帳に追加

チャネルに対して設計されたひずみを与えるストレッサー及びその形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a transistor having a dielectric stressor for applying in-plane shear stress.例文帳に追加

面内剪断応力を加えるための誘電体ストレッサ要素を有するトランジスタを提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a structure in which a slit is prevented from being formed on a stressor film.例文帳に追加

ストレッサー膜にスリットが発生することを防止できる構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND ITS TYPE, AND METHOD (STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING MULTILAYER EMBEDDED STRESSOR)例文帳に追加

半導体構造体およびその形式、方法（多層埋込みストレッサを形成するための構造および方法） - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING CHIP AND FET (TRANSISTOR HAVING DIELECTRIC STRESSOR ELEMENT FOR APPLYING IN-PLANE SHEAR STRESS)例文帳に追加

チップ、ＦＥＴ製造方法（面内剪断応力を加えるための誘電体ストレッサ要素を有するトランジスタ） - 特許庁

TRANSISTOR HAVING DIELECTRIC STRESSOR ELEMENTS TO APPLY SHEARING STRESS AT DIFFERENT DEPTHS FROM SEMICONDUCTOR SURFACE例文帳に追加

せん断応力を加えるための、半導体表面から異なる深さに誘電体ストレッサ要素を有するトランジスタ - 特許庁

The surface dielectric stressor element extends from the main surface to a second depth substantially not deeper than the first depth.例文帳に追加

表面誘電体ストレッサ要素は、主面から第１の深さより実質的に深くない第２の深さまで延びる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a stressor film capable of improving the current drive capability of a MISFET by applying stress from the stressor film to a channel region effectively, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ストレッサ膜を有する半導体装置及びその製造方法に関し、ストレッサ膜からの応力を効率よくチャネル領域に印加してＭＩＳＦＥＴの電流駆動能力を向上しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a stressor film having a structure where fluctuation of driving force can be suppressed without depending on film thickness.例文帳に追加

膜厚に依存することなく、駆動力の変動を抑制することが可能な構造を持つストレッサー膜を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To suppress a leakage current to a low level in a gate edge due to a metal silicide layer, and to ensure a space between gates in which an stressor can be formed.例文帳に追加

金属シリサイド層によるゲートエッジ部でのリーク電流を低く抑えると共に、ストレッサを形成可能なゲート間のスペースを確保する。 - 特許庁

To prevent a drive force of a p-type MOS transistor from being deteriorated due to hydrogen generated from a stressor film etc. in a manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程においてストレッサー膜などから発生する水素によるｐ型ＭＯＳトランジスタの駆動力低下を防止する。 - 特許庁

This dielectric stressor consists of an oxide film by oxidation of a porous silicon, and generates a compression or extension stress based on the degree of porous formation.例文帳に追加

この誘電体ストレッサ要素は、多孔質シリコンの酸化による酸化膜で構成され、多孔質化の度合いにより圧縮または引っ張り応力を発生する。 - 特許庁

Surface dielectric stressor elements are arranged adjacent to each other in the transverse direction in the active semiconductor region on the main surface of the active semiconductor region.例文帳に追加

表面誘電体ストレッサ要素は、活性半導体領域の主面において該活性半導体領域に横方向に隣接して配置される。 - 特許庁

Each of the first and second dielectric stressor elements shares an edge with the active semiconductor region, and the edges extending in directions away from the upper surface.例文帳に追加

第１および第２の誘電体ストレッサ要素はそれぞれ活性半導体領域と縁を共有し、この縁は上面から遠ざかる方向に延びる。 - 特許庁

A method includes accessing data streams from a first group of physiological sensors monitoring a person, a second group of deconfounding sensors monitoring the person, and a third group of sensors monitoring a stressor, analyzing data sets collected from the person when the person is exposed and not exposed to the stressor, and determining a current stress factor for the stressor with respect to the person based on the analysis.例文帳に追加

特定の実施の形態では、本発明の方法は、人を監視する生理センサからなる第一のグループ、人を監視する混乱されないようにするセンサからなる第二のグループ、ストレス要因を監視するセンサからなる第三のグループからのデータストリームにアクセスすること、人がストレス要因に晒されているか晒されていないときに、人から収集されるデータセットを分析すること、分析に基づいて、人に関してストレス要因についての現在のストレス指数を決定することを含む。 - 特許庁

A first dielectric stressor element having a horizontally extending upper surface extends below a portion of the active semiconductor region, such as a northwest portion of the active semiconductor region.例文帳に追加

