「diffusion type」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

A cushioning material 10 is stored between the back plate 9 of a cathode gas chamber in the body 1 of the ion exchange membrane type electrolytic cell and a gas diffusion electrode 7 in such a manner that the reaction force thereof is made higher in the lower part of the cathode gas chamber than the upper part of the cathode gas chamber.例文帳に追加

イオン交換膜型電解槽本体１の陰極ガス室背板９とガス拡散電極７の間に、その反力が陰極ガス室上部より陰極ガス室下部の方を大きくなるようにクッション材10を収容する。 - 特許庁

An active layer 5 is formed on this substrate, and then a semiconductor active layer 6 of different conductivity type is formed on the active layer 5 by a chemical vapor deposition method or a diffusion method so that a PN-joint face having a stereoscopic structure can be formed.例文帳に追加

この基板に、活性層５を形成し、次に、化学的気相成長法あるいは拡散法により、活性層５の表面に異種伝導型の半導体活性層６を形成して、立体的構造を持つＰＮ接合面を形成する。 - 特許庁

This transmission type projection screen is provided with at least the optical diffusion layer 2 forming a projecting image, a transparent- material layer 1 and a neutral gray layer 3 whose transmitting concentration is 0.05 to 0.7 in turn toward the projection side of the projecting image from a viewer side.例文帳に追加

視聴者側から投影像映写側に順に、少なくとも、投影像を結像させる光学的拡散層２と、透明材層１と、透過濃度０．０５ないし０．７のニュートラルグレイ層３を有することを特徴とする透過型映写スクリーン。 - 特許庁

The gate electrode 20 is doped as an N-type, and an electrode 20b, a section located on the first and second impurity diffusion regions, has a lower concentration of impurity than an electrode 20a, which is a section located upward of the channel region.例文帳に追加

ゲート電極２０は、Ｎ型にドープされており、第一及び第二不純物拡散領域の上方に位置する部分の電極２０ｂの不純物濃度が、前記チャネル領域の上方に位置する部分２０ａの不純物濃度よりも低濃度である。 - 特許庁

A frame arranged on the back side of a liquid crystal unit 2 has an opening part having the almost the same size as the liquid crystal unit 2 on the face plate, and is formed in a thin box-shape, and a light transmitting type light diffusion plate is installed in the opening part.例文帳に追加

液晶ユニット（２）の裏側に配置されるフレームは、表面板に液晶ユニット（２）とほぼ同一の大きさの開口部を有し薄い箱状に形成され該開口部に光透過型の光拡散板が張設されるように構成されている。 - 特許庁

To provide an information recording and reproducing device which prevents the influence of heat storage and thermal diffusion and improves accuracy in recording in a recording method using a so-called multipulse-type write strategy including a plurality of pulse strings, and also provide a method for the same.例文帳に追加

複数のパルス列を含むいわゆるマルチパルス型のライトストラテジーを採用する記録手法において、熱蓄積や熱拡散の影響をより抑制し、記録精度を向上させることが可能な情報記録装置及び方法を提供する。 - 特許庁

As a method for converting each multilevel data in n image planes corresponding to n type of recording aspects into a quantized value, first, a total value of pixels corresponding to the n image planes is converted into the quantized value of n+1 levels, using error diffusion processing.例文帳に追加

ｎ種類の記録態様に対応したｎ個のイメージプレーンの各々の多値データを量子化値に変換する方法は、まず、ｎ個のイメージプレーンの対応する画素の合計値を誤差拡散処理を用いてｎ＋１個のレベルの量子化値に変換する。 - 特許庁

Charge holding portions 10A, 10B are formed on both sides of the gate electrode 13 respectively, and first and second diffusion-layer regions 17, 18 with a second conductive type are formed on regions of the semiconductor substrate 11 corresponding to the portions 10A, 10B, respectively.例文帳に追加

ゲート電極１３の両側に電荷保持部１０Ａ，１０Ｂを夫々形成し、電荷保持部１０Ａ，１０Ｂに対応する半導体基板１１の領域に第２導電型の第１，第２の拡散層領域１７，１８を夫々形成する。 - 特許庁

