「wf」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Regarding the dimension of the dust filter and the piezoelectric element, provided that a length of the side, corresponding to the width direction of the piezoelectric element, of the dust filter is denoted as LFw, and a width of the piezoelectric element in parallel to the side of the filter is denoted as WF, WF/LFw is made in the range of 0.095 or more and 0.105 or less.例文帳に追加

防塵フィルタ及び圧電素子の寸法を、防塵フィルタの上記圧電素子の幅方向に対応する辺の長さをLFw、該辺に平行方向の上記圧電素子の幅をWFとした場合に、WF/LFwが0.095以上、0.105以下となるようにする。 - 特許庁

The wafer conveying method for conveying a plurality of stacked wafers Wf sequentially is such that a suction conveyer 2 as a sucking sliding means for sliding a wafer Wf on top in an in-plane direction conveys the wafers Wf in an order of the top wafer Wf while the wafer Wf on top out of the plurality of wafers Wf placed in a liquid Lq.例文帳に追加

積み上げられた複数枚のウエハＷｆを搬送するウエハ搬送方法であって、液体Ｌｑ中に置かれた複数枚のウエハＷｆのうち最上位にあるものを吸着した状態で、このウエハＷｆをその面内方向にスライドさせる吸着スライド手段としての吸着コンベア２によって、最上位のウエハＷｆから順に搬送する。 - 特許庁

A catch plate 50 is adapted to catch and hold bearings WF, WF at the beginning of each parts array L1, L2 at a take-out position P.例文帳に追加

受止板５０は取出位置Ｐにおいて、各部品配列Ｌ１，Ｌ２の先頭のベアリングＷＦ，ＷＦを受け止め保持する。 - 特許庁

After this, the SC1 solution is supplied toward the substrate surface Wf to remove the frozen film 13 from the substrate surface Wf.例文帳に追加

その後、基板表面Ｗｆに向けてＳＣ１溶液を供給して基板表面Ｗｆから凍結膜１３を除去する。 - 特許庁

A semiconductor wafer WF is placed on the lower electrode part 11.例文帳に追加

下部電極部１１には半導体ウェハＷＦが載置される。 - 特許庁

A thick layer of a rinse solution covers the whole of the substrate surface Wf that is subjected to a rinse process of delivering the rinse solution from a rinse nozzle 8 to the substrate surface Wf, and a paddle-like rinse layer 21 is formed on the substrate surface Wf.例文帳に追加

リンスノズル８からのリンス液の吐出によりリンス処理を受けた基板表面Ｗｆ全体にはリンス液が盛られた状態で付着して、いわゆるパドル状のリンス層２１が形成される。 - 特許庁

In initial chemical processing, a silicon oxide film is formed on the substrate surface Wf, and the substrate surface Wf is a hydrophilic face.例文帳に追加

初期薬液処理では、基板表面Ｗｆにシリコン酸化膜が形成されており、基板表面Ｗｆは親水面となっている。 - 特許庁

A semiconductor wafer WF is in a stage immediately before resist application.例文帳に追加

半導体ウェハＷＦは、レジスト塗布直前の段階のものである。 - 特許庁

Expression (1): 1/16≤Wf/Pc <1/6, and Expression (2): 5/16≤Hc/Pc≤1/2.例文帳に追加

１／１６≦Ｗｆ／Ｐｃ＜１／６ （１） ５／１６≦Ｈｃ／Ｐｃ≦１／２ （２） - 特許庁

A groove DT is formed on the back of a semiconductor wafer WF with an adhesive tape AT pasted to the main surface of the semiconductor wafer WF.例文帳に追加

半導体ウェハＷＦの主面に接着テープＡＴを貼り付けた状態で、半導体ウェハＷＦの裏面に溝ＤＴを形成する。 - 特許庁

The pressing device 31 is installed around the window WF and can press the occupant MF seated near the window WF to the cabin interior side I.例文帳に追加

