「double diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The drain of the transistor 19 has a double diffusion construction which is composed of a first P-type drain diffusion layer 5d and a second P-type drain diffusion layer 11d.例文帳に追加

トランジスタ１９のドレインは第１Ｐ型ドレイン拡散層５ｄと第２Ｐ型ドレイン拡散層１１ｄからなる二重拡散構造を備えている。 - 特許庁

To provide a double work function doping and a borderless array diffusion contact.例文帳に追加

２重仕事関数ドーピング及びボーダレス・アレイ拡散コンタクトを提供すること。 - 特許庁

LATERAL DOUBLE-DIFFUSION FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND INTEGRATED CIRCUIT HAVING SAME例文帳に追加

横型二重拡散型電界効果トランジスタおよびそれを備えた集積回路 - 特許庁

To improve directivity and diffusion effect for high frequencies in a full-range type double cone speaker.例文帳に追加

フルレンジ型ダブルコーンスピーカでの高域の指向特性及び分散効果を改善する。 - 特許庁

One of the source/drain of each of the above-mentioned double diffusion type transistors is individually formed in each transistor, and the n double diffusion type transistors share the other source/drain.例文帳に追加

前記各二重拡散トランジスタのソース／ドレインのうちの一つは各トランジスタに個別的に形成され、他の一つのソース／ドレインは前記ｎ個の二重拡散トランジスタが共有する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING FINE PATTERN OF SEMICONDUCTOR DEVICE BY MEANS OF DOUBLE PATTERNING PROCESS UTILIZING ACID DIFFUSION例文帳に追加

酸拡散を利用するダブルパターニング工程による半導体素子の微細パターン形成方法 - 特許庁

A liquid crystal display panel 12 is adhered and fixed to the diffusion sheet 10 through a double coated tape 16.例文帳に追加

液晶表示パネル１２は、両面テープ１６を介して拡散シート１０に接着されて固定される。 - 特許庁

To provide a dopant diffusion barrier of a double layer, where a barrier layer to block internal diffusion is provided, diffusion of a dopant is blocked, even in the if there is absence of p-n junction formation, and thin-type does not prevent flow of current.例文帳に追加

内部拡散を阻止するバリヤ層を備え、ｐｎ接合の形成がなくてもドーパントの拡散を阻止でき、薄型であるために電流の流れを妨げることのない２重層のドーパント拡散バリアを提供する。 - 特許庁

At this time, the p-type diffusion layers 31, 32 are formed in double diffusion construction, and impurity concentrations of front surface of the base region and its neighboring region become high.例文帳に追加

このとき、Ｐ型の拡散層３１、３２は二重拡散構造となり、ベース領域の表面及びその近傍領域の不純物濃度が高濃度となっている。 - 特許庁

When forming the diffusion layer region 5 separated by an element isolation region, the diffusion layer region 5 is formed separately in two stages by using a double exposure technique.例文帳に追加

素子分離領域によって分離された拡散層領域５を形成する際に、２重露光技術を用いて拡散層領域５を２段階に分けて形成する。 - 特許庁

To provide a high-voltage transistor whose source/drain diffusion region can become a double diffusion drain junction structure, without forming a space oxide film by using a silicon nitride film as a protection film at impurity implantation, and for which the source/drain diffusion region of a more stabilized double diffusion structure can be formed by a one-time pattern process and an ion implantation process.例文帳に追加

高電圧用トランジスタの製造方法においてシリコン窒化膜を不純物注入時に防護膜とすることによってスペース酸化膜を形成しなくてもソース／ドレイン拡散領域を二重拡散ドレインジャンクション構造とし一度のパターン工程及びイオン注入工程により安定した二重拡散構造のソース／ドレイン拡散領域を形成する。 - 特許庁

The wafer is bisected along a center line 21 of a nondiffusing layer 20, and a diffusion wafer 22a having a double-layer structure of the high concentration impurity diffusion layer 19 and the nondiffusing layer 20 is formed as two wafers.例文帳に追加

そして、非拡散層２０の中央線２１に沿って二分割し、高濃度不純物拡散層１９と非拡散層２０の２層構造の拡散ウェーハ２２ａを２枚に形成する。 - 特許庁

To provide a joint structure of a fire-proof double-layer pipe which prevents diffusion of smoke generated at a fire site at the beginning of the fire through the fire-proof double-layer pipe.例文帳に追加

火災初期に火災現場で発生する煙が耐火二層管を介して他の区画へ放散することを防止することができる耐火二層管の接合部構造を提供する。 - 特許庁

To provide a light diffusion sheet having favorable light diffusion and light transmission and capable of preferably suppressing generation of ghost or double images or scintillation even when the sheet is used for a Fresnel lens.例文帳に追加

