意味 | 例文 (136件) |
diffusion pairの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 136件
The surface light source device 1 is provided with a light guide plate 2, a reflection sheet 3, a prism sheet 4, a diffusion sheet 5 and a pair of an incident light generation sources 6a, 6b.例文帳に追加
面光源装置1は、導光板2、反射シート3、プリズムシート4、拡散シート5、及び一対の入射光発生源6a,6bを備える。 - 特許庁
The surface light source device 1 is provided with a light guide plate 2, a reflection sheet 3, a prism sheet 4, a diffusion sheet 5 and a pair of incident light generation sources 6a, 6b.例文帳に追加
面光源装置1は、導光板2、反射シート3、プリズムシート4、拡散シート5、及び一対の入射光発生源6a,6bを備える。 - 特許庁
The ends of the gate electrode (100) opposite to the pair of diffusion layers (102) are partially covered by a first conductor (104), when viewed from above.例文帳に追加
ゲート電極(100)における一対の拡散層(102)と対向している端部は、平面的にみて、第1の導電体(104)によって部分的に覆われている。 - 特許庁
Further, the many photodiodes can be pairs of photodiodes and a floating diffusion region is arranged between each pair of two adjacent photodiodes.例文帳に追加
また、前記多数のフォトダイオードは、2つずつ一対をなし、一対をなす隣接した2つのフォトダイオードの間にフローティング拡散領域が配されている。 - 特許庁
A field effect transistor comprises a gate insulating film 2 formed on a semiconductor substrate 1, a gate electrode 3, and a pair of source/drain diffusion regions 13 and 13.例文帳に追加
半導体基板1上にゲート絶縁膜2と、ゲート電極3と、一対のソース/ドレイン拡散領域13,13とを有する電界効果トランジスタを備える。 - 特許庁
The semiconductor memory comprises a field effect transistor 30A having a gate electrode 3, and a pair of source/drain diffusion regions 13 and 13 on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加
半導体基板1上にゲート電極3と、一対のソース/ドレイン拡散領域13,13とを有する電界効果トランジスタ30Aを備える。 - 特許庁
A single cell of a fuel cell is constituted by arranging an anode gas diffusion electrode 3 and a cathode gas diffusion electrode 5 on each side of an electrolyte membrane 1 to form a reaction region, and interposing them between a pair of separators 7, 9.例文帳に追加
電解質膜1の両面にアノードガス拡散電極3及びカソードガス拡散電極5をそれぞれ設けて反応領域を形成し、これらを一対のセパレータ7,9で挟持して燃料電池の単電池を構成する。 - 特許庁
A semiconductor device comprises: a pair of second diffusion layers 215 provided spaced apart from each other on a semiconductor substrate 11 in an element region; a first insulating film 111b provided on the surface of the element region between the pair of second diffusion layers 215; and a first gate electrode 112b provided on the first insulating film 111b.例文帳に追加
半導体素子は、素子領域内の半導体基板11に離間して設けられた1対の第2拡散層215と、1対の第2拡散層215間の素子領域表面上に設けられた第1絶縁膜111bと、第1絶縁膜111b上に設けられた第1ゲート電極112bとを備える。 - 特許庁
In the composite light diffusion compensating element configured by serially connecting a plurality of light diffusion compensating elements, a compound light diffusion compensating element 701 is provided for reducing the loss and widening the band by performing diffusion compensation by reflecting signal light plural times between incident planes located while facing by using at least a pair of light diffusion compensating elements 703 and 704 located while confronting the incident planes.例文帳に追加
複数の光分散補償素子を直列に接続して構成した複合型の光分散補償素子において、入射面を対向させて配置した少なくとも一対の光分散補償素子703,704を用いて、その対向して配置した入射面の間で信号光を複数回反射させて分散補償を行うことで低損失広帯域化が可能な複合型の光分散補償素子701を実現した。 - 特許庁
