例文 (994件) |
transfer regionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 994件
To provide a solid-state image pickup device of low-consumption electric power by which the photo-receiving efficiency of a photoelectric transfer part is improved by reducing the thickness of an electric charge transfer electrode region and high-speed and high-sensitivity transfer can be performed without lowering a withstand voltage between the electric charge transfer electrodes.例文帳に追加
電荷転送電極領域の厚さを薄くして、光電変換部の受光効率を向上させるとともに、電荷転送電極間の電気的耐圧を劣化させることなく、高速かつ高感度の転送が可能で低消費電力の固体撮像素子を提供する。 - 特許庁
An output part 55 includes: a floating diffusion FD adjoiningly provided on a downstream side in the charge transfer direction of a transfer path 1; a source follower amplifier SFA outputting a signal according to a charge accumulated in the FD; and a transfer gate region 7 provided between the FD and the transfer path 1.例文帳に追加
出力部55は、転送路1の電荷転送方向下流側の隣に設けられたフローティングディフュージョンFDと、FDに蓄積された電荷に応じた信号を出力するソースフォロアアンプSFAと、FDと転送路1との間に設けられた転送ゲート領域7とを含む。 - 特許庁
To provide a solid-state imaging element of low-consumption electric power by which the photo-receiving efficiency of a photoelectric transfer part is improved by reducing the thickness of an electric charge transfer electrode region and high-speed and high-sensitivity transfer can be performed without deteriorating an electric breakdown voltage between the electric charge transfer electrodes.例文帳に追加
電荷転送電極領域の厚さを薄くして、光電変換部の受光効率を向上させるとともに、電荷転送電極間の電気的耐圧を劣化させることなく、高速かつ高感度の転送が可能で低消費電力の固体撮像素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
Each of the plurality of the transfer controlling elements Tr includes a transfer gate 22 provided in the front surface of the substrate through an insulating film, and a charge retention region 24 in the substrate and holding the optical generation charge under the transfer gate.例文帳に追加
複数の転送制御素子Trのそれぞれは、基板表面に絶縁膜を介して設けられた転送ゲート22と、基板内であって転送ゲートの下に光発生電荷を保持する電荷保持領域24を有する。 - 特許庁
Each of a plurality of transfer control elements Tr comprises a transfer gate 22 provided to the surface of substrate through an insulating film, and a charge holding region 24 which is present in the substrate and holds the optical generation charge under the transfer gate.例文帳に追加
複数の転送制御素子Trのそれぞれは、基板表面に絶縁膜を介して設けられた転送ゲート22と、基板内であって転送ゲートの下に光発生電荷を保持する電荷保持領域24を有する。 - 特許庁
A transfer bias supplied to a divided region that the width-directional end of the transfer material is opposed to among a plurality of divided regions of a transfer roller 7 is brought under constant-current control to a control current value Ix satisfying equation (1) Ix=I×k+IO×(t-k).例文帳に追加
転写ローラ7の複数の分割領域のうち、転写材の幅方向端部が対向する分割領域に供給される転写バイアスは、次の(1)式を満たす制御電流値Ixに定電流制御される。 - 特許庁
The horizontal transfer register 110 introduces the electric charges fetched from the vertical transfer register 106 synchronized with a horizontal synchronizing signal 120, and transfers the electric charges in the direction of a FD region 114 through synchronizing with horizontal transfer clocks ϕH1 and ϕH2.例文帳に追加
水平転送レジスター110は垂直転送レジスター106からの電荷を水平同期信号120に同期して取り込み水平転送クロックφH1、2に同期してFD領域114の方向に転送する。 - 特許庁
In addition to a surface P+ pinning layer 7 on a photodiode surface and a surface P- region 12 directly below a transfer gate electrode 10, a surface p- region 11 is formed therebetween on an overlapping region of the photoelectric conversion and accumulation section 4 to form an electric field directed from the surface P- region 11 on an overlapping region surface to a drain region through the surface P- region 12.例文帳に追加
フォトダイオード表面の表面P+ピンニング層7と、転送ゲート電極10下の表面P−領域12に加えて、これらの間で光電変換蓄積部4のオーバーラップ領域上に表面P−領域11を形成することにより、このオーバーラップ領域表面の表面P−領域11から表面P−領域12を介してドレイン領域に向かう電界を形成している。 - 特許庁
