例文 (141件) |
defect evaluationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 141件
Brightness data of each pixel of a point defect or a strain defect having a smaller area than an irregular defect in the image data acquired in the inspection image acquisition process is replaced with an interpolation value based on brightness data of a peripheral pixel, to thereby repair the non-evaluation object defect species (point/strain defect repair process ST200).例文帳に追加
検査画像取得工程にて取得された画像データ中でムラ欠陥よりも面積が小さい点欠陥、シミ欠陥の各画素の輝度データを周囲の画素の輝度データに基づく補間値で置き換えてこの非評価対象欠陥種を修補する(点・シミ欠陥修補工程ST200)。 - 特許庁
An evaluation function including the defect ratio and the covering rate as independent variables is set as an evaluation amount for quality decision, and an evaluation function value is set to be equal to a predetermined constant value or a designation value at the time of the evaluation to calculate an evaluation reference line on the state plane.例文帳に追加
品質判定のための評価量として、不良比率及び網羅率を独立変数として含む評価関数を設定した上で、評価関数値を予め決められた一定値又は評価時の指定値に等しいとおいて、状態平面上での評価基準線を算出する。 - 特許庁
To provide an evaluation method for a flake defect of a steel material allowing efficient and objective detection.例文帳に追加
効率的かつ客観的に検出することが可能な鋼材の白点性欠陥の評価方法を提供する。 - 特許庁
The evaluation method for a semiconductor wafer evaluates optically a defect of a semiconductor wafer by a copper deposition method.例文帳に追加
半導体ウェーハの欠陥を銅デポジション法により光学的に評価する半導体ウェーハの評価方法。 - 特許庁
The product is image-photographed, and is template-matched using the template 104 with the defect pattern as the template, and the presence of the defect is determined based on an evaluation value by the matching.例文帳に追加
製造物を画像撮影し、欠陥パターン付きテンプレート104をテンプレートとしてテンプレートマッチングを行い、マッチングさせた評価値から欠陥の有無を判定する。 - 特許庁
An evaluation part 81 evaluates the presence of the defect in the inspection portion of the infrared cut-off filter 10, based on a digital image obtained therein, and records a state of the defect such as a position and a size a shape of the defect, in an HDD 82, when the defect exists.例文帳に追加
このとき得られるデジタルな画像をもとに、評価部81は赤外カットフィルタ10の検査部分に欠陥があるか否かを評価し、欠陥がある場合には、その欠陥の位置、大きさ、形状などの欠陥の状態をHDD82に記録する。 - 特許庁
A trace of laser (group) on a standard sample which is a semiconductor substrate formed the trace of laser (group) thereon is detected optically as a pseudo defect on a scattering light image, and the detected pseudo defect is used as an evaluation reference to perform the evaluation.例文帳に追加
表面にレーザー痕(群)が形成された半導体基板である標準試料上の該レーザー痕(群)を散乱光画像において擬似欠陥として光学的に検出し、検出された擬似欠陥を評価基準として、前記評価を行う。 - 特許庁
As in a case that a defect required to be corrected has been found but the defect is hardly located with a correction device as a result of an inspection by an image quality evaluation device, a positioning mark is formed.例文帳に追加
像質評価装置により検査を行った結果、修正すべき欠陥が発見されたがその位置の特定が修正装置では困難な場合に、位置合わせ用マークを形成する。 - 特許庁
To evaluate a crystal defect highly accurately without cleaning a semiconductor substrate surface, in evaluation of the crystal defect in the semiconductor substrate using cathode luminescence.例文帳に追加
カソードルミネッセンスを用いた半導体基板中の結晶欠陥の評価において、半導体基板表面のクリーニングをせずに高精度に結晶欠陥を評価することを可能にする。 - 特許庁
To provide a defect evaluation method for a structure capable of obtaining a residual stress inside the structure relating to the growth of a crack.例文帳に追加
亀裂の進展に関する構造物内部の残留応力を求め得る構造物の欠陥評価方法を提供すること。 - 特許庁