Moreover, on the single crystal layers 13 on the both sides of the floating gate 20 extending on a tunnel oxidized film 19, a pair of impurity diffusion layers 21 and 22 are formed, and an aluminum electrode 198 is connected for stabilizing a threshold value to a p-type impurity diffusion layer 195 neighboring the impurity diffusion layers 21 and 22.例文帳に追加
また、トンネル酸化膜19上に延在した浮遊ゲート20の両側の単結晶シリコン層13には一対の不純物拡散層21,22が形成されており、不純物拡散層21,22と近接するp型不純物拡散層195には、しきい値を安定させるためのアルミニウム電極198が接続されている。 - 特許庁
According to the method, impurity pile up on the Si/SiO2 interface which can not be represented by a conventional Fair model can be represented without solving the diffusion equation related to point defect (i.e., without using a conventional pair diffusion model).例文帳に追加
この方法によれば,従来のFairモデルでは表せなかったSi/SiO_2界面における不純物パイルアップを,点欠陥に関連した拡散方程式を解くことなく(すなわち従来のペア拡散モデルを用いず)表すことが可能となる。 - 特許庁
The bottom face between a pair of light guide walls 32c is painted in white or embossed or the like to form a diffusion part 32b for diffusing light.例文帳に追加
一対の導光壁32cの間の底面は白色に塗装されるか、あるいはシボ加工などが施されて光を拡散する拡散部32bを構成している。 - 特許庁
In the channel width direction D, the semiconductor device has a semiconductor region (silicon region 20) connecting the pair of diffusion regions 5 between the gate groove 4 and element isolation region 3.例文帳に追加
チャネル幅方向Dにおいて、ゲート溝4と素子分離領域3との間に、一対の拡散領域5を繋ぐ半導体領域(シリコン領域20)を有している。 - 特許庁
A 1poly type memory cell 10 has a pair of source-drain region 11, a floating gate electrode layer 13, and an impurity diffusion region 14 for control gate.例文帳に追加
1poly型メモリセル10は、1対のソース/ドレイン領域11と、フローティングゲート電極層13と、コントロールゲート用不純物拡散領域14とを有している。 - 特許庁
A pair of first diffusion layers 5a, which are shallow surface layers of a semiconductor substrate, are formed in part of a region inwardly from lower both ends of the gate electrode 4.例文帳に追加
半導体基板の浅い表層であって、ゲート電極4の下部の両端部から内方にかけて一部の領域に一対の第1の拡散層5aが形成されている。 - 特許庁
A field effect transistor is provided with a gate insulating film 2 formed on a semiconductor substrate 1, a gate electrode 3, and a pair of source/drain diffusion regions 13a and 13b.例文帳に追加
半導体基板1上にゲート絶縁膜2と、ゲート電極3と、一対のソース/ドレイン拡散領域13a,13bとを有する電界効果トランジスタを備える。 - 特許庁
The solid polymer electrolyte membrane 22 is arranged so that catalyst layers 28, 30 come in contact with each side of the solid polymer electrolyte membrane 22 with a pair of gas diffusion electrode layers 24, 26 having the catalyst layers 28, 30 and gas diffusion layers 32, 34, and the solid polymer electrolyte membrane 22 is covered with one gas diffusion electrode layer 26 and exposed from the other gas diffusion electrode layer 24.例文帳に追加
固体高分子電解質膜22が、触媒層28,30とガス拡散層32,34とを備える一対のガス拡散電極層24,26により、前記固体高分子電解質膜22の両面に前記触媒層28,30が当接するようにして、前記固体高分子電解質膜22が、一方のガス拡散電極層26で覆われるとともに、他方のガス拡散電極層24からはみ出してなる。 - 特許庁
In at least either the gas diffusion electrodes of a film electrode assembly, made by arranging a pair of gas diffusion electrodes 150a, 150c including electrode catalyst layers 120a, 120c or gas diffusion layers 140a 140c on either side of the solid polymer electrolyte film 110, conductive reinforcing layers 130a, 130c are intercalated between the electrode catalyst layers and the gas diffusion layers.例文帳に追加
固体高分子電解質膜110の両側に、電極触媒層120a、120cおよびガス拡散層140a、140cを含む1対のガス拡散電極150a、150cが配置されてなる燃料電池用膜電極接合体の前記ガス拡散電極の少なくとも一方において、前記電極触媒層と前記ガス拡散層との間に導電性補強層130a、130cを介在させる。 - 特許庁