The light diffusion plate comprises a resin composition containing 0.1-10 parts by mass of a light-diffusing agent, 0.1-1 part by mass of an ultraviolet absorber selected from benzophenone, benzotriazole and malonic ester type absorbers, and 0.1-1 part by mass of a hindered amine type light stabilizer, with respect to a total of 100 parts by mass of a styrenic resin.例文帳に追加

スチレン系樹脂からなり、該樹脂の合計１００質量部に対して光拡散剤０．１〜１０質量部、およびベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、マロン酸エステル系から選ばれる紫外線吸収剤０．１〜１質量部、およびヒンダードアミン系光安定剤を０．１〜１質量部含有した樹脂組成物からなる光拡散板。 - 特許庁

This reflection type image encoding device has: an emitter 101 emitting light; a diffusion type reflective encoder 120 reflecting the light from the emitter; an image forming lens 135 forming a reverse image of the light reflected from the encoder; and a detector 140 receiving the revere image from the image forming lens.例文帳に追加

本発明の一実施例の反射型画像符号化装置は、光を放射するエミッタ（１０１）と、前記エミッタからの光を反射させる拡散型反射性符号器（１２０）と、前記符号器から前記反射した光の反転画像を形成する結像レンズ（１３５）と、前記結像レンズから前記反転画像を受ける検出器（１４０）とを具備する。 - 特許庁

The image sensor further comprises a first conductivity-type first channel region aligned under the transfer gate in the substrate, a second conductivity-type second channel region located between the transfer gate and the first channel region in the substrate, and a floating diffusion region which is located in the substrate and is in electrical contact with the second channel region.例文帳に追加

イメージセンサーは、基板で、トランスファゲートの下にアラインされている第１導電型の第１チャンネル領域と、基板で、トランスファゲートと第１チャンネル領域との間に位置した第２導電型の第２チャンネル領域と、基板に位置し、第２チャンネル領域に電気的に接しているフローティング拡散領域とを更に含むイメージセンサーである。 - 特許庁

To provide a diffusion optical sheet which is prevented from curving owing to environmental change in temperature, humidity, etc., to cause deterioration in picture quality and can prevent fragments of a substrate from scattering when the substrate is broken owing to an accident such as a collision, and is high in flatness and safe, and a transmission type screen and a back projection type display device using the same.例文帳に追加

温度や湿度等、環境の変化による反り等が生じて画質が劣ることを防ぎ、衝突等の事故により基板が割れる等した場合に、その破片が飛散することを防止できる、平面性が高く、かつ、安全な拡散光学シートと、それを用いた透過型スクリーン及び背面投射型表示装置を提供する。 - 特許庁

A gate insulating film 12 and a gate electrode 13 are formed on a first conductivity-type semiconductor substrate 11, charge holders 61 and 62 are formed on side walls of the gate electrode 13, respectively, second conductivity-type diffusion regions 17 and 18 are provided to the semiconductor substrate 11, and a channel region 41 is arranged in the semiconductor substrate 11 under the gate electrode 13.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１１上にゲート絶縁膜１２、ゲート電極１３を形成し、ゲート電極１３の両側壁に電荷保持部６１，６２を形成し、半導体基板１１に第２導電型の拡散層領域１７，１８を形成し、半導体基板１１のゲート電極１３下にチャネル領域４１を配置する。 - 特許庁

Consequently, the on-resistance can be reduced such that the contact resistance can be reduced by contacting with all the side walls of each contact trench Tc and besides the rise of the channel impurity concentration of a p-type well region 4 caused by the lateral direction diffusion of impurities effectively in forming an additional p^+-type region 8 of the bottom may be suppressed.例文帳に追加

これにより、各コンタクトトレンチＴｃの側壁すべてでコンタクトがとれるようになるためコンタクト抵抗を低減することができ、さらにその底面の追加ｐ^+型領域８形成時の不純物の横方向拡散によるｐ型ウェル領域４のチャネル不純物濃度の上昇を効果的に抑え、オン抵抗の低減を図ることができる。 - 特許庁

