「diffusion type」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in manufacture of SJ-MOSFET by trench filling epitaxial technique, which does not isolate a p-column from a n-type source on a n-column without degrading on-resistance because of a drive diffusion in a n-type source region.例文帳に追加

トレンチ埋め込みエピ方式によるＳＪ−ＭＯＳＦＥＴの製造において、ｎ型ソース領域のドライブ拡散によりオン抵抗を悪化させることなく、ｐカラムとｎカラム上のｎ型ソース領域を分離させない半導体装置の製造方法を提供することができる。 - 特許庁

Further, the semiconductor device includes a channel stopper region (N-type channel stopper region 9) which is a first conductivity type, and has a higher impurity concentration than the impurity region and comes into contact with a bottom surface of the element isolation region 6 and a low-concentration diffusion region adjoining the element isolation region 6.例文帳に追加

更に、第１導電型であり、不純物領域よりも不純物濃度が高く、素子分離領域６の底面と、素子分離領域６に隣接する低濃度拡散領域の各々とに接しているチャネルストッパー領域（Ｎ型チャネルストッパー領域９）を有する。 - 特許庁

After a gate oxide film 4 and a gate electrode film 5 are formed on a P-type semiconductor substrate 1, a highly concentrated impurity diffusion region 7 is formed by implanting highly concentrated N-type impurity ions using a first masking means 6a having a pattern width wider than that of a gate electrode 5a as a mask.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上に、ゲート酸化膜４及びゲート電極膜５を形成後、ゲート電極５ａよりもパターン幅を拡げて形成された第１マスク手段６ａをマスクとして、高濃度のＮ型不純物イオンを注入して高濃度不純物拡散領域７を形成する。 - 特許庁

In an IGBT with a built-in FWD, a trench 21 which is a dummy trench reaching an N-type drift layer 11 through a P-type diffusion layer 20 is formed at the same pitch and depth as an IGBT part 1 in a region except the IGBT part 1 and an FWD part 3, that is, a runner 2.例文帳に追加

ＦＷＤ内蔵ＩＧＢＴにおいて、ＩＧＢＴ部１およびＦＷＤ部３以外の領域、すなわちランナー部２にＰ型拡散層２０を貫通してＮ−型ドリフト層１１に達するダミートレンチであるトレンチ２１を、ＩＧＢＴ部１と同じピッチ、深さで形成する。 - 特許庁

A first metal layer 51 and a high-resistance conductive layer 60 are each connected to an input pad INP and the first N-type high-concentration diffusion layer 21, and a second metal layer 52 is connected to a reference voltage pad VSP and the second N-type high-concentration diffused layer 22.例文帳に追加

第１の金属層５１及び高抵抗導電層６０は入力パッドＩＮＰと第１のｎ型高濃度拡散層２１とを接続し、第２の金属層５２は、基準電圧Ｖ_SSを供給する基準電圧パッドＶＳＰと第２のｎ型高濃度拡散層５２とを接続している。 - 特許庁

A positive-type photosensitive material 7 is applied over an entire front face 1a of the substrate 1, and exposure is carried out from the rear face 1b side of the substrate 1 through a diffusion plate 9 to make irradiate the positive-type photosensitive material layer 7 irradiated in a wide angle manner light from the openings of the pattern 3a (D).例文帳に追加

表面１ａ上全面にポジ型感光性材料７を塗布した後、石英基板１の裏面１ｂ側から拡散板９を介して露光し、露光を遮光膜パターン３ａの開口部分から広角的にポジ型感光性材料層７に照射する（Ｄ）。 - 特許庁

In an amplifier 1 constituting an amplifier circuit 16, a feedback resistor Rf has a polysilicon resistor 6 formed via a silicon oxide film 5 on an n-type epitaxial layer 3 and a p-type impurity diffusion region 7 formed on a position corresponding to a portion under the polysilicon resistor 6.例文帳に追加

