「w ion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A camera 4 photographs the processing point P of the processing object W on which ion beams I are irradiated.例文帳に追加

カメラ４は、イオンビームＩが照射される被加工物Ｗの加工点Ｐを撮像する。 - 特許庁

Ions generated from an RF type ion generating source 11 of an ion implantation device 10 is applied to a wafer W in an ion implantation chamber 15 through an ion acceleration part 12, an energy filter 13 and a scanning part 14, so that particles are secondarily generated from the wafer W.例文帳に追加

イオン注入装置１０のＲＦ型イオン発生源１１から発生されたイオンが、イオン加速部１２、エネルギフィルタ１３、走査部１４を介して、イオン注入室１５のウエハＷ上に照射されと、ウエハＷから二次的に粒子が発生される。 - 特許庁

The ion implanter has a plasma source 32 which generates plasma in a vacuum vessel 21 and implants ion in the object W.例文帳に追加

イオン注入装置は真空容器２１内に放電によりプラズマを生成し、基体Ｗにイオンを注入するプラズマ源３２を備える。 - 特許庁

While wetting ion-exchange material 34b with a liquid and making the ion-exchange material 34a in contact with the resist application surface of the substrate W, the ion-exchange material 34a and the substrate W are relatively moved for removing the resist.例文帳に追加

イオン交換材料３４ｂを液体で湿潤させ、該イオン交換材料３４ａを基板Ｗのレジスト塗布面に接触させながら、イオン交換材料３４ａと基板Ｗとを相対移動させることでレジストを除去する。 - 特許庁

The method includes depositing metals electrolytically at a bath temperature of 40-80°C by using an electrolyte of a composition in which the total of Ni ion or Co ion and W ion or Mo ion is in a range of 0.1 to 0.3 mol/L, and in which a content ratio of Ni ion or Co ion against all metal ions is in a range of 20-40%.例文帳に追加

ＮｉイオンまたはＣｏイオンとＷイオンまたはＭｏイオンの総和が０．１〜０．３モル／Ｌの範囲で、全金属イオンに対するＮｉイオンまたはＣｏイオンの含有比率が２０〜４０％の範囲にある組成の電解浴を用いて、４０〜８０℃の浴温で電解析出させる。 - 特許庁

In the ion implantation apparatus 100 implanting ions into a wafer W, the ion implantation apparatus is provided with a slit (a current retaining part) 120a for retaining current fitted at a wafer holding part 130 holding the wafer W, and a current detection part 133 for detecting current of the slit 120a.例文帳に追加

ウエハWにイオンを注入するイオン注入装置１００において、ウエハWを保持するウエハ保持部１３０に設けられた電流を保持するスリット（電流保持部）１２０ａと、スリット１２０ａの電流を検出する電流検出部１３３とを設けたイオン注入装置による。 - 特許庁

Furthermore, the ion gun 2 has an ion deflection part 23 which deflects ion beams I out of the ion beam I extracted from the plasma source 21 to the extraction electrode 22 and light emitted together with the ion beams I from the plasma source 21, in the direction of the processed object W.例文帳に追加

更にイオン銃２は、プラズマ源２１から引き出し電極２２に引き出されたイオンビームＩ、及びプラズマ源２１からイオンビームＩと共に放射された光のうち、イオンビームＩを被加工物Ｗの方向に偏向するイオン偏向部２３を有する。 - 特許庁

Positive ions are discharged from the ion generator 31 and emitted to the substrate W.例文帳に追加

ここで、イオン発生器３１から正イオンが放出され、基板Ｗに正イオンが照射される。 - 特許庁

By this constitution, the charge up of the substrate W formed in an ion implanting process can be suppressed.例文帳に追加

この構成により、イオン注入過程で生じる基板Ｗのチャージアップを抑制できる。 - 特許庁

Then, the film forming on the lower surface of the substrate W by the first ion plating apparatus 51 is started.例文帳に追加