良好な光拡散性と光透過性を有し、フレネルレンズに使用した際にも、ゴースト及び二重像の発生やシンチレーションをより良好に抑制しうる光拡散性シートを提供すること。 - 特許庁

In addition, source/drain of a MOS transistor in the memory cell part are made into double diffusion layer structure 5, 6, and source/drain of the MOS transistor in the peripheral circuit part are made into triple diffusion layer structure 5, 6, 7.例文帳に追加

また、メモリセル部におけるＭＯＳトランジスタのソース／ドレインを二重拡散層構造５，６とし、周辺回路部におけるＭＯＳトランジスタのソース／ドレインを三重拡散層構造５，６，７にする。 - 特許庁

In the vertical MOS semiconductor device 1, a source region is formed of double diffusion structures 5 and 6 of different impurity concentrations.例文帳に追加

本発明の縦型ＭＯＳ半導体装置１では、ソース領域を不純物濃度の異なる二重拡散構造５、６により形成する。 - 特許庁

An Nch-DMOS(N-channel double diffusion metal oxide semiconductor) ND1 of common gate configuration is used for a high breakdown voltage resistor to transfer the current signal to a low side.例文帳に追加

その電流信号を、ゲート接地構成のＮｃｈ−ＤＭＯＳトランジスタＮＤ１を高耐圧抵抗として用いてローサイドに伝達する。 - 特許庁

In a structure of the lateral double diffusion MOS transistor formed on a p-type semiconductor substrate 7, a high concentration p-type diffusion layer 10 serving as an electrode of a low concentration p-type well layer 11 is formed in contact with a high concentration n-type diffusion layer 9 serving as a source region.例文帳に追加

ｐ型半導体基板上７に形成された横型二重拡散ＭＯＳトランジスタを構成において、ソース領域となる高濃度ｎ型拡散層９に接するように、低濃度ｐ型ウエル層１１の電極となる高濃度ｐ型拡散層１０を形成する。 - 特許庁

In the transistor array, an epitaxial layer is formed on a semiconductor substrate, and n double diffusion DMOS transistors (Trs) are horizontally arranged on the epitaxial layer.例文帳に追加

このトランジスタアレイは、半導体基板上にエピタキシャル層が形成され、エピタキシャル層にｎ個の二重拡散トランジスタＤＭＯＳ Ｔｒ．が横に配列される。 - 特許庁

To provide a backlight device of a direct-under-diffusion plate type in which brightness unevenness can be eliminated simply even if the backlight device is constituted as a double-sided backlight device.例文帳に追加

バックライト装置が両面バックライト装置として構成される場合についても、簡易に輝度ムラを解消できる直下方式のバックライト装置を提供する。 - 特許庁

To provide a double-sided input type thin film solar cell for realizing a high efficiency by suppressing the increase of a serial resistance and improving the diffusion length of a carrier.例文帳に追加

直列抵抗の増大を抑えて、キャリヤの拡散長を改善して高効率を実現した両面入力型薄膜太陽電池を提供する。 - 特許庁

The semiconductor relay employing a vertical double diffusion MOSFET comprises a first epitaxial layer formed on a substrate, a second epitaxial layer formed on the first epitaxial layer with higher density than the first epitaxial layer, a vertical double diffusion MOSFET formed on the first and second epitaxial layers, and a floating field ring formed around the vertical double diffusion MOSFET at the boundary of the first and second epitaxial layers.例文帳に追加

縦型２重拡散ＭＯＳＦＥＴを用いた半導体リレーにおいて、基板上に形成された第１のエピタキシャル層と、この第１のエピタキシャル層上にさらに形成され第１のエピタキシャル層よりも濃度の高い第２のエピタキシャル層と、第１及び第２のエピタキシャル層上に形成された縦型２重拡散ＭＯＳＦＥＴと、縦型２重拡散ＭＯＳＦＥＴの周囲であって第１及び第２のエピタキシャル層の境界部分に形成されたフローティングフィールドリングとを設ける。 - 特許庁

In this gas diffusion tower, a diffusion pipe is formed into a double pipe structure consisting of a fixed inner cylinder pipe and an outer cylinder pipe provided on the outside of the inner cylinder pipe so as to be longitudinally liftable, so that the diffusion pipe is expanded and contracted by sliding the outer cylinder pipe upward and downward relative to the inner cylinder pipe.例文帳に追加

放散管を、固定された内筒管と該内筒管の外側に長手方向昇降自在に設けられた外筒管とからなる二重管構造とし、前記外筒管が前記内筒管に対してスライド昇降することにより放散管が伸縮する構成としたことを特徴とするガス放散塔である。 - 特許庁

The shapes wrapping around the overhanging part 21 are imparted to the gas diffusion layers 14, 15 by forming a double-layered structure in which a separator side gas diffusion layer 25 provided with an opening 27 to house the overhanging part 21 therein is overlapped to an ion-exchange membrane side gas diffusion layer 26, or by forming a concavity 28 to house the overhanging part 21.例文帳に追加

