例文 (31件) |
concentration simulationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 31件
ION CONCENTRATION DISTRIBUTION SIMULATION METHOD, AND VIRUS REMOVAL EFFECT SIMULATION METHOD例文帳に追加
イオン濃度分布シミュレーション方法及びウィルス除去効果シミュレーション方法 - 特許庁
To carry out device simulation on the basis of a changed impurity- concentration distribution after impurity simulation data is changed by a simple operation.例文帳に追加
不純物シミュレーションデータを簡単な操作で変更して、変更後の不純物濃度分布に基づきデバイスシミュレーションを行うこと。 - 特許庁
To provide a device simulation apparatus which will not make the impurity concentration distribution and the shape calculation result of a process simulation reflected on a device simulation structure definition, and which efficiently set a profile with few number of process simulation times.例文帳に追加
プロセス・シミュレーションの不純物濃度分布及び形状計算結果を、デバイス・シミュレーション構造定義に反映させ、少ないプロセス・シミュレーション回数で効率良くプロファイル設定を行うデバイス・シミュレーション装置を提供する。 - 特許庁
To provide a highly-accurate simulation method for analyzing distribution of oxygen concentration contained in the rubber of a pneumatic tire.例文帳に追加
空気入りタイヤのゴムに含まれる酸素濃度分布の精度の高いシミュレーション方法を提供する。 - 特許庁
To provide an ion concentration distribution simulation method capable of predicting ion concentration distribution of a room at high resolution without requiring a great deal of time.例文帳に追加
多大な時間を必要とすることなく、高解像度で室内のイオン濃度分布を予測することができるイオン濃度分布シミュレーション方法を提供する。 - 特許庁
Under the condition 2, a simulation value C(t)_2 of the formaldehyde concentration is similarly calculated; and if the simulation value C(t)_2 reaches near 0, the operation is switched into the condition 3 of air-conditioning.例文帳に追加
空調条件2でも同様にしてホルムアルデヒドの濃度のシミュレーション値C(t)_2を算出し、C(t)_2が0付近となった場合、空調条件3に切り替える。 - 特許庁
DEVICE FOR MEDICINE CONCENTRATION SIMULATION SYSTEM IN VIVO, SYSTEM USING THE SAME AND METHOD FOR EVALUATING MEDICINE USING THE SYSTEM例文帳に追加
生体内薬剤濃度シミュレーションシステム用デバイス、それを用いたシステム、及びシステムを利用した薬剤評価方法 - 特許庁
The device for the medicine concentration simulation system in vivo is obtained by embedding a specimen in a medicine solution permeable material.例文帳に追加
薬剤溶液浸透性材料に被検体が埋め込まれてなる生体内薬剤濃度シミュレーションシステム用デバイス。 - 特許庁
The model forming method carries out a simulation of a part (concentration of oxidative seed) of a process (silicon oxidation process) represented by a physical, chemical model.例文帳に追加
物理化学モデルで表されたプロセス(シリコン酸化プロセス)のうちの一部分(酸化種の濃度)についてシミュレーションを実行する。 - 特許庁
The medicine concentration simulation system in vivo is incorporated with a device mounted perfusion bath obtained by mounting the device in the perfusion bath.例文帳に追加
潅流槽内に上記デバイスを装着させたデバイス装着潅流槽が組み込まれてなる生体内薬剤濃度シミュレーションシステム。 - 特許庁
To include an effect on a phenomenon of making amorphous silicon crystals at the time of injecting high concentration ions in a process simulation.例文帳に追加
高濃度イオン注入を行った際のシリコン結晶のアモルファス化現象による影響をプロセスシミュレーションに取り入れるようにする。 - 特許庁
A simulation body 10 performs simulation calculation by discretion of a differential equation showing a time change quantity of material concentration in an activated sludge model in a period of calculation distortion width Δt, and corrects, when a material concentration having a negative value appears in the calculation process, it to zero.例文帳に追加
シミュレーション本体10は、活性汚泥モデルにおける物質濃度の時間変化量を表す微分方程式を離散化して計算歪み幅Δtの周期で計算し、計算過程で負の値をとる物質濃度が現れたときにそれをゼロに補正したシミュレーションを行う。 - 特許庁
An adsorption amount in a prescribed concentration in the air and for a prescribed exposure time is actually measured, and an equilibrium adsorption amount is analyzed by molecular simulation.例文帳に追加
