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diffusion ofの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 12851件
To suppress an occurrence of a worm, a checker-shaped image, and a surface roughness on the highlight side caused when multi-value image data are converted into binary image data by an error diffusion method.例文帳に追加
多値画像データを誤差拡散法により2値画像データに変換したときのワーム、チェッカー状の画像、及びハイライト側のざらつきの発生を抑制する。 - 特許庁
Multiple values exceeding four values can be written by changing a writing voltage which is applied to a diffusion region, when accumulating an electric charge on an accumulation nitride film in an MONOS-type laminated structure of the nonvolatile semiconductor storage.例文帳に追加
MONOS型積層構造中の蓄積窒化膜に電荷を蓄積する最に、拡散領域に印加される書込み電圧の値を変化させる。 - 特許庁
A reflecting means 2 having a smaller area than that of the outgoing surface 91 is arranged overlapping the light diffusion sheet 30 and the light condensing sheets 40, 41.例文帳に追加
また、前記出射面91よりも面積が小さい反射手段2が前記光拡散シート30と集光シート40、41に重ねて配置されている。 - 特許庁
As a result, the number of access times to an SRAM 16 that is a low speed memory is decreased twice per one pixel so as to quicken the error diffusion processing.例文帳に追加
この結果、低速のメモリであるSRAM16とのアクセス回数は、1画素当たり2回に抑制され、誤差拡散の処理を高速化できる。 - 特許庁
The number of back-diffusion timing correction candidates is controlled by a back-diffused timing correction control section 3, according to a comparison result at a correlation value difference computing section 22.例文帳に追加
逆拡散タイミング補正制御部3は相関値差分計算部22での比較結果に応じて逆拡散タイミング補正候補数を制御する。 - 特許庁
A projection part 31a projected to the back side is formed at the lower end of the light diffusion plate 31, and light from the light source part 35a is made incident from the projection part 31a.例文帳に追加
光拡散板31の下端に裏側へ突出する突起部31aを形成し、光源部35aからの光を突起部31aから入射させる。 - 特許庁
A threshold in error diffusion is set to be small, thereby preventing the influence and dot delay caused by resetting of the error memory.例文帳に追加
また、誤差拡散におけるしきい値を小さく設定することで、誤差メモリをリセットすることにより生じる影響やドットの遅れを防止することができる。 - 特許庁
Moreover, since the MEA 12 and the gas diffusion layer 14 are jointed directly, a decrease in power performance due to jointing faults of both can be prevented.例文帳に追加
しかも、MEA12とガス拡散層14とが直接的に接合されるので、両者の接合不良による発電性能の低下を防ぐことが可能となる。 - 特許庁
The diffusion region is constituted of a first-conductivity first impurity diffusing region 33 and a second-conductivity impurity diffusing region 34.例文帳に追加
拡散領域は、第1導電型の第1不純物拡散領域33と第2導電型の第2不純物拡散領域34とから構成される。 - 特許庁
A detection part 101 of the air/fuel ratio-detecting device is provided with a zirconia solid electrolyte 102, an atmosphere-side electrode 104, an exhaust-side electrode 105, and a diffusion resistor 106.例文帳に追加
検出部101は、ジルコニア固体電解質102、大気側電極104、排気側電極105、拡散抵抗体106を備える。 - 特許庁
To provide a light diffusion reflection sheet capable of displaying a projected image (or image) with high luminance and high contrast even when external light rays (or diffused external light rays) are made incident thereon.例文帳に追加
外部光(又は外乱光)が入射しても、高い輝度及びコントラストで投影像(又は画像)を表示できる光拡散反射シートを提供する。 - 特許庁
The solid state imaging device includes photodiodes 1-1, first and second impurity diffusion layers 206-10, 206-12 of a first conductive type, and first and second transistors 2-1, 3-1.例文帳に追加
実施形態の固体撮像装置は、フォトダイオード1-1と、第1導電型の第1、第2不純物拡散層206-10,206-12と、第1、第2トランジスタ2-1,3-1とを備える。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device for preventing diffusion to the interlayer insulating film of a wiring material, such as a barrier metal and Cu.例文帳に追加
バリアメタルやCuなどの配線材料の層間絶縁膜への拡散を防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a two liquid mixing method utilizing diffusion filling method which is effective especially in the case that mixing ratio of two liquids is large and total liquid quantity is little.例文帳に追加
特に二液の混合比が大きくかつ全体の液量が少量の場合に有効な拡散注入法を利用した二液混合方法を提供する。 - 特許庁
To provide an image processor which can solve the problem raised by the error diffusion method and can control the edge enhancement of an output image.例文帳に追加
誤差拡散法における問題点を解決することができ、かつ出力画像のエッジ強調の制御を行なうことができる画像処理装置を提供する。 - 特許庁
The object 101 is illuminated and a plurality of silhouettes are projected onto a diffusion screen coplanor and in close proximity to a mask.例文帳に追加