To enable quantitative evaluation independent of intuition of a worker, great cost reduction required for inspection, and the inspection of a deep defect.例文帳に追加
作業者の勘に頼らない定量的な評価、検査に要するコストの大幅な削減、深い欠陥の検査を可能にする。 - 特許庁
To provide a display defect evaluation apparatus accurately evaluating defects of display devices such as liquid crystal panels.例文帳に追加
液晶パネルなどの表示装置の欠陥評価を精度良く行うことができる表示欠陥評価装置を提供すること。 - 特許庁
Since the integrated value for the small interval detecting the defect and a small interval immediately, before the small interval is made invalid by the extended defect detecting signal, the averaged evaluation value can be obtained, without being influenced by the defect on the disk.例文帳に追加
引き延ばされた欠陥検出信号により、欠陥が検出された小区間と、その小区間の直前の小区間の積算値が無効とされるため、ディスク上の欠陥の影響を受けることなく、平均化評価値を得ることができる。 - 特許庁
Alternative recording is allowed in a spare area during data recording by forming a defect 12 in a data area of an optical disk 10 for evaluation.例文帳に追加
評価用光ディスク10のデータ領域に欠陥12を形成し、データ記録時にスペア領域に代替記録されるようにする。 - 特許庁
Date obtained by using various kinds of lighting systems are compressed and stored by using a computer and the evaluation of a stringing defect is carried out.例文帳に追加
各種照明装置を用いて得られるデータを、計算機を用いて圧縮して記憶すると共に、架線欠陥の評価を行う。 - 特許庁
To realize an evaluation device for measuring the defective state of a defect of a semiconductor device identified based on optical beam induced current (OBIC) phenomenon or the like or the state of a minute area surface including the defect.例文帳に追加
OBIC現象等に基づいて同定した半導体デバイスの欠陥の欠損状態や、欠陥を含む微小領域表面の状態などを測定する評価装置を実現する。 - 特許庁
When the surface defect inspecting device detects the surface defect of the wafer and it is decided through the evaluation of the sensor data that the sensor data are abnormal, it is decided that the coating development processing equipment is abnormal.例文帳に追加
そして、表面欠陥検査装置によりウェハの表面欠陥が検出され、なおかつセンサデータの評価によりセンサデータが異常と判定された場合に、塗布現像処理装置を異常と判定する。 - 特許庁
The defect evaluation means 6 includes a mold correction evaluating section 63 that deems the defect as a mold correction spot, on the basis of defect information including a defect position at the previous time, wherein the mold correction spot information regarding the mold correction spot evaluated thereby is registered in a mold correction spot information storing section 83.例文帳に追加
欠陥評価手段6には、前回での欠陥位置を含む欠陥情報に基づいて当該欠陥を型修正箇所とみなす型修正評価部63と、これによって評価された型修正箇所に関する型修正箇所情報が型修正箇所情報格納部83に登録される。 - 特許庁
To carry out the evaluation of the defect inspection or the like of a test piece having a pattern of a minimum line width of 0.2 μ or less by using a multiple beam at high throughput.例文帳に追加
最小線幅0.2ミクロン以下のパターンを有する試料の欠陥検査等の評価を、マルチビームを用いて高スループットで行なう。 - 特許庁
To rapidly evaluate a defect based on measurement data even in cases where a measurement place of eddy-current flaw detection is apart from an evaluation place therefor.例文帳に追加
渦電電流探傷の測定場所と評価場所が離れている場合においても、測定データから迅速に欠陥評価を可能とする。 - 特許庁
In the evaluation region of an SOI layer 3, a silicide region 8 corresponding to a crystal defect generated in the SOI layer 3 is formed.例文帳に追加
SOI層3の評価領域内には、SOI層3内に発生した結晶欠陥に対応するシリサイド領域8が形成されている。 - 特許庁
To provide an evaluation method of a resist pattern in which the frequency of occurrence of resist collapse, i.e. a defect occurring in a resist pattern, is measured accurately.例文帳に追加
レジストパターンにおいて発生する欠陥であるレジスト倒れの発生頻度を正確に計測する、レジストパターンの評価方法を提供する。 - 特許庁