所定の気中濃度及び曝露時間における吸着量を実測し、平衡吸着量を分子シミュレーションによって解析する。 - 特許庁
To solve the problem wherein an extremely long calculation time is required for three-dimensional simulation including an ion implantation calculation for obtaining the distribution of impurity concentration of a multilayered film structure.例文帳に追加
多層膜構造の不純物濃度分布を求めるイオン注入計算を含む3次元シミュレーションの計算時間が膨大である。 - 特許庁
To provide an ion implantation distribution simulation for analytically seeking impurity concentration distribution produced by ion implantation into a pocket region.例文帳に追加
本発明の課題は、イオン注入分布のシミュレーションに関し、ポケット領域へのイオン注入による不純物濃度分布を解析的に求めることを目的とする。 - 特許庁
To provide a method of COD simulation capable of estimating a COD concentration in treated water after biological aerobic treatment of ammoniacal liquor generated in a coke production process and an apparatus thereof.例文帳に追加
コークス製造工程で発生する安水の生物学的好気処理後の処理水中COD濃度を予測可能なCODシミュレーション方法及び装置を提供する。 - 特許庁
A distribution simulation is executed for gas leaks in a leakage assumption position (discharge point) under each of a plurality of conditions, and concentration distribution of the gas is obtained.例文帳に追加
漏洩想定位置(放出点)におけるガスの漏洩に関し、複数の条件のそれぞれについて拡散シミュレーションが実行され、当該ガスの濃度分布が得られる。 - 特許庁
To reduce errors between actually measured values of element characteristics of a high-breakdown voltage MOS transistor having a low-concentration impurity area between a channel area and a drain electrode, and simulation values.例文帳に追加
チャネル領域とドレイン電極の間に低濃度不純物領域を有する高耐圧MOSトランジスタの素子特性の実測値とシミュレーション値との誤差を小さくする。 - 特許庁
To provide an etching simulation method and an etching simulation device where the flow velocity of an etching solution and the concentration of a waste solution on a substrate are predicted, and, additionally, the local flow in the vicinity of a pattern, the progression velocity of etching in a cavity, the shape change thereof or the like are predicted.例文帳に追加
基板上のエッチング液の流速や廃液濃度を予測するのに加えて、パターン近傍の局所的な流れやキャビティのエッチング進行速度と形状変化等を予測するエッチング・シミュレーション方法及びエッチング・シミュレーション装置を提供する。 - 特許庁
DEVICE, METHOD FOR SIMULATING COMPONENT CONCENTRATION SEPARATION DEVICE AND COMPUTER READABLE RECORDING MEDIUM WITH SIMULATION PROGRAM FOR THE DEVICE RECORDED THEREON例文帳に追加
成分濃縮分離装置のシミュレーション装置、成分濃縮分離装置のシミュレーション方法、及び成分濃縮分離装置のシミュレーションプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - 特許庁
In operating the coke oven, the state of air supply to the combustion chamber is determined by the simulation so that the NOx concentration in the exhaust gas becomes a specified value or lower.例文帳に追加
また、上記コークス炉の操業の際に、上記シミュレーションにより、排ガスのNOx濃度が所定値以下になるように、燃焼室への空気の供給状態を決定する。 - 特許庁
One-dimensional simulation is performed to a junction structure including an npn structure or pnp structure having an impurity concentration equal to that of an n-type region and a p-type region in a semiconductor device to obtain one-dimensional simulation value for a depleted layer in the semiconductor device.例文帳に追加
半導体装置に含まれるn型領域およびp型領域と同一の不純物濃度を有するnpn構造若しくはpnp構造を含む接合構造に対して一次元シミュレーションを行って、半導体装置における空乏層についての一次元シミュレーション値を取得する。 - 特許庁
In the ion concentration distribution simulation method, the ion concentration distribution of the room after a predetermined time from an ion generation start is predicted by inputting indoor air flow distribution, and an ion amount emitted each time instant from an ion generation source provided in the room into a fluid analysis means and carrying out calculation.例文帳に追加
室内の気流分布と、室内に設けられたイオン発生源から各時刻に放出されるイオン量とを流体解析手段に入力して計算することにより、イオン発生開始から所定時間後の室内のイオン濃度分布を予測するイオン濃度分布シミュレーション方法に関する。 - 特許庁
