「silicidation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR CONTROLLING AND/OR CORRECTING RTP LOW TEMPERATURE OPERATION BY USING REFRACTORY METAL SILICIDATION PHASE TRANSITION TEMPERATURE POINT例文帳に追加

高融点金属シリサイド化相転移温度点を用いてＲＴＰ低温操作を制御及び／又は較正する方法 - 特許庁

A selective silicidation process is carried out using a metal gate film to form a metal gate silicide on the exposed gate.例文帳に追加

ゲート金属膜を利用した選択的シリサイド化工程を実行して露出されたゲートにゲート金属シリサイドを形成する。 - 特許庁

To achieve uniform and sufficient full-silicidation on gate electrodes in extremely high yield without increasing processes.例文帳に追加

工程増を招くことなく、極めて高い歩留まりでゲート電極について均一で十分なフル・シリサイド化を確実に実現する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a gate 6 made of only metal silicide; and a metal silicide film 10 formed on a source/drain layer 9 thinner than the film thickness of the gate 6, and containing a silicidation restraining component for restraining silicidation of a silicon substrate 2.例文帳に追加

金属シリサイドのみからなるゲート６と、ソース／ドレイン層９上に形成されるとともに、ゲート６の膜厚よりも薄く、かつ、シリコン基板２のシリサイド化を抑制するシリサイド化抑制成分を含む金属シリサイド膜１０と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

To prevent a microcrystal silicon thin film from being peeled by suppressing excessive silicidation reaction between the microcrystal silicon thin film and a metal thin film.例文帳に追加

マイクロクリスタルシリコン薄膜と金属薄膜との過剰なシリサイド化反応を抑制して、マイクロクリスタルシリコン薄膜の膜剥れを防止する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of preventing both crystallization and silicidation in an insulating film containing hafnium.例文帳に追加

ハフニウムを含む絶縁膜の結晶化及びシリサイド化の両方を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Additionally, the silicide layer 30 contains a silicidation reaction suppressing metal, and has a concentration profile, wherein concentration of the silicidation reaction suppressing metal becomes higher, from the surface of the silicide layer 30 as going toward the substrate side, in a region from the surface of the silicide layer 30 to a predetermined depth.例文帳に追加

また、シリサイド層３０はシリサイド化反応抑制金属を含み、シリサイド層３０の表面から所定の深さに至る領域において、シリサイド層３０の表面から基板側へ向かってシリサイド化反応抑制金属の濃度が高くなる濃度プロファイルを有する。 - 特許庁

Then, after the gate electrode is exposed by removing the silicidation prevention film pattern, a second silicide film is formed on the surface of the gate electrode.例文帳に追加

次に、シリサイド化防止膜パターンを除去してゲート電極を露出させた後、ゲート電極表面に第２金属シリサイド膜を形成する。 - 特許庁

Uniformity in the sheet resistance of the wafer is measured so that a silicidation phase transition temperature point can be detected at a highest uniformity point.例文帳に追加

前記ウエハのシート抵抗の均一性が測定され、これによりシリサイド化相転移温度点が最高の均一性点において検出される。 - 特許庁

At a first silicidation processing, only a surface layer of the gate electrode 5 reacts to the first metal film by a thermal treatment to form an upper silicide film 33.例文帳に追加

熱処理によってゲート電極５の表面層のみを第1金属膜と反応させる第１回目のシリサイド化を行い上層シリサイド膜３３を形成する。 - 特許庁

Afterwards, a gate structure is formed on an exposed active area, a sidewall spacer is formed on the sidewall of the gate structure on the silicidation preventive pattern.例文帳に追加

その後、露出された活性領域上にゲート構造物を形成し、シリサイデーション防止パターン上のゲート構造物の側壁に側壁スペーサを形成する。 - 特許庁

This method includes a step for forming a gate electrode and a silicidation prevention film pattern successively stacked on the prescribed region of a semiconductor substrate.例文帳に追加

この方法は半導体基板の所定領域上に順次に積層されたゲート電極及びシリサイド化防止膜パターンを形成することを含む。 - 特許庁

In the heater CVD system where a heater wire 1 stretched inside a reaction vessel is heated, raw material gas molecules are thermally decomposed at the surface of the heater wire 1, and a film composed of silicon or silicone is deposited on a substrate, the low temperature part in the heater wire 1 is surrounded by silicidation preventive materials 5, 7 composed of a metal to be subjected to silicidation.例文帳に追加

反応容器内に張られたヒータ線１を加熱し、ヒータ線１の表面で原料ガス分子を熱分解し、基板上に、シリコン又はシリコン化物からなる膜を堆積させる発熱体ＣＶＤ装置において、ヒータ線１の低温部分を、シリサイド化される金属からなるシリサイド化防止材５、７により包囲する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a junction leakage due to silicidation is prevented by suppressing formation of a divot (depression) on an interface between an active region and a device isolation insulating film.例文帳に追加