押圧装置３１は、窓ＷＦの周囲に配置されて、窓ＷＦに接近している乗員ＭＦを車内側Ｉ方向に押圧可能としている。 - 特許庁

In the wafer conveying method for conveying a plurality of wafers Wf stacked, the uppermost located wafer Wf is picked up by a suction conveyor 2, while by having a liquid jet toward the end surfaces of the plurality of wafers Wf, placed in the liquid from a nozzle 31 and a gap is formed between any adjacent wafers Wf, including at least the uppermost located wafer Wf among the plurality of wafers Wf.例文帳に追加

積み上げられた複数枚のウエハＷｆを搬送するウエハ搬送方法であって、液体中に置かれた複数枚のウエハＷｆの端面に向けてノズル３１から液体を噴出することにより、複数枚のウエハＷｆのうち少なくとも最上位に位置するウエハＷｆを含む複数枚のウエハＷｆどうしの間に隙間を生じさせた状態で、最上位に位置するウエハＷｆを吸着コンベア２により取り上げる。 - 特許庁

A wafer WF rotates by supporting stage 11, and pure water DIW is supplied to the surface of the wafer WF from a nozzle or the like not shown in the figure ((a) washing process).例文帳に追加

支持台１１によりウェハＷＦが回転し、図示しないノズル等から純水ＤＩＷがウェハＷＦ表面に供給される（（ａ）水洗工程）。 - 特許庁

Argon gas is discharged toward a substrate surface Wf from a gas discharge opening 283 opened toward the substrate surface Wf in a lower part of the gas discharge head 200.例文帳に追加

ガス吐出ヘッド２００の下部に基板表面Ｗfに向けて開口したガス吐出口２８３から、アルゴンガスを基板表面Ｗfに向けて吐出する。 - 特許庁

In the occupant restraint system, the shielding member 41 is delivered from the peripheral edge of the window WF so as to shield the window WF when detecting the roll-over of a vehicle.例文帳に追加

車両のロールオーバ検知時に、窓ＷＦを遮蔽可能に窓ＷＦの周縁から遮蔽材４１が繰り出される構成の乗員拘束装置。 - 特許庁

The shading body 5, which is arranged so as to be floated on the surface Wf of water of the lakes and marshes 1, is moved freely on the surface Wf of water by a dynamical means.例文帳に追加

湖沼１の水面Ｗｆに浮かせて配置された遮光体５を、力学的手段により随意に水面Ｗｆ上を移動させること。 - 特許庁

The space between the surface of the substrate Wf and the sheet member 231 is supplied with nitrogen gas which protects the surface of the substrate Wf from contacting the external air.例文帳に追加

基板表面Ｗｆとシート部材２３１の間の空間には窒素ガスが供給され、基板表面Ｗｆと外気との接触を遮断する。 - 特許庁

Then when the replacement processing is performed, the high-temperature IPA liquid is supplied to the substrate surface Wf to replace a rinse liquid on the substrate surface Wf.例文帳に追加

そして、置換処理を行う際には、高温ＩＰＡ液を基板表面Ｗｆに供給することで基板表面Ｗｆ上のリンス液を置換している。 - 特許庁

At a time when the surface of the substrate Wf comes into a state without contact with the external air, the surface of the substrate Wf is processed with process liquid supplied therewith.例文帳に追加

基板表面Ｗｆが外気と接触しない状態になった時点で、基板表面Ｗｆに対して処理液を供給して処理を行う。 - 特許庁

The shielding member 41 comprises a front side shielding member 43 for covering a front part side of the window WF, and a rear side shielding member 54 for covering a rear part side of the window WF.例文帳に追加

遮蔽材４１が、窓ＷＦの前部側を覆う前側遮蔽材４３と、窓ＷＦの後部側を覆う後側遮蔽材５４と、を備える。 - 特許庁

A support stand 11 chucks the wafer WF and it can be rotated by a driving part 12.例文帳に追加

支持台１１は、ウェハＷＦをチャックし駆動部１２で回転させる。 - 特許庁

A shield member 64 is arranged above the substrate surface Wf.例文帳に追加

基板表面Ｗｆの上方位置に遮断部材６４が配置されている。 - 特許庁

A guide part 15 is arranged in a front part of the car body frame 5 in a position opposed to the front wheel WF from the rear, for contacting with the front wheel WF, and guiding the contacted front wheel WF downward when the front wheel WF retreats to the car body frame 5 according to the action of a shock from the front side.例文帳に追加