Each gas diffusion layer 5, 6 can be supplied with gas, one supplied to one of the pair of the gas diffusion layer 5 to be a reactive gas, to which, moisture of the gas of the other layer is to be enabled to be supplied through the water-permeating membrane 2.例文帳に追加
それぞれのガス拡散層5,6にガスを供給可能とし、前記一対のガス拡散層5の一方に供給するガスを前記燃料電池に供給する反応ガスとし、該反応ガスに他方のガスの水分を前記水透過膜2を介して供給可能とした。 - 特許庁
In the fuel cell comprising a membrane-electrode junction in which a pair of diffusion electrodes 110 including a electrode catalyst layer 111 and a gas diffusion layer 112 are placed on both sides of the electrolyte membrane 100, a protection sheet 150 is prepared so that it is brought into contact with the electrolyte membrane 100 and the gas diffusion electrode 110.例文帳に追加
電解質膜100の両側に、電極触媒層111およびガス拡散層112を含む一対のガス拡散電極110が配置されてなる膜電極接合体を有する燃料電池において、 前記電解質膜100および前記ガス拡散電極110に接するように保護シート150が設けられた燃料電池である。 - 特許庁
The solid polymer electrolyte membrane 1 is sandwiched with the pair of gas diffusion electrodes 6a and 6c so as to face the surfaces on the sides of the electrode catalyst layers 2a and 2c to each other.例文帳に追加
そして、電極触媒層2a、2c側表面が互いに対向するように、一対のガス拡散電極6aおよび6cにより固体高分子電解質膜1を挟持する。 - 特許庁
Each of the semiconductor memory 31 and the semiconductor switching element 32 is provided with a field effect transistor having a gate electrode 3, and a pair of source/drain diffusion regions 13 and 13.例文帳に追加
半導体記憶素子31,半導体スイッチング素子32はそれぞれ、ゲート電極3と、一対のソース/ドレイン拡散領域13,13とを有する電界効果トランジスタからなる。 - 特許庁
Main spray E diffused by the first spray hole 41 only in the vertical direction and having a fixed thickness in the lateral direction is formed and diffusion spray F having a diffusion angle α only in the lateral direction by the pair of right and left second spray holes 43 and having a fixed thickness in the vertical direction is formed.例文帳に追加
第1噴口41によって縦方向のみに拡散し、横方向に一定の厚みを有する主噴射Eが形成されるとともに、左右一対の第2噴口43によって横方向のみに拡散角αを有し、縦方向に一定の厚みを有する拡散噴射Fが形成される。 - 特許庁
This is the fuel cell having an electrolyte membrane and a pair of electrodes for the fuel cell including a catalyst layer and a diffusion layer on both sides of the electrolyte membrane, and expanded carbon fiber is contained at least in the diffusion layer of at least either one of the electrodes for the fuel cell.例文帳に追加
電解質膜と、前記電解質膜の両側に触媒層及び拡散層を含む一対の燃料電池用電極と、を有する燃料電池であって、少なくともどちらか一方の前記燃料電池用電極の少なくとも前記拡散層に膨張化炭素繊維を含む。 - 特許庁
A fuel cell constituted with a solid electrolyte which is sandwiched and held between a pair of gas diffusion electrodes or between a gas diffusion electrode and a hydrogen storing metal alloy electrode, wherein the solid electrolyte of which a part of Ce is replaced by Y in BaCeO3 which consists of Ba and Ce as fundamental ingredients, and an electrolyte is prepared by the sol-gel method.例文帳に追加
BaとCeとを基本成分とするBaCeO_3においてCeの一部をYで置き換えた固体電解質、該電解質はゾル、ゲル法で作成したもの、およびこれをガス拡散電極同士又はガス拡散電極と水素吸蔵合金電極とで挾持してなる燃料電池である。 - 特許庁
A recess is formed on the main surface of a single-crystal silicon substrate 101 so as to form a trench, n+ diffusion layers 117 as a pair of counter electrodes are formed by sandwiching the trench in the face direction of the substrate, and an n+ diffusion layer 117 is formed in a direction at right angles to the face direction of the substrate.例文帳に追加
