「wf」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To execute efficient and high quality WF system construction by checking whether any mistake is generated in the interface design contents of AP and WF, and then handing over the design contents to the detail design and development of the AP and WF in a downstream process.例文帳に追加

ＷＦシステム構築において、ＡＰとＷＦのインターフェース設計内容にミスがないかどうかをチェックした上で、設計内容を下流工程であるＡＰとＷＦそれぞれの詳細設計及び開発に引き継ぎ、効率的で品質の良いＷＦシステム構築を行なえるようにする。 - 特許庁

A frozen film 13 is then formed on the substrate surface Wf by freezing the liquid film 11.例文帳に追加

続いて、液膜１１を凍結させて基板表面Ｗｆに凍結膜１３を形成する。 - 特許庁

A support stand 11 of a semiconductor wafer WF is arranged in a treatment chamber which is not illustrated.例文帳に追加

図示しない処理チャンバ内部に半導体ウェハＷＦの支持台１１が配備されている。 - 特許庁

The air bag 51 is developed and inflated in a position between the drawn-up occupant M and the window WF.例文帳に追加

そして、エアバッグ５１が、引き起こされた乗員Ｍと窓ＷＦとの間に、展開膨張する。 - 特許庁

A reverse surface 211 of a near member 21 is disposed apart opposite the substrate top surface Wf.例文帳に追加

基板表面Ｗｆに対向して近接部材２１の下面２１１が離間配置される。 - 特許庁

Then, a medical solution is supplied from a medical solution nozzle 142 to the peripheral section of a rotating substrate surface Wf, thus supplying the medical solution to all regions of the peripheral section of the substrate surface Wf.例文帳に追加

そして、回転する基板表面Ｗｆの周縁部に薬液ノズル１４２から薬液を供給することで基板表面Ｗｆの周縁部のすべての領域に薬液が供給される。 - 特許庁

While a substrate W is rotated within an almost horizontal face in a horizontal posture that the substrate surface Wf which has gotten wet with rinse liquid is turned up, IPA liquid is supplied to the substrate surface Wf.例文帳に追加

リンス液で濡れた基板表面Ｗｆを上方に向けた水平姿勢で基板Ｗが略水平面内にて回転されながらＩＰＡ液が基板表面Ｗｆに供給される。 - 特許庁

In order to form the groove DT on the back of the semiconductor wafer WF, after applying a resist film on the back of the semiconductor wafer WF, the resist film is patterned by using photolithography technology.例文帳に追加

半導体ウェハＷＦの裏面に溝ＤＴを形成するには、半導体ウェハＷＦの裏面にレジスト膜を塗布した後、フォトリソグラフィ技術を使用することにより、レジスト膜をパターニングする。 - 特許庁

A SC1 solution (mixed solution containing aqueous ammonia and hydrogen peroxide solution) is supplied to the substrate surface Wf to form the liquid film 11 composed of the SC1 solution on the substrate surface Wf.例文帳に追加

基板表面ＷｆにＳＣ１溶液（アンモニア水と過酸化水素水とを含む混合溶液）を供給して基板表面ＷｆにＳＣ１溶液で構成された液膜１１を形成する。 - 特許庁

The drop of the cooling medium temperature is maintained while the substrate surface Wf is scanned by the cooling nozzle 3.例文帳に追加

冷媒温度の低下は冷却ノズル３が基板表面Ｗｆ上をスキャンしている間維持される。 - 特許庁

Supersonic vibration is given to liquid film LF on the surface Wf of the substrate at a vibration providing position.例文帳に追加

基板表面Ｗｆ上の液膜ＬＦに対して振動付与位置で超音波振動が与えられる。 - 特許庁

Storage water is retained on the surface of the wafer WF, and dirt of the dicing is floated on the stored water.例文帳に追加

ウェハＷＦ表面上には溜水ができ、この溜水にダイシング汚れの汚染物を浮遊させる。 - 特許庁

A reference wafer WF having a known position relation and a mark M_ijk is placed on a wafer stage WST.例文帳に追加

既知の位置関係にあるマークＭ_ijkが付与された基準ウエハＷＦをウエハステージＷＳＴに載置する。 - 特許庁

A table 11 supports a wafer WF with a protection tape 12 attached thereon, and can be controlled for alignment and movement.例文帳に追加

