「diffusion profile」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR MEASURING CONCENTRATION PROFILE OF SPECIFIC MATTER AND METHOD FOR MEASURING DIFFUSION FACTOR USING THE SAME例文帳に追加

特定物質の濃度プロファイル測定方法およびこれを用いた拡散係数の測定方法 - 特許庁

The photodiodes 10 are formed by using a diffusion layer, having a profile whose concentration and depth are each different.例文帳に追加

フォトダイオード１０は、それぞれ異なる濃度、深さのプロファイルを有する拡散層を用いて形成される。 - 特許庁

To provide an impurity diffusion method in which an impurity peak concentration is high or a control of a diffusion profile is easy, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

不純物ピーク濃度が高くまたは拡散プロファイルの制御が容易な不純物拡散方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an anisotropic diffusion medium for obtaining a special optical profile in a monolayer, which cannot be conventionally obtained.例文帳に追加

これまで得ることが出来なかった特殊な光学プロファイルが単層で得られる異方性拡散媒体の提供。 - 特許庁

Back diffusion of the preamble within each packet is carried out, a standard multi-path profile is updated, and a present multi-path profile of packet received at the present is obtained.例文帳に追加

各パケット内のプリアンブルが逆拡散されて、基準マルチパスプロファイルが更新されるとともに、現時点で受信されているパケットの現在のマルチパスプロファイルが得られる。 - 特許庁

A delay profile generation means 103 inversely diffuses the base band diffusion signal for synchronism and generates and outputs delay profile generation result information 121 from the correlation value.例文帳に追加

遅延プロファイル作成手段１０３は、ベースバンド拡散信号を同期用に逆拡散し、その相関値から遅延プロファイル作成結果情報１２１を作成し出力する。 - 特許庁

A JD operation part 107 performs a JD operation by the delay profile to be inputted from the delay profile creation part 104 and the back diffusion/lake synthesizing part 106.例文帳に追加

ＪＤ演算部１０７は、遅延プロファイル作成部１０４から入力する遅延プロファイル及び逆拡散・レイク合成部１０６より、ＪＤ演算を行う。 - 特許庁

The element isolation region is a deep trench 15, consisting of a forward taper profile 13 and a bowing profile connecting to a lower part, and a boundary surface between the forward taper profile 13, and the bowing profile is arranged in the high concentration impurity diffusion semiconductor layer 1.例文帳に追加

素子分離領域は、順テーパ形状部１３及び下部に繋がるボーイング形状部からなるディープトレンチ１５であり、前記順テーパ形状部と前記ボーイング形状部との境界面は高濃度不純物拡散半導体層１内に配置されている。 - 特許庁

Since the diffusion factor of arsenic (As) is small when compared with that of phosphorus (P), impurity diffusion (profile diffusion) by heat treatment in the manufacturing process is suppressed significantly when compared with a phosphorus-doped substrate by prior art.例文帳に追加

これによって、砒素（Ａｓ）の拡散係数がリン（Ｐ）に比べて小さいことから、従来手法によるリンドープ基板に比べて製造工程における熱処理による不純物拡散（プロファイル拡散）を大幅に抑制する。 - 特許庁

In the back gate region, a concentration profile is formed gently in a region for forming an N type diffusion region 25.例文帳に追加

そして、バックゲート領域では、Ｎ型の拡散層２５が形成される領域の濃度プロファイルを緩やかに形成する。 - 特許庁

The outer surface 10 and a light diffusion part 4 are installed, and the light diffusion part 4 has a gradually changing angle profile 4a for facilitating the transmission of light proceeding from a light source 5 to the outer surface 10.例文帳に追加

外面１０と光拡散部４とが設けられており、光拡散部４が、光源５から外面１０に向かう光の伝達を容易にするための漸変した角度プロフィル４ａを有している。 - 特許庁

An inverse diffusion timing control means 104 generates and outputs inverse diffusion timing control information 123 based on delay profile generation result information, and a data demodulation inverse diffusion means 105 inversely diffuses the base band diffusion signal and outputs SIR information 124 of the reception signal.例文帳に追加