その後、第１イオンプレーティング装置５１による基板Ｗ下面への成膜が開始する。 - 特許庁

Thereafter, a laminate film is processed by ion milling to satisfy w=100 nm and l=100 nm.例文帳に追加

その後、イオンミリングにより積層膜をｗ＝１００ｎｍ、ｌ＝１００ｎｍとなるように加工する。 - 特許庁

A gas cluster ion beam irradiation part 20 ionizes and accelerated the gas cluster generated, and gas cluster ion beams G are irradiated on the surface of a substrate W.例文帳に追加

ガスクラスターイオンビーム照射部２０は、生成したガスクラスターをイオン化して加速し、ガスクラスターイオンビームＧを基板Ｗの表面に照射する。 - 特許庁

Ion beams B generated from an ion beam source 3 are radiated toward a sputter target 2 to generate film deposition particles toward a substrate W.例文帳に追加

イオンビーム源３から発生されたイオンビームＢをスパッタターゲット２に向かって放射し、基板Ｗに向かって成膜粒子を発生させる。 - 特許庁

While amplitude-modulating a draw-out voltage in a draw-out voltage modulation part 12a, ions are drawn out from an ion source 1, and ion beams drawn out from the ion source 1 are driven into a wafer W.例文帳に追加

引き出し電圧変調部１２ａにて引き出し電圧を振幅変調しながらイオン源１からイオンを引き出し、イオン源１から引き出されたイオンビームをウェハＷに打ち込む。 - 特許庁

A load chamber 102 introducing a wafer W is connected to an RIE apparatus 1 performing reactive ion etching treatment to the wafer W via a gate valve 101.例文帳に追加

ウエハＷを導入するロード室１０２とウエハＷをリアクティブ・イオン・エッチング処理するＲＩＥ装置１とが、ゲートバルブ１０１を介して接続されている。 - 特許庁

This ion implantation apparatus has an ion implantation chamber in which a substrate support 22 for supporting nonionic implantation plate W is provided, and leads an ion beam into the ion implantation chamber and implants ions into the substrate supported by the substrate support.例文帳に追加

本イオン注入装置は、被イオン注入基板Ｗを保持する基板保持部２２を内部に備えたイオン注入室を有し、イオン注入室にイオンビームを導いて、基板保持部に保持された基板にイオンを注入する装置である。 - 特許庁

The high strength alloy is obtained by depositing metals electrolytically at a bath temperature of 40 to 80°C using an electrolyte of a composition in which the total of Ni ion or Co ion and W ion or Mo ion is in the range of 0.1 to 0.3 mol/L and in which a content ratio of Ni ion or Co ion in the above metal ions is in the range of 20 to 40%.例文帳に追加

ＮｉイオンまたはＣｏイオンとＷイオンまたはＭｏイオンの総和が０．１〜０．３モル／Ｌの範囲で、上記金属イオンにおけるＮｉイオンまたはＣｏイオンの含有比率が２０〜４０％の範囲にある組成の電解浴を用いて、４０〜８０℃の浴温で電解析出させて高強度合金を得る。 - 特許庁

The ion mean generator generates plasma in a discharge tank 2, leads out an annular ion beam by a lead-out electrode 7, and deflects the ion beam in an annular center direction by a deflecting electrode 30 to make the ion beam incident on a substrate W from an inclined direction.例文帳に追加

放電槽２でプラズマを発生させ、引き出し電極７より環状のイオンビームを引き出し、偏向電極３０によって、該イオンビームを環状の中心方向に屈曲させて基板Ｗに対して、傾斜した方向から入射させる。 - 特許庁

The substrate W is held under the ion generator 31 by a robot 30 before it is carried in the camber 40.例文帳に追加

基板Ｗは、チャンバ４０に搬入される前に、ロボット３０により、イオン発生器３１の下方に維持される。 - 特許庁

The ion implantation method of implanting ion by irradiating ion beams IB on a semiconductor substrate W through a deflector consists of a process of slanting a beam irradiation face 14a of the deflector 14 against the semiconductor substrate in a stationary state, and a process of irradiating the ion beams IB from the slanted beam irradiation face 14a and implanting ion into the semiconductor substrate W.例文帳に追加