In an image forming apparatus which has an image carrier and a transfer material carrier and forms a patch for density detection outside an image region on the image carrier to detect density, transparent toner is previously transferred onto the transfer material carrier outside the image region.例文帳に追加
像担持体と転写材担持体を有し、像担持体上の画像領域外に濃度検知用のパッチを形成し濃度を検出する画像形成装置で、あらかじめ転写材担持体上の画像領域外に透明トナーを転写しておく。 - 特許庁
In this fin tube type heat exchanger, the airflow passes through a first region R1 in the first direction D1, and through a second region R2 in the second direction D2 different from the first direction, and a heat transfer fin 2 and a heat transfer tube 3 are disposed.例文帳に追加
フィンチューブ型熱交換器は、第1領域R1を第1方向D1に、第2領域R2を第1方向とは異なる第2方向D2に気流が通過するフィンチューブ型熱交換器であって、伝熱フィン2と、伝熱管3とを備える。 - 特許庁
The end of the first semiconductor region 14 is positioned closer to the floating diffusion layer 25 than the end of a gate electrode 20 of the transfer transistor, and the end of the second semiconductor region 15 is positioned at substantially identical position of the end of the gate electrode 20 of the transfer transistor.例文帳に追加
第1の半導体領域14の端部は、転送トランジスタのゲート電極20の端部よりも浮遊拡散層25側に位置し、第2の半導体領域15の端部は、転送トランジスタのゲート電極20の端部と略同じ位置である。 - 特許庁
Hereby, the difference in magnitudes of the blurs within a projected image face and the distortion of the projected image are kept at specification values or smaller, being set severally within a transfer region, and the exposure system can allow a maximum current flow, while securing this in-region transfer accuracy.例文帳に追加
これにより、転写領域内で、投影像面内でのボケの大小の差、及び投影像の歪がそれぞれ設定された仕様値以下に保たれ、この領域内転写精度を確保しながら最大の電流を流すことができる。 - 特許庁
A P^+ type channel stop layer under the source and drain region of a transfer transistor 103 is arranged such that it contacts a depletion region 208, which is formed around the floating diffusion region 106, i.e. an N^+ diffusion layer, only at E point.例文帳に追加
転送トランジスタ103のソースドレイン領域の下のP+チャネルストップ層がN+拡散層であるフローティングディフュージョン領域106の周りに形成される空乏層208と概ね点Eのみで接触するようにする。 - 特許庁
For solving the problem, a CCD image sensor is composed, where the sensor includes one photodiode region segmented by an element separation region (4) and a CCD register (3) connected one photodiode region through a transfer gate (2).例文帳に追加
上記の課題を解決するために、素子分離領域(4)で区画された1つのフォトダイオード領域と、転送ゲート(2)を介して1つのフォトダイオード領域に接続するCCDレジスタ(3)とを具備するCCDイメージセンサを構成する。 - 特許庁
A first narrow region 60 is provided at an isolation region 56 in a charge transfer direction between one of channel regions 50 and one of the drain regions 54, and other part is made a relatively wide second region 62.例文帳に追加
チャネル領域50とドレイン領域54との間に設けられる分離領域56のうち電荷転送方向の一部分に幅の狭い第1領域60を設け、他の部分は相対的に幅の広い第2領域62とする。 - 特許庁
The second-conductivity region 13 has a first region 13a formed on the entire surface of the light receivers 5, and a second region 13b formed away in the row direction from transfer electrodes 20 at both sides, having a second-conductivity higher impurity concentration than the first region 13a.例文帳に追加
第2導電型領域13は、受光部5の全面に形成された第1領域13aと、両側の転送電極20に対して行方向に離れて形成され、第1領域13aよりも第2導電型の不純物濃度が濃い第2領域13bとを有する。 - 特許庁
However, in the case where a combined use region continues immediately before the independent region with respect to a transfer direction of a recording medium, and if an image density of the continuous independent region is constant or larger, the independent region is recorded by multi pass recording instead of one pass recording, thereby reducing the image quality decrease.例文帳に追加
ただし、記録媒体の搬送方向に対して単独領域の直前に併用領域が連続してあった場合には、連続する単独領域の画像濃度が一定以上の場合には単独領域を1パス記録でなくマルチパス記録で記録することにより画質低下を低減する。 - 特許庁
Further, the whole region between the OB region and the horizontal transfer section 4 or a region in columns closest to the effective pixel region except openings formed for wiring of the V3-1, V5-1 in the vertical final stage is covered by a light shield film.例文帳に追加