半導体装置において、活性領域と素子分離絶縁膜の界面に形成されるディボット(窪み)を抑制して、シリサイド化による接合リークの発生を防止する。 - 特許庁

To provide an EUV spectral purity filter which is efficient and easy to manufacture without causing any defect associated with silicidation of a reflective coating in a hydrogen radical atmosphere.例文帳に追加

水素ラジカル大気における反射コーティングのシリサイド化に関連する欠点を伴わずに、効率的および製造が容易であるＥＵＶスペクトル純度フィルタを提供する。 - 特許庁

A diffusion barrier layer such as silicon nitride Si_3N_4, or silicon dioxide SiO_2 is provided between the metal and the semiconductor to prevent diffusion and silicidation of the metal at elevated temperatures.例文帳に追加

窒化珪素Ｓｉ_３Ｎ_４または二酸化珪素ＳｉＯ_２などの拡散バリア層は、高温下における金属の拡散およびシリサイド化を防ぐために金属と半導体との間に設けられる。 - 特許庁

To achieve a method of manufacturing semiconductor device for forming a fuse element having small variation in resistance value without dividing a silicidation process between an MOS transistor and an HBT (heterojunction bipolar transistor).例文帳に追加

シリサイド化の工程をＭＯＳトランジスタ及びＨＢＴと別けることなく、抵抗値のばらつきが小さいヒューズ素子を形成する半導体装置の製造方法を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method in which junction leakage is prevented from occurring by restraining silicidation at the end of an element isolation insulating film.例文帳に追加

本発明の目的は、素子分離絶縁膜の端部におけるシリサイド化を抑制して接合リークの発生を防止した半導体装置およびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device wherein uniformity of silicidation is improved and dispersion of silicide resistance is made low by improving pretreatment when a silicide layer is formed.例文帳に追加

シリサイド層を形成する際の前処理を改良することにより、シリサイド化の均一性を向上させ、シリサイド抵抗のバラツキを小さくする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a second silicidation processing, all layers of the gate electrode 5 having a surface covered with the upper silicide film 33 react to the second metal film by the thermal treatment, to silicide the gate electrode 5 fully.例文帳に追加

上層シリサイド膜３３で表面が覆われたゲート電極５の全層を熱処理によって第２金属膜と反応させる第２回目のシリサイド化を行い、ゲート電極５をフルシリサイド化させる。 - 特許庁

Uniformity in the sheet resistance of each of wafers is measured so that the silicidation phase transition temperature point can be detected in uniformity in the highest sheet resistance in each of RTP systems.例文帳に追加

前記ウエハのそれぞれのシート抵抗の均一性が測定され、これによりシリサイド化相転移温度点がＲＴＰシステムのそれぞれの最高のシート抵抗の均一性において検出される。 - 特許庁

After that, in each gate electrode, source region, and drain region of N-channel type MISFET and P-channel type MISFET, silicidation (at least one of Ni, Ti, Co, Pd, Pt, and Er is included) is performed.例文帳に追加

その後、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴおよびＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴの各ゲート電極、ソース領域およびドレイン領域にシリサイド化（Ni,Ti,Co,Pd,Pt,Erのうち少なくとも一種類を含む）を行う。 - 特許庁

After a substrate containing an active area defined by an element separation film is manufactured, an etching mask containing a silicidation preventive pattern that exposes a part of the active areas on the element separation film and the active areas is formed.例文帳に追加

素子分離膜により定義される活性領域を含む基板を製造した後、素子分離膜及び活性領域上に活性領域の一部を露出させるシリサイデーション防止パターンを含むエッチングマスクを形成する。 - 特許庁

To provide a heater CVD (Chemical Vapor Deposition) system suitable as a compact film deposition system for research, and capable of easily preventing silicidation at a low cost without requiring the addition of high-cost equipment by the introduction of gas as shown in the patent document 1.例文帳に追加

研究用の小型の製膜装置として適し、特許文献１のようなガス導入による高コストの設備を付加する必要なしに、簡易、且つ低コストにシリサイド化を防止し得る発熱体ＣＶＤ装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device including a silicon oxide layer whereby it is possible to prevent the occurrence of a silicon coating and particles in a reaction chamber, prevent metal silicidation, and prevent a metal layer from being oxidized.例文帳に追加

反応チャンバ内にシリコンコーティングが発生してパーティクルが発生することを抑制すると同時に、金属シリサイド化を防止し、さらに、金属層の酸化を防止できるシリコンオキシド層を含む半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

By performing silicidation, cobalt silicide layers 50a1, 50a2, 50b1 and 50b2 are formed on the impurity diffusion regions 7a1 and 7a2 of the DRAM formation region, on the source/drain region 9 of the logic formation region and on the doped polysilicon film 4b of the logic formation region.例文帳に追加

