「c-FLIP」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

This discharges a capacitor C to reset both flip flops 10-1, 10-2 when discharging to ground.例文帳に追加

これによって、コンデンサＣが放電され、グランドまで放電した場合に、フリップフロップ１０−１，１０−２の両方がリセットされる。 - 特許庁

The matrix operation results c'0 to c'n are set as initial values in respective flip-flops D0 to Dn of a code series generator 101b.例文帳に追加

各行列演算結果ｃ’０〜ｃ’ｎは初期値として、符号系列生成器１０１ｂの各フリップフロップＤ０〜Ｄｎにセットされる。 - 特許庁

The card flip device turns by 180°, and the both sides of the card C are printed by the printing module or processed by a card reading/writing module.例文帳に追加

カードフリップデバイスは１８０°回転し、カードの両側は、印刷モジュールで印刷され、又はカード読取り/書込みモジュールで処理される。 - 特許庁

Both a hopper and the insertion port are continuous with a card flip device in the form of one piece of execution, receive the card C and turn the card C or advance the card C to either a card printing module or a card printing module.例文帳に追加

１つの実施の形態において、ホッパ及び挿入ポートの双方は、カードフリップデバイスに連続しており、これらは、カードを受け、カードを回転し又はカード印刷モジュール又はカード読みとり書き込みモジュールのいずれかへカードを前進させる。 - 特許庁

One electrodes (lower electrodes 16) of the elements C are connected to one storage nodes of flip-flop circuits which constitute the memory cell, and the other electrodes (upper electrodes 19) are connected to the other storage nodes of the flip flop circuits.例文帳に追加

容量素子Ｃの一方の電極（下部電極１６）は、メモリセルを構成するフリップフロップ回路の一方の蓄積ノードに接続され、他方の電極（上部電極１９）は他方の蓄積ノードに接続される。 - 特許庁

An OR circuit 26 outputs the OR of the logical signal C and the logical signal D outputted from the Q_terminal of the T-flip-flop 22.例文帳に追加

論理和回路２６は、論理信号ＣとＴフリップフロップ２２のＱ＿端子から出力される論理信号Ｄとの論理和を出力する。 - 特許庁

The logic circuit of a semiconductor integrated circuit is divided into modules A, B, C in which flip-flop with enable conditions for fetching data is included and a module D in which flip-flop without the enabling conditions for fetching the data is included.例文帳に追加

半導体集積回路の論理回路を、データを取り込むためのイネーブル条件が付いているフリップフロップが含まれるモジュールＡ，Ｂ，Ｃと、データを取り込むためのイネーブル条件が付かないフリップフロップが含まれるモジュールＤとに分ける。 - 特許庁

Then the light emitting element 1 is flip-chip-mounted on a ceramic substrate 2, and the light emitting element 1 is sealed with the glass sealing part 3 by hot press processing at 600°C.例文帳に追加

その後、発光素子１をセラミック基板２にフリップチップ実装し、６００℃でのホットプレス加工により発光素子１をガラス封止部３で封止する。 - 特許庁

The portable transmitter-receiver C comprises two kinds of tag antennas, a noise cut filter circuit and a flip-flop circuit that selects ON/OFF of a power supply.例文帳に追加

携帯用送受信機Ｃは、２種類のタグ式アンテナと、ノイズカットフィルタ回路と、電源のＯＮ−ＯＦＦを切り換えるフリップ・フロップ回路とから構成されている。 - 特許庁

To provide a ceramics substrate which has low transmission loss in high frequency, is burnable at ≤930°C, and has high reliability in the connection parts of FC(flip chip) and BGA(ball grid array).例文帳に追加

高周波数での伝送損失が低く、930 ℃以下で焼成可能で、ＦＣやＢＧＡ接続部の信頼性の高いセラミックス基板を提供する。 - 特許庁

A flip angle less than 180°C is used for a first inverted pulse, and the apparatus is driven so that the magnetization of the suppressed tissue is immediately a condition for the steady state.例文帳に追加

第１の反転パルスに対しては１８０°未満のフリップ角を使用し、抑制組織の磁化が直ちに定常状態の条件になるように駆動させている。 - 特許庁

A flip-flop FF 5 receives a monitor period signal FP at its data input terminal and an output (c) resulting from inverting a reference clock signal CLK inverted at an inverter 4 at its clock terminal.例文帳に追加

ＦＦ５のデータ入力端子には監視区間信号ＦＰ、クロック端子には基準クロック信号ＣＬＫをインバータ４にて反転させた出力ｃが入力される。 - 特許庁

A D flip-flop 5 uses the noninverting clock to identify an input data signal (a) that is externally received to provide outputs of a noninverting output c and an inverting output d.例文帳に追加