さらに、前記垂直最終段において、OB領域と水平転送部との間の領域の全体、または、有効画素領域に最も近い列においてV3−1,V5−1の配線のために形成された開口部を除いた領域が、遮光膜で覆われている。 - 特許庁
In the etching process where a non-transfer region is dug down in order to form a mesa structure having a transfer region as the upper surface, an identification structure configuring a name mark, or the like, is formed simultaneously and an etching mask for forming the identification structure is formed to have a specific size corresponding to the height of the mesa structure having a transfer region as the upper surface.例文帳に追加
転写領域を上面とするメサ構造を形成するために非転写領域を掘り下げるエッチング工程において、同時にネームマーク等を構成する識別構造体を形成し、前記識別構造体形成用のエッチングマスクを、前記転写領域を上面とするメサ構造の高さに応じた特定の大きさに形成することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁
Therefore, when the photosetting resin 5 is irradiated with necessary ultraviolet rays through a light pervious material 4, a sink is preferentially generated from the optically unnecessary reaction transfer region Ao low in the adhesion with the photosetting resin 5 by the shrinkage of the photosetting resin 5 accompanied by curing and the generation of the sink in the optically effective region transfer region Ai requiring transfer accuracy can be prevented.例文帳に追加
したがって、光透過性材料4を通して必要な紫外光を光硬化樹脂5に照射すると、光硬化樹脂5は、硬化に伴う収縮によって、光硬化樹脂5との密着力の低い光学的不要域転写領域Aoから優先的にヒケが発生し、転写精度を必要とする光学的有効域転写領域Aiでのヒケの発生を防止できる。 - 特許庁
A target transfer characteristics generation unit 4, in generating a target transfer characteristic with an amplitude for every frequency planarized by correcting a transfer characteristic from a loudspeaker 8 to a listening position 11, rolls off a low region and high region, and while planarizing an intermediate part, makes a correction of a peak and dip part with a large correction amount restrictive.例文帳に追加
目標伝達特性生成部4は、スピーカ8から受聴位置11までの伝達特性を補正して周波数毎の振幅を平坦化した目標伝達特性を生成するにあたり、低域と高域はロールオフし、その中間部分は平坦化しつつ補正量の大きいピークおよびディップ部分の補正を限定的にする。 - 特許庁
An airfoil has heat transfer parts (106, 108, 112) at its rearmost part of the trailing edge region, and these heat transfer parts include a row of flow dividers (112) that extend in the direction of the vane chord.例文帳に追加
エアフォイルは、後縁領域の最も後方部分に熱伝達部(106,108,112)を有し、これらの熱伝達部には、翼弦方向に延びる分流部(112)の列が含まれる。 - 特許庁
In the non-transfer pattern forming region 5, a non-transfer pattern 12 not to be transferred onto the semiconductor substrate 41 is formed by selectively depositing a light-shielding material.例文帳に追加
非転写パターン形成領域5には、遮光性材料が選択的に付着することにより、半導体基板41上に転写されない非転写パターン12が形成されている。 - 特許庁
The magnetization direction of the magnetic thin line 1 is transferred to the magnetic transfer film 5, so the magnetic transfer film 5 right below the incidence region 1r is inverted in magnetization direction together with the magnetic thin line 1.例文帳に追加
磁性細線1の磁化方向が磁気転写膜5に転写されるため、入射領域1rの直下における磁気転写膜5の磁化方向は磁性細線1と共に反転する。 - 特許庁
Also, by applying the negative voltage matched with a charge transfer operation to the P well region 200 of such a semiconductor substrate forming pixels, the voltage of charge transfer is lowered.例文帳に追加
また、このような画素を形成する半導体基板のPウェル領域200に電荷転送動作に合わせて負電圧を印加することにより、電荷転送の低電圧化を図る。 - 特許庁
In the manufacturing method, after the formation of the second transfer electrode, the impurity diffusion region for charge storage is formed by self alignment by ion implantation using the second transfer electrode as a mask.例文帳に追加
本発明の製造方法では、第2転送電極を形成後、第2転送電極をマスクとしたイオン注入により、電荷蓄積用不純物拡散領域をセルフアラインで形成する。 - 特許庁
Electrode pairs, each including a 1poly electrode 40 and a 2poly electrode 42 are arranged in a charge transfer direction on a charge transfer channel region 30, formed on a main surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板の主面に形成された電荷転送チャネル領域30上に1poly電極40及び2poly電極42からなる電極対を電荷転送方向に配列する。 - 特許庁
