「diffusion type」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a membrane type air diffusion device capable of controlling the initial pressure loss, and preventing oxygen transfer efficiency from dropping by dispersing and generating bubbles evenly at the time of low air flow.例文帳に追加

初期圧力損失を抑制することができ、小風量時において気泡を分散させて均一に発生させることにより、酸素移動効率の低下を防止することが可能なメンブレン式散気装置を提供する。 - 特許庁

To provide a combustion chamber of a vortex chamber type diesel engine capable of promoting diffusion of a jet to a main combustion chamber at the time of an explosion stroke and activating a vortex generated in the vortex chamber at the time of a compression stroke.例文帳に追加

爆発工程時に主燃焼室への噴流の拡散を促進するとともに、圧縮工程時に渦流室内に発生する渦流を活性化できる渦流室式ディーゼルエンジンの燃焼室を提供する。 - 特許庁

To provide a lens sheet constituted by laminating at least a lens layer and a diffusion plate, capable of maintaining the stable adhesion state with a plurality of sheet members, and to provide a transmission type screen.例文帳に追加

本発明は、複数のシート部材と安定した密着状態を維持することができる少なくともレンズ層と拡散板が積層されてなるレンズシートおよび透過型スクリーンを提供することを目的とするものである。 - 特許庁

A first conductivity type first impurity diffusion region 16 is formed along a plane facing the channel region of the source region and the drain region and has a second impurity concentration higher than the first impurity concentration.例文帳に追加

第１導電型の第１不純物拡散領域１６は、ソース領域およびドレイン領域のそれぞれのチャネル領域と面する面に沿って形成され、第１不純物濃度より高い第２不純物濃度を有する。 - 特許庁

To obtain an internal latent image type direct positive silver halide emulsion, having high sensitivity reversal positive performance, low re-reversal negative sensitivity and superior storage stability, and to obtain a color diffusion transfer photosensitive material having superior graininess by using the emulsion.例文帳に追加

反転ポジ性能が高感度で再反転ネガ感度が低く、保存性に優れた内部潜像型直接ポジハロゲン化銀乳剤を得、それを用いて粒状性に優れたカラー拡散転写感光材料を得る。 - 特許庁

With the structure, the resistor 1 is protected by the breakdown of the pn junction regions 22, 23 when negative ESD surge is impressed on a pad for an electrode to apply the voltage to a p-type diffusion layer 9.例文帳に追加

この構造により、Ｐ型の拡散層９に電圧を印加する電極用のパッドに負のＥＳＤサージが印加された際、ＰＮ接合領域２２、２３がブレークダウンし、抵抗１を保護することができる。 - 特許庁

To provide a photographic element for transmission type display providing the improved transmissivity of white light and forming the diffusion of more effective light so as to make an observer impossible to clearly recognize light source elements at the same time.例文帳に追加

白色光の改良された透過率を備え、同時に、光源の素子が見る者にはっきりとわからないように、より有効な光の拡散を提供する透過型ディスプレー材料に対する要求が存在する。 - 特許庁

To previously form a ball cell substrate, to remove the diffusion layer of second conductivity tape silicon along a spherical outline without local heating, to expose first conductivity type silicon and to form a ball diode substrate.例文帳に追加

予め、ボール・セル基板を形成し、局所的な加熱を伴わずに球状輪郭に沿って第２導電型シリコンの拡散層を取り除き第１導電型シリコンを露出させて、ボール・ダイオード基板を形成することにある。 - 特許庁

To improve the productivity of a light diffusion film by adopting a method for prefilming a plurality of short fibers by a dry type nonwoven fabric method instead of a method for weaving long fibers which may cause deterioration in the productivity.例文帳に追加

生産性を悪化させる原因となっていた長繊維を織る方法に代え、複数の短繊維を乾式不織布法によってプレフィルムとする方法を採用することによって、光拡散フィルムの生産性を改善する。 - 特許庁

An SIMD type processor initializes an error additional value for two lines before when the present image data are on the first line, and initializes the error additional value when image data to be subjected to error diffusion operation this time are on the 1SIMD.例文帳に追加

ＳＩＭＤ型プロセッサは現画像データが１ライン目であれば、前２ライン分の誤差加算値を初期化し、今回の誤差拡散演算する画像データが１ＳＩＭＤ目であれば誤差加算値を初期化する。 - 特許庁