Ｄ型フリップフロップ５は、外部から入力する入力データ信号ａを正転クロックで識別して正相出力ｃおよび逆相出力ｄを出力する。 - 特許庁

Shift registers SR_B and SR_C which operate in the test mode are formed in non-testing blocks B and C, by the use of flip-flops which operate ordinarily in an ordinary mode.例文帳に追加

通常モード時に通常動作を行うフリップフロップを用いて、テストモード時に動作するシフトレジスタＳＲ＿ＢおよびＳＲ＿Ｃを非試験ブロックＢおよびＣに構成する。 - 特許庁

A bare chip 3 is mounted as a flip-flop (b), and a grinding amount adjusting monitor pole 8 is formed in a height dimension H corresponding to the mounting height dimension (h) by the JPS method (c).例文帳に追加

ベアチップ３をフリップチップ実装し（ｂ）、その実装高さ寸法ｈに応じた高さ寸法ＨでＪＰＳ法で研削量調整用のモニタ用柱８を形成する（ｃ）。 - 特許庁

An initial value C is set in respective flip-flops D0 to Dn of the code series generator 101a and also set in computing elements P0 to Pn of a computing element group 3.例文帳に追加

初期値Ｃは、符号系列生成器１０１ａの各フリップフロップＤ０〜Ｄｎにセットされると共に、演算器群３の各演算器Ｐ０〜Ｐｎにセットされる。 - 特許庁

A rear-surface film for a flip-chip semiconductor of the invention to be provided for a rear surface of a semiconductor element which is mounted on an adherend by flip chip comprises at least a thermoset resin component and a thermoplastic resin component whose glass-transition temperature is 25°C or more and 200°C or less.例文帳に追加

本発明のフリップチップ型半導体裏面用フィルムは、被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムであって、少なくとも熱硬化性樹脂成分と、ガラス転移温度が２５℃以上２００℃以下の熱可塑性樹脂成分とにより形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

A flip chip type semiconductor device is produced by using the under fill material comprising (A) an epoxy resin, (B) a liquid polyfunctional aliphatic epoxy having ≥200 average molecular weight, (C) a basic curing agent which is solid at 100°C and (D) an inorganic filler.例文帳に追加

（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）平均分子量が２００以上で、室温で液状の多官能脂肪族エポキシと、（Ｃ）１００℃で固体の塩基性硬化剤と、（Ｄ）無機フィラーとを含むアンダーフィル材を用いて、フリップチップ型半導体装置を作製する。 - 特許庁

The frequency division switching unit C includes a plurality of stages of flip-flops FF1-FF3, at least part of the extender part E is constituted of a synchronous counter, and at least another part is constituted of an asynchronous counter.例文帳に追加

分周切り替え部Ｃは複数段のフリップフロップＦＦ１〜ＦＦ３を有し、エクステンダ部Ｅの少なくとも一部を同期型カウンタで構成するとともに、少なくとも一部を非同期型カウンタで構成する。 - 特許庁

Thereafter, the substrate 1, the device 2, flip chip 4 and bare chip 6 which are joined and mounted on the substrate 1 are sealed with a thermosetting epoxy resin 8 at 180°C or low.例文帳に追加

その後、実装基板１と、この実装基板１上に接合搭載した半導体装置２、フリップチップ４及びベアチップ６とを、１８０℃以下の温度で熱硬化型エポキシ樹脂８により封止する。 - 特許庁

A rear-surface film for a flip-chip semiconductor to be provided for a rear surface of a semiconductor element which is mounted on an adherend by flip chip has a tension storage elastic modulus at 23°C after thermal curing of 10 GPa or more and 50 GPa or less.例文帳に追加

本発明のフリップチップ型半導体裏面用フィルムは、被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムであって、熱硬化後の２３℃における引張貯蔵弾性率が１０ＧＰａ以上５０ＧＰａ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The film for a flip chip type semiconductor back surface has a multilayer structure including a wafer adhesive layer 22 and a laser mark layer 21, where a modulus of elasticity (at 50°C) of the wafer adhesive layer 22 is not more than 10 MPa and a modulus of elasticity (at 50°C) of the laser mark layer 21 is not less than 100 MPa.例文帳に追加

ウエハ接着層２２とレーザーマーク層２１とを含む多層構造を有しており、且つ前記ウエハ接着層２２の弾性率（５０℃）が１０ＭＰａ以下であるとともに、前記レーザーマーク層２１の弾性率（５０℃）が１００ＭＰａ以上であるフリップチップ型半導体裏面用フィルム。 - 特許庁