The charge transfer transistor has first and second diffusion regions, a gate for controlling charge transfer from the first diffusion region to the second diffusion region by a control signal, and a potential well integrated with the lower portion of the gate wherein the first diffusion region is a pinned photodiode.例文帳に追加
本発明の電荷転送トランジスタは、第1の拡散領域及び第2の拡散領域と、制御信号により、前記第1の拡散領域から第2の拡散領域への電荷転送を制御するゲートと、該ゲートの下部に統合された電位井戸とを備え、前記第1の拡散領域がピンドフォトダイオードであることを特徴とする。 - 特許庁
In an electrophotographic apparatus using an intermediate transfer belt, the outermost surface of the intermediate transfer belt is formed of a uniform convex region on which independent spherical resin particles are arrayed in the surface direction, and a concave region of a lubricant layer among the uniform convex region of the spherical resin particles.例文帳に追加
中間転写ベルトを用いる電子写真装置において、該中間転写ベルトの最表面が、独立した球形樹脂粒子が面方向に配列して一様な凸形状の領域と、該球形樹脂粒子の凸形状の領域の間の潤滑剤層の凹状領域とからなることを特徴とする中間転写ベルト。 - 特許庁
A solid-state image pickup element is characterized by that a photoelectric conversion element 5 and a vertical transfer region 8 are overlapped in a read-out region, thereby eliminating a variation of a read-out voltage due to a distance between the photoelectric conversion element 5 and the vertical transfer region 8, and therefore, the read-out voltage can be reduced by a simple method.例文帳に追加
光電変換素子5と垂直転送領域8とを読み出し領域で重なりあうレイアウトにすることにより、光電変換素子5と垂直転送領域8との間の距離に起因する読み出し電圧のばらつきをなくすことができ、簡便な方法で読み出し電圧を低電圧化することができる。 - 特許庁
The operation of one pixel is based upon signal charge accumulation in a photodiode 17, the transfer of signal charges accumulated in the photodiode area 17 to the electric charge holding area 21, the holding of the signal charges in the electric charge holding region 21, and signal charge transfer from the electric charging holding region 21 to the floating diffusion region 18 in this order.例文帳に追加
ひとつの画素の動作は、フォトダイオード領域17での信号電荷蓄積→フォトダイオード領域17に蓄積された信号電荷を電荷保持領域21に転送→電荷保持領域21における信号電荷の保持→電荷保持領域21からフローティングディフュージョン領域18への信号電荷転送、を基本としている。 - 特許庁
The donor substrate D1 provides with a base substrate 10, a transfer layer 19 arranged on the base substrate 10 and a selective exothermic structure S1 having a heat generating region which generates heat by photo-thermal conversion and a non heat generating region adjoining the heat generating region laid between the base substrate 10 and the transfer layer 19.例文帳に追加
本発明のドナー基板D1は,ベース基板10と,ベース基板10上に配される転写層19と,ベース基板10と転写層19との間に介在され,光熱変換により発熱する発熱領域および発熱領域に隣接する非発熱領域を有する選択的発熱構造体S1とを備える。 - 特許庁
Information is recorded in a recording medium 2 by irradiating a desired storage region 13 with a laser beam to transfer the state of the desired recording region 13 into a second state.例文帳に追加
記録媒体2に情報を記録する場合、レーザ光を所望の記憶領域13に照射し、所望の記録領域13を第2状態に遷移させることにより行う。 - 特許庁
By the above-mentioned structure, the region where the potential under a transfer gate is maximized, is formed in the depth almost same as the region where maximum potential of completely depleted embedded photodiode is formed.例文帳に追加
この構造により、転送ゲート下のポテンシャルが最大となる領域が、完全空乏化した埋め込みフォトダイオードの最大ポテンシャルが形成される領域と概ね同じ深さに形成される。 - 特許庁
The timing generation section 107 generates the timing to start the data transfer section 103 by using the updating region information which is within the range of the region written into the drawing memory 102.例文帳に追加
タイミング生成部107は、描画メモリ102に書き込んだ領域の範囲である更新領域情報を使用してデータ転送部103を起動するタイミングを生成する。 - 特許庁
When an operator sends an indication based on the fluoroscopic image of the monitor region, an object is transferred by a transfer means to arrange the main imaging region in the imaging space, and the main imaging is started.例文帳に追加
モニター領域の透視画像に基づき、操作者が指示を送ると、本撮像領域を撮像空間に配置するように被検体を移動手段により移動し、本撮像を開始する。 - 特許庁
Further, since it becomes possible to make the number of perpendicular transfer electrode wiring between pixels into one, so that an opening region of a sensor can be formed widely by making small the width of a boundary region of a pixel.例文帳に追加