To provide an operation button used also for lamp display keeping the uniform and proper diffusion, in a two-color light emission type combustion lamp of different brightness, with respect to a constitution of the operation button of the burning appliance.例文帳に追加

本発明は、燃焼機器の運転ボタンの構成に関するものであり、輝度の異なる２色発光タイプの燃焼ランプにおいて、均一かつ適度な拡散を保つランプ表示を兼ねた運転ボタンを提供する。 - 特許庁

Then, a P-type upper separation area 29 is formed in the epitaxial layer 21 by thermal diffusion, and the upper separation area 29 and a lower separation area 22 are coupled to form a separation area 30.例文帳に追加

その後、熱拡散を行うことにより、エピタキシャル層２１の中にＰ型の上分離領域２９が形成され、この上分離領域２９と下分離領域２２とは連結されて分離領域３０が形成される。 - 特許庁

Furthermore, the high conductivity region 18 is surrounded by a P-type diffusion layer 40, and there is no spherical bonding.例文帳に追加

更に、高導電領域１８は、Ｐ型の拡散領域４０によって囲まれており、球状接合が無く、高導電領域１８内に広がる空乏層は、高導電領域１８の内側に向けて伸びるようになっている。 - 特許庁

The mount is loaded in a condition where the device 5 projects the white light beam, the transmission type film transmits the white light beam and a character and a picture printed on the mount, etc., are projected on a diffusion screen 1.例文帳に追加

前記映像投写装置５が白色光を投写している状態で前記台紙を装填すると、透過型フィルムを白色光が透過してそれに印画されている文字が絵などが拡散スクリーン１に投影される。 - 特許庁

Thereafter, a low concentration diffusion region 8 is formed by implanting low concentration N-type impurity ions using a second masking means which has a reduced pattern width by slimming the first masking means 6a as a mask.例文帳に追加

その後、第１マスク手段６ａに対してスリミング処理を施してパターン幅を狭めた第２マスク手段をマスクとして、低濃度のＮ型不純物イオンを注入して低濃度不純物拡散領域８を形成する。 - 特許庁

A reflection preventing film constituted of a silicon oxide film 27 and a silicon nitride film 28 is formed on the n type diffusion layer 24, and each film thickness is set so that reflectivity can be minimized for the wavelength of incident light.例文帳に追加

ｎ型拡散層２４上には、シリコン酸化膜２７およびシリコン窒化膜２８で成る反射防止膜を形成し、入射光の波長に対して反射率が最小になるように各膜厚を設定する。 - 特許庁

A semiconductor device is equipped with a solid electrolyte secondary cell formed on a semiconductor substrate (a), and the semiconductor substrate (a) located beneath the solid electrolyte secondary cell is equipped with a diffusion layer (g) doped with N-type impurities.例文帳に追加

半導体基板の上に固体電解質二次電池が形成された半導体装置であって、固体電解質二次電池直下の半導体基板ａがＮ型の不純物をドープした拡散層ｇを有する。 - 特許庁

In this way, an implantation process for heavy ion and a heat treatment process for recovery of crystallinity for each of the implantation process are repeated for several times, thereby forming a P type channel diffusion layer 12 on the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

このように、重イオンの注入工程及び該注入工程ごとの結晶性回復の熱処理工程を複数回繰り返すことにより、半導体基板１１の上部にＰ型チャネル拡散層１２を形成する。 - 特許庁

In the formation region of an electrode pad 7, N+ diffusion regions 19a, 19b, and 19c are formed on the surface of a P type semiconductor substrate 3 so as to be separated from each other by a field oxide film 21.例文帳に追加

電極パッド７の形成領域において、Ｐ型半導体基板３の表面にフィールド酸化膜２１によって互いに分離されてＮ＋拡散領域１９ａ，１９ｂ，１９ｃが形成されている。 - 特許庁

The second drain region 23B has the same impurity concentration and diffusion depth of a conductive type as that of a channel stop region 31 (see Fig. 3) of a p-channel MOS transistor formed on a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

第２ドレイン領域２２Ｂは、半導体基板１０上に形成されたｐチャネルＭＯＳトランジスタのチャネルストップ領域３１（図３参照）と同一の導電型の不純物濃度および拡散深さを有している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a group III-V compound semiconductor photo diode which can control the depth of a p-type diffusion region with high precision and does not generate roughness on a semiconductor light receiving surface.例文帳に追加

