例文 (6件) |
argon ion irradiationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 6件
A mass-separating ion irradiation device 1a is composed of an argon-ion sputtering ion source 2, pullout electrodes 3, an electromagnet 4 for mass separation, an accelerator 5, a scanning electrode 6 and a base plate 7.例文帳に追加
質量分離型のイオン照射装置1aは、アルゴンイオンによるスパッタ式のイオン源2、引き出し電極3、質量分離用電磁石4、加速管5、走査電極6、基板7から構成される。 - 特許庁
The comparatively smooth surface of the intermediate layer (IL) so obtained is denaturalized by irradiation with ion, such as sputter etching in an argon ambient atmosphere, to form surface roughness in a nano-scale and to grow the recording layer (RL) on it.例文帳に追加
そのようにして得られた比較的平滑な中間層(IL)の表面をアルゴン雰囲気中でのスパッタエッチング等のイオン照射により変性し、ナノスケールの粗さとし、その上に記録層(RL)を成長させる。 - 特許庁
Ultraviolet light with a wavelength about 363.8 nm emitted from an argon ion laser 10 is condensed on a wafer of a measuring object test piece 60 through a condensing irradiation mechanism 40 and the like.例文帳に追加
アルゴンイオンレーザ10から発せられる波長約363.8nmの紫外光を集光照射機構40等を介して測定対象試料60であるシリコンウェーハ上に集光させる。 - 特許庁
The SiO2-GeO2-base glass thin film 12 formed on a substrate 10 is subjected to irradiation with ion beams of argon ions, etc., only at the specified portions where the glass transition temperature is made lower than that of the non-irradiated portions by cutting between silica networks.例文帳に追加
基板10上に形成したSiO_2−GeO_2系ガラス薄膜12に、アルゴンイオン等のイオンビーム照射を特定部位のみに行い、シリカネットワーク間の切断によりガラス転位温度を非照射部位より低下させる。 - 特許庁
A single laser beam, emitted from argon ion laser 6, is adjusted in a plane of polarization, and the irradiation light 1 condensed by a condensing lens 10 is allowed to be incident on the surface of the sample 3 at an incident angle which minimizes reflected light and generating only scattered light.例文帳に追加
アルゴンイオンレーザー6から射出させた単一レーザー光を、偏光面調整させ、ついで集光レンズ10で集光させた照射光1を、反射光を最小限に抑え、散乱光のみを発生させる入射角度で、試料3表面に照射させる。 - 特許庁
A single laser beam emitted from an argon ion laser 6 passes successively through an extinction filter 8, a 1/2 wave plate 9, a scanning X-Y scanner 7 and a condensing lens 10, and then becomes irradiation light 1 having an adjusted plane of polarization, and enters the silicon wafer sample 3 surface at an incident angle by which reflected light is suppressed minimally and only scattered light is generated effectively.例文帳に追加
アルゴンイオンレーザー6から射出された単一レーザー光は、順次減光フィルター8、1/2波長板9、走査用X−Yスキャナー7、集光レンズ10を経た後、偏光面調整された照射光1となり、シリコンウェーハ試料3表面に対して、反射光を最小限に抑え、散乱光をのみを効果的に発生させる入射角度で入射される。 - 特許庁
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