It accesses to a memory element B included in an RAM 3 through a code C from the output Q of a flip-flop FF 1, and the memory element B is shifted to a memory element A.例文帳に追加

ＲＡＭ３の記憶素子をビット単位で利用する論理回路を有する半導体集積回路１において、記憶素子Ａと、記憶素子Ｂとでは、データ入力ポートから各記憶素子までの遅延時間が異なる。 - 特許庁

When brush bristles of the brush roller 351 touch the edge 355b of the leveling blade 355, they tilt in a direction reverse to the rotating direction C of the brush, and when they are separated from the edge 355b, they flip up to restored to an original posture thereof.例文帳に追加

ブラシローラ３５１のブラシ毛は、均しブレード３５５のエッジ３５５ｂに接触すると、ブラシの回転方向Ｃと逆の方向に倒れ、エッジ３５５ｂから離れるとブラシ毛が撥ねて元の姿勢に復元する。 - 特許庁

When the underfill resin sheet 6 is made of a resin having a viscosity curing start temperature of 200°C or higher and a curing start temperature of 220°C or higher where the curing reaction ends by about 1-2 min, the temperature can be raised to 240°C to lower the viscosity of the resin of the sheet 6, after the flip-chip bonding to have the resin cured.例文帳に追加

アンダーフィル樹脂シート６を加熱により粘度が低下する温度が２００℃以上で、加熱により硬化を開始する温度が２２０℃以上で、１乃至２分程度で硬化反応が完了する樹脂から構成すると、フリップリップ接合後、温度を２４０℃に昇温することによってアンダーフィル樹脂シート６の樹脂の粘度を低下させた後硬化させることができる。 - 特許庁

A gap between the wire circuit board 2 and the semiconductor element (flip chip) 1 is resin-sealed with a sealing resin layer 4 consisting of a liquid epoxy resin composition containing the following components (A) to (C), and the following component (D).例文帳に追加

そして、上記配線回路基板２と半導体素子（フリップチップ）１との空隙が、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分とともに下記の（Ｄ）成分を含有する液状エポキシ樹脂組成物からなる封止樹脂層４によって樹脂封止されている。 - 特許庁

Output is done from a Q2 terminal of a flip-flop circuit 762 when drive voltage is provided after a main controller 561 is removed from the pachinko game machine, output is done from a Q1 terminal of a flip-flop circuit 770, consequently electric current flows through the C-E terminals of a transistor circuit 774 and a fuse 776 is electrically blocked when the drive voltage is provided after that.例文帳に追加

主制御装置５６１がパチンコ機から取り外された後に駆動電圧が供給されるとフリップフロップ回路７６２のＱ２端子から出力が行われ、その後再度駆動電圧が供給されると、フリップフロップ回路７７０のＱ１端子から出力がなされ、その結果トランジスタ回路７７４のＣ−Ｅ端子間に電流が流れヒューズ７７６が電気的に遮断される。 - 特許庁

A bank portion 2c formed in a boundary area C can prevent the inflow of underfill 6 to be adhesive resin formed between a substrate 1 and flip-chip bonded IC chip 5 from a circuit area B into a piezoelectric area A.例文帳に追加

基板１とフリップチップボンディングされたＩＣチップ５との間に形成された接着樹脂としてのアンダーフィル６が、回路領域Ｂから圧電領域Ａへ流れ込むことを、境界領域Ｃに形成された堤部２ｃにより防ぐことができる。 - 特許庁

Particularly, in the case of the flip chip type semiconductor device comprising a compound semiconductor, it is heated in the range of 200 to 300°C to connect a conductive protruded electrode and an electrode on the flat plate substrate surface, and then a heat treatment is performed in a temperature range of 350 to 450°C, whereby shear strength is ensured without causing the deterioration of device characteristics.例文帳に追加

特に、化合物半導体からなるフリップチップ型半導体素子の場合、平板基板温度を２００℃〜３００℃の範囲で加熱して導電性突起電極と平板基板表面の電極とを接続した後、３５０℃〜４５０℃の温度範囲で熱処理を行うと、素子特性の劣化を招くことなく、シア強度を上げることができる。 - 特許庁

Thereafter, when the driving voltage is supplied again, the output of the H level is performed from the Q1 terminal of the flip-flop circuit 770, a current larger than rating flows between the C-E terminals of a transistor circuit 774 as a result and a fuse 776 is electrically interrupted.例文帳に追加