イオンビームＩＢを偏向器１４を介して半導体基板Ｗに照射しイオンを注入するイオン注入方法において、静止させた半導体基板Ｗに対して偏向器１４のビーム出射面１４ａを傾斜させる工程と、傾斜させたビーム出射面１４ａからイオンビームＩＢを照射し、半導体基板Ｗへイオンを注入する工程とを有する。 - 特許庁

The deflector 38 removes neutral particles from the ion beam, and the bias power supply 9 attracts an ion beam of low-energy emitted from the deflector 37 to a wafer W.例文帳に追加

偏向器３８はイオンビームから中性粒子を除去し、バイアス電源９は偏向器３７から出射した低エネルギーのイオンビームをウェーハＷへ引き付ける。 - 特許庁

The static and dust elimination device causes the ion 42 generated in the windless type static eliminator 12 to reach the work W due to the clean air 53 from the plurality of air tubes 52 to eliminate the static and dust of the work W.例文帳に追加

無風型除電器１２で発生させたイオン４２を、複数のエア管５２からの清浄空気５３によりワークＷに到達させ、ワークＷの除電及び除塵を行う。 - 特許庁

When a metal layer ML is deposited on a wafer W using an ion plating unit, metal sometimes becomes fine droplets and sticks on the wafer W to form droplets DL.例文帳に追加

イオンプレーティングユニットによって基板Ｗ上に金属膜ＭＬを形成すると、金属が微小な液滴状となって基板Ｗ上に付着し、ドロップレットＤＬを形成することがある。 - 特許庁

The fluorine-containing water FW is supplied to the second electrodialyzer 2 to separate the fluorine ion from the fluorine-containing water FW and produce fluorine ion-concentrated water F and treated water W.例文帳に追加

フッ素含有水ＦＷを第２の電気透析装置２に供給し、フッ素含有水ＦＷからフッ素イオンを分離して、フッ素イオン濃縮水Ｆと処理水Ｗとを生成する。 - 特許庁

The position of the permanent magnet or the portable ion generator is adjusted so as to place the circular motion W near the nose.例文帳に追加

この円運動Ｗが鼻周辺にあるように永久磁石あるいは携帯イオン発生器の位置を調整すればよい。 - 特許庁

The plasma along a part of the object W is generated by the plasma source 32 while moving the object W to the plasma source 32, and the ion of equal quantity is accelerated to and implanted in the surface of the object W from the generated plasma.例文帳に追加

基体Ｗとプラズマ源３２とを相対的に移動させながら、プラズマ源３２によって基体Ｗの一部分を取り囲む放電プラズマを生成し、等量のイオンを生成プラズマから基体Ｗの表面に向かって加速し、注入する。 - 特許庁

The ions of the film-material particles EP passed through the extraction electrodes 13 are made incident upon a wafer W, and film deposition by means of an ion beam is carried out.例文帳に追加

引出電極１３を通過した膜材料粒子ＥＰのイオンは、基板Ｗに入射し、イオンビームによる成膜が行われる。 - 特許庁

When the ion implantation of a wafer W is performed, the wafer W in a wafer receiving cassette 37 is grasped by a wafer transporting robot 39 and mounted to the surface of an elastic body.sheet 31 of each wafer holding part 23.例文帳に追加

ウェハＷのイオン注入を行うときは、ウェハ搬送ロボット３９により、ウェハ収容カセット３７内のウェハＷを把持して各ウェハ保持部２３の弾性体シート３１の表面に装着する。 - 特許庁

An attachment 24 jointed to a container 27 filled with an aqueous solution W such as a lotion or medical solution, an ion introduction device part 1 and a cotton cover 21 jointed to the attachment are integrated to make the ion introducer.例文帳に追加