水平に延びる上面を有する第１の誘電体ストレッサ要素は、活性半導体領域の北西部分など、活性半導体領域の１つの部分の下に延びる。 - 特許庁

To effectively form a stressor film and to improve an electric characteristic of a semiconductor device having a gate electrode made into FUSI.例文帳に追加

ＦＵＳＩ化されたゲート電極を有する半導体装置においても、ストレッサ膜を有効に形成できるようにして、半導体装置の電気的特性を向上できるようにする。 - 特許庁

A second dielectric stressor element having a horizontally extending upper surface extends below one second portion of the active semiconductor region, such as a southeast portion of the active semiconductor region.例文帳に追加

水平に延びる上面を有する第２の誘電体ストレッサ要素は、活性半導体領域の南東部分など、活性半導体領域の第２の部分の下に延びる。 - 特許庁

A buried dielectric stressor element 102 having a horizontally extending upper surface is arranged below one part of an active semiconductor region 104 separated by a trench separation region 106.例文帳に追加

トレンチ分離領域１０６により分離された活性半導体領域１０４の一部分の下に、水平に延びる上面を有する埋め込み誘電体ストレッサ要素１０２が配置される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device forming a gate electrode comprising a metal silicide and a stressor film covering this gate electrode without complicating manufacturing processes, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

製造工程を複雑にすることなく、金属シリサイドよりなるゲート電極及びこのゲート電極を覆うストレッサ膜を形成しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a lighting device which gives promotion of a physiological activation function of a human body to be installed in a building space and healing by strong resonation and synchronization to a stressor, and which creates a fantasy space by colored light by flickering.例文帳に追加

建物空間に設置させて人体の生理活性機能の促進とストレッサーへの強い共振、同調による癒しと、ゆらぎによる色光で幻想的空間を創出する照明具の提供。 - 特許庁

An embedded dielectric stressor element has an upper surface extending horizontally at a first depth below the main surface of a part of the active semiconductor region, such as an east edge portion of the active semiconductor region.例文帳に追加

埋込み誘電体ストレッサ要素は、活性半導体領域の東部部分のような、該活性半導体領域の一部の主面より下方の第１の深さで水平方向に延びる上面を有する。 - 特許庁

The stressor film 109 has slits 100A extending to corners from an upper face side near the corners where sides of the side wall spacers 112 and an upper face of the active region 100 cross.例文帳に追加

ストレッサー膜１０９は、サイドウォールスペーサ１１２の側面と活性領域１００の上面とが交わる角部近傍において、上面側から角部に向かって延びるスリット１００Ａを有している。 - 特許庁

The present invention includes administering a therapeutically effective dose of the glucocorticoid receptor antagonist into a patient who can be diagnosed as posttraumatic stress disorder, acute stress disorder, or remarkable stressor-accompanying short-term psychotic disorder.例文帳に追加

本方法は、心的外傷後ストレス障害、急性ストレス障害、または顕著なストレッサーを伴う短期精神病性障害と診断され得る、患者に対する、治療有効な量の糖質コルチコイドレセプターアンタゴニストの投与を包含する。 - 特許庁

A semiconductor wafer 102 is subjected to nitrogen plasma processing either after a step of forming a resist pattern 19 on an interlayer dielectric 18 and thereafter dry-etching the interlayer dielectric 18 or after a step of further dry-etching a stressor SiN film 17 with the resist pattern 19 removed therefrom.例文帳に追加

層間絶縁膜１８にレジストパターン１９を設けたうえで層間絶縁膜１８をドライエッチングする工程の後と、レジストパターン１９を除去した状態のストレッサーＳｉＮ膜１７をさらにドライエッチングする工程の後とのうちのいずれかの時点で、半導体ウェーハ１０２を窒素プラズマ処理する。 - 特許庁

A second base insulating stressor film 17 where stress distortion is caused in a channel region of the lower part of the full silicide gate electrode 24A in the semiconductor substrate 1 is formed on the semiconductor substrate 1, so that it covers at least the full silicide gate electrode 24A.例文帳に追加

半導体基板１上には、該半導体基板１におけるフルシリサイドゲート電極２４Ａの下側部分のチャネル領域に応力歪みを生じさせるストレッサ膜である第２の下地絶縁膜１７が、少なくともフルシリサイドゲート電極２４Ａを覆うように形成されている。 - 特許庁