例文 (5件) |
diffusion potentialsの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5件
A control voltage VT whose potential is higher than the potentials of the p^+ diffusion regions 2 and 3 is applied to the n well 1.例文帳に追加
nウェル1に,p^+ 拡散領域2,3の電位より高電位な制御電圧VTが印加されるようにする。 - 特許庁
To provide a device which conveniently enables the crystallization with a vapor diffusion method and utilizes the difference of surface potentials of solid.例文帳に追加
蒸気拡散法により簡便に結晶化を行うことができる、固体の表面電位の違いを利用した装置を提供する。 - 特許庁
To provide a device which conveniently enables the crystallization by using a well plate used in the conventional vapor diffusion method and utilizes the difference of surface potentials of solid.例文帳に追加
従来の蒸気拡散法に使用されるウェルプレートを使用して簡便に結晶化を行うことができる、固体の表面電位の違いを利用した装置を提供する。 - 特許庁
By controlling potentials of the p-type diffusion layer 31 and the n-type diffusion layer 32 via wirings 33 and 34, a decline of the amount of saturated electric charge in the photoelectric conversion region 1 can be suppressed and electric charges generated excessively can be discharged.例文帳に追加
配線33及び34を介してp型拡散層31及びn型拡散層32の電位を制御することによって、光電変換領域1の飽和電荷量の低下を抑制したり、過剰に発生した電荷を排出したりすることが可能となる。 - 特許庁
The generating means 31 generates a first programmable transistor by eliminating an unnecessary diffusion area in the first hard macro transistor and/or unnecessary contacts and a second programmable transistor by eliminating an unnecessary diffusion area in the second hard macro transistor and/or unnecessary contacts when the potentials of the diffusion areas of the first and second hard macro transistors arranged adjacently based on circuit connection information are the same.例文帳に追加
生成手段31は、回路接続情報に基づいて互いに隣接するように配置された第1及び第2のハードマクロ・トランジスタの拡散領域の電位が等しい場合には、第1のハードマクロ・トランジスタにおける不要な拡散領域及び/又は不要なコンタクトを削除した第1のプログラマブル・トランジスタを生成するとともに、第2のハードマクロ・トランジスタにおける不要な拡散領域及び/又は不要なコンタクトを削除した第2のプログラマブル・トランジスタを生成する。 - 特許庁
例文 (5件) |
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