「boron injection」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Next, boron is injected onto the low-concentration N-type epitaxial layer 11 by ion injection and so on to form low-concentration P-type guard ring areas 14a.例文帳に追加

次に、イオン注入法等を用いて、低濃度Ｎ型エピタキシャル層１１の上にボロンを注入し、低濃度Ｐ型ガードリング領域１４ａを形成する。 - 特許庁

It is set so that a carbon is added to a region of an external base layer 51, and a formation of a point defect is prevented as occurring at the time of a boron injection for the external base.例文帳に追加

外部ベース層５１の領域にカーボンを添加し、外部ベース用ボロン注入時に発生する点欠陥生成を防止するように設定したものである。 - 特許庁

At this time, boron is injected even into a peripheral edge of the element formation region D2 (second impurity injecting process) simultaneously with the injection for threshold voltage adjustment of the FET 20.例文帳に追加

このとき、ＦＥＴ２０のしきい値電圧調整のための注入と同時に、素子形成領域Ｄ２の周縁部にもボロンを注入する（第２の不純物注入工程）。 - 特許庁

In the heat treatment in the device process, metal impurities (c) in the SIMOX substrate are sufficiently gettered because of boron ion-injected into a high-density boron layer 14 formed in a bulk layer 13 to a density of ≥1×10^13/cm^2 and disorder of a silicon grating at the reverse-surface side part of a silicon single-crystal substrate due to the ion injection of boron.例文帳に追加

バルク層１３に形成された高濃度ボロン層１４に１×１０^１３／ｃｍ^２以上の密度でイオン注入されたボロンと、このボロンのイオン注入に起因するシリコン単結晶基板１０の裏面側部のシリコン格子の乱れとにより、デバイス工程の熱処理時、ＳＩＭＯＸ基板２０の内部の金属不純物ｃが十分にゲッタリングされる。 - 特許庁

To provide an organic EL element including an electron injection-transport layer containing an organic boron compound, which is excellent in characteristics such as efficiency or lifetime.例文帳に追加

本発明は、有機ホウ素化合物を含有する電子注入輸送層を有する有機ＥＬ素子において、効率や寿命等の特性に優れる有機ＥＬ素子を提供することを主目的とする。 - 特許庁

The photodiode 10 is formed by providing a boron injection layer 14 on the periphery of the minute opening 15 of the silicon substrate 9, and the detection signal of the reflected beam is taken out from electrodes 11, 12.例文帳に追加

フォトダイオード１０は、シリコン基板９の微小開口１５の周囲にボロン注入層１４を設けることで形成され、反射光の検出信号は電極１１，１２から取り出される。 - 特許庁

After an n-type epitaxial layer 13A is formed, an impurity, for instance, boron is implanted on the given area of the epitaxial layer 13A by ion implantation having a different injection energy plural times.例文帳に追加

ｎ型のエピタキシャル層１３Ａを形成した後、そのエピタキシャル層１３Ａの所定の領域へ複数回の注入エネルギの異なるイオン注入により不純物例えばボロンを注入する。 - 特許庁

The method includes: injecting boron into an NMOS region RN using a resist mask 31 and other resist masks as an injection mask; and forming p-type impurity regions which become a halo region of access transistor and drive transistor.例文帳に追加

レジストマスク３１と他のレジストマスクを注入マスクとして、ＮＭＯＳ領域ＲＮにボロンを注入することにより、アクセストランジスタおよびドライブトランジスタのハロ領域となるｐ型不純物領域が形成される。 - 特許庁

Subsequently, an oxide film is grown on the surface of the substrate, a region becoming a first P type well region 170 is opened using resist and injected with boron ions at about 5E10-3E11 with an injection energy of 3-10 MeV, for example.例文帳に追加

その後、この基板の表面に酸化膜を成長させ、第１Ｐ型ウエル領域１７０となる領域をレジストで開口し、その上からボロンイオンを例えば３ＭｅＶ〜１０ＭｅＶの注入エネルギーで例えば５Ｅ１０〜３Ｅ１１程度注入する。 - 特許庁

An organic EL element includes an anode, a light-emitting layer formed on the anode, an electron injection-transport layer having a crystal structure, which contains an organic boron compound and is formed on the light-emitting layer, and a cathode formed on the electron injection-transport layer.例文帳に追加

本発明は、陽極と、上記陽極上に形成された発光層と、上記発光層上に形成され、有機ホウ素化合物を含有し、結晶構造を有する電子注入輸送層と、上記電子注入輸送層上に形成された陰極とを有することを特徴とする有機ＥＬ素子を提供することにより、上記目的を達成する。 - 特許庁

A diamond semiconductor light-emitting device has a structure where a boron-doped p-type diamond layer, a hole-outflow blocking layer having a band gap exceeding 5.47 eV and formed of an oxide, a fluoride or a mixture of an oxide and an fluoride, and an electron injection layer are sequentially stacked.例文帳に追加

ホウ素がドープされたｐ形ダイヤモンド層と、バンドギャップが５．４７ｅＶ超であり、酸化物、フッ化物、またはこれらの混合物からなる正孔流出阻止層と、電子注入層とが順次積層された構造を有することを特徴とするダイヤモンド半導体発光素子。 - 特許庁

The high nitrogen concentration preventing boron contained in a gate electrode 106b of the p-type transistor from diffusing, and halogens contained in the gate insulating film increase the conductance of the transistor, resulting in enhanced reliability for hot-carrier injection.例文帳に追加

ゲート絶縁膜に窒素濃度が１×１０^20(／ｃｍ^3)以上含まれるためにｐ型トランジスタのゲート電極に含まれるボロンがチャネルに拡散せず、ゲート絶縁膜にパロゲン元素が含まれるため、トランジスタのコンダクタンスが増大し、ホットキャリア注入に対する信頼性が向上する。 - 特許庁

The resin-molded part of the composite is made by arranging the metallic member 11 surface-treated with a triazine-based compound in a mold 3, and injection-molding a resin composition containing 15 to 80 mass% of a thermoplastic resin containing at least one kind of a thioether bond, an amide bond, an ester bond and an ether bond and 20 to 85 mass% of boron nitride.例文帳に追加

本発明の複合体は、金型３内部に、トリアジン系化合物を用いて表面処理された金属製部材１１を配置し、チオエーテル結合、アミド結合、エステル結合及びエーテル結合の中の少なくとも１種を含む熱可塑性樹脂１５〜８０質量％及び窒化ホウ素２０〜８５質量％を含む樹脂組成物からなる樹脂成形部を射出成形法により得る。 - 特許庁