テーブル１１は、保護テープ１２の貼られたウェハＷＦを支持し、アライメント及び移動制御可能である。 - 特許庁

In the circuit board 12, a probe card 124 is arranged in a region opposed to the semiconductor wafer WF.例文帳に追加

回路基材１２では半導体ウェハＷＦとの対向領域にプローブカード１２４が配備される。 - 特許庁

In this way, the semiconductor wafer WF can be split into individual semiconductor chips even if a conventional dicing step is not executed.例文帳に追加

これによって、従来のダイシング工程を行わずとも各半導体チップへの分割が可能となる。 - 特許庁

The air bag 51 is accommodated on the side with upper rim of each window WF of a vehicle and developed and inflated in such a way as covering the inside of the cabin I of the window WF when the inflating gas from an inflator flows in at the time of actuation.例文帳に追加

エアバッグ５１は、車両の窓ＷＦの上縁側に収納されて、作動時のインフレ−タからの膨張用ガスの流入時に、窓ＷＦの車内側Ｉを覆うように、展開膨張する。 - 特許庁

While a rinse liquid sticking on the substrate surface Wf is replaced with an IPA liquid, clean dry air (CDA) is supplied to a gap space SP to keep a periphery atmosphere of the substrate surface Wf at a low-humidity atmosphere.例文帳に追加

基板表面Ｗｆに付着しているリンス液をＩＰＡ液に置換する間、低露点空気（ＣＤＡ）が間隙空間ＳＰに供給されて基板表面Ｗｆの周囲雰囲気が低湿度雰囲気に保たれる。 - 特許庁

An intrusion prevention liquid is supplied to a surface Wf of a substrate, then a liquid to be frozen is supplied to the surface Wf of the substrate to allow a HFE to remain in a patten gap and in the vicinity of the pattern.例文帳に追加

基板表面Ｗｆに対し、侵入防止液を供給し、その後凝固対象液を基板表面Ｗｆに供給することにより、パターン間隙内部およびパターン近傍にＨＦＥを残留させる。 - 特許庁

Consequently, the rinse liquid on the substrate surface Wf is replaced with the high-temperature IPA liquid with high replacement efficiency to suppress the amount of a rinse liquid remaining on the substrate surface Wf small before spin drying processing.例文帳に追加

このため、基板表面Ｗｆ上のリンス液が高い置換効率で高温ＩＰＡ液に置換されてスピン乾燥処理前に基板表面Ｗｆ上に残存するリンス液の量を抑制することができる。 - 特許庁

Therefore, the wafer WF is supported in a state where its outer peripheral area becomes lower than its central area.例文帳に追加

従って、半導体ウェハＷＦは、中央領域に比べて外周領域が低くなるよう支持される。 - 特許庁

A substrate W is held on a spin chuck 2 in a substantially horizontal position while directing the front surface Wf upward.例文帳に追加

基板Ｗは、表面Ｗｆを上方に向けた略水平姿勢の状態でスピンチャック２に保持される。 - 特許庁

A drain cup 13 is arranged along the wafer chuck section of the support stand 11 and the outer periphery of the wafer WF.例文帳に追加

支持台１１のウェハチャック部分及びウェハＷＦの外周に沿うようにドレーンカップ１３が配設されている。 - 特許庁

A chamber 10 is provided with a lower electrode part 11, on which a semiconductor wafer WF is placed and an upper electrode part 12.例文帳に追加

チャンバー１０は、半導体ウェハＷＦを載置する下部電極１１と、上部電極１２を有する。 - 特許庁

A plating tool 15 has a cathode electrode 16 which fixes a wafer WF and contacts the prescribed portion of the wafer.例文帳に追加

めっき治具１５は、ウェハＷＦを固定しウェハの所定部に接触するカソード電極１６を備えている。 - 特許庁

Respective rollers 1F, 1R for mounting respective wheels WF, WR of the vehicle A are made freely movable along a lateral direction.例文帳に追加

車両Ａの各車輪ＷＦ，ＷＲを乗せる各ローラ１Ｆ，１Ｒを左右方向に移動自在とする。 - 特許庁

The projecting part 16 comprises an inner peripheral side wall part 16a on a window WF side and an outer peripheral side wall part 16d.例文帳に追加