増幅回路１６を構成する増幅器１において、帰還抵抗Ｒｆは、ｎ型のエピタキシャル層３上にシリコン酸化膜５を介して形成されたポリシリコン抵抗６と、ポリシリコン抵抗６の下部に対応する位置に形成されたｐ型の不純物拡散領域７とを有する。 - 特許庁

Since a quartz type optical waveguide device 5 is directly fixed on a heating element 12, sufficient thermal diffusion to acquire the predetermined demultiplexed wavelength characteristics is carried out, and the waveguide type optical module with which the predetermined demultiplexed wavelength characteristics are acquired is realized.例文帳に追加

発熱体１２に石英型光導波路素子５が直接固定されているので、所定の分波波長特性を得るのに十分な熱拡散を行うことができ、所定の分波波長特性が得られる導波路型光モジュールの提供を実現することができる。 - 特許庁

In this semiconductor optical element 1A, the diffusion prevention layer 42 containing the Si impurities is interposed between the active layer 30 and p-type clad layer 40a of the semiconductor mesa portion 2M, and traps Zn diffused from the p-type clad layer 40a to the active layer 30.例文帳に追加

この半導体光素子１Ａにおいては、半導体メサ部２Ｍの活性層３０とｐ型クラッド層４０ａとの間に、Ｓｉ不純物を含む拡散防止層４２が介在しており、この拡散防止層４２が、ｐ型クラッド層４０ａから活性層３０へ向かうＺｎをトラップする。 - 特許庁

To provide a UV-curing type ink for a light guide plate capable of obtaining suitable UV-curing characteristics, mechanical characteristics, water resistance or the like at the forming of a light diffusion pattern on the light guide plate, and the light guide plate having high luminance and fewer luminance unevenness at the use of the UV-curing type ink.例文帳に追加

導光板における光拡散パターンの形成において、良好な紫外線硬化特性、機械的特性、および耐水性等が得られる導光板用紫外線硬化型インキ、およびそれを用いてなる高輝度で、輝度ムラ等が少ない導光板を提供する。 - 特許庁

The dummy word line is electrically connected to the diffusion layer of the second conductivity type via a first interconnection layer 12, and at the same time, is connected to the well 2a region of the first conductivity type or the semiconductor substrate via an interconnection layer 14 in a layer above the first interconnection layer.例文帳に追加

ここで、ダミーワード線は、第１の配線層１２を介して第２導電型拡散層と電気的に接続されるとともに、第１の配線層より上層の配線層１４を介して第１導電型ウェル２ａ領域または半導体基板に接続されている。 - 特許庁

Afterwards, a metal film is formed on the surface protecting film 7 including the inside of the opening 8, and the metal film is patterned, thereby forming an anode electrode 9a in contact with the p-type diffusion layer 6 and an outer peripheral electrode 9b in contact with the n-type epitaxial layer 2 exposed in the outer periphery of the chip.例文帳に追加

その後、開口部８の内部を含む表面保護膜７上にメタル膜を成膜し、メタル膜をパターニングすることによって、ｐ型拡散層６に接するアノード電極９ａおよびチップの外周部に露出したｎ型エピタキシャル層２に接する外周電極９ｂを形成する。 - 特許庁

An orifice equipped with a diffusion type air passage having an equivalent opening area and a nozzle member equipped with a bell mouth type air passage are coaxially arranged in an blowout port of the air conditioning duct, and a moving mechanism for relatively displacing the orifice and the nozzle member in the axial line direction is installed.例文帳に追加

空調ダクトの吹出口に、等価開口面積を有する拡散形空気通路を備えたオリフィスと、ベルマウス形空気通路を備えたノズル部材とを同軸的に配置すると共に、オリフィスとノズル部材とを軸線方向に相対変位させる移動機構を設ける。 - 特許庁