To provide a surface defect evaluation method of silicon wafers capable of simply detecting the regions where minute crystal defects exist.例文帳に追加
簡便に微小な結晶欠陥の存在する領域を検出することが可能なシリコンウェーハの表面欠陥評価方法を提供する。 - 特許庁
A state plane including the defect ratio and the covering rate is set in an evaluation arithmetic means 4, and the quality of the inspection target is specified as a coordinate point on the basis of the defect rate and the covering rate after the measurement.例文帳に追加
そして、評価演算手段4において、不良比率と網羅率を含む状態平面を設定し、計測後の不良率及び網羅率に基づき検査対象の品質を座標点として特定する。 - 特許庁
A known standard defect 9 is provided in a sample 2, the defect appearing on a surface of the sample 2 is detected, and prescribed processing recipe evaluation information that varies in response to difference in a processing recipe used in the prescribed production process is acquired, based on a detection result of the standard defect 9.例文帳に追加
試料2に既知の標準欠陥9を設けて、試料2の表面に現れる欠陥を検出し、所定の製造プロセスで使用された処理レシピの相違に応じて変化する所定の処理レシピ評価情報を、標準欠陥9の検出結果に基づいて取得する。 - 特許庁
The difference between the value obtained by multiplying the dimension A1 of the evaluation pattern 11 by the ratio of the dimension B2 to the dimension B1, and the dimension A2 of the reference pattern 11s is calculated as the defect size of the evaluation pattern 11.例文帳に追加
寸法B1に対する寸法B2の比率を評価用パターン11の寸法A1に乗算した値と基準パターン11sの寸法A2との差分を、評価用パターン11の欠陥サイズとして算出する。 - 特許庁
An evaluation value computing section computes the defect rate during assembly and the defect rate after shipment based on supply record information and information on defects found during assembly and that found after shipment acquired by an acquisition means 2, and computes the faulty evaluation value of the components based on those defect rate.例文帳に追加
評価値算出部によって、取得手段2によって取得される納入実績情報、組立時発見不良情報および出荷後発見不良情報に基づいて、組立時における部品の不良発生率および出荷後における部品の不良発生率が算出され、またこれらの各不良発生率に基づいて、部品の不良評価値を算出される。 - 特許庁
To provide an evaluation pattern-generating method of a semiconductor memory, in which the defect can be effectively detected, and to provide a signal-obtaining tool suitable for the same.例文帳に追加
不良検出を効果的に行うことが可能な半導体メモリの評価パターン生成方法とそれに好適な信号取得治具を提供する。 - 特許庁
To provide a pattern evaluation method and a pattern evaluation device, capable of matching an objective pattern to a reference pattern with high accuracy in the pattern measurement using an SEM image, even when the pattern of the measurement object includes a relatively large defect.例文帳に追加
SEM画像を利用したパターン計測において、計測対象のパターンに比較的大きな欠陥が含まれている場合でも、基準パターンとのマッチングを高精度に実施することができるパターン評価方法及びパターン評価装置。 - 特許庁
The surface defect inspection device comprises: the illumination part 3 equipped with a plurality of light emission elements 30; the imaging camera 4 for photographing the inspection part illuminated by the irradiation light by the illumination part 3; and the defect evaluation means for detecting the defect on the inspection surface by evaluating the output signal of the imaging camera 4.例文帳に追加
複数の発光素子30を有する照明部3と、この照明部3による照射光によって照明された被検査面を撮像する撮像カメラ4と、撮像カメラ4の出力信号を評価して被検査面における欠陥を検知する欠陥評価手段とを備えた表面欠陥検査装置。 - 特許庁
The presence of the defect is thereby determined directly based on the evaluation value, and the same type of product is inspected quickly without executing the precision inspection.例文帳に追加
これにより、評価値から欠陥の有無を直接判定することができ、精密検査を行うことなく、素早く次の同じ型の製造物を検査することができる。 - 特許庁
To provide an evaluation method of a semiconductor device capable of accurately monitoring the variations in a local region and efficiently executing the cause analysis of product defect occurrence.例文帳に追加