物体101は、照明され、複数のシルエットが、マスクと同一平面状にあるとともに、当該マスクに密に近接している拡散スクリーン上に投じられる。 - 特許庁
To suppress variations in the band gaps in a quantum well active layer and the diffusion of Zn, i.e., P-type dopant, into the quantum well active layer in thermal annealing treatment.例文帳に追加
熱アニール処理による量子井戸活性層内のバンドギャップのばらつき、および、P型ドーパントのZnの量子井戸活性層への拡散を抑制する - 特許庁
An original plate 2 recorded with diffusers is laminated on a photosensitive material 10 and a diffusion mirror 4 is arranged at the end 21 of the original plate 2 or near the same.例文帳に追加
拡散体が記録された原版2を感光材10に積層すると共に,原版2の端部21又はその近傍に拡散ミラー4を配置する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device manufacturing method wherein misalignment between a tunnel diffusion region and a tunnel window is suppressed without enlargement of the device.例文帳に追加
トンネル拡散領域とトンネル窓のアライメントずれを抑制することができ、大型化することのない半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
A plurality of processors 3 such as a CVD device 31 and a diffusion device 33, a measuring instrument 5, and a control computer 7 for management are connected through a LAN 9.例文帳に追加
CVD装置31や拡散装置33等の複数の処理装置3と、測定装置5と、管理用の制御コンピュータ7とをLAN9を介して接続する。 - 特許庁
Prior to the diffusion soldering process, each of the metal layers 2, 11 that is to be connected is plated with a respective solder layer 3, 12.例文帳に追加
拡散はんだ付けプロセスの前に、後に接続される金属層2、11がそれぞれはんだ層3、12によってめっきされていることを特徴とする。 - 特許庁
The field relaxing region is surrounded by the integrated impurity diffusion region 109, and extended below the second region of the gate electrode 106.例文帳に追加
ここで、電界緩和領域は、一体化した不純物拡散領域109に含まれ、且つ、ゲート電極106の第2領域の下方に延在する。 - 特許庁
When the potential of the gate terminal Vg is lowered, the p^+ diffusion regions P1, P2 absorb a minority carrier or a hole from a channel region 4.例文帳に追加
そして、ゲート端子Vgの電位を低下させたときに、p^+拡散領域P1及びP2がチャネル領域4からマイノリティキャリアである正孔を吸収する。 - 特許庁
To reduce a leakage current in a floating diffusion region and variations in the amount of leakage current between pixels in a CMOS solid-state imaging device.例文帳に追加
CMOS固体撮像装置において、フローティングディフージョン領域のリーク電流を少なく、かつ画素間のリーク電流量ばらつきを少なくする。 - 特許庁
Further, the motion detection method and system may incorporate the method and system of the nonlinear diffusion filtering.例文帳に追加
本発明に係る他の形態によると、動き検出方法およびシステムは、本発明に係る非線形拡散フィルタリングの方法およびシステムを内蔵する。 - 特許庁
A first buried layer 114 is of the first conductivity type, and extends from below the first high-concentration diffusion layer 109 toward the gate electrode 106.例文帳に追加
第1埋込層114は第1導電型であり、第1高濃度拡散層109の下方からゲート電極106に向けて延在している。 - 特許庁
In the method of forming a display device, a base insulating layer is provided on a substrate, and a first copper diffusion-preventing layer is provided on the layer along a wiring pattern.例文帳に追加
表示装置の形成方法は、基板上に下地絶縁層を設け、その層上に配線パターンに沿った第1の銅拡散防止層を設ける。 - 特許庁
Light leaked from the gap 13 is emitted to an area wider than the area facing the gap 13 of a diffusion member 16 through the light dispersion structure 15A.例文帳に追加
間隙13からの漏れ光は、光分散構造15Aを経て拡散部材16の間隙13に対向した領域よりも広い領域に照射される。 - 特許庁
To improve efficiency of charge transfer from a charge holding part to an FD (floating diffusion) in a solid-state imaging device having the charge holding part in a pixel.例文帳に追加
画素内に電荷保持部を有する固体撮像装置において、電荷保持部からFDへの電荷転送効率を向上させることを目的とする。 - 特許庁
By compositely doping the nitrogen together with the group III elements, diffusion of the group III elements to other than the n-type semiconductor layer is suppressed.例文帳に追加
III属元素と一緒に窒素を複合ドープすることにより、n型半導体層以外の他の層に対するIII属元素の拡散が抑制される。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which suppresses the diffusion of p-type impurities into adjacent semiconductor crystal layers and in turn has good and stable characteristics.例文帳に追加
p型不純物が隣接する半導体結晶層中へ拡散することを抑え、ひいては良好で安定した特性を持つ半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide an abnormal noise preventing sheet obtained by using an acrylic self-adhesive, which has an extremely small amount of toluene diffusion and exhibits high performance.例文帳に追加
アクリル系粘着剤を用いてなる異音防止シートであって、トルエン放散量が極めて少なく且つ高性能な異音防止シートを提供する。 - 特許庁
To prevent an Mo electrode film from readily peeling off, and to prevent adverse effects to diffusion of Na from a glass substrate, when forming the Mo electrode film on the glass substrate.例文帳に追加
