Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
「defect evaluation」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索
[go: Go Back, main page]

1153万例文収録!

「defect evaluation」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > defect evaluationに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

defect evaluationの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 141



例文

To provide a semiconductor device capable of applying a sufficient voltage and current stress to each contact for reliability evaluation and detecting a defect of electric isolation in a contact chain.例文帳に追加

信頼性評価のために各コンタクトに十分な電圧、電流ストレスを印加することが可能であり、コンタクトチェーン内の電気的分離不良を検出することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide high performance TFT characteristics by using the interlayer insulation film of a low defect density in a polysilicon TFT substrate, and to shorten the evaluation period of the TFT substrate by measuring the E' center density of the interlayer insulation film beforehand and predicting the TFT characteristics.例文帳に追加

本発明によるポリシリコンTFT基板においては、欠陥密度の少ない層間絶縁膜を用いることで、高性能なTFT特性を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the evaluation method for the SOI wafer where the semiconductor layer, an insulation layer, and a supporting substrate are formed in sequence, a defect in the semiconductor layer is actualized and evaluated with the laser microscope of a confocal optical system.例文帳に追加

半導体層、絶縁層、支持基板が順次形成されたSOIウエーハの評価方法であって、半導体層に存在する欠陥を顕在化させ、コンフォーカル光学系のレーザ顕微鏡で評価する。 - 特許庁

A quality grade calculating part 42 calculates the quality grade of the component, on the basis of the defect evaluation value, and a supplier grade calculation part 43 calculates the supplier grade of the component.例文帳に追加

さらに品質等級算出部42によって、部品の不良評価値により、部品の品質等級を求め、供給者等級算出部43によって、部品の供給者等級を求める。 - 特許庁

例文

Defect kind number distribution work is repeated when a plurality of defects of an inspection object exists after all is evaluation-finished, and a recipe file is output as the accumulated condition with the large defect signal intensity and an inspection condition item distribution as an inspection recipe to be provided to the inspection condition setting person.例文帳に追加

全て評価完了し、検査対象としたい欠陥が複数ある場合には欠陥種類数分作業を繰返し、蓄積された欠陥信号強度の大きい条件及び検査条件項目分布を検査条件レシピとして自動的にレシピファイルを出力して検査条件設定作業者に提供する。 - 特許庁


例文

To provide a corrosion resistance evaluation method and a corrosion fatigue resistance evaluation method for a steel material for coating, for evaluating corrosion resistance or corrosion fatigue resistance by accurately and easily reproducing a corrosion phenomenon caused by a coating film defect part or the like under actual service conditions.例文帳に追加

本発明は、実使用条件下の塗膜欠陥部等に起因して生ずる腐食現象を精度良く簡便に再現して、耐食性または耐腐食疲労性の評価を行なうことが可能な塗装用鋼材の耐食性評価方法または耐腐食疲労性評価方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of evaluating a surface or a surface layer of a semiconductor wafer capable of measuring a defect and contamination of the surface or the surface layer of the semiconductor wafer with high sensitivity and improving reliability of an evaluation result.例文帳に追加

半導体ウェーハの表面または表層の欠陥および汚染を高感度に測定し、評価結果の信頼性を高めることが可能な半導体ウェーハの表面または表層評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for non-contact and non-destructive evaluation of a multilayer coating film that measures and analyzes an internal structure and an internal defect of a multilayer coating film, non-destructively and easily without contacting, and a device using the same.例文帳に追加

複層塗膜の内部構造及び内部欠陥を、非接触非破壊且つ簡便に測定、解析することができる複層塗膜の非接触非破壊評価方法及びそれを用いた装置を提供すること。 - 特許庁

To provide means for reliable evaluation using a standard sample that can be used stably for an extended period, relating to a method of optically evaluating a defect of a semiconductor wafer by a copper deposition method.例文帳に追加

半導体ウェーハの欠陥を銅デポジション法により光学的に評価する評価方法において、長期間安定して使用可能な標準試料を用いて信頼性の高い評価を行う手段を提供すること。 - 特許庁

例文

To provide a method for evaluating aptitude for flavor of food and drink by solving a defect based on sensory evaluation or the like, using an optical topography device, and measuring a change of a cerebral blood flow when taking the food and drink.例文帳に追加