The p-type contact layer 6 sequentially laminates an optical reflective metal film 7 consisting of Ag having a thickness of 150 nm, a diffusion preventing metal film 8 consisting of W having a thickness of 100 nm, and a cover metal film 9 consisting of Au having a thickness of 150 nm to from a p-type electrode 12.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層６の上には厚さが１５０ｎｍのＡｇからなる光学反射金属膜７と、厚さが１００ｎｍのＷからなる拡散防止金属膜８と、厚さが１５０ｎｍのＡｕからなるカバー金属膜９とが順次積層されたｐ型電極１２が形成されている。 - 特許庁

A Schottky diode comprises an n-type semiconductor substrate 1, a Schottky electrode 3, and a p-type diffusion layer 2 serving as a leakage restraining structure for restraining a leakage current by producing a barrier layer when a reverse bias voltage is applied to between the Schottky electrode 3 and the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ショットキバリアダイオードは、Ｎ型半導体基板１と、ショットキ電極３と、ショットキ電極３と半導体基板１との間に逆バイアス電圧が印加されたときに空乏層を生じさせることによりリーク電流を抑制するリーク抑制構造部としてのＰ型拡散層２とを備える。 - 特許庁

A recess, having a trapezoidal plan shape, is provided on a gate 105a for forming an area which is likely to concentrate the electric field on a p-type base region 106a, a cut part of an n+-type source diffused layer 112a, is provided near the recess to suppress the increase of the diffusion resistance at this part.例文帳に追加

ゲート電極１０５ａに平面形状で台形上の凹部を設けてＰ型ベース領域１０６ａに電界集中の生じ易い個所を形成し、この凹部近傍にＮ^+ 型ソース拡散層１１２ａの分断部を設けてこの部分での拡散抵抗の上昇を抑制する。 - 特許庁

Also, since this can eliminate the necessity of increasing an overlapping quantity between the n^+-source region 7 and the p^+-type contact region 9 and increasing a heat treatment time, the diffusion of the p^+-type contact region 9 up to a channel region can be prevented and the fluctuation of the operation threshold Vt can be prevented.例文帳に追加

また、ｎ^+型ソース領域７とｐ^+型コンタクト領域９とのオーバラップ量を増やしたり、熱処理時間を増やしたりする必要がないため、チャネル領域までｐ^+型コンタクト領域９が拡散してしまうことを防止でき、動作しきい値Ｖｔの変動を防止できる。 - 特許庁

On each surface side of the plurality of p-type body regions 2, an n-type diffusion region is formed, which is to be a source region 3, and a channel region 8 is formed between the source region 3 and drain region 1, forming a transistor cell.例文帳に追加

そして、複数個のｐ形ボディ領域２のそれぞれの表面側にｎ形の拡散領域が形成されてソース領域３とされ、そのソース領域３とドレイン領域１により挟まれた部分にチャネル領域８が形成されることにより、トランジスタセルが形成されている。 - 特許庁

To obtain a semiconductor laser, in which a p-type compound semiconductor substrate can be used, and at the same time, precise semiconductor layers can be laminated upon another by the MOCVD or MBE method, while a current constricting area is provided in a p-type layer having a short diffusion length and stable characteristics.例文帳に追加

ｐ形化合物半導体基板を用いると共に、拡散長の短いｐ形層内に電流狭窄領域を設けながら、ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法などにより精密な半導体層を積層することができると共に、安定した特性の半導体レーザを提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the solar battery includes: a step of applying the alcoholic solution of phosphorous acid to a p-type semiconductor substrate by the inkjet method so that the dots of the alcoholic solution of the phosphorous acid partially overlap; and a step of forming the n-type diffusion layer of a different phosphor concentration on the p-type semiconductor substrate by thermally diffusing phosphor.例文帳に追加