化粧水や薬液等の水溶液（Ｗ）の入った容器（２７）に接合するアタッチメント（２４）と、アタッチメントに接合するイオン導入装置部分（１）及びコットンカバー（２１）とが、一体化して構成される。 - 特許庁

The ion accelerated at 150 kV and the impurities accelerated at 30 kV which are not ion go out of the second accelerator 8 and enter into a wafer treatment chamber 11, to be implanted into a wafer W put on a mounting platform 12.例文帳に追加

１５０ｋＶで加速されたイオンと３０ｋＶで加速されたイオンでない不純物とが第２加速器８から出て行き、ウエハ処理室１１に入り、載置台１２に載置されたウエハＷに打ち込まれる。 - 特許庁

In the method for manufacturing the magnetic head by forming a hard mask on a magnetic material layer and forming the inverted-trapezoidal main magnetic pole by ion milling which is irradiation with ion beams from an oblique direction, the width (the width of the bottom) W and the side wall inclination α of the hard mask before the ion milling are measured.例文帳に追加

磁性材料層上にハードマスクを形成し、斜め方向からイオンビームを照射するイオンミリングで逆台形状の主磁極を形成する磁気ヘッドの製造方法に関し、イオンミリングの前のハードマスクの幅（底部の幅）Ｗ及び側壁傾斜角αを測定する。 - 特許庁

In the ion implantation, at least one of scanning of an ion beam IB by electric field or magnetic field or translation movement of the substrate is carried out by simultaneously rotating the substrate W centered on a rotating axis RA crossing the surface on which the ion beam IB is irradiated.例文帳に追加

イオン注入において、基板ＷをイオンビームＩＢが照射される面に交差する回転軸ＲＡを中心として回転させながら、電界又は磁界によるイオンビームＩＢの走査又は前記基板Ｗの並進移動の少なくとも一方を同時に行わせる。 - 特許庁

The etching gas discharged from a shower head 20 is converted to plasma through the electrical discharge, and the wafer W is etched with radical or ion generated with the plasma.例文帳に追加

シャワーヘッド２０より吐出されるエッチングガスは放電してプラズマ化され、このプラズマで生成されるラジカルやイオンによってウエハＷがエッチングされる。 - 特許庁

The secondary electrons flying out of the wafer W during ion implantation are efficiently absorbed into the conductor areas of the insulating film ZM.例文帳に追加

一方、イオン注入時に半導体ウエハＷから飛び出した二次電子は、ファラデーカップ１０の絶縁膜ＺＭにおける導体領域が効率よく吸収する。 - 特許庁

The strap is worn around the neck, and ions generated from the portable ion generator are restricted by a magnetic flux JT of the permanent magnet to execute circular motion W.例文帳に追加

ストラップが首に取り付けられ、携帯イオン発生器より発生したイオンが永久磁石の磁束ＪＴにより拘束され円運動Ｗをする。 - 特許庁

When the ion implantation is completed, the wafer W is dismounted from each of the wafer holding parts 23 and returned to the inside of wafer receiving cassette 37 by the wafer transporting robot 39.例文帳に追加

イオン注入が終了すると、ウェハ搬送ロボット３９により、各ウェハ保持部２３からウェハＷを取り外してウェハ収容カセット３７内に戻す。 - 特許庁

The conveying speed and the like of the aluminum web W is previously set in the way that a calcium ion concentration remaining on the surface of the aluminum web W after cleaning it with the pure water L2 in the second water wash tank 14 falls within a favorable range without being influenced by the calcium ion concentration contained in the well water L1.例文帳に追加

そして、第２水洗槽１４での純水Ｌ２による洗浄後にアルミウエブＷの表面に残留するカルシウムイオン濃度を、井水Ｌ１に含まれるカルシウムイオン濃度に影響されることなく好ましい範囲内になるように、アルミウエブＷの搬送速度等を予め設定しておく。 - 特許庁