突出部１６は、窓ＷＦ側の内周側壁部１６ａと外周側壁部１６ｄとを備える。 - 特許庁

After the substrate surface Wf covered with an IPA liquid is supplied with an HFE liquid to replace the IPA liquid with the HFE liquid so that the entire substrate surface Wf is covered with the HFE liquid, a high-temperature nitrogen gas is supplied to the substrate back surface Wb to heat the substrate W, and the HFE liquid is removed from the substrate surface Wf.例文帳に追加

ＩＰＡ液で覆われた基板表面ＷｆにＨＦＥ液を供給してＩＰＡ液をＨＦＥ液で置換して基板表面Ｗｆの全部がＨＦＥ液で覆われた後に、高温窒素ガスが基板裏面Ｗｂに供給されて基板Ｗが加熱されるとともに、基板表面ＷｆからＨＦＥ液が除去される。 - 特許庁

Pre-drying processing (processing of supplying a high-concentration IPA to a substrate surface Wf) is executed, so that the concentration of an IPA of a liquid film to be formed on the substrate surface Wf is always adjusted to a final value suitable for substrate drying.例文帳に追加

乾燥前処理（基板表面Ｗfに高濃度ＩＰＡを供給する処理）を行うことで基板表面Ｗfに形成される液膜のＩＰＡ濃度は常に最終的に基板乾燥に適した値に調整されている。 - 特許庁

From the immediately after the elapse of the developing-solution-filling time, the number of revolutions of the wafer WF to be processed is decreased to not more than a half (SP2) so that the developing solution 16 expands more slowly to the periphery part of the wafer WF to be processed.例文帳に追加

現像液盛り時間経過直後からは被処理ウェハＷＦの回転数を半分以下に減少させ（ＳＰ２）、現像液１６がより緩やかに被処理ウェハＷＦの外周部に広がっていくようにする。 - 特許庁

The development and inflation of the air bag 20F are made between the occupant MF pressed by the pressing device 31 and the window WF.例文帳に追加

このエアバッグ２０Ｆは、押圧装置３１によって押圧された乗員ＭＦと窓ＷＦとの間に、展開膨張する。 - 特許庁

Then, the drop set value WF(i) is corrected on the basis of the drop estimation value Fpc(i) and the deviation average value Epc(i).例文帳に追加

そして、落差推定値Ｆｐｃ(i)および偏差平均値Ｅｐｃ(i)に基づいて、落差設定値ＷＦ(i)が補正される。 - 特許庁

A steering stem 7 for steerably retaining a front wheel WF is pivotally supported on a front part of a vehicle body frame of a motorcycle.例文帳に追加

自動二輪車の車体フレームの前部には、前輪ＷＦを操舵可能に保持するステアリングステム７が軸支される。 - 特許庁

For a surface Wf (pattern-forming surface) of a substrate W, the particles etc. are removed by a frozen cleaning technique.例文帳に追加

基板Ｗの表面Ｗｆ（パターン形成面）については、凍結洗浄技術によってパーティクル等の除去を行う。 - 特許庁

An O3 water supply nozzle for back rinse 15 is arranged at the base of the drain cup 13 below the backside of the wafer WF.例文帳に追加

ウェハＷＦ裏面側下方のドレーンカップ１３底部にバックリンス用Ｏ_3 水供給ノズル１５が配設されている。 - 特許庁

This occupant restraint device S is provided with a door frame 11 disposed in the circumferential edge of a window WF of a door FD of a vehicle, an interior material 21 disposed in the car inside I of the door frame 11 in the circumferential edge of the window WF, and the shielding material 38.例文帳に追加

乗員拘束装置Ｓは、車両のドアＦＤの窓ＷＦの周縁に配置されるドアフレーム１１と、窓ＷＦの周縁におけるドアフレーム１１の車内側Ｉに配置される内装材２１と、遮蔽材３８と、を備える。 - 特許庁

Prior to the drying step, an azeotropic composition or azeotropy-like composition of DIW and IPA is supplied as mixture liquid to the substrate surface Wf, in order to substitute the mixture liquid for the rinse liquid (DIW) adhering to the substrate surface Wf.例文帳に追加

乾燥工程前にＤＩＷとＩＰＡとの共沸組成物または共沸様組成物を混合液として基板表面Ｗｆに供給して基板表面Ｗｆに付着しているリンス液（ＤＩＷ）を混合液に置換する（置換工程）。 - 特許庁

Accordingly, a region where the cooling gas is supplied is limited to a partial region on the substrate surface Wf, thereby generating the frozen film 13f entirely on the substrate surface Wf while inhibiting the degradation of durability of the substrate peripheral member.例文帳に追加