ｐ型拡散領域の深さを高い精度で制御することができかつ半導体受光表面の荒れを生じることのないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体フォトダイオードの作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a planographic printing plate using a silver complex salt diffusion transfer process, handleable in a light room, exposed with a blue semiconductor laser scanning type exposure machine and is superior, particularly in printing performance.例文帳に追加

明室下で取り扱い可能で、青色半導体レーザー走査型露光機で感光する銀錯塩拡散転写法を用いた平版印刷版で、印刷性能特に優れた平版印刷版を提供することである。 - 特許庁

In the semiconductor device, a silicon oxide film 41 for dielectric films in the capacitor 3 is formed on an n-type diffusion layer 40 for the lower electrode of the capacitor at the formation region of the capacitor 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、キャパシタ３の形成領域において、キャパシタの下部電極用のＮ型の拡散層４０上には、キャパシタ３の誘電膜用のシリコン酸化膜４１が形成されている。 - 特許庁

An N-type high-concentration region is formed by doping impurities such as phosphorus or arsenic into a part or the entire surface of the extension drain region through an ion-implantation method or a POCl3 diffusion method.例文帳に追加

Ｎ型高濃度領域１は、イオン注入法またはＰＯＣｌ_3拡散法によって延長ドレイン領域表面の一部ないしは全面にリンまたはヒ素等の不純物をドープすることによって形成される。 - 特許庁

To enable stable combustion, since there is a tendency of extremely easily receiving influence of combustion driving vibration (dynamic instability) more than conventional diffusion type combustion to turning stabilizing lean premix combustion of a combustor.例文帳に追加

燃焼器の旋回安定化希薄予混合燃焼は、従来の拡散型燃焼に比べて燃焼駆動振動（動的不安定性）の影響を極めて受けやすい傾向があるため、安定燃焼を可能にする。 - 特許庁

The optical compensation sheet comprises the support and at least a light diffusion layer on the support, wherein the support and the adjacent layer of the support contain the same type resin.例文帳に追加

支持体と、該支持体上に少なくとも光拡散層を有する光学補償シートであって、前記支持体及び該支持体の隣接層が、同系統の樹脂を含有することを特徴とする光学補償シートである。 - 特許庁

The manufacturing method further includes a step (f) of making the body diffusion layer 4 lower in impurity density at least at a predetermined portion below the body contact layer 12 than at any other portion while maintaining the second conductivity type.例文帳に追加

ボディ拡散層４のうちの少なくともボディコンタクト層１２の下方の所定の部分の不純物濃度を、第２導電型に維持しながらボディ拡散層４の他の部分よりも低くする工程（ｆ）を更に備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage that prevents a machined shape in a diffusion region from varying easily for reducing variation in the characteristics of a transistor, and can achieve high integration in a CMOS-type SRAM memory.例文帳に追加

本発明は、ＣＭＯＳ型ＳＲＡＭメモリセルにおいて、拡散領域の加工形状が変動しにくく、その結果としてトランジスタの特性ばらつきが少なく、高集積化が可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a reflector wherein the appearance/shape of the reflection plane is a thin type having a transparency, and the functional condition of light uniformity and light diffusion property is enhanced and to provide a method of determining the reflection plane of a vehicle lamp.例文帳に追加

光均一性及び光拡散性の機能条件が向上されると同時に、透明感のある薄型の外観・形状を有する車両用灯具、及びその反射鏡の反射面決定方法を提供する。 - 特許庁

To provide a color diffusion transfer type silver halide photographic sensitive material superior in color development performance and color reproduction performance and image fastness and to provide an image forming method by using this photosensitive material.例文帳に追加

発色性、色再現性、及び画像堅牢性に優れたカラー拡散転写ハロゲン化銀写真感光材料並びにこれら特性に優れたハロゲン化銀写真感光材料を用いた画像形成方法を提供する。 - 特許庁

Light emitted from the side-emitter type light emitting diodes 2 is reflected by inside walls 20 of the outside frame 3, passed through the diffusion plate 4 by bending its traveling direction in the z-axis direction by the prism sheet 5 and emitted to the outside.例文帳に追加

サイドエミッタ型発光ダイオード２から放射された光は、外枠３の内壁２０により反射され、プリズムシート５により進行方向をｚ軸方向に曲げられ、拡散板４を通過して外部に放出される。 - 特許庁