単結晶シリコン基板101の主表面に凹部,トレンチを形成し、基板面方向にトレンチを挟んで一対の対向電極としてのn+拡散層117を形成するとともに、基板面方向に直交する方向にn+拡散層117を形成する。 - 特許庁
A recessed part and a trench are formed on the main surface of a monocrystal silicon substrate 101, an n+ diffusion layer 117 as a pair of counter electrodes is formed in the substrate surface direction with the trench between, and an n+ diffusion layer 117 is also formed in a direction orthogonal to the substrate surface direction.例文帳に追加
単結晶シリコン基板101の主表面に凹部,トレンチを形成し、基板面方向にトレンチを挟んで一対の対向電極としてのn+拡散層117を形成するとともに、基板面方向に直交する方向にn+拡散層117を形成する。 - 特許庁
A fuel cell which comprises a fuel cell system comprises: an electrolyte membrane; a pair of electrodes; a porous gas diffusion layer; and a radical inhibitory substance disposed in at least one of the electrodes and/or in a region containing a boundary with the electrode on at lease one side of the gas diffusion region.例文帳に追加
燃料電池システムが備える燃料電池は、電解質膜と、一対の電極と、多孔質なガス拡散層と、少なくとも一方の電極内、および/または、少なくとも一方のガス拡散層における電極との境界を含む領域内に配置されたラジカル抑制物質と、を備える。 - 特許庁
It further comprises a plurality of transfer control elements Tr which are provided by a pair to a pair of adjoining photoelectric conversion regions, and change a potential barrier of optical generation charge transfer path between the storage well of a pair of photoelectric conversion regions and a corresponding floating diffusion region, to control transfer of optical generation charges.例文帳に追加
さらに隣り合う1組の光電変換領域毎に1組設けられ、1組の光電変換領域のそれぞれの蓄積ウェルと、対応するフローティングディフュージョン領域との間の光発生電荷転送経路の電位障壁を変化させ、光発生電荷の転送を制御する複数の転送制御素子Trとを有する。 - 特許庁
A membrane-electrode conjugate 15 formed by bonding catalyst layers 15b serving as a pair of electrodes to both sides of an electrolyte membrane 15a, and diffusion layers 16 disposed on both sides of the membrane electrode conjugate 15 are provided, and the membrane electrode conjugate 15 and the diffusion layer 16 are laminated without bonding a part of the portion between the membrane electrode conjugate 15 and the diffusion layer 16.例文帳に追加
電解質膜15aの両面に一対の電極としての触媒層15bを接合した膜−電極接合体15と、この膜−電極接合体15の両面に配置される拡散層16とを備え、膜−電極接合体15と拡散層16とを、これら膜−電極接合体15及び拡散層16の間の少なくとも一部を接合せずに積層する。 - 特許庁
The electrode structure 1 for the solid polymer fuel cell has a basic structural element provided with a solid polyelectrolyte membrane 2, a pair of electrode layers 3, 4 interposing the solid polyelectrolyte membrane 2, and a pair of diffusion layers 5, 6 outside the electrode layers 3, 4, respectively.例文帳に追加
固体高分子型燃料電池用電極構造体1は,固体高分子電解質膜2と,その固体高分子電解質膜2を挟む一対の電極層3,4と,各電極層3,4の外側に配置される一対の拡散層5,6とを基本構成要素とする。 - 特許庁
The cell transistor is equipped with a semiconductor substrate where a projection is formed, a gate insulating film, a pair of diffusion regions to serve as source/drain regions, a tunnel insulating film, a pair of floating gates FG1 and FG2 formed on the opposed sides of the projection respectively, an inter-poly insulating film, and a control gate CG.例文帳に追加
セルトランジスタは、凸部が形成された半導体基板と、ゲート絶縁膜と、ソース・ドレインとなる一対の拡散領域と、トンネル絶縁膜と、凸部の各側面側に設けられた一対のフローティングゲートFG1,FG2と、インターポリ絶縁膜と、コントロールゲートCGとを備える。 - 特許庁