逆拡散タイミング制御手段１０４は、遅延プロファイル作成結果情報に基づいて逆拡散タイミング制御情報１２３を作成し出力し、データ復調用逆拡散手段１０５にベースバンド拡散信号を逆拡散させるとともに、受信信号のＳＩＲ情報１２４を出力させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate with a desired impurity profile by suppressing the diffusion of added impurities, and to provide a manufacturing method for the substrate.例文帳に追加

添加した不純物の拡散を抑制し、不純物プロファイルを所望のものにした半導体基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The peak of a concentration profile on impurities comprising the diffusion layers 13, 13b and 13c exists in the depth of ≥0.04 μm from the surface of the substrate 12.例文帳に追加

拡散層１３，１３ｂ，１３ｃを構成する不純物の濃度プロファイルのピークは、基板１２の表面から０．０４μｍ以上の深さにある。 - 特許庁

A P-type flat initial impurity profile is kept in a P-type region 21a of the P-type semiconductor substrate 21 present above the N diffusion layer 35.例文帳に追加

Ｎ拡散層３５の上部に存在するＰ型半導体基板２１のＰ領域２１ａではＰ型の平坦な初期不純物プロファイルが維持されている。 - 特許庁

As a result, diffusion profile can be made uniform in the source/drain extension area that is formed by implanting ions to the substrate by means of the covering insulating film.例文帳に追加

このため、被覆絶縁膜を介して基板にイオン注入することにより形成したソース・ドレインエクステンション領域の拡散プロファイルが均一となる。 - 特許庁

A semiconductor device and its manufacturing method characteristically has a profile of a gate electrode, a profile or scope of a diffusion layer forming ion implantation region, or a peripheral profile of an element region, or has an insulation film coating a part of the element region formed before ion implantation.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置及びその製造方法は、ゲート電極の形状、拡散層形成用イオン注入領域の形状若しくは範囲、又は、素子領域の周辺形状に特徴があり、あるいは、イオン注入前に素子領域の一部を被覆する絶縁膜を形成する点に特徴を有するものである。 - 特許庁

While the boat 2 and the semiconductor wafer 1 are being inserted in a horizontal diffusion furnace 20, the temperature profiling is conducted, and a heater 5 is controlled according to the obtained temperature profile.例文帳に追加

ボート２および半導体ウェハ１が横型拡散炉２０に挿入された状態で温度プロファイルを取り、この温度プロファイルに基づいてヒータ５を制御する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid state imaging device (semiconductor device), which keeps a diffusion profile of impurities sharp and surely keeps insulating layers from each other.例文帳に追加

不純物の拡散プロファイルが急峻に保たれ、かつ層間の絶縁性が確実に保たれた固体撮像装置（半導体装置）の製造方法を提供する。 - 特許庁

A bottom part of the bowing profile enters into the silicon semiconductor substrate, beyond the high concentration impurity diffusion semiconductor layer and improves the leakage characteristics of the element isolation region.例文帳に追加

ボーイング形状部底部は、高濃度不純物拡散半導体層を越えてシリコン半導体基板内に入り込み素子分離領域のリーク特性が向上する。 - 特許庁

The inverse diffusion timing control means judges the situation of path fluctuation based on delay profile generation result information and SIR information, outputs delay profile generation means control information 122 and controls the operation/stop of the delay orofile generation means.例文帳に追加

逆拡散タイミング制御手段はまた、遅延プロファイル作成結果情報とＳＩＲ情報とに基づいてパス変動の状況を判定し遅延プロファイル作成手段制御情報１２２を出力して遅延プロファイル作成手段の動作・停止を制御する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, wherein diffusion profile of impurities to be introduced to a substrate can be accurately controlled by selectively removing a natural oxide film.例文帳に追加