To provide a cold/cool/warm heat diffusion preventive bellows-shaped tunnel type blower, preventing diffusion of cold/cool/warm heat air of an inside heating/cooling instrument by easily changing a supply air direction according to an expanding/contracting and bending installation angle of a bellows-shaped folding tunnel having a large bore, and improving heat efficiency of a large capacity.例文帳に追加

大口径の蛇腹状折り畳みトンネルの伸縮、及び曲折の設置角度によって、送風方向の変更が容易に出来ることによって、室内冷暖房器具の冷、涼、暖、熱の送風の拡散を防止し、大容量の熱効率化を図ることを課題とした冷涼暖熱拡散防止蛇腹状トンネル式送風器具を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device, the diffusion resistance region 3 has a constitution which is electrically separated by a second trench 6 and an impurity region of one conductivity type, and a conductive polysilicon 5 provided at a sidewall of the second trench 6 via an insulating film 7 is short-circuited and connected to either of ends 4a of the diffusion resistance region 3.例文帳に追加

前記拡散抵抗領域３は第二トレンチ６および一導電型の不純物領域により電気的に分離される構成を有し、さらに、前記第二トレンチ６の側壁に絶縁膜７を介して設けられている導電性ポリシリコン５が、前記拡散抵抗領域３のいずれかの端部４ａと短絡接続されている半導体装置とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element capable of solving such problems as an increase in an operating current of an infrared laser, the occurrence of defects in an AlGaAs active layer by an n-type clad layer, and furthermore the diffusion of In from the clad layer to the active layer at forming a window region by solid-phase diffusion of Zn, and provide its manufacturing method.例文帳に追加

赤外レーザの動作電流の増大、ｎ型クラッド層によるＡｌＧａＡｓ活性層の欠陥の発生、さらに、Ｚｎの固相拡散による窓領域形成時のクラッド層から活性層へのＩｎ拡散などの問題を解消することができる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

The successive light transmission type sheet is constituted so that a sheet having a diffusion layer formed at least by dispersing light diffusion fine particles into light transmissive resin is wound while making the face to be attached to lenses the outside on the half surface, is cut into a desired size and is attached to the lens sheet.例文帳に追加

連続状光透過性シートの片面に、少なくとも光透過性樹脂に光拡散性微粒子を分散した拡散層を設けたシートを、レンズと張り合わす面を外側として、巻回したことを特徴とする連続状光拡散性シートし、このシートを所定の大きさに切断し、レンズシートと張り合わせることにより解決した。 - 特許庁

Related to a TC parallel unit series connection type ferroelectric memory, a first contact 15 between one side source/drain diffusion layers 5 and 6 and a lower part electrode 9, and a second contact 17 between an upper part electrode 11 and the other side of source/drain diffusion layers 5 and 6, are formed from a first oxidation resistant conductive film 13 and a second oxidation resistant conductive film 16, respectively.例文帳に追加

ＴＣ並列ユニット直列接続型強誘電体メモリにおいてソース・ドレイン拡散層５、６の一方側と下部電極９との第１コンタクト部１５と上部電極１１とソース・ドレイン拡散層５、６の他方側との第２コンタクト部１７をそれぞれ第１耐酸化性導電膜１３、第２耐酸化性導電膜１６で形成する。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device having a through-hole electrode, when a through-via is formed after forming a pre-metal wiring layer, a silicon nitride type insulation film is used as a metal diffusion prevention film at an interface of an interlayer insulation film located at the upper end of the through-hole electrode, and a silicon carbide type insulation film is used as the metal diffusion prevention film at other interfaces of the interlayer insulation films.例文帳に追加

本願の一つの発明は、貫通電極を有する半導体集積回路装置において、プリメタル配線層形成よりも後に貫通ビアを形成する場合において、貫通電極の上端に当たる層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、窒化シリコン系絶縁膜を使用し、それ以外の層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、炭化シリコン系の絶縁膜を使用するものである。 - 特許庁

To provide a positive type resist material which has an extremely high alkaline dissolution-rate contrast before and after exposure, a high resolution, a high sensitivity, and good roughness (LWR) after exposure, and further which suppresses acid diffusion rate, in particular, a positive type resist material using a high molecular compound suitable as a base resin of a chemical amplification positive type resist material, and to provide a pattern forming method.例文帳に追加