This light transmissive printed matter whose image is stereoscopically viewed by simultaneously observing light transmitted through a pair of light transmissive printed matters having parallax each other with both eyes through a pair of lenses has at least a printing layer and a light diffusion layer in order from an observing side.例文帳に追加
互いに視差のある一対の光透過性印刷物を透過した光を一対のレンズを通して両目で同時に観察して画像を立体視する光透過性印刷物であって、少くとも前記観察する側から順に印刷層、光拡散層を有することを特徴とする。 - 特許庁
This electrode structure 1 for the solid high polymer fuel cell has a solid high polymer electrolyte membrane 2, a pair of electrode layers 3, 4 holding the solid high polymer electrolyte membrane 2 between them, and a pair of diffusion layers 5, 6 disposed outside of the electrode layers 3, 4 as basic components.例文帳に追加
固体高分子型燃料電池用電極構造体1は,固体高分子電解質膜2と,その固体高分子電解質膜2を挟む一対の電極層3,4と,各電極層3,4の外側に配置される一対の拡散層5,6とを基本構成要素とする。 - 特許庁
For the purpose of bonding securely, the diffusion bonding using a solvent is utilized for the bonding of a pair of runner forming insert die members 87 each other and also the bonding of the runner forming insert die 85 with the manifold main body 81.例文帳に追加
接合を確実にできるように、一対のランナー形成入子部材87相互の接合およびランナー形成入子85とマニホールド本体81との接合には、溶剤を用いた拡散溶接を利用する。 - 特許庁
On a p-type silicon substrate 12, a projected part 13 is formed, and there is formed a pair of n-type diffusion regions 14a and 14b functioning as a source or a drain are formed in such a manner as to pinch the projected part 13.例文帳に追加
p型のシリコン基板12には、凸部13が形成されており、凸部13を挟むようにソース又はドレインとして機能する一対のn型の拡散領域14a,14bが形成されている。 - 特許庁
The memory cell comprises a control electrode 30, a pair of impurity diffusion regions 21, 22 functioning as first and second main electrodes; resistance change sections 24, 26; and the charge accumulating sections 50, 52.例文帳に追加
メモリセルは、制御電極30と、第1及び第2の主電極として働く、一対の不純物拡散領域21、22と、抵抗変化部24、26と、電荷蓄積部50、52とを有している。 - 特許庁
A chip-like resistor 1 and a pair of copper electrode pieces 2 of the same thickness as the resistor 1 and the resistor 1 is diffusion-bonded to the pieces 2.例文帳に追加
チップ状抵抗体1と、チップ状抵抗体1と同様の厚さの銅よりなる一対の電極片2とから構成され、チップ状抵抗体1と電極片2とは拡散接合により固定されている。 - 特許庁
In the gas diffusion layer 18 for the polymer electrolyte fuel cell formed by arranging a separator 15 on both surfaces of a membrane electrode assembly 14 interposing a polymer electrolyte membrane 11 between a pair of gas diffusion layers 18 through a catalyst layer 17, the gas diffusion layer 18 comprises the fibrous structure, and a water repellent portion is formed in the position facing a rib of the separator 15 in the fibrous structure.例文帳に追加
触媒層17を介して高分子電解質膜11が一対のガス拡散層18に挟まれてなる膜電極接合体14の両面に、セパレータ15を配してなる固体高分子型燃料電池用のガス拡散層18において、ガス拡散層18は、繊維状の構造体からなり、この構造体にあって、セパレータ15のリブに対向する位置に、撥水性の部位を形成する。 - 特許庁
Then, an impregnation optimization treatment in which a constituent material of the seal portion 16 can be impregnated more at the outside region than at the power generation region is applied on at least one of the pair of the gas diffusion layers.例文帳に追加
そして、一対のガス拡散層の少なくとも一方には、発電領域に比べて外側領域の方が、シール部16の構成材料がより多く含浸可能となる含浸適正化処理が施されている。 - 特許庁
The semiconductor storage device includes a semiconductor base S, a cell transistor T having a pair of source/drain diffusion layers 11 formed on the semiconductor base S, and a ferroelectric capacitor C connected to the cell transistor T.例文帳に追加