自然酸化膜を選択的に除去することにより、基板に導入する不純物の拡散プロファイルを精度良くコントロールすることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The oblique ion pouring and the ion pouring for forming the well-contact layer 4 are effected, so that the profile 34 of a first conductivity impurities forming the well contact layer 4 covers the profile 33 of impurities forming the impurities diffusion layer in the profile of impurities in the well contact layer 4, when a depth is positioned in the axis of ordinates and the density of impurities is positioned in the axis of abscissas.例文帳に追加

上記斜めイオン注入と、上記ウェルコンタクト層４を形成するためのイオン注入とは、ウェルコンタクト層４の不純物プロファイルにおいて、縦軸に深さをとり、横軸に不純物濃度をとったとき、不純物拡散層を形成する不純物のプロファイル３３を、ウェルコンタクト層４を形成する第１導電型の不純物プロファイル３４が覆い被さるように行なう。 - 特許庁

A processing temperature required for this low-temperature solid phase epitaxial growth method is about 450°C-650°C, the thermal diffusion of the impurities into the semiconductor film 9 is suppressed, and an initial steep step profile can be maintained.例文帳に追加

この低温固相エピタキシャル成長法に要する処理温度は４５０℃〜６５０℃程度であり、半導体膜９内への不純物の熱拡散は抑えられ、初期の急峻なステッププロファイルが維持される。 - 特許庁

To provide a laser doping method of forming a laser doping concentration profile which steeply varies in a direction parallel to the surface of a substrate at the end of at least a part of a dopant diffusion region.例文帳に追加

ドーパント拡散領域の少なくとも一部の端部において、基板の表面と平行な方向に急峻に変化するドーピング濃度プロファイルを形成するレーザドーピング方法を提供する。 - 特許庁

As for the light guide plate 42 which is formed of wedge profile or the like, the thickness is locally reduced, and furthermore, a light diffusion member is selectively arranged on the incident face side or the like of the outgoing face.例文帳に追加

本発明は、楔形形状等により形成された導光板４２について、厚さを局所的に低減し、さらには出射面の入射面側等に選択的に光拡散部材を配置する。 - 特許庁

Consequently, internal diffusion of an impurity from the first film having been film-formed to the silicon wafer 101 is deterred to obtain the laminate film where the profile of the desired impurity concentration is formed.例文帳に追加

これにより、すでに成膜が完了している第１の膜からシリコンウェハ１０１に対する不純物の内部拡散を抑止することができ、所望の不純物濃度のプロファイルが形成された積層膜を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor element, capable of maintaining an ion implanted impurity profile, by preventing external or internal diffusion of the ion implanted impurities or particularly a boron (B) at a high-temperature annealing time.例文帳に追加

イオン注入された不純物、特にほう素（Ｂ）の高温アニール時の外方、内方への拡散を防止し、注入された不純物プロフィルを維持できる炭化けい素半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Also, the demodulation portions 104 appear in a delay profile prepared at reverse diffusion, count the number of selected paths used for the RAKE composite, and output signals indicating the number of paths (path number information) to a scheduler 151.例文帳に追加

また、復調部１０４は、逆拡散の際に作成する遅延プロファイルに現れ、ＲＡＫＥ合成に用いるために選択されたパスの数を計数し、パス数を示す信号（パス数情報）をスケジューラ１５１に出力する。 - 特許庁

To realize a modulation-doped multiple quantum well structure having a sharp Zn profile of a few nm by satisfying two requirements, an increase in Zn concentration, and a reduction in the diffusion of Zn by the use of an organic metal vapor growth method using Zn.例文帳に追加

Ｚｎを用いた有機金属気相成長法を用いて、Ｚｎ濃度の増大とＺｎ拡散の低減を両立し、数ｎｍの急峻なＺｎプロファイルを有する変調ド−プ多重量子井戸構造を実現する。 - 特許庁

To provide a particle-dispersion-system resin sheet with a color filter, which is low-profile, lightweight and excellent in mechanical strength and dimensional stability or which is low-profile, lightweight and excellent in the mechanical strength and light-diffusion properties, and a liquid crystal display using the particle-dispersion-system resin sheet.例文帳に追加