露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、高感度で、露光後のラフネス（ＬＷＲ）が良好であり、その上特に酸拡散速度を抑制できるポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物を用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for compound semiconductor element provided with a nearly ideal n-type InGaAs non-alloy layer not resulting in any influence on the characteristics of transistors, by solving the problems of surface flatness, diffusion into the lower layers and memory effect resulting from an n-type dopant on the InGaAs non-alloy layer of the uppermost layer.例文帳に追加

最上層のＩｎＧａＡｓノンアロイ層へのｎ型ドーパントが及ぼす表面の平坦性、下層への拡散、及びメモリー効果といった課題を解決して、トランジスタの特性に影響が無い、理想に近いｎ型のＩｎＧａＡｓノンアロイ層を具備する化合物半導体素子用エピタキシャルウェハを提供すること。 - 特許庁

This cigarette filter is characterized by collision-removing relatively large particle-like substances with a U tube type HEPA filter 1, diffusion-removing with a circular single plate HEPA filter 3 continuously layered with untreated fine particles, and forming a mild good taste with fine activated carbon 2 filled in the U tube type HEPA filter 1.例文帳に追加

Ｕチューブ形ＨＥＰＡフィルター１で比較的大きな粒子状物質を衝突除去し、未処理の微細粒子を連層した円形単板ＨＥＰＡフィルター３で、拡散除去するとともに、Ｕチューブ形ＨＥＰＡフィルター１に充填した微粉活性炭２で、まろやかで旨味のある構造としたたばこフィルター。 - 特許庁

At a bottom portion of the gate trench 38, a diffusion domain of a first conductivity type is not formed which has its periphery surrounded with a drift region 18, and at a bottom portion of the termination trench 22, a floating region 20 of the first conductivity type is formed which has its periphery surrounded with the drift region 18.例文帳に追加

ゲートトレンチ３８の底部には、その周囲がドリフト領域１８によって囲まれている第１導電型の拡散領域が形成されておらず、終端トレンチ２２の底部には、その周囲がドリフト領域１８によって囲まれている第１導電型の拡散領域２０が形成されている。 - 特許庁

An n-conductivity-type first transistor Q1 formed in a memory region RM on a silicon substrate 1 has: a memory channel region CH1 containing boron; and n-type memory extension regions ET1 and diffusion preventing regions PA1 containing oxygen which are formed below both side walls of a memory gate electrode GE1.例文帳に追加

シリコン基板１上のメモリ領域ＲＭに形成された、ｎ型導電型である第１トランジスタＱ１は、ホウ素を含むメモリ用チャネル領域ＣＨ１と、メモリ用ゲート電極ＧＥ１の両側壁側下に形成された、ｎ型のメモリ用エクステンション領域ＥＴ１および酸素を含む拡散防止領域ＰＡ１とを有している。 - 特許庁

Since the concentration of n-type dopants around a parasitic diode 124 increases due to the existence of the n-type diffusion layer 115, the breakdown voltage of the parasitic diode 124 connected to a collector electrode is set lower than that of a diode 122 connected to an emitter electrode.例文帳に追加

このため、寄生ダイオード１２４の周囲のＮ型不純物濃度は、Ｎ型拡散層１１５が形成されることでＮ型不純物量が増加することにより、コレクタ電極に接続されている寄生ダイオード１２４の耐圧がエミッタ電極に接続されているダイオード１２２の耐圧よりも低く設定される。 - 特許庁

The entire side panel of opposite conductivity type resistance diffusion layer 107a provided on the surface of one conductivity type single crystal silicon layer 104 of an SOI substrate 101 are making direct contact with a dielectrically isolating region wherein an embedding insulating film 115 is filled up in a trench 113a reaching an embedding insulating layer 103.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１０１の一導電型の単結晶シリコン層１０４の表面に設けられた逆導電型の抵抗拡散層１０７ａの側面の全面は、埋め込み絶縁層１０３に達する溝１１３ａに埋め込み絶縁膜１１５が充填してなる誘電体分離領域に、直接に接触している。 - 特許庁

A diffusion layer of a second conductivity type different from the first conductivity type is provided in the semiconductor layer below the first channel region, contacts the bottom of the first channel region in a substantially perpendicular to the surface of the semiconductor layer, and forms a P-N junction with the bottom of the first channel region.例文帳に追加

第１導電型とは異なる導電型である第２導電型の拡散層が、第１のチャネル領域のさらに下の半導体層に設けられ、半導体層の表面に対してほぼ垂直方向に第１のチャネル領域の底部と接し、該第１のチャネル領域の底部とＰＮ接合を形成する。 - 特許庁