半導体記憶装置は、半導体基板Sと、半導体基板S上に形成された一対のソース/ドレイン拡散層11を有するセルトランジスタTと、セルトランジスタTに接続された強誘電体キャパシタCとを備える。 - 特許庁
The inner tube 32 of the metal halide lamp 14 has a diffusion part 88 to diffuse the light emitted from the arc tube 30 in the region on the opposite side to the pinch seal part rather than the location corresponding to the center of the pair of electrodes.例文帳に追加
メタルハライドランプ14の内管32は、一対の電極間の中央に相当する位置よりもピンチシール部と反対側の領域に、発光管30から発せられた光を拡散する拡散部88を有する。 - 特許庁
Upon injection of neutrons, the α rays generated at the ^10B diffusion layer 10 produce an electron-hole pair 16 at a depletion layer of the p-n junction 13, the electric charge of which is then collected to the analysis circuit portion for analysis.例文帳に追加
中性子の入射により^10B拡散層10で発生したα線は、pn接合13の空乏層で電子−正孔対16を発生し、その電荷は解析回路部に収集され、解析される。 - 特許庁
The film assembly 2 for an electrode of a fuel cell comprises a solid polymer electrolyte film 5, a pair of catalyst layers 6 and 7 overlapped on both sides of the solid polymer electrolyte film 5, and a pair of porous gas diffusion layers 8 and 9 overlapped on the outside of respective catalyst layers 6 and 7 and formed by a conductive material.例文帳に追加
燃料電池用電極・膜接合体2は、固体高分子電解質膜5、固体高分子電解質膜5の両面に重ねられた一対の触媒層6,7、及び各触媒層6,7の外側に重ねられ、導電性材料により形成された多孔質の一対のガス拡散層8,9を備えている。 - 特許庁
The semiconductor device 20 has an internal circuit 1 including an NMOS transistor 31, and an electrostatic protection circuit including a protection element 41 having a p-type well diffusion region 11 and a pair of n-type regions 12a and 12b opposed to each other at a predetermined mutual interval in the p-type well diffusion region 11.例文帳に追加
この半導体装置20は、NMOSトランジスタ31を含む内部回路1と、p型ウェル拡散領域11と、そのp型ウェル拡散領域11内において互いに所定の間隔を隔てて対向する一対のn型領域12aおよび12bとを有する保護素子41を含む静電気保護回路2とを備えている。 - 特許庁
The spherical solar cell 1 having a semiconductor spherical crystal (for example, p-type spherical silicon 1b and n-type diffusion layer 1c), a pair of electrodes (for example, positive electrode 1e and negative electrode 1f), and so forth is provided on the dial 14.例文帳に追加
文字板14上には、半導体の球状結晶(例えば、p型球状シリコン1b、n型拡散層1c)、一対の電極(例えば、正極1e、負極1f)等を備えた球状ソーラセル1が設けられている。 - 特許庁
The gate groove 4 has a shape of its opening end 4a defined by the element isolation region 3 in a channel-width direction, and is formed so as to be in contact with the pair of diffusion regions 5 respectively in a channel length direction E.例文帳に追加
ゲート溝4は、チャネル幅方向Dではその開口端4aの形状が素子分離領域3により画定され、且つ、チャネル長方向Eでは一対の拡散領域5にそれぞれ接するように形成されている。 - 特許庁
An membrane-electrode integrated structure 12 composed of an ion exchange film 10 and a pair of gas diffusion layers 15 is located on and between the separation plates 5, and the ion exchange film 10 having a peripheral edge 14 is located in the chamber 20.例文帳に追加
イオン交換膜10と1対の気体拡散層15を含んで成る膜電極一体構造12を分離版5の上および間に前記イオン交換膜10の周囲縁14が前記チャンバ20の中に位置させる。 - 特許庁
A sensor element 10 of an A/F sensor has a gas diffusion rate determining part, a solid electrolyte and a pair of electrodes, and an element current flows in response to the concentration of a specified component in each time in accompaniment with voltage impression to the sensor element 10.例文帳に追加
A/Fセンサのセンサ素子10はガス拡散律速部、固体電解質体及び一対の電極を有し、該センサ素子10への電圧印加に伴いその都度の特定成分濃度に応じた素子電流が流れる。 - 特許庁
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