本発明は、薄型、軽量で機械強度に優れ寸法安定性に優れたカラーフィルター付き粒子分散系樹脂シートや薄型、軽量で機械強度に優れ光拡散性に優れたカラーフィルター付き粒子分散系樹脂シート、および上記粒子分散系樹脂シートを用いた液晶表示装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

The performance of the heat treatment for a short time less than or equal to 1 ms suppresses a variation in the concentration profile of the p-type impurity of the p-type extended region 7 and the p-type diffusion region 11 that are previously formed.例文帳に追加

また、Ｓｉ：Ｃ層１６を形成する際の熱処理を１ｍ秒以下の短時間で行うことにより、すでに形成されているｐ型拡張領域７およびｐ型拡散領域１１のｐ型不純物の濃度プロファイルの変化を抑える。 - 特許庁

In the present invention, the stereostructural silicon-wire channel region can be formed to have a trapezoidal or trigonal profile through the utilization of the difference in an etching speed depending on a surface orientation of silicon, and the source/drain junction can be formed through the solid-state diffusion method.例文帳に追加

本発明においては、立体構造のシリコンワイヤチャネル領域は、シリコンの面方位によるエッチング速度の差を利用して台形または三角形の断面を有するように形成でき、ソース/ドレーン接合は固相拡散法によって形成できる。 - 特許庁

In an impurity concentration profile 10 in a silicon substrate after high concentration ions are injected, a region whose impurity concentration is higher than the specified value 12 is a passive region 14 where silicon crystals are made amorphous and are not diffused, and a region whose impurity concentration is lower than the specified value 12 is a crystal region or a diffusion region 16 where diffusion is occurred.例文帳に追加

高濃度イオン注入後のシリコン基板中の不純物濃度プロファイル１０において、指定濃度１２よりも高い不純物濃度からなる領域では、シリコン結晶がアモルファス化された拡散の行われない不動領域１４とし、指定濃度１２よりも低い濃度からなる領域が結晶領域として拡散の行われる拡散領域１６とする。 - 特許庁

To provide an optical sheet for a liquid crystal display device having optical functions, especially, a markedly high optical diffusion functions, and to provide a backlight unit, wherein improvement in quality including optimized angle of view, erasure of lump images, thin profile and the like is promoted using the optical sheet.例文帳に追加

光学的機能、特に光拡散機能が格段に高い液晶表示装置用光学シート及びこれを用いて視野角の適正化、ランプイメージの消去、薄型化等の品質の向上が促進されるバックライトユニットの提供を目的とするものである。 - 特許庁

To provide an optical sheet for a liquid crystal display device having optical functions, especially a markedly high optical diffusion function, and to provide a backlight unit, wherein improvement in quality including optimized angle of view, erasure of lump images, thin profile, and the like, is promoted by using the optical sheet.例文帳に追加

光学的機能、特に光拡散機能が格段に高い液晶表示装置用光学シート及びこれを用いて視野角の適正化、ランプイメージの消去、薄型化等の品質の向上が促進されるバックライトユニットの提供を目的とするものである。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for forming an image capable of deforming the image in a predetermined range while holding a rough profile shape so as not to largely collapse a previously prepared pattern to deform the image by a reaction diffusion system by using a computer.例文帳に追加

コンピュータを用いて反応拡散系による画像変形を行うにあたり、あらかじめ用意した模様が大きく崩れないように大まかな輪郭形状を保ったまま、所定の範囲で画像変形を行うことが可能な画像作成方法および装置を提供する。 - 特許庁

A third updating part 47 generates a delay profile including a third average correlation power value obtained in each phase of a diffusion code by respectively adding the first average correlation power value and the second average correlation power value to a value weighted in accordance with the coefficient γ.例文帳に追加

第３更新部４７は、第２平均的相関電力値に係数γに応じて重み付けた値に第１平均的相関電力値をそれぞれ加算することにより拡散符号の位相毎に得られる第３平均的相関電力値を含む遅延プロファイルを生成する。 - 特許庁