前方側からの衝撃の作用に応じて前輪ＷＦが車体フレーム５に対して後退するときに、該前輪ＷＦに接触するとともに接触した前輪ＷＦを下方にガイドするガイド部１５が、前輪ＷＦに後方から対向する位置で車体フレーム５の前部に設けられる。 - 特許庁

Consequently, welding force WF is not affected from the rotation moment.例文帳に追加

その結果、加圧力ＷＦは、回転モーメントによる影響を受けることはない。 - 特許庁

The liquid membrane is formed on the substrate surface Wf by supplying DIW (deionized water) onto the substrate surface Wf, while holding a substrate W with a spin chuck 2 in a substantially horizontal posture.例文帳に追加

スピンチャック２に基板Ｗを略水平姿勢で保持した状態で基板表面ＷｆにＤＩＷを供給して基板表面Ｗｆに液膜を形成する。 - 特許庁

Rinse liquid adhered on the substrate surface Wf is substituted by the liquid mixture by supplying a liquid mixture (IPA+DIW) to the substrate surface Wf after a rinsing process.例文帳に追加

リンス処理後に基板表面Ｗｆに混合液（ＩＰＡ＋ＤＩＷ）を供給して基板表面Ｗｆに付着しているリンス液を混合液に置換する。 - 特許庁

The total grounding load of a front wheel Wf of a vehicle 1 can be obtained as the sum of the static grounding load Nf of the front wheel Wf and the front wheel grounding load variation Nfv.例文帳に追加

車両１の前輪Ｗｆの全接地荷重は、前輪Ｗｆの接地静荷重Ｎｆと前輪接地荷重変動Ｎｆｖとの和で求めることができる。 - 特許庁

A space above a surface of a substrate Wf is shielded from external air by stretching a sheet member 231 close to a surface of a substrate Wf along the same.例文帳に追加

基板表面Ｗｆに対し、シート部材２３１を基板表面Ｗｆに沿うように近接して張設し、基板表面Ｗｆの上方の空間を外気から遮断する。 - 特許庁

On a semiconductor wafer WF, a plurality of the same basic cells 11 (11a-11h) are arranged lengthwise and crosswise, and dicing lines DLt are formed between the basic cells 11.例文帳に追加

半導体ウェハWF上には同一の基本セル１１（１１ａ〜１１ｈ）が縦横方向に複数個並べられ、各基本セル１１の間にはダイシングラインDLtが設定されている。 - 特許庁

During the rotation of the wafer WF, O3 water (ozone water) is supplied from the O3 water supply nozzle 15 for edge rinsing to the peripheral section of the wafer WF.例文帳に追加

ウェハＷＦの回転中にこのエッジリンス用Ｏ_3 水供給ノズル１５からウェハＷＦ周縁部分にＯ_3 水（オゾン水）が供給されるようになっている。 - 特許庁

After tertiary butanol is supplied to a substrate surface Wf, DIW is supplied to the substrate surface Wf, thereby allowing the tertiary butanol to remain only inside a pattern gap.例文帳に追加

基板表面Ｗｆに対し、ターシャリーブタノールを供給した後、ＤＩＷを基板表面Ｗｆに供給してパターン間隙内部にのみターシャリーブタノールを残留させる。 - 特許庁

The roller 13 touches the circumferential edge part of each wafer WF set in the containing cassette 12 to turn each wafer WF.例文帳に追加

そこで本発明では、収容カセット１２に入ったまま各ウェハＷＦはその周縁部をローラー１３に接触させ、各ウェハＷＦを回転させるようになっている。 - 特許庁

For the upper lid member 12, the pressurizing part 121 is in brought into contact with the peripheral edge part of the semiconductor wafer WF, and the main surface area of the semiconductor wafer WF is made to be exposed.例文帳に追加

上蓋部材１２は、押圧部１２１が半導体ウェハＷＦの周縁部に接触し、かつ半導体ウェハＷＦの主表面領域を露出させる。 - 特許庁

Next, the supporting stage 11 is rotated at high speed, whereby the water remaining on the surface of the wafer WF is shaken off by centrifugal force thereby drying the wafer WF ((d) high-speed rotation process).例文帳に追加