リン酸のアルコール溶液のドットが一部重なり合うようにリン酸のアルコール溶液をインクジェット法によりｐ型半導体基板に塗布する工程と、リンを熱拡散させることによりｐ型半導体基板上にリン濃度の異なるｎ型拡散層を形成する工程とを備えることを特徴とする太陽電池の製造方法である。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type semiconductor substrate 1, in which a p-type collector layer 2 is formed on the second principal plane, a trench 13 is formed on the outer edge so as to reach from the first principal plane to the collector layer 2 to surround the inside, and a p-type isolation region 14 coupled to the collector layer 2 is formed with the sidewall by diffusion.例文帳に追加

半導体装置は、第２主面側にｐ型のコレクタ層２が形成されたｎ型の半導体基板１を有し、その周縁部に内部を取囲むように第１主面よりコレクタ層２に到達するようにトレンチ１３が形成され、その側壁より拡散にて形成されたｐ型分離領域１４がコレクタ層２と連結して設けられている。 - 特許庁

The flat emission-type light source panel 27 has a cold-cathode fluorescent lamp 20, a reflector 24 for reflecting light from the lamp, a light-guiding plate 22, and a reflection sheet 21 and a diffusion sheet 23 which are arranged on both surfaces of the plate, respectively.例文帳に追加

平面発光型光源パネル２７は、冷陰極蛍光ランプ２０と、この光を反射するリフレクター２４と、導光板２２と、この両面に配置された反射シート２１および拡散シート２３を備えている。 - 特許庁

To provide an active matrix type light emitting device that can reduce reflection of light caused while the light is guided out of the light emitting device and sufficiently stop impurity diffusion from a substrate to a transistor.例文帳に追加

発光装置外部へ発光を取り出す課程で生じる発光の反射を低減すると共に、基板からトランジスタへの不純物拡散も十分に阻止できるようなアクティブマトリクス型の発光装置を提供すること。 - 特許庁

The high concentration p-type diffusion layer 10 has a base part 10a (a cross-shaped intersecting part) positioned within a source contact part 4s and a plurality of extension parts 10b extending from the base part 10a to the outside of the source contact part 4s.例文帳に追加

上記高濃度ｐ型拡散層１０は、ソースコンタクト部４sの内側に位置する基部１０a(十字形の交差部分)と、上記基部１０aからソースコンタクト部４sの外側に延びた複数の延伸部１０bとを有する。 - 特許庁

In the LDD layer 5a, a protruding part 55 is formed, in a region which is directly underneath the p-type diffusion layer 10 so as to protrude from the bottom of the LDD layer 5a, toward a deeper region down to a depth D2.例文帳に追加

ＬＤＤ層５ａには、ｐ型拡散層１０の直下の領域においてＬＤＤ層５ａの底からさらに深い領域に向かって突出するように深さＤ２にわたり突出部５５が形成されている。 - 特許庁

To solve the problem that a communication fault occurs by a competition in communication when a plurality of wireless LAN systems adjacently exist which originally and mutually conduct asynchronous communication in a diffusion type optical wireless LAN system without having a plurality of channels.例文帳に追加

複数のチャネルを持たない拡散型光無線ＬＡＮシステムでは、本来互いに非同期に通信を行っている複数の無線ＬＡＮシステムが隣接する場合、通信の競合を起こし、通信障害が発生する。 - 特許庁

Further, an umbrella-type thermal diffusion plate 7 is mounted in the midde part of the flue gas main pipe 3 with in the carbonization vessel 2 to cut off heat going upward and diffuse it to the outside periphery so that the heat distribution in the vessel is made uniform.例文帳に追加

また炭化容器２内の排煙主管３の中間部に傘型の熱拡散板７を取り付け、上方に向かう熱を遮断するとともに外側周囲に拡散して容器内の熱分布を均一にする。 - 特許庁

The p+ anode layer 3 allows p-type impurities to be subjected to ion implantation by an implantation depth of Lp with resist 11 having a number of openings with a mask, and is formed so that the p+ anode layer 3 is subjected to thermal diffusion and is mutually overlapped in the horizontal direction.例文帳に追加