また、画素間の垂直転送電極配線数を1本とし、画素の境界領域の幅を小さくすることが可能となり、センサ部の開口領域を広く形成できる。 - 特許庁
The predetermined hue region is a hue region in which transfer failure of toner easily occurs in a concavity existing on a recording surface side of the recording medium among a plurality of regions with different hues.例文帳に追加
所定の色相領域とは、色相が異なる複数の領域のうち記録媒体の記録面側に存在する凹部においてトナーの転写不良が発生しやすい色相領域である。 - 特許庁
A manufacturing method of this image sensor forms a photodiode in the diode region and forms a transfer gate, a reset gate and a selection gate on an active region, while isolating them sequentially at predetermined spacing.例文帳に追加
このイメージセンサの製造方法はダイオード領域内にフォトダイオードを形成し、活性領域上にトランスファゲート、リセットゲート及び選択ゲートを順次に所定間隔離隔させて形成する。 - 特許庁
The gate electrode 32 of the transfer part 1 and the stray diffusion region 22 of the signal charge accumulation part 7 are capacitive coupled, so that the electrostatic potential of the stray diffusion region 22 becomes deep.例文帳に追加
転送部1のゲート電極32と信号電荷蓄積部7の浮遊拡散領域22とが、この浮遊拡散領域22の静電ポテンシャルが深くなるように容量結合している。 - 特許庁
To provide a solid-state image pickup element capable of expanding a light-receiving region and a transfer region and capable of further miniaturization of a pixel size by the expansion, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加
受光領域および転送領域の拡大を図ることが可能で、これによりさらなる画素サイズの小型化が可能な固体撮像素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
An optical fiber 3 is precooled in a first cooling region 4 having a low convective heat transfer coefficient so as to lower the temperature of the optical fiber 3 when the fiber enters a second cooling region 5.例文帳に追加
対流熱伝達率の小さい第1の冷却領域4で光ファイバ3を予備冷却して、光ファイバ3が第2の冷却領域5に突入するときの温度を低下させる。 - 特許庁
The first and second transfer electrodes 12 and 14 are buried between the n-type region 28 and the buffer layer 18 and an insulating film 30 is interposed between the electrodes 12, 14 and the n-type region 28.例文帳に追加
第1および第2の転送電極12、14は、n型領域28とバッファー層18との間に埋め込まれ、n型領域28との間には絶縁膜30が介在している。 - 特許庁
The transfer gate 105 has, in a region except the region 105a, a configuration wherein a gate oxide film 1051, a polysilicon film 1052 and a silicide film 1053 are laminated in this order from a bottom side.例文帳に追加
転送ゲート105は、領域105aを除く領域で、ゲート酸化膜1051とポリシリコン膜1052とシリサイド膜1053とが下から順に積層された構成となっている。 - 特許庁
The device comprises an imaging region, a horizontal charge transferring part to transfer signal charge obtained from the imaging region, and a plurality of interconnect lines supplying the drive pulse to the horizontal charge transferring part.例文帳に追加
撮像領域と、撮像領域から得られた信号電荷を転送する水平電荷転送部と、水平電荷転送部に駆動パルスを供給する複数の配線とを備える。 - 特許庁
To provide a unit pixel of a photo detecting apparatus capable of improving charge transfer efficiency in a floating diffusion region.例文帳に追加
フローティング拡散領域においての電荷伝送効率を向上させることのできる光感知装置の単位ピクセルを提供する。 - 特許庁
To provide a vibration detector for appropriately transmitting waveform data of a frequency region of vibration even when a transfer capability is low.例文帳に追加
転送能力が低くても振動の周波数領域の波形データを適切に送信し得る振動検出装置を提供する。 - 特許庁
To widen a dynamic range by precisely forming the concentration and width of a bypass region between a photodiode and a transfer switch.例文帳に追加
ホトダイオードと転送スイッチ間のバイパス領域の濃度と幅を精度よく形成し、ダイナミックレンジを広げることを課題とする。 - 特許庁
The restraining member 3 is made of a thermal transfer film 3 thermally transferred to a predetermined region 4 on the surface 2a of the stretchable cloth 2.例文帳に追加
拘束部材3は、伸縮性生地2の表面2aの所定領域4に熱転写された熱転写フィルム3からなる。 - 特許庁
An operating point of NMOS devices is maintained in a linear region of respective transfer characteristics, using matched loads and a corresponding bias current.例文帳に追加
整合負荷と対応バイアス電流を用いて、NMOSデバイスの動作点は各転送特性の線形領域に維持される。 - 特許庁
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