張出し部２１を包み込む形状は、張出し部２１が収められる開口部２７を設けたセパレータ側ガス拡散層２５をイオン交換膜側ガス拡散層２６に重ね合わせる二層構成、或いは張出し部２１を収容する陥没部２８を形成することにより、ガス拡散層１４，１５に付与される。 - 特許庁

To provide a polyester film suitable for the substrate of a light diffusion plate for a liquid crystal display device which is highly transparent and excels in adhesion to a double side acrylic resin.例文帳に追加

高透明であり、かつ両面アクリル樹脂に対する接着性が優れた、液晶表示装置光拡散板用の基板として好適なポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a vertical double diffusion MOS transistor in a trench gate structure, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device capable of simplifying a manufacturing process.例文帳に追加

製造工程を簡素化することができる、トレンチゲート構造の縦型二重拡散ＭＯＳトランジスタを有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The light diffusion reflective window 1 provided with double glazing 2 comprising a plurality of glass panes 3, 4 has a diffusion reflecting body 7 for reflecting a part or the whole of incident light and diffusing outgoing light, interposed between the glass panes 3, 4.例文帳に追加

複数のガラス板３，４からなる複層ガラス２を備える光拡散反射型窓１であって、ガラス板３，４の間に、入射光の一部又は全部を反射させるとともに出射光を拡散させる拡散反射体７が介在されている。 - 特許庁

Thus, an FD(Floating Diffusion) section 20 of the linear image sensor 12 to which the reset pulse with the double period is supplied stores electric charges for a time longer than the period of the charge transfer pulse and a charge storage section outputs a high voltage for a double updated period.例文帳に追加

したがって、２倍の周期のリセットパルスを供給されたリニアイメージセンサ１２のＦＤ部２０では、電荷転送パルスの周期より長い時間、電荷が蓄積され、電荷蓄積部からは高い電圧が、２倍の更新周期で出力される。 - 特許庁

To provide a method of increasing a capacitance of an electrode constituting an electric double layer capacitor in which a simple device can be used under atmospheric pressure, and ion diffusion resistance is not affected when the electrode constituting the electric double layer capacitor is assembled as a capacitor cell.例文帳に追加

電気二重層キャパシタを構成する電極の静電容量を増加する方法として、大気圧下で簡便な装置を用いて行うことができ、キャパシタセルとした時にイオンの拡散抵抗に影響を及ぼさない方法を提供する。 - 特許庁

A membrane case 5 accommodating a membrane cartridge 4 at the inside is disposed in a tank in the hung down state and the diffusion case 7 engaged with the membrane case 5 at an double-overlapped structure is vertically slidably provided.例文帳に追加

内部に膜カートリッジ４を収納した膜ケース５を槽内に吊り下げて配置し、膜ケース５に二重構造状に嵌合する散気ケース７を上下に摺動自在に設けた。 - 特許庁

The substrate 43a is formed of an inorganic material having satisfactory transparency such as a flat glass or a resin material having satisfactory transparency, is free from the generation of double reflection, and hardly has diffusion effect.例文帳に追加

基板４３ａは、平板ガラス等の透過性の良い無機材料や、透過性の良い樹脂材料で形成されており、複屈折が発生せず拡散効果がほとんどない。 - 特許庁

A sensitivity of the target function is drawn out (step S23), a double well type potential f(ϕ) is drawn out, and reaction diffusion equation is solved by a finite volume method (step S24).例文帳に追加

そして、目標関数の感度を導出し（ステップＳ２３）、また二重井戸型ポテンシャルｆ（φ）を導出して、反応拡散方程式を有限体積法により解く（ステップＳ２４）。 - 特許庁

The lateral double-diffused MOS transistor has a first conductivity type drift region 2 provided on a second conductivity type semiconductor substrate 1, and a body diffusion region 3 formed on the surface thereof.例文帳に追加

第２導電型の半導体基板１上に設けられた第１導電型のドリフト領域２と、その表面に形成された第２導電型のボディ拡散領域３を備える。 - 特許庁

To provide an inverse level shift circuit at a low cost with excellent reliability without using a Pch-DMOS(P-channel Double diffusion Metal Oxide Semiconductor) transistor that is configured on the same semiconductor substrate as a level shift circuit.例文帳に追加

Ｐｃｈ−ＤＭＯＳトランジスタを使用せず、かつ、レベルシフト回路と同一半導体基板上に構成することで低コストで信頼性に優れた逆レベルシフト回路を提供する。 - 特許庁

Moreover, since the thickness of the sodium diffusion limiting film 32 itself is set so that the reflectivity of the sodium diffusion limiting film 32 equals the reflectivity of the glass substrate 24, reflections at the surface of the entire reflector 10 are reduced whereby formation of double images due to surface reflections can be reduced or prevented.例文帳に追加