次に、シリサイド化を行うことにより、ＤＲＡＭ形成領域の不純物拡散領域７ａ１，７ａ２上、ロジック形成領域のソース・ドレイン領域９上、及びロジック形成領域のドープトポリシリコン膜４ｂ上に、コバルトシリサイド層５０ａ１，５０ａ２，５０ｂ１，５０ｂ２を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing the sheet resistance of a silicidated source/drain diffused layer and its dispersion, and further reducing a junction leakage current at performing silicidation using a nickel film or a nickel alloy film, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ニッケル膜又はニッケル合金膜を用いてシリサイド化を行う場合において、シリサイド化されたソース／ドレイン拡散層のシート抵抗及びそのばらつきを低減するとともに、接合リーク電流を低減しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a silicide region and a non-silicide region are mixed such that poor silicide forming due to remaining silicide protection film between narrow gate electrodes of the silicide region, is prevented, and silicidation reaction in the non-silicide region is also surely prevented.例文帳に追加

シリサイド領域と非シリサイド領域が混在する半導体装置において、シリサイド領域の狭ゲート電極間にシリサイドプロテクション膜残りによるシリサイド形成不良を防止し、非シリサイド領域において確実にシリサイド化反応を防止する製造方法を提供する。 - 特許庁

A gate electrode 104ab of a driving transistor and a contact hole 109a, reaching an N-type diffusion layer 106b are formed in an interlayer film 108 covering a memory cell and a silicide layer 110, are formed selectively by silicidation, prior of forming a high resistance load thereon by growing polysilicon.例文帳に追加

メモリセルを覆う層間膜１０８に、駆動用トランジスタのゲート電極１０４ａｂと、Ｎ型拡散層１０６ｂに達する接続孔１０９ａを形成し、シリサイデーションを行って選択的にシリサイド層１１０を形成し、その上にポリシリコンを成長して高抵抗負荷を形成する。 - 特許庁

To provide a transparent siloxane resin composition for optical use applicable to various optical applications by thermal cure of (1) a vinyl-oligosiloxane hybrid, and (2) an organic hydrogen silicone compound including 2 or more silicon-bound hydrogens, (3) through a hydrogen silicidation reaction in the presence of a metal catalyst.例文帳に追加

(１)ビニルオリゴシロキサンハイブリッドと、(２)二つ以上の珪素結合水素を含有する有機水素珪素化合物と、(３)メタル触媒下で水素珪素化反応を通じて熱硬化させることにより、多様な光学用応用できる光学用透明シロキサン樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

A pattern of a silicidation block layer is formed on a silicon substrate in which an active region and a field region are defined to cover the field region and a region that is partially extended out of the field region, thereby a first region that is a residual active-region is exposed.例文帳に追加

アクティブ領域及びフィールド領域が定義されたシリコン基板上にシリサイデーション阻止層パターンを形成して前記フィールド領域及び前記フィールド領域の外部へ一部拡張された領域をカバーし、残りのアクティブ領域である第１領域を露出させる。 - 特許庁

A silicidation method comprises: a step of depositing at least one metal 7 on silicon-containing regions 3, 5, and 6; a step of forming a metal silicide 70; and a step of removing metal residue 8 that has not been silicided during formation of the metal silicide 70.例文帳に追加

本発明は、シリコンを含む領域３、５、６上に少なくとも１つの金属７を堆積することと、金属シリサイド７０を形成することと、金属シリサイド７０の形成中にシリサイド化されなかった該金属の残留物８を除去することを含むシリサイド化の方法に関する。 - 特許庁

Also, the wiring (a) of the multilayer wiring block 20 and the tungsten 19 of the transistor element block 21 are subjected to silicidation and are electrically joined.例文帳に追加

このとき、例えば、配線が形成されない領域に薄く無機ＳＯＧを塗布し、張り合わせた後に４００℃から５００℃程度の熱処理を行ない、両ブロックの層間絶縁膜を接着するとともに、多層配線ブロック２０の配線ａとトランジスタ素子ブロック２１のタングステン１９とをシリサイド化反応させて電気的に接合させる。 - 特許庁

A method for manufacturing an inkjet recording head includes a metal mask formation step of forming a metal mask 19 having a predetermined shape containing a silicide film 16 formed by silicidation of the surface of a flow path forming substrate wafer 110 containing a silicon substrate and a liquid flow path formation step of forming a liquid flow path by anisotropically etching the flow path forming substrate wafer 110 using the metal mask 19 as a mask.例文帳に追加

シリコン基板からなる流路形成基板用ウェハ１１０の表面をシリサイド化させて形成したシリサイド膜１６を含む所定形状のメタルマスク１９を形成するメタルマスク形成工程と、メタルマスク１９をマスクとして流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチングすることにより液体流路を形成する液体流路形成工程と、を有するインクジェット式記録ヘッドの製造方法を採用する。 - 特許庁