To provide a light-emitting element in which current diffusing layers can be formed efficiently despite the layers being formed on both main surface sides of an AlGaInP light-emitting layer section, and which can suppress the deterioration of the current diffusing layers caused by the thermal diffusion of the dopant profile of the light-emitting layer.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ発光層部の両主表面側に電流拡散層が形成されているにもかかわらず、電流拡散層を効率よく形成でき、また、電流拡散層を発光層部のドーパントプロファイルの熱拡散による劣化も抑制できる発光素子を提供する。 - 特許庁

A plurality of linear prisms of cross-sectionally polygonal shape are arranged in a row in nearly parallel along the linear light sources on at least one face of the light diffusion plate, and a row of prism line with an arithmetical mean deviation of profile Ra of 3 to 1,000 μm is formed along the short-length direction of the linear prisms.例文帳に追加

光拡散板の少なくとも一方の面には、断面多角形状の線状プリズムが線状光源に沿って略平行に複数並び、線状プリズムの短手方向に沿った中心線平均粗さＲａが３μｍ〜１，０００μｍのプリズム条列が形成されている。 - 特許庁

Here, the doping of C is important to give a surface channel CMOS device provided with the mid gap metal gate while an excellent short channel effect is maintained by holding the shallow B profile through the additional degree of freedom to relaxing the diffusion of B (even in the case of the subsequent activation heat cycle).例文帳に追加

ここで、Ｃ共ドーピングは、（後続のアクティベーション熱サイクルの際にも）Ｂの拡散を弱める追加の自由度を与えて浅いＢプロファイルを保持し、これは、良好な短チャネル効果を保持しながらミッドギャップ金属ゲートを備える表面チャネルＣＭＯＳデバイスを与えるために重要である。 - 特許庁

The micro lens array 100 functions as a lens for an illuminating system for limiting the diffusion of the light beam emitted from the LED chip 36, and a theoretical object plane 102 when the light beam is image-formed on an exposure drum 14 is illuminated with the light beam having homogeneous shape and profile through the micro lens array 100.例文帳に追加

マイクロレンズアレイ１００は、ＬＥＤチップ３６から出射される光ビームについて拡がりの制限等をする照明系のレンズであり、光ビームを露光ドラム１４上に結像させるときの理論的な物体平面１０２に、均質な形状かつ均質なプロファイルの光ビームを照明する。 - 特許庁

Since an impurity concentration profile in the thickness direction of the N type and P type impurity diffusion layers 32, 33 thus formed is formed in a way suitable for the generation and movement of carriers, the semiconductor device 30 provided with the light receiving element unit A with a high response speed and excellent light receiving sensitivity is obtained.例文帳に追加

このようにして形成されるＮ型およびＰ型不純物拡散層３２，３３の厚み方向における不純物濃度プロファイルは、キャリアの発生と移動とに好適なように形成されるので、応答速度と受光感度とに優れる受光素子部Ａを備える半導体装置３０が実現される。 - 特許庁

A carbon layer (22) is offset to depart from a gate electrode (15), relative to the tip of a source/drain extension region (18) of a field effect transistor formed in a semiconductor substrate (11); and is positioned to enclose a source/drain impurity diffusion region, in sectional profile.例文帳に追加

半導体基板（１１）に形成される電界効果型トランジスタのソース・ドレインエクステンション領域（１８）の先端に対してゲート電極（１５）から離れる方向にオフセットし、かつ、断面プロファイルでソース・ドレイン不純物拡散領域を取り囲んで位置する炭素層（２２）を有することを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

To provide a light-emitting element, in which transparent semiconductors functioning as current diffusing layers can be formed efficiently on both main surface sides of an AlGaInP light-emitting layer section and the variation of the serial resistance, in which the forward current of the element hardly occurs, and which can suppress the deterioration of the light-emitting layer section caused by the thermal diffusion of a dopant profile.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ発光層部の両主表面側に電流拡散層として機能する透明半導体を効率よく形成でき、また、発光層部のドーパントプロファイルの熱拡散による劣化も抑制でき、さらに、素子の直列抵抗ひいては順方向電流のばらつきも生じにくい発光素子を提供する。 - 特許庁