しかも、ナトリウム拡散制限皮膜３２自体も反射率がガラス基盤２４の反射率と同等となるようにその厚さが設定されるため、反射鏡１０全体として表面反射が軽減され、表面反射による二重像の発生を軽減或いは防止できる。 - 特許庁

During indoor air conditioning the air- conditioning air flows oppositely to that during heat storage as illustrated by an arrow (b) and is diffused into an indoor space through an air diffusion outlet in the floor panel member from the double floor space 8.例文帳に追加

室内空調時には（ｂ）の矢印に示すように、蓄熱時とは逆向きに空調エアを流動させて、当該二重床スペース８から床パネル材のエア吹出口を通じて室内空間へ放出する。 - 特許庁

Thus, this pull-up transistor array can output a signal of high voltage and high current, an element isolation region is not required between the double diffusion transistors, and therefore an element can be integrated highly.例文帳に追加

これによって、このプルアップトランジスタアレイは高電圧及び高電流の信号を出力することができ、二重拡散トランジスタの間に素子分離領域が要求されないので、素子を高集積化することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method of semiconductor device, increasing the voltage endurance between source and drain regions in an ON state without increasing the ON resistance of a lateral double-diffusion MOS transistor.例文帳に追加

横型二重拡散ＭＯＳトランジスタのオン抵抗を上昇させることなく、オン状態でのソース-ドレイン領域間の耐圧を向上できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate and a method of manufacturing the same, in which diffusion of carriers in a double-hetero-structure is suppressed by reducing defects of the double-hetero-structure to uniform an in-plane carrier concentration distribution, thereby manufacturing a light emitting element having small variance in light emission lifetime and a long lifetime.例文帳に追加

ダブルヘテロ構造での欠陥を減少させることで、ダブルヘテロ構造中にキャリアが拡散することを抑制して面内キャリア濃度分布を均一なものとでき、これによって発光寿命のバラツキが小さく、かつ長寿命な発光素子を製造することのできる化合物半導体基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To produce an effect equivalent to a double window made of glass and to raise the degree of diffusion to contribute to energy saving by using a hollow heat insulating structure low in cost and lightweight with high heat insulating efficiency.例文帳に追加

安価で軽量で断熱効率が大きい中空な断熱構造体を用いることにより、ガラス製の二重窓と同等の効果をもたらし、普及度を高め省力エネルギ−に貢献する室内用二重窓を提供する。 - 特許庁

In a core loaded with a spontaneous neutron type nuclear fuel assembly designed based on a simplified equation of a diffusion equation including spontaneous neutrons, a cooling system in a conventional BWR is changed from a double-phase flow of water into gaseous steam.例文帳に追加

従来のBWRでの冷却方式を水のニ相流から気体の水蒸気にし、自発中性子入り拡散方程式の簡略式に基づいた設計の自発中性子型核燃料集合体を装荷せる炉心にする。 - 特許庁

The image processing unit performs the binarization conversion of a multiple-tones image data into a double-tones image data, consisting of a first tone value and a second tone value (the first tone value < the second tone value), using an error diffusion method or an average error minimization method.例文帳に追加

多階調画像データを、誤差拡散法または平均誤差最小法を用いて、第１階調値および第２階調値（第１階調値＜第２階調値）からなる２階調画像データに２値化変換する画像処理装置である。 - 特許庁

Thereby, unnecessary diffusion in the surface part of the light transmission plate in contact with the double tape 4 is suppressed, such irregular luminance that a part of the light emitting face 12 is excessively bright can be prevented, and uniform luminance can be obtd.例文帳に追加

これにより、両面テープ４と接触している導光板表面部分での不要な拡散が抑えられ、出射面１２の一部が以上に明るくなるような輝度むらが発生することなく、均一な輝度を呈することが可能となる。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an electric double layer capacitor electrode capable of reinforcing the molding of an electrode, preventing the generation of cracks, lowering the diffusion resistance of ions, increasing capacitance at a high current density, and manufacturing a large-sized electrode.例文帳に追加

電極の成形体を補強しクラック、われの発生を防止し、イオンの拡散披抗を下げ、高電流密度における静電容量を増加させ、大型の電極の作製が可能となる電気二重層コンデンサ電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

A lower layer 31 inserted between the upper layer 32 and a multilayered film 20 has a double structure comprising two or more diffusion prevention layers, and prevents a component metal constituting the upper layer 32 from diffusing to the multilayered film 20 side.例文帳に追加

上部層３２と多層膜２０との間に挿入された下部層３１は、２層以上の拡散防止膜からなる２重構造を有しており、上部層３２を構成する成分金属が多層膜２０側に拡散することを防止している。 - 特許庁