官能評価等に基づく欠点を解決し、光トポグラフィ装置を使用し、飲食物を飲食する際の脳血流の変化を測定して飲食物の風味の適性を評価する方法を提供すること。 - 特許庁

例文

To provide an evaluation method that can reliably and simply sort out an optical pickup that cannot output an appropriate laser beam due to the defect of a semiconductor laser or an optical component in a manufacturing step of a unit.例文帳に追加

半導体レーザもしくは光学部品の不具合により適正なレーザ出力ができない光ピックアップをユニットの製造段階で確実に且つ容易に選別することが可能な評価装置を提供する。 - 特許庁

These characteristic values are evaluated within an evaluation device 25 in order to detect the defect of the blood vessel access.例文帳に追加

体外循環路の動脈側、静脈側分枝中の圧から、血管入口の状態を表す特性値(W_1、W_2)が計算装置(22)内で算出され、血管入口の欠陥を検知するために、これらの特性値が評価装置(25)内で評価される。 - 特許庁

Using the positioning mark as reference, an image by the image quality evaluation device and an image by the correction device are overlapped, and thereby the positional information of the defect required to be corrected by the correction device can be accurately obtained.例文帳に追加

位置合わせ用マークを基準として像質評価装置による画像と修正装置による画像とを重ね合わせることによって、修正装置において修正すべき欠陥の位置情報を正確に把握することができる。 - 特許庁

To provide a simple evaluation method for a defect of a fluoride crystal affecting an optical characteristic, a fluorite of high durability and transmittance required for a vacuum-ultraviolet lithography device or the like, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

光学特性に影響を与えるフッ化物結晶の欠陥の簡便な評価法を提供し、特に真空紫外光リソグラフィ装置などに要求される高耐久・高透過率蛍石、及びその製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor test system not making an unnecessary evaluation of a device by immediately identifying a defect cause in a semiconductor test system having an overcurrent protective device in a control signal output circuit of a test head.例文帳に追加

テストヘッドの制御信号出力回路に過電流保護装置を備えた半導体試験システムにおいて、不良原因が即座に特定され、無駄なデバイス判定を行うことのない半導体試験システムを提供することを目的とする。 - 特許庁

In the storage unit 3, the inspection software stored in it performs defect determination by comparing reference values G1min to G1max stored in the inspection software and the evaluation value G2 transmitted from the substrate of the object of inspection.例文帳に追加

記憶装置3では、格納されている検査ソフトがその内部に保存されている基準値G1min〜G1maxと検査対象のプリント基板から送られてきた評価値G2とを比較することにより不良判定を行う。 - 特許庁

With a reception waveform obtained in the defect section region of a specimen as a measurement raw signal and with a reception waveform obtained in the sound section region of a specimen as a reference signal, a differential signal waveform is taken out by performing the substraction processing of the measurement raw signal and the reference signal, thus performing the defect flaw detection or material characteristic evaluation of the specimen.例文帳に追加

被検体の欠陥部領域で得られる受信波形を計測生信号とし、被検体の健全部領域で得られる受信波形を参照信号として、前記計測生信号と前記参照信号を減算処理することで差分信号波形を取り出し、被検体の欠陥探傷あるいは材料特性評価を行う。 - 特許庁

To provide an evaluation method for a silicon single-crystal wafer allowing the prediction of a breakdown voltage defect caused by the wafer quality after the completion of device manufacturing process by obtaining in advance in the stage of the wafer the evaluation result of a GOI characteristic which is close to the GOI characteristic obtained after the completion of the device manufacturing process (device product).例文帳に追加

本発明は、デバイス製造工程終了後(デバイス製品)のGOI特性の評価結果と近いGOI特性の評価結果を、ウェーハ段階で事前に得ることができ、デバイス製造工程終了後のウェーハ品質に起因する耐圧不良を予測することが可能となるシリコン単結晶ウェーハの評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide an evaluation method for accurately evaluating a wafer surface quality, especially fine defects on the surface of a wafer and to provide a silicon wafer, for which a contamination or defect level that cannot be confirmed conventionally, is confirmed with this evaluation method, and especially a silicon wafer with which device characteristics will not degrade.例文帳に追加

従来のウェーハ評価方法では十分な評価を行うことができなかった、ウェーハ表面品質、特にウェーハ表面の微小な欠陥を精度良く評価方法を提供すると共に、この評価法により、今まで確認できなかった汚染や欠陥レベルまで確認されたウェーハ、特にデバイス特性が劣化しないシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