ガラス基板上にMo電極膜を形成する際に、Mo電極膜を剥がれ難くし、かつガラス基板からのNaの拡散に悪影響を及ぼさないようにする。 - 特許庁
The different contacts are formed on the gate electrode and diffusion layer, thereby, a side wall of the gate electrode never lessens and a leak can be prevented.例文帳に追加
ゲート電極上と拡散層上は異なるコンタクトで形成されているため、ゲート電極のサイドウォールが減少することなく、リークを防ぐことができる。 - 特許庁
The tip electrode thus considers a diffusion ratio of total fluid output area to fluid input area, and a fluid port ratio.例文帳に追加
すなわち、先端電極は流体入力面積に対する全流体出力面積の拡散比と、流体ポート比を考慮したものとなっている。 - 特許庁
Since a current diffusion property is improved by the auxiliary electrode 109, light extraction efficiency can be improved by reducing the area of the n-electrode.例文帳に追加
補助電極109により電流拡散性が向上するため、n電極の面積を低減して光取り出し効率を向上させることができる。 - 特許庁
To provide a transmission quantity measuring instrument capable of measuring a gas permeability constant, a diffusion coefficient and a solubility coefficient under humidification by a differential pressure type pressure gauge method.例文帳に追加
加湿下におけるガス透過係数、拡散係数、溶解度係数を、差圧式圧力計法により測定可能な透過量測定装置を提供する。 - 特許庁
To perform a total operational check in an on-wafer state as much as possible after a diffusion process for reduction in the manufacturing cost of a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加
半導体集積回路の製品コストを下げるためには、拡散工程後にオン・ウェハ状態で出来るだけ全動作チェックを行えることが重要である。 - 特許庁
To reduce a leakage current and parasitic resistance by suppressing diffusion of metallic elements from a silicide layer while keeping interface resistance between the silicide layer and a silicon low.例文帳に追加
シリサイド層とシリコンの界面抵抗を低く保ちつつ、シリサイド層からの金属元素の拡散を抑制し、リーク電流および寄生抵抗を小さくする。 - 特許庁
To simply measure a diffusion amount of pollutant where diffusions from an end and a backside do not occur, without using any seal box.例文帳に追加
シールボックスを使用することなく、かつ簡易でありながら小口及び裏面からの放散を無くした状態で汚染物質の放散量を測定する。 - 特許庁
After the primary bending (S23) and before the secondary bending (S24), heat treatment (S24) for performing diffusion treatment of the brazed part is carried out to the joint part.例文帳に追加
一次曲げ加工(S23)後で、二次曲げ加工(S24)前には、接合部品に対して、ろう付部の拡散処理を行う熱処理(S24)を実行する。 - 特許庁
To provide a high quality high performance semiconductor device in which a wiring capacity and a leakage current are reduced while preventing the drift and diffusion of a wiring material effectively.例文帳に追加
配線容量の減少、リーク電流の減少、配線材料のドリフト・拡散を効果的に防止でき、高品質・高性能な半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method for quickly extracting suitable parameters from a diffusion model in computer simulation of semiconductor manufacturing process.例文帳に追加
半導体の製造プロセスの計算機シミュレーションでの拡散モデルのパラメータの抽出方法において、適切なパラメータを迅速に抽出することを可能にする。 - 特許庁
The light rays emitted from the light emitting diodes 2 are transmitted a long distance in the outside frame until being emitted to the outside of the outside frame after passing through the diffusion plate 4.例文帳に追加
発光ダイオード2から放射された光線は、拡散板4を通過して外枠の外部に放射されるまでに、外枠の内部で長い距離を伝播する。 - 特許庁
Moreover, in another adjacent side of the each floating gate 7, a trench Tr 1 is formed; and in the bottom side, an n-type diffusion layer 3 is formed.例文帳に追加
また、各浮遊ゲート7の他方の隣接側には、溝Tr1が形成されており、その底部側にはn型拡散層3が形成されている。 - 特許庁
To provide a technique to prevent contamination caused by copper diffusion when copper infiltrates from the outer edge of a silicon wafer.例文帳に追加
本発明の目的は、シリコンウエハ外縁から銅が侵入することによって起こる銅拡散による汚染を防止する技術を提供することにある。 - 特許庁
In addition, two memory elements adjoining each other in the same row own jointly the diffusion region 1107 disposed in the area between the gate electrodes of the memory elements.例文帳に追加
また、同一行で隣り合う2つのメモリ素子は、この2つのメモリ素子のゲート電極間の領域に配置された拡散領域1107を共有している。 - 特許庁
This light source device uses a semiconductor laser 1 having a small diffusion of emitted light and exhibiting a large speckle amount, and is applied to IrDA1.1.例文帳に追加
光源装置は、出射光の拡散程度が小さく大きなスペックル量を呈する半導体レーザ1を用いており、IrDA1.1に適用される。 - 特許庁
And, by diffusing the parallel light toward right and left with the diffusion lens 40, control of front irradiation light is enabled to be delicately carried out.例文帳に追加
そして、この平行光を拡散レンズ40で左右方向に拡散させることより、前方照射光の制御を木目細かく行えるようにする。 - 特許庁
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