ｐ^+ アノード層３は、多数の開口部を持つレジスト１１をマスクにｐ型不純物を注入深さＬp でイオン注入し、その後、熱拡散して互いに横方向で重なるように形成する。 - 特許庁

In the formation region of an electrode pad 7, N+ diffusion regions 19a, 19b, and 19c are formed on the surface of a P-type semiconductor substrate 3 so as to be separated form each other by a field oxide film 21.例文帳に追加

電極パッド７の形成領域において、Ｐ型半導体基板３の表面にフィールド酸化膜２１によって互いに分離されてＮ＋拡散領域１９ａ，１９ｂ，１９ｃが形成されている。 - 特許庁

Furthermore, a method for manufacturing an n^+-layer 11 and a p^+-layer 13 by applying both-side diffusion treatment to an n^--type wafer can be adopted and the production cost of a semiconductor device can be easily reduced.例文帳に追加

さらに、Ｎ^−型ウェーハに対して両面拡散処理を行ってＮ^＋層１１及びＰ^＋層１３を形成する製造方法の採用も可能になるので、半導体装置の製造コストの低減化も容易になる。 - 特許庁

An inter-layer insulating film 10 is then formed to give a flat surface, and then an extension electrode 21 leading to the emitter layer (n-type diffusion layer 5) is so formed as to connect to the silicide film 8 on the element isolating film 3.例文帳に追加

そして層間絶縁膜１０を設けて平坦化した後、素子分離膜３の上のシリサイド膜８に接続するように、エミッタ層（ｎ型拡散層５）につながる引き出し電極２１が設けられている。 - 特許庁

To apply a simple ventilation system, in which the bad order of a toilet booth is exhausted efficiently without a diffusion while easily carrying out the execution of works without much changing the type of conventional toilet unit and a space is saved.例文帳に追加

トイレブースの臭気を拡散させることなく効率良く排気をすると同時に、従来のトイレユニットの形態をあまり変えることなく容易に施工が可能で、かつ省スペース化が図れる簡易な排気システムを適用する。 - 特許庁

Alternatively, the hard coat layer and the base material layer are laminated, the uneven structure is formed on the surface of the base material layer, and a thin metal layer is formed on it to form a reflection type resin sheet excellent in light diffusion properties.例文帳に追加

また、ハードコート層と基材層とを積層し、前記基材層の表面に凹凸構造を形成し、その上に金属薄層を形成することにより光拡散性に優れた反射型の樹脂シートとする。 - 特許庁

To provide a method for producing a carbonaceous fiber woven fabric which has properties such as gas permeability, electric conductivity, water retainability, drainabiliy, and regular thickness in a good balance and is used as a material for solid polymer type fuel battery gas diffusion layers.例文帳に追加

ガス透過性、導電性、保水性、排水性、厚さむら等の性質がバランスし、固体高分子型燃料電池用ガス拡散層材料として好適な炭素質繊維織布を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The carbon element is bonded to Si to be positive fixed charge, and the positive charge increases carrier concentration of the n-type diffusion layer 7, thereby the cell current is increased without varying a threshold of a transistor.例文帳に追加

この炭素元素は、Ｓｉと結合して正の固定電荷となっており、この正電荷によりｎ型拡散層７のキャリア濃度を高め、トランジスタのしきい値を変動させること無く、セル電流を増大させる。 - 特許庁

To provide a projector type lighting fixture capable of obtaining a light distribution pattern having a large diffusion angle, capable of sufficiently securing light flux from a light source, and also capable of having a structure to achieve a new design.例文帳に追加

大きな拡散角を有する配光パターンを得ることができ、光源からの光束を十分確保することができるとともに、斬新なデザインを実現することができるプロジェクタ型灯具を提供すること。 - 特許庁

In the light guide plate 2 to be used for the edge light type backlight system, a base region A with a specified width extending from the end face 21 on the incident side in a base reflection plane 22 is formed into a diffusion plane by abrasive blasting treatment or the like.例文帳に追加