A stripe evaluation value calculating part 290 calculates an evaluation value Qe related to the strength of the stripe defect of the space frequency band under consideration based on the stripe featured value Pe calculated by stripe feature value caluculation part 270 and the stripe correction quantity Be calculated by the stripe correction quantity calculating part 288 of the stripe correction quantity acquiring part 280.例文帳に追加

すじ評価値算出部290は、すじ特徴量算出部270により算出されたすじ特徴量Peおよびすじ補正量取得部280のすじ補正量算出部288により算出されたすじ補正量Beに基づいて、注目している空間周波数帯域のすじ欠陥の強さに関する評価値Qeを算出する。 - 特許庁

To provide an inspection device for a photomask capable of carrying out preferable performance evaluation and defect inspection of a large photomask while suppressing the increase in an installing area of the device, and capable of ensuring safeness and handling property for a large photomask.例文帳に追加

装置の設置面積の増大を抑えつつ、大型のフォトマスクの性能評価及び欠陥検査を良好に行うことができ、また、大型のフォトマスクに対する安全性やハンドリング性が確保されたフォトマスクの検査装置を提供する。 - 特許庁

This monitoring device of a structure includes the detecting sensor for detecting a defect causing a trouble of the structure, the analyzer for analyzing and evaluating the status obtained by the sensor, and the display device for displaying the analysis and evaluation results.例文帳に追加

本発明は、構造物の不具合となる欠陥を検出する検出センサーと、このセンサーで得られた状況を解析・評価する解析装置と、この解析・評価結果を表示する表示装置とを具備した構造物の監視装置にある。 - 特許庁

This method prepares a corrosion liquid for silicon wafer crystal defect evaluation by mixing the potassium permanganate KMnO_4 and the hydrogen fluoride HF with a volume ratio of 0.5-1:1-3 and employs a wet chemical method to evaluate silicon wafer crystal defects whose specific resistance value is 0.01 Ωcm or less.例文帳に追加

シリコンウェハの結晶欠陥評価用腐蝕液を、過マンガン酸カリKMnO_4とフッ化水素HFを0.5〜1:1〜3の体積比で混合して調製し、比抵抗値が0.01Ωcm以下のシリコンウェハの結晶欠陥を化学的湿式方法で実施した。 - 特許庁

To evaluate a fine resolution and a slight difference in solubility of radiation-sensitive resin, and to obtain a radiation-sensitive resin composition which generates no development defect and has superior LER characteristic, while maintaining conventional resist performance using this evaluation method.例文帳に追加

感放射線性樹脂の微小な解像性や溶解性の僅かな相違点を評価し、この評価方法を用いて、従来のレジスト性能を維持したまま、現像欠陥を発生することがなく、またLER特性に優れた感放射線性樹脂組成物を得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electro-luminescence element for prematurely evaluating the acceptability of the formed state of a light emitting layer without energization in the production process for an organic EL display device and increasing a production efficiency by omitting wasteful steps after the evaluation when a defect is found.例文帳に追加

有機EL表示装置の製造過程で、通電を行わずに発光層の形成状態の良否を早期に評価することができ、不良が発覚した場合にはその後の無駄な工程を実施しないようにして生産効率を向上できる製造方法を提供する。 - 特許庁

To produce a highly dispersed composite flocculated body in which the dispersed state of a nanomaterial is instantaneously sealed, to provide a dispersion evaluation technique of objectively and totally pulling out information regarding dispersion from the highly dispersed composite flocculated body, and a defect introduction technique applying the same.例文帳に追加

ナノマテリアルの分散状態を瞬間的に封じ込めた高分散複合凝集体を作製し、高分散複合凝集体から、分散に関する情報を客観的、全体的に引き出す分散評価技術、および、それを応用した欠陥導入技術を提供する。 - 特許庁

To provide an inspection method of a gray tone mask by which performance evaluation and defect inspection of a gray tone mask can be preferably carried out, to provide a method for manufacturing a gray tone mask for manufacturing a liquid crystal device by using the inspection method of a gray tone mask, and to provide a pattern transfer method.例文帳に追加

グレートーンマスクの性能評価及び欠陥検査を良好に行うことができるグレートーンマスクの検査方法を提供し、また、このグレートーンマスクの検査方法を用いた液晶装置製造用グレートーンマスクの製造方法及びパターン転写方法を提供する。 - 特許庁