このため、冷却ガスの供給部位が基板表面Ｗｆ上の一部領域に限定され、基板周辺部材の耐久性が劣化するのを抑制しながら、基板表面Ｗｆの全面に凍結膜１３ｆを生成することができる。 - 特許庁

Thereby, a nitrogen gas layer L2 is formed on an argon gas layer L1 flowing along the substrate surface Wf, and dust D, mist M and the like suspended in the surroundings are prevented from being drawn into the argon gas layer L1 and carried to the vicinity of the substrate surface Wf.例文帳に追加

これにより、基板表面Ｗfに沿って流れるアルゴンガス層Ｌ1の上に窒素ガス層Ｌ2が形成され、周囲に浮遊するゴミＤやミストＭ等がアルゴンガス層Ｌ1に取り込まれ基板表面Ｗf近傍に運ばれるのを防止する。 - 特許庁

Consequently, the semiconductor wafer WF housed in the process tube 4 can be heated so that the temperature of the wafer WF may become uniform by making the moving speed of the heater 17 slower in a low-temperature section and faster in a high-temperature section in the tube 4.例文帳に追加

移動式ヒータ１７の移動速度をプロセスチューブ内の温度の低い部分では遅く、温度の高いところでは速くして、プロセスチューブ４に収容された半導体ウェハＷＦの温度が均一になるように加熱することができる。 - 特許庁

A cleaning liquid is supplied between the upper surface Wa of a wafer W rotated around the rotary axis R of the wafer and the substrate opposite surface WF opposed thereto from a nozzle N having a tip part NS in the substrate opposite surface WF and a vibration disk VF provided in the substrate opposite surface WF imparts ultrasonic vibration to the cleaning liquid.例文帳に追加

ウエハの回転軸Ｒを中心として回転させられているウエハＷの上面Ｗａとこれに対向する基板対向面ＷＦとの間に、基板対向面ＷＦ内に先端部ＮＳを有するノズルＮが洗浄液を供給するとともに、この洗浄液に対して、基板対向面ＷＦ内に設けられた振動面ＶＦが超音波振動を付与する。 - 特許庁

This dry etching device for applying etching processing to a wafer WF by arranging the wafer WF in a processing chamber and converting an introduced reaction gas to plasma includes: an annular first ring 110 arranged in the outside to surround the wafer WF and formed of a conductive material; and an annular second ring 120 arranged in the outside to surround the first ring 110 and formed of an insulating material.例文帳に追加

処理室内にウエハーＷＦが置かれ、導入される反応ガスをプラズマ化してウエハーＷＦにエッチング処理を施すドライエッチング装置であって、ウエハーＷＦを取り囲むように外側に配置され、導電性材料からなる環状の第１リング１１０と、第１リング１１０を取り囲むように外側に配置され、絶縁性材料からなる環状の第２リング１２０と、を備えた。 - 特許庁

After the replacement with the IPA liquid, the IPA liquid is removed from the substrate surface Wf to dry the surface Wf, in such a case, the water absorption by the IPA liquid is suppressed, so that remaining of water in the IPA liquid on the substrate surface Wf is securely suppressed through the drying process to effectively suppress the occurrence of the watermark and pattern destruction.例文帳に追加

そして、ＩＰＡ液への置換後に、基板表面ＷｆからＩＰＡ液が除去されて基板表面Ｗｆが乾燥されるが、上記したようにＩＰＡ液への水分吸湿が抑制されていることから、当該乾燥処理によりＩＰＡ液中の水分が基板表面Ｗｆに残留するのが確実に抑えられてウォーターマークやパターン倒壊を効果的に抑制している。 - 特許庁

The liquid LQ from a nozzle 13 is applied to and spread on a semiconductor wafer WF by the centrifugal force generated when the stage 11 is rotated.例文帳に追加

ノズル１３からの液体ＬＱは、ステージ１１の回転による遠心力で半導体ウェハＷＦ上に塗り広げられる。 - 特許庁

An SOG liquid supply 14 dropping SOG liquid on the main surface of the wafer WF is arranged above the support stand 11.例文帳に追加

支持台１１の上方には、ウェハＷＦ主表面にＳＯＧ液を滴下するＳＯＧ液供給部１４が配備されている。 - 特許庁