エッジライト式のバックライトシステムに用いる導光板２では、その底面反射面２２における、入光側の端面２１から所定幅の底面領域Ａが、ブラスト処理等によって拡散面とされている。 - 特許庁

The annular seal is bonded by diffusion bonding in a state that the thin plate rings and the inner diameter comb tooth type rings are alternately laminated in an axial direction, and processed into a prescribed shape and dimension by machining.例文帳に追加

環状シールは、前記薄板リング部品と前記内径櫛歯型リング部品を交互に軸方向に積層した状態で拡散接合により結合され、機械加工により所定の形状・寸法に加工される。 - 特許庁

To suppress the occurrence of moire stripes in a direct viewing type liquid crystal display device provided with a light diffusion layer having a stripe structure extending in the vertical direction on a viewer side of a liquid crystal display panel without spoiling display quality.例文帳に追加

垂直方向に延びるストライプ構造を有する光拡散層を液晶表示パネルの観察者側に備えた直視型の液晶表示装置におけるモアレの発生を、表示品位を損なうことなく抑制する。 - 特許庁

The wiring 171 is connected to both ends of a polysilicon layer 151 and a polysilicon layer 152 and to an n-type diffusion layer 132 through via holes 181-184 formed on the film 16.例文帳に追加

第１層アルミニウム配線１７１は、層間絶縁膜１６に形成されたビアホール１８１〜１８４を介してそれぞれポリシリコン層１５１、ポリシリコン層１５２各両端部、Ｎ型拡散層１３２に接続されている。 - 特許庁

The junction field effect transistor has a vertical structure and normally-off type on/off characteristics wherein a semiconductor substrate 1, a channel layer 3 and a source diffusion layer 9 are mainly composed of SiC.例文帳に追加

この接合型電界効果トランジスタは、縦型構造を有するとともに、ノーマリオフ型のオンオフ特性を有し、半導体基板１、チャネル層３およびソース拡散層９がＳｉｃを主成分として形成されている。 - 特許庁

By using the cover body 7 without forming the light-transmission layer 7d thereon as it is, the light from the light-emitting diode 6 is diffused by the rough surface 7c, and thereby the cover body can be shared with a diffusion type luminaire.例文帳に追加

光透過層７ｄを形成しないカバー体７をそのまま用いることによって、発光ダイオード６からの光が粗面７ｃによって拡散されるので、拡散タイプの照明器具に共用することができる。 - 特許庁

Consequently, when reverse static electricity surge is applied, a uniform p-type inversion layer IP is formed in an isolation region between the impurity diffusion regions 12, 13 and local avalanche breakdown phenomenon is not generated.例文帳に追加

これにより、逆方向の静電気サージが印加された時、不純物拡散領域１２，１３間の分離領域に均一なＰ型反転層ＩＰが形成され、局所的な雪崩降伏現象が生じない。 - 特許庁

A silver halide photographic sensitive material and a silver salt diffusion transfer type lithographic printing plate are provided using a crosslinking hardening system for a gelatin film comprising an oxidative enzyme and an aromatic reducing compound having a phenolic hydroxyl group.例文帳に追加

酸化酵素及びフェノール性水酸基を有する芳香族還元性化合物からなるゼラチン膜の架橋硬膜システムを用いたハロゲン化銀写真感光材料及び銀塩拡散転写型平版印刷版。 - 特許庁

Relating to electronic equipment performing a touch pen type input, it is possible to close holes for aroma diffusion when the touch pen is housed in the cabinet and to diffuse aroma when the touch pen is pulled out of the cabinet.例文帳に追加

タッチペン方式の入力を行う電子機器では、キャビネットにタッチペンを収納しているときに芳香拡散用の孔が塞がれ、タッチペンを収納部から引出すと芳香拡散が可能なように構成することができる。 - 特許庁