To solve a problem wherein there is similarly no reference in the result of defect inspection of a circular sample such as a disk substrate where a reference position cannot be created, so that the re-inspection of the same sample, comparing inspection between manufacturing processes, reproducibility evaluation of an inspection apparatus, and matching with other inspection apparatuses are ambiguous.例文帳に追加

ディスク基板のような基準位置を作成できない円形の試料において、欠陥検査の結果も同様に基準が無いため、同一試料の再検査、製造工程間での比較検査、検査装置の再現性評価、他検査装置との突合せなどが曖昧である。 - 特許庁

To provide a flavor improving method for a gustatory matter or food and drink, solving a defect based on a sensory evaluation, and efficiently selecting a flavor improver to be added to the gustatory matter or food and drink using a light topography apparatus to add a selected flavor improver.例文帳に追加

官能評価等に基づく欠点を解決し、光トポグラフィ装置を使用した味覚物質又は飲食物に添加される風味改良剤を効率的に選択し、選択された風味改良剤を添加する味覚物質又は飲食物の風味改良方法の提供。 - 特許庁

To provide a drive method and a driving device for a solid-state image pickup element that can enhance accuracy of defect inspection and function evaluation of received pixels by storing signal charges and providing an output at inspection or the like and can prevent read of the signal charges or inspection from being disabled.例文帳に追加

検査時などに信号電荷の蓄積およびその出力を行って受光画素の欠陥検査や機能評価の精度を向上することができると共に、信号電荷の読み出しや検査を行うことができなくなることを解消することができる固体撮像素子の駆動方法および駆動装置を提供する。 - 特許庁

A judging unit 16 judges that a universal design is achieved in the presence of at least one appeal point in a region defined by the emphasis level and the comparison value in the UD achievement level map and in the absence of any serious defect that would bring down the evaluation of the product to be evaluated equal to or less than a prescribed value.例文帳に追加

判定部16は、UD達成度マップにおいて重視度と比較値とにより規定される領域内に少なくとも1個の訴求ポイントが存在し、かつ評価対象の商品における評価値が規定値以下になる重欠点が存在しない場合にユニバーサルデザインが達成されていると判定する。 - 特許庁

Brightness shading is corrected in each provided image on a CPU, a micro-defect is thereby detected highly accurately without missing it, and a determination reference corresponding to kinds of defects classified is further provided to determine the quality and to conduct detail quantitative evaluation corresponding to the kinds of defects classified.例文帳に追加

更に、コンピュータ107上で得られた画像毎に輝度シェーディング補正を行うことで、微弱な欠陥を見落としなく高精度に検出し、更にまた、欠陥種別対応判定基準を設け、合否判定を行うと同時に、欠陥種別対応に詳細に定量評価を行えるようにしたものである。 - 特許庁

To provide a photomask detecting device and a photomask detecting method, capable of satisfactorily conducting a performance evaluation and a defect inspection of a large-sized photomask, and to provide a method of manufacturing a photomask for a liquid crystal device using the photomask detecting device and the photomask detecting method, and a pattern transferring method.例文帳に追加

大型のフォトマスクの性能評価及び欠陥検査を良好に行うことができるフォトマスクの検査装置及びフォトマスクの検査方法を提供し、これらフォトマスクの検査装置及びフォトマスクの検査方法を用いた液晶装置製造用フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法を提供する。 - 特許庁

The sheet 31 for evaluating the performance of the printed matter inspecting apparatus is configured by printing a picture or a character on one side or both sides thereof, in order to quantitatively carry out the performance evaluation or a calibration of the printed matter inspecting apparatus 2 used for inspecting a defect of a printed matter.例文帳に追加

本発明に係る印刷物検査装置の性能評価シート31は、印刷物の欠陥を検査する印刷物検査装置20の性能の評価又は校正を定量的に行うために片面又は両面に絵柄又は文字が印刷にされた印刷物検査装置の性能評価シートである。 - 特許庁

To provide a front loading evaluation device evaluating not only the number of defects in a process but also evaluating a degree of divergence between a defect generation process and a detection process, so that the number of outflow defects and outflow state to a downstream process are obtained, and the progress of improvement activity relating to front loading can be evaluated.例文帳に追加