This functional physiologically active negative ion air generator comprising coral ceramic using ultrasonic vibration force has a coral baking means B for backing a weathered coral powder and a detachable water vessel 2 in which a coral ceramic cartridge 1 and water are put and is constituted so as to react coral ceramic 1a baked by the coral baking means with water W from a stream inlet 3 to convert the water W to alkali ion water.例文帳に追加

風化珊瑚粉を焼成する珊瑚焼成手段Ｂがあり、珊瑚セラミックカートリッジ１と水を入れる脱着水溶器２があり、上記の珊瑚焼成手段により造成した珊瑚セラミック１ａを水流入口３からの水Ｗと反応させ、その水Ｗをアルカリイオン化する。 - 特許庁

In the static atomizing apparatus A for applying high voltage to a liquid W to statically atomize, a metal ion elusion means B is provided for eluting metal ions having sterilization power into the liquid W to be supplied for static atomization.例文帳に追加

液体Ｗに高電圧を印加して静電霧化する静電霧化装置Ａにおいて、静電霧化のために供給する液体Ｗに除菌力のある金属イオンを溶出させる金属イオン溶出手段Ｂを設ける。 - 特許庁

A metal ion eluting means B that elutes Zn ions with a bactericidal activity into liquid W that is supplied for electrostatic atomization is provided in an electrostatic atomizing system A that performs electrostatic atomization on the liquid W by applying high voltage thereto.例文帳に追加

液体Ｗに高電圧を印加して静電霧化する静電霧化装置Ａにおいて、静電霧化のために供給する液体Ｗに除菌力のあるＺｎイオンを溶出させる金属イオン溶出手段Ｂを設ける。 - 特許庁

A film thickness adjusting plate 14 is provided on a side wall of the ion plating device 10, and the film thickness adjusting plate 14 is protruded in an arc shape in the rotational direction of the substrate W.例文帳に追加

イオンプレーティング装置１０の側壁には膜厚調整板１４を有し、膜厚調整板１４は基板Ｗの回転方向に円弧状に突設される。 - 特許庁

The electrolytic unit of an alkali water electrolysis apparatus is composed of an electrolytic cell 1 where an alkali solution W circulates, an electrode 2 for the water electrolysis apparatus, and an ion permeable diaphragm 5.例文帳に追加

アルカリ水電解装置の電解ユニットは、アルカリ溶液Ｗが流通する電解槽１と、水電解装置用電極２と、イオン透過性隔膜５とからなる。 - 特許庁

Electron discharged from such an electron source is made collided with gas guided into the chamber 1 to have plasma generated, and ion in the plasma is radiated on the workpiece W.例文帳に追加

かかる電子源から放出させた電子をチャンバ１内へ導入したガスに衝突させてプラズマを生成し、該プラズマ中のイオンを物品Ｗに照射する。 - 特許庁

In the Cr-N based ion plating coating film composed of Cr-N type chromium nitride crystal in which 3-20 atom% tungsten forms a solid solution, the excellent abrasion property of the coating film exposed in a corrosive acid such as sulfuric acid, nitric acid while sliding is attained by the action of W forming the solid solution.例文帳に追加

３−２０原子％のタングステンを固溶するＣｒＮ型窒化クロム結晶からなるCr-N系イオンプレーティング皮膜は、固溶したWの作用により硫酸、硝酸などの腐食性酸にさらされ摺動する皮膜の摩耗特性を良好にする。 - 特許庁

Evaporated particles 20a from an electron beam evaporation source 20 and cluster ions 30a from a cluster ion generator 30 are made incident on the substrate W to be treated held to a holder 2; thus the deposition of a fluoride film by a cluster ion assist is performed.例文帳に追加

ホルダー２に保持された被処理基板Ｗに、電子ビーム蒸発源２０からの蒸発粒子２０ａとクラスターイオン生成装置３０からのクラスターイオン３０ａを入射させることで、クラスターイオンアシストによるフッ化物膜の成膜を行う。 - 特許庁