例文 (22件) |
carbon ion implantationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 22件
METHOD OF REMOVING RESIST ON WHICH CARBON LAYER IS FORMED BY ION IMPLANTATION例文帳に追加
イオン注入によりカーボン層が形成されたレジストの除去方法 - 特許庁
In the carbon layer formation step, a carbon layer is formed on the substrate surface to which the ion is implanted by the ion implantation step.例文帳に追加
前記カーボン層形成工程では、前記イオン注入工程でイオンが注入された基板の表面にカーボン層を形成する。 - 特許庁
A carbon film 7 is formed on the n-type drift layer 2 and the ion implantation layer 6 through spattering method, and then, activating anneal is effected under a condition that the n-type drift layer 2 and the ion implantation layer 6 are covered by the carbon film 7 to change the ion implantation layer 6 into a p-type well region 8.例文帳に追加
n型ドリフト層2及びイオン注入層6の上に、スパッタ法によりカーボン膜7を形成し、カーボン膜7でn型ドリフト層2及びイオン注入層6を覆った状態で、活性化アニールを行なって、イオン注入層6をp型ウェル領域8に変化させる。 - 特許庁
The fibrous carbon 5 is formed by implanting a catalytic metal ion 4 on the fixed position of the surface of a substrate 1 using the ion implantation method, the focused ion beam method or the single ion implantation method and using a catalytic metal as a catalyst.例文帳に追加
イオン注入法、集束イオンビーム法又はシングルイオン注入法のいずれかによって、触媒金属イオン4を基板1表面上の所定位置に注入し、触媒金属を触媒として繊維状カーボン5を形成する。 - 特許庁
The three-dimensional plasma-based ion implantation/deposition method comprises a step for forming an ion implantation layer on the surface of the packing body 1 by ion implantation of a hydrocarbon gas and a fluorine gas in plasma and a step for forming the diamond-like carbon thin film on the ion implantation layer by ion deposition of the hydrocarbon gas and the fluorine gas in plasma.例文帳に追加
三次元プラズマイオン注入成膜法は、炭化水素ガスおよびフッ素ガスのプラズマ中でのイオン注入によりパッキン本体1の表面にイオン注入層を形成する工程と、炭化水素ガスおよびフッ素ガスのプラズマ中でのイオン成膜によりイオン注入層上にダイヤモンド・ライク・カーボン薄膜を形成する工程とを含む。 - 特許庁
To provide an ion implantation method in which a carbon ion implantation current higher than 10 mA is achieved stably with high efficiency, and to provide a method of manufacturing silicon carbide utilizing the same method.例文帳に追加
安定的に高効率で、10mA以上の炭素イオン注入電流を実現することができるイオン注入方法、及びそれを利用した炭化シリコンの製造方法を提供する。 - 特許庁
An oxide film 17 is formed on the surface of an electrode 15 and ion implantation is carried out in the surface of the oxide film 17 to form a carbon-enriched ion implanted film 18.例文帳に追加
電極15の表面には酸化膜17を成膜し、酸化膜17の表面にイオン注入を行ってカーボンリッチ状態のイオン注入膜18とした。 - 特許庁
To provide a sliding member having a hard carbon film which is formed so as to acquire a reliably enhanced adhesiveness to particularly a steel substrate, when the hard carbon film is formed by ion implantation, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加
イオン注入法を用いた硬質炭素膜の形成において、特に鋼の基材に対しても硬質炭素膜の付着性を確実に高められるようにする。 - 特許庁
At least one of fluorine (F) and carbon (C) is subjected to ion implantation onto an Si substrate 1 to form a diffusion preventive layer 21.例文帳に追加
Si基板1に、フッ素(F)および炭素(C)のうち、少なくともいずれか一方をイオン注入して拡散抑止層21を形成する。 - 特許庁
The sealant is obtained by coating the surface of a packing body 1 formed from a rubber with a diamond-like carbon thin film by using a three-dimensional plasma-based ion implantation/deposition method.例文帳に追加