その後、再度駆動電圧が供給されると、フリップフロップ回路７７０のＱ１端子からＨレベルの出力がなされ、その結果トランジスタ回路７７４のＣ−Ｅ端子間に定格より大きな電流が流れヒューズ７７６が電気的に遮断される。 - 特許庁

First and second preprocessing flip-flop FF1a and FF1b latch a C/A signal (CAint) inputted in a register 40a with a clock (0.5WCLKint) having a frequency of a half of that of an external clock signal WCLK and its inversion clock.例文帳に追加

第１及び第２の前処理フリップフロップＦＦ１ａ及びＦＦ１ｂは、レジスタ４０ａに入力されたＣ／Ａ信号（ＣＡｉｎｔ）を、外部クロック信号ＷＣＬＫの１／２の周波数を有するクロック（０．５ＷＣＬＫｉｎｔ）及びその反転クロックで、ラッチする。 - 特許庁

An RS flip flop 115 takes a set reset action, based on the voltage which is obtained via a comparator 116 from the signal z/c signal outputted from the auxiliary winding Nc of the transformer T1 and the comparison results in the comparator 112, and performs the ON/OFF control of the MOS-FETQ1 via a driver 111.例文帳に追加

ＲＳフリップフロップ１１５はトランスＴ1の補助巻線Ｎcから出力されるｚ／ｃ信号をコンパレータ１１６を介した電圧とコンパレータ１１２における比較結果とに基づいてセットリセット動作を行い、ドライバ１１１を介してＭＯＳ−ＦＥＴＱ1のオン・オフ制御を行う。 - 特許庁

This resin composition, capable of simultaneously bonding and sealing a flip chip package, gives a cured item of which the loss modulus behavior at 150°C in the dynamic viscoelasticity measurement is 30 MPa or higher.例文帳に追加

フリップチップパッケージの接合及び封止を同時に行える液状封止樹脂組成物において、該液状封止樹脂組成物の硬化物における動的粘弾性測定における損失弾性率挙動が、１５０℃で３０ＭＰａ以上である液状封止樹脂組成物である。 - 特許庁

This composition, used at the sealing and filling step of flip chip mounting, essentially comprises (A) a liquid thermosetting epoxy resin, (B) a curing agent therefor, and (C) an acidic phosphoric ester as an additional component.例文帳に追加

フリップチップ実装の封止充填工程に用いられる液状エポキシ樹脂組成物として、必須成分として、（Ａ）液状の熱硬化性エポキシ樹脂、（Ｂ）前記の熱硬化性エポキシ樹脂に対する硬化剤、付加的成分として、（Ｃ）酸性リン酸エステルを添加してなる液状エポキシ樹脂組成物。 - 特許庁

The liquid sealing resin composition used for a flip chip type semiconductor device contains: (A) a liquid epoxy resin; (B) an aromatic amine; (C) an inorganic filler; (D) a liquid silicone compound having a polyether group; and (E) a liquid silicone compound having an amino group.例文帳に追加

フリップチップ方式の半導体装置に用いる液状封止樹脂組成物において、（Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）芳香族アミン、（Ｃ）無機充填剤、（Ｄ）ポリエーテル基を有する液状シリコーン化合物、及び（Ｅ）アミノ基を有する液状シリコーン化合物を含有することを特徴とする液状封止樹脂組成物。 - 特許庁

In the liquid sealing resin composition with which the junction and sealing of a flip-chip package can be executed simultaneously, the viscosity behavior of this composition is 1 Pa.s less at 170°C in dynamic viscoelasticity measurement, when the temperature is increased at a fixed rate from the room temperature.例文帳に追加

本発明は、フリップチップパッケージの接合と封止を同時に行うことができる液状封止樹脂組成物において、定率で室温から温度を上げたときの該液状封止樹脂組成物の動的粘弾性測定における粘度挙動が、１７０℃で１Ｐａ・ｓ以下である液状封止樹脂組成物である。 - 特許庁

Since the signals 0.5CA-a and 0.5CA-b have the double cycle of that of the C/A signal (CAint), first and second post-processing flip-flops FF2a and FF2b can perform the latch operations according to an internal clock signal intCLK generated by a DLL circuit in a state that the sufficient setup time and hold time are secured.例文帳に追加

信号０．５ＣＡ−ａ及び０．５ＣＡ−ｂがＣ／Ａ信号（ＣＡｉｎｔ）の２倍の周期を有することから、第１及び第２の後処理フリップフロップＦＦ２ａ及びＦＦ２ｂは、十分なセットアップタイム及びホールドタイムを確保された状態で、ＤＬＬ回路で生成した内部クロック信号ｉｎｔＣＬＫに応じてラッチ動作を行うことができる。 - 特許庁