工程内の欠陥数の評価だけでなく、欠陥の発生工程と発見工程の乖離度をあわせて評価することにより、流出欠陥数と下流工程への流出状況を把握し、フロントローディングに関する改善活動の進捗状況を評価できるフロントローディング評価装置を得ること。 - 特許庁

This test device 1 for detecting a defect inside the processed article 5, 6 and specifying a position thereof has: heat sources 2, 7, 13, 14; sensor devices 3, 10, 11, 12 for measuring temperature distribution of the surface 8 of the processed article; and an evaluation device 4 connected to the sensor devices.例文帳に追加

本発明は、加工品(5、6)内の欠陥を検出し、その位置を特定するための試験装置(1)に関するものであり、熱源(2、7、13、14)と、加工品の表面(8)の温度分布を測定するためのセンサ装置(3、10、11、12)及びセンサ装置に接続された評価装置(4)を有している。 - 特許庁

Before an ion injecting process (stage S2) as an object of metal contamination evaluation is performed, an amorphous silicon layer 2 is formed (stage S1) on a silicon substrate surface (a surface of a silicon wafer 1) to suppress a crystal defect induced nearby the surface of the silicon wafer 1 due to injection energy in the silicon injection stage S2.例文帳に追加

金属汚染評価対象であるイオン注入処理(工程S2)を行う前に、シリコン基板表面(シリコンウエハ1の表面)に非晶質シリコン層2を形成する(工程S1)ことにより、イオン注入工程S2において注入エネルギーによりシリコンウェハ1の表面近傍に誘発される結晶欠陥を抑制することができる。 - 特許庁

To provide a detection method and a detection apparatus of stain defects that have high detection output also for a defect having a low contract or a small size, automatically determine a threshold for detection as the stain defects, based on statistical brightness data in a detected image, and further achieve the quantitative evaluation of the detected stain defects.例文帳に追加

コントラストの低い、あるいはサイズの小さい欠陥に対しても高い検出力を有するとともに、シミ欠陥として検出するための閾値を検出画像内の輝度統計データに基づいて自動的に決定し、さらに検出されたシミ欠陥の定量評価を可能にしたシミ欠陥の検出方法及びその検出装置を提供する。 - 特許庁

The surface defect evaluation device evaluates surface defects of a measurement object, on the basis of measurement point data and reference point data, after aligning the measurement point and the reference point, on the basis of the sequential convergence processing for the sequential convergence of the distance between the measurement point of the measurement object and the reference point, corresponding to a reference surface shape of the measurement object.例文帳に追加

測定対象物の測定点と測定対象物の基準表面形状に対応する基準点との間の距離を逐次収束させる逐次収束処理に基づいて前記測定点と前記基準点とを位置合わせした後の測定点データと基準点データとに基づいて測定対象物の表面欠陥を評価する。 - 特許庁

An evaluation method of a polycrystalline silicon wafer comprises: revealing crystal defects on a surface a polycrystalline silicon wafer to be evaluated by selectively etching the surface; obtaining a macro image of the surface of the polycrystalline silicon wafer whose crystal defects are revealed as a scattering image; and quantitatively evaluating a crystal defect distribution in the polycrystalline silicon wafer based on a luminance distribution of the obtained macro image.例文帳に追加

評価対象の多結晶シリコンウェーハ表面を選択エッチングし、該表面において結晶欠陥を顕在化させること、結晶欠陥を顕在化させた多結晶シリコンウェーハ表面のマクロ画像を散乱画像として取得すること、および、取得したマクロ画像の輝度分布に基づき、前記多結晶シリコンウェーハにおける結晶欠陥分布を定量的に評価すること、を含む多結晶シリコンウェーハの評価方法。 - 特許庁

例文

To provide an evaluation method of a silicon substrate where surface defect observation due to etching after device film peeling is facilitated, by creating a clear surface for observing crystal defects on a semiconductor substrate and surface defects due to a device process, and it can be made clear that defects on the surface are caused by crystal itself or stress and contamination due to the process.例文帳に追加

半導体基板上の結晶欠陥やデバイスプロセス起因の表面欠陥を観察するための綺麗な表面を作成することによってデバイス膜剥離後のエッチングによる表面欠陥観察がし易くなり、表面にある欠陥が結晶起因の欠陥か、又はプロセス起因のストレスや汚染による欠陥なのかを明らかにすることができるようにしたシリコン基板の評価方法を提供する。 - 特許庁




  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2025 GRAS Group, Inc.RSS