局所領域のばらつきを精度良く監視でき、製品不良発生の原因解析を効率的に実施することができる半導体装置の評価方法を提供する。 - 特許庁
When evaluation data obtained at the cycle of a plurality of ECC blocks recorded per track is larger than that obtained from the ECC block before or after, the control unit 15 judges that the evaluation data are an ECC block having a defect, and obtains optimal recording conditions from remaining evaluation data other than the evaluation data of the reproduced test signal of one track cycle.例文帳に追加
制御部15は、1トラック当り記録される複数のECCブロックの周期で得られる評価データが、前後のECCブロックから得られる評価データよりも大きい時、その評価データをディフェクトが存在するECCブロックであると判断して、その1トラック周期の再生テスト信号による評価データ以外の、残りの評価データから最適な記録条件を求める。 - 特許庁
The estimation of the phase difference and transmittance at the exposure wavelength is made possible by calculating the phase difference and transmittance at the inspection wavelength of the detected phase defect and the improvement in the evaluation accuracy is made possible by calculating the defect transfer characteristic using the same.例文帳に追加
検出された位相欠陥の検査波長での位相差、透過率を算出したことで、露光波長での位相差、透過率を見積もることができ、これを用いて欠陥転写特性を計算することにより評価精度の向上が可能となる。 - 特許庁
To provide a method of evaluation of perfume for evaluating the aptitude of a perfume based on the change of the brain blood flow during eating or smelling the meal added with the perfume by solving the defect based on the function evaluation etc., by using the optical topography.例文帳に追加
官能評価等に基づく欠点を解決し、光トポグラフィ装置を使用し、香料を添加した飲食物を飲食または嗅いだときの脳血流の変化に基づいて香料の適性を評価する香料の評価方法を提供すること。 - 特許庁
The wafer evaluation method is characterised in that a wafer to be evaluated is dipped in an etchant formed of ammonia and hydrogen peroxide for a long period of time, and thereafter, a defect corresponding to the pit cluster is evaluated using a light scattering-method particle counter or a defect of 0.3 μm or above is evaluated.例文帳に追加
被評価ウエーハをアンモニア−過酸化水素水からなるエッチング液に長時間浸漬し、その後、光散乱方式のパーティクルカウンターを用いピットクラスターに相当する欠陥を評価するか、または0.3μm以上の欠陥を評価するようにした。 - 特許庁
To provide a defect evaluation method capable of precisely and rapidly preparing a flaky sample for electron microscope observation by a converged ion beam sample preparing device in relation to a semiconductor crystal including an internal defect used as an observation object and capable of evaluating the crystalline defect in detail by observing the flaky sample with an electron microscope.例文帳に追加
観察対象とする内部欠陥を含む半導体結晶に対し、収束イオンビーム試料作製装置による電子顕微鏡観察用薄片試料の作製を高精度かつ短時間で行うことができ、該薄片試料を電子顕微鏡で観察することによって詳細に結晶欠陥の評価を行うことができる欠陥評価方法を提供する。 - 特許庁
The evaluation part 81 evaluates the quality of the inspected infrared cut-off filter 10, based on the recorded state of the defect, when finishing the inspection for the whole face of the infrared cut-off filter 10.例文帳に追加
また、赤外カットフィルタ10の全面を検査が完了すると、記録した欠陥の状態をもとに、評価部81は、検査した赤外カットフィルタ10の良否を評価する。 - 特許庁
Thus, the crystal defect as a factor of disturbance of a measured value, so diffusion length measurement precision by the SPV method is greatly improved to achieve more accurate Fe contamination evaluation.例文帳に追加
このように、測定値の外乱要因となる結晶欠陥を除去するため、SPV法による拡散長測定精度が格段に向上して、より正確なFe汚染評価が可能となる。 - 特許庁
To provide a test specimen for skill evaluation of substitutional end tab working procedure, which can economically and efficiently examine a portion where weld defect tends to be caused or a portion where strength is required.例文帳に追加