To provide a simulation method for coating/drying, capable of simulating a three-component based coating liquid composed of two components of solvents and one component of a polymer in consideration of a solvent concentration distribution and a coating liquid temperature distribution.例文帳に追加
溶剤濃度分布、塗液温度分布を考慮し、かつ、溶剤2成分とポリマ1成分で構成される三成分系塗液シミュレート可能である塗工乾燥シミュレーション方法を提供する。 - 特許庁
To provide a computer program and a simulation system, which can simulate a time change in concentration of object of a living body by using a mode of a block to easily correspond to a living organs.例文帳に追加
生体の対象物質の濃度の時間変化を、生体器官と容易に対応させうるブロックで構成されるモデルを用いてシミュレートするシミュレーションシステムシステム及びコンピュータプログラムを提供する。 - 特許庁
To provide an ion implantation simulation device for computing an ion concentration distribution accurately at a high speed by incorporating a beam dispersion phenomenon of an ion implantation process imparting an important affection to characteristics of an advanced semiconductor device.例文帳に追加
先端半導体デバイスの特性に重要な影響を与えるイオン注入工程のビーム分散現象を取り入れてイオン濃度分布を高速、かつ精度良く計算するイオン注入シミュレーション装置を提供する。 - 特許庁
Since an equivalent circuit model 10 provided with the serial circuit of plural sub device elements 13 depending on electron concentration and an electron velocity is set, simulation is based on the equivalent circuit model 10 including the internal physical characteristics of a concrete semiconductor device, and an accurate simulation result for which conventional errors are suppressed is attained.例文帳に追加
電子濃度および電子速度に依存した複数のサブデバイス要素13の直列回路を有した等価回路モデル10を設定するようにしたので、具体的な半導体デバイスの内部物理特性を含んだ等価回路モデル10に基づいたシミュレーションとすることが可能となり、従来のような誤差が抑えられた正確なシミュレーション結果となる。 - 特許庁
To provide a medicine concentration simulation system in vivo with which the action of a medicine is simply evaluated in higher precision utilizing a perfusion system, a device used for the system and a method for evaluating the medicine using the system.例文帳に追加
潅流方式を利用して簡単にそしてより高精度に薬剤の作用を評価することが可能な生体内薬剤濃度シミュレーションシステム、及びそのシステムに用いるデバイス、及びこのシステムを利用した薬剤の評価方法を提供する。 - 特許庁
To provide an optical component measurement method and an optical component measurement apparatus, for accurately obtaining a measurement result, by accurately calculating the influence to the spectrum of detection light by the concentration of a constituent to be measured by a statistical probability simulation.例文帳に追加
確率統計的なシミュレーションにより測定対象成分の濃度による検出光のスペクトルへの影響を正確に計算することができ、正確な測定結果を得ることのできる光学的成分測定方法および装置を提供する。 - 特許庁
The method for calculating the carburizing and quenching hardness includes calculating the hardness after the quenching on the basis of the following formula from the carbon concentration and martensite volume fraction calculated as the analysis result by carburizing and quenching simulation for the component to be carburized and quenched.例文帳に追加
浸炭焼入れ硬度の算出方法であって、浸炭焼入れ部品についての浸炭焼入れシミュレーションによる解析結果として求められた炭素濃度およびマルテンサイト体積分率から、前記焼入れ後の硬度を、次式に基づいて算出する。 - 特許庁
An ion injection simulation method includes: calculating a reinjection dose injected into a structure formed on a substrate and reinjected from a side face of the structure to the substrate; and calculating concentration distribution of impurities injected into the substrate from a distribution function and reinjection conditions of the reinjection dose.例文帳に追加
基体上に形成された構造体に注入され、構造体の側面から基体に再注入される再注入ドーズを算出し、分布関数と再注入ドーズの再注入条件とから、基体に注入される不純物の濃度分布を算出するイオン注入のシミュレーションを行う。 - 特許庁
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