次に、支持台１１を高速回転させ、ウェハＷＦ表面に残った水は遠心力により振り切られウェハＷＦを乾燥させる（（ｄ）高速回転工程）。 - 特許庁

A support stand 11 can be rotated by a drive section 12 by chucking a wafer WF.例文帳に追加

支持台１１は、ウェハＷＦをチャックして駆動部１２で回転可能である。 - 特許庁

A support rest 11 chucks a wafer WF, and can be rotated by a driving part 12.例文帳に追加

支持台１１は、ウェハＷＦをチャックして駆動部１２で回転可能である。 - 特許庁

The method of carrying wafers for carrying a plurality of stacked wafers Wf includes a process for jetting a liquid Lq toward the end face of the plurality of wafers Wf to generate a gap among the plurality of wafers Wf positioned within the liquid Lq and a process for picking up the wafers Wf positioned at least at the uppermost part from among the plurality of wafers Wf while the gap has been generated.例文帳に追加

積層された複数枚のウエハＷｆを搬送するウエハ搬送方法であって、液体Ｌｑ中に位置する複数枚のウエハＷｆどうしの間のいずれかに隙間を生じさせるべく、複数枚のウエハＷｆの端面に向けて液体Ｌｑを噴出する工程と、上記隙間を生じさせた状態で、複数枚のウエハＷｆのうち少なくとも最上位に位置するウエハＷｆを取り上げる工程と、を備える。 - 特許庁

A sample table 313 in the implanting chamber 13 has a rotation- controllable semiconductor wafer WF mount 132 which is rotatably controlled to align an orientation flat of the semiconductor wafer WF and rotate the wafer WF at a specified rotation angle.例文帳に追加

イオン注入室１３内の試料台１３１に関し、回転制御可能な半導体ウェハＷＦの載置部１３２は、単なる半導体ウェハＷＦのオリフラ合わせだけでなく、所定の回転角で半導体ウェハＷＦが回転制御されるようになっている。 - 特許庁

A support base 11 chucks the semiconductor wafer WF (support tape TP of a bottom) and rotatably controls the wafer.例文帳に追加

支持台１１は、ウェハＷＦ（底部の支持テープＴＰ）をチャックして回転制御する。 - 特許庁

Thus, a region (melted region), of the surface region of the substrate surface Wf where the frozen film 13 has been melted, spreads from the center of the substrate surface Wf to the circumferential edge, and the entire frozen film 13 formed on the substrate surface Wf is melted.例文帳に追加

これにより、基板表面Ｗｆの表面領域のうち凍結膜１３が融解した領域（融解領域）が基板表面Ｗｆの中央部から周縁部へと広げられ、基板表面Ｗｆに形成された凍結膜１３の全体が融解する。 - 特許庁

The chuck of the wafer WF by vacuum absorption at the back of the illustrated wafer is used.例文帳に追加

ウェハＷＦのチャックは、図示のようなウェハ裏面の真空吸着によるものを用いる。 - 特許庁

A sheet-like inner cowl 21 is provided between the secondary battery 51 and a front wheel WF.例文帳に追加

二次電池５１と前輪ＷＦとの間に、薄板状のインナカウル２１を配設する。 - 特許庁

The workflow system comprises a location information management device 1 and a WF management device 2.例文帳に追加

ワークフローシステムは、位置情報管理装置１とＷＦ管理装置２とから構成される。 - 特許庁

A stage 11 comprises a ceramic panel for electrostatic adsorption of a wafer WF to be processed.例文帳に追加

ステージ１１は、被処理ウェハＷＦを静電吸着するためのセラミック盤でなる。 - 特許庁

Thus, a region where the liquid film 11f is frozen (freezing region) among a surface region of the substrate surface Wf enlarges from the center of the substrate surface Wf toward a peripheral region.例文帳に追加

これにより、基板表面Ｗｆの表面領域のうち液膜１１ｆが凍結した領域（凍結領域）が基板表面Ｗｆの中央部から周縁部へと広げられていく。 - 特許庁