溶接の欠陥が生じやすい部分、強度が要求される部分を、安価かつ効率的に検査することができる、代替エンドタブ工法における技能評価用試験片を提供する。 - 特許庁
A defect evaluation part 20 performs arithmetic processing of periodic magnetic field information extracted by the periodic information extraction means 15 and evaluates defects of the specimen such as scars and cracks.例文帳に追加
欠陥評価部20は、周期情報抽出手段15によって抽出された周期的な磁場情報を演算処理し、被検体のきず及びや割れなどの欠陥を評価する。 - 特許庁
To provide a compound semiconductor thin film evaluation device which can detect a partial defect in a compound semiconductor thin film and inspect the whole of the compound semiconductor thin film.例文帳に追加
化合物半導体薄膜の部分的な欠陥の検出と化合物半導体薄膜全体の検査が可能となる化合物半導体薄膜の評価装置を提供すること。 - 特許庁
A first direct projection method measurement, a second direct projection method measurement and a transmission method measurement are executed by using the ultrasonic probe, and evaluation of the defect is executed based on the results.例文帳に追加
そして、この超音波プローブを用いて、第1の直射法測定と第2の直射法測定と透過法測定とを行い、これらの結果に基づいて欠陥の評価を行う。 - 特許庁
To provide a flaw type classification boundary setting method in surface defect detection allowing even an operator without having a special technique to simply realize complicated defect classification, and enabling evaluation capable of remarkably reducing work and of rapidly responding to change of an operation state.例文帳に追加
特殊な技術をもたないオペレータでも簡便に複雑な欠陥分類が実現され、労力が大幅に削減されるとともに操業状態の変化に迅速に対応した評価が可能となるような表面欠陥検出における疵種分類境界設定方法を提供する。 - 特許庁
In the surface defect evaluation, the surface area defined by a mismatching measurement point group as the surface defect, on the basis of a distribution density of the mismatching measurement point group, including a plurality of measurement points that do not properly correspond to the reference point and adjacent to one another.例文帳に追加
表面欠陥評価において、基準点と適正に対応せず互いに隣接する複数の測定点からなる誤対応測定点群の分布密度に基づいて当該誤対応測定点群によって規定される表面領域を表面欠陥と判定する。 - 特許庁
To provide a recording/reproducing device capable of deciding optimal recording conditions by eliminating evaluation data (jitters, or modulation degree) affected by a defect even when the defect such as a flaw or a fingerprint is present in an OPC area.例文帳に追加
光ディスクの最適記録条件を求めるために、OPC領域にECCブロック単位で記録条件を異ならせて記録したテスト信号の再生信号に基づく評価データを検出する場合、OPC領域にディフェクトがあると最適な記録条件を求めることができない。 - 特許庁
To provide a pattern for evaluation and a photomask for forming the pattern for evaluation capable of evaluating irregularity defect detection capacity and capacity for detecting and analyzing periodicity of irregularity defects in an inspection device for inspecting irregularities of a body to be inspected having a periodic pattern.例文帳に追加
周期性のあるパターンをもつ被検査体のムラ検査をする検査装置の、ムラ欠陥検出能力やムラ欠陥の周期性を検出・解析する能力を評価することが可能な、評価用パターンおよびその評価用パターンを形成したフォトマスクを提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide an evaluation system of wisdom for making a value of a right definite on the premise of taking defect liability of evaluation.例文帳に追加
迅速な知恵の権利範囲と価値の評価が可能となり、しかも評価に不備や誤謬がある場合に適切な補償が担保されるため、知恵者は開発行為を果敢にかつ安定して行うことができる、また、補償付きの知恵は、安定した市場性を有し、知恵の積極的な取引が展開可能となる。 - 特許庁
To simplify a sequence of evaluation/test procedures on a semiconductor wafer to finish the procedures in a short period and omit unnecessary defect checks to improve a yield of the semiconductor wafer.例文帳に追加
半導体ウエハについての一連の評価/検査手続を簡略化し、それらを短期間に終了できるようにし、また、不要な不良判定を減らして、半導体ウエハの歩留り向上を図る。 - 特許庁
例文 (141件) |
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|