三次元プラズマイオン注入成膜法を用いて、ゴムにより形成されるパッキン本体1の表面をダイヤモンド・ライク・カーボン薄膜で被覆する。 - 特許庁
Carbon, nitrogen, argon, etc., are ion-implanted into a concavely curved surface, thereby improving the surface hardness and flattening the surface of the plastic disk substrate 1 by the buildup of the substrate surface caused as a result of the ion implantation.例文帳に追加
その凹状に湾曲した表面に、カーボン、窒素、アルゴン等をイオン注入して、表面硬度を改善するとともに、そのイオン注入の結果生じる基板表面の盛り上がりで、プラスチックディスク基板1の表面を平坦化する。 - 特許庁
The present method includes ion implantation of carbon C into one of the following element regions i.e. a collector region, subcollector region, external base region, and collector-base junction region.例文帳に追加
本発明の方法は、以下の素子領域、すなわちコレクタ領域、サブコレクタ領域、外部ベース領域、およびコレクタ−ベース接合領域の1つへの、炭素、Cのイオン打込みを含む。 - 特許庁
Ions of at least one of oxygen(O), silicon(Si) and carbon(C) are introduced into the vicinity of a bottom in the non-defect layer 13 by ion implantation to form a gettering region 14.例文帳に追加
無欠陥層13内の底部付近に、酸素(O)、シリコン(Si)及び炭素(C)のうちの少なくとも1つをイオン注入によって導入することで、ゲッタリング領域14を形成する。 - 特許庁
The manufacturing method is provided with an ion implantation process for implanting carbon ions 40 at least to a tip part of an emitter 18 after forming the emitter 18 mainly composed of silicon.例文帳に追加
この製造方法は、シリコンを主成分とするエミッタ18の形成後に少なくともエミッタ18の先端部に炭素イオン40を注入するイオン注入工程を備えている。 - 特許庁
Since the gettering layer 12 formed of the carbon diffusion layer is formed on a surface of a silicon wafer W, formation of the gettering layer 12 in contact with the epitaxial film 11 which is difficult by a conventional carbon ion implantation method is facilitated.例文帳に追加
シリコンウェーハWの表面には、炭素拡散層からなるゲッタリング層12が形成されているので、従来の炭素イオン注入法では困難であった、エピタキシャル膜11に接してのゲッタリング層12の形成が容易となる。 - 特許庁
The single crystal Si substrate 10 and a quartz substrate 20 having carbon concentration of 100 ppm or above are stuck and an external impact is applied to the vicinity of the ion implantation damage layer 11 thus exfoliating an Si crystal film along the hydrogen ion implantation interface 12 of the single crystal Si substrate 10 in the substrates stuck together.例文帳に追加
この単結晶Si基板10と炭素濃度100ppm以上を含有する石英基板20を貼り合わせ、イオン注入ダメージ層11近傍に外部衝撃を付与することで、貼り合せ基板の単結晶Si基板10の水素イオン注入界面12に沿ってSi結晶膜を剥離する。 - 特許庁
Excess carbon atom 2 is supplied among each single-layer graphite 3a in an ion implantation method, and the like; and when the distance between each single-layer graphite is compressed at heating, the supplied surplus carbon atom 2 is subjected to chemical bonding with a carbon atom 1, which constitutes the single layer graphite 3a on upper and lower sides.例文帳に追加
イオン注入などの方法により単層グラファイト3a間に余剰炭素原子2を供給し、加熱しつつ単層グラファイト間距離を圧縮すると、供給された余剰炭素原子2は、上下の単層グラファイト3aを構成する炭素原子1と化学結合される。 - 特許庁
To provide a method for producing a base material for carbon nanotube production, in which growth nuclei of a catalytic element are formed while using an ion implantation method, a method for producing carbon nanotubes using the base material, a semiconductor device, and a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加
イオン注入法を用いつつ触媒元素の成長核が形成されたカーボンナノチューブ製造用基材の製造方法、この基材を用いたカーボンナノチューブの製造方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
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