The hologram reflection plate 10 disposed in the rear of a liquid crystal panel and reflecting incident light in a specific direction and range is characterized in that a light diffusion agent is dispersed in an adhesion layer laminating a hologram 11 and a light reflection layer 12 and the hologram is to be a hologram of a volume phase transmission type, a surface relief type or the like.例文帳に追加

液晶パネルの背面側に配置され、入射光を特定方向、範囲に反射させるホログラム反射板１０において、ホログラム１１と光反射層１２とを積層する粘着層中に光拡散剤が分散された構成である体積位相透過型、又は表面レリーフ型等のホログラムであることを特徴とするホログラム反射板。 - 特許庁

An illumination LED 40 for irradiating a display surface 46 of the reflection type display element 44 with a light, an illumination mirror 41 for guiding the light emitted from the illumination LED 40 to the display surface 46, and a diffusion polarizing filter 42, are arranged in a direction of an eyepiece window 25 provided on the back surface of the digital camera for the reflection type display element 44.例文帳に追加

反射表示素子４４の表示面４６に光を照射する照明ＬＥＤ４０、並びに照明ＬＥＤ４０から照射された光を表示面４６へ導く照明ミラー４１及び拡散偏光フィルタ４２を、反射型表示素子４４に対してデジタルカメラの背面に設けられた接眼窓２５の方向に配置する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which comprises a first conductive type semiconductor layer, a polysilicon resistor formed via an insulating film on the semiconductor layer, and a second conductive type impurity diffusion region formed on a position which is the principal surface of the semiconductor layer and which corresponds to a portion under the polysilicon resistor, and which amplifies an analog RGB signal.例文帳に追加

第１導電型の半導体層と、前記半導体層上に絶縁膜を介して形成されたポリシリコン抵抗と、前記半導体層の主表面であって前記ポリシリコン抵抗の下部に対応する位置に形成された第２導電型の不純物拡散領域とを有する、アナログのＲＧＢ信号を増幅する半導体装置を提供する。 - 特許庁

Because an N+-type diffusion area 103 is absent on the incident surface side in the detector 100, the electron beam (or the reflected electron) accelerated by the high acceleration voltage (about 100 keV) is incident from the rear face side (the incident surface side) of the N--type semiconductor substrate 101 and reaches the vicinity of the PN junction on the front face side to generate electrons.例文帳に追加

ＰＮ型電子線検出器１００では、Ｎ^+型拡散領域１０３が入射面側にないので、高い加速電圧（１００ＫｅＶ程度）で加速された電子線（又は反射電子）は、Ｎ^-型半導体基板１０１の裏面側（入射面側）から入射し、表面側のＰＮ接合近傍に達して電子を生じさせる。 - 特許庁

A drain region of the N-type MOS transistor for protection against ESD is electrically connected to a drain contact region formed of an impurity diffusion region identical in conductivity with the drain region via a drain extension region formed of an impurity diffusion region identical in conductivity with the drain region disposed on a side face and a lower face of a trench isolation region.例文帳に追加

ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのドレイン領域は、トレンチ分離領域の側面および下面に設置されたドレイン領域と同一の導電型の不純物拡散領域によって形成されたドレイン延設領域を介して、ドレイン領域と同一の導電型の不純物拡散領域によって形成されたドレインコンタクト領域と電気的に接続している半導体装置とした。 - 特許庁

The reflection type projection screen 1 is equipped with a linear Fresnel member 4 whose shelf surface 8 turned upward is made a light absorbing surface and whose inclined surface 10 turned downward is made a reflection surface, and an anisotropic diffusion layer 12 arranged to cover the Fresnel surface of the linear Fresnel member and having anisotropic diffusion characteristic that incident light at a larger incidence angle than a predetermined angle is not diffused.例文帳に追加

本発明の反射型プロジェクションスクリーン１は、上方に向けられた棚面８が吸光面とされ、下方に向けられた傾斜面１０が反射面とされたリニアフレネル部材４と、リニアフレネル部材のフレネル面を覆って配置され、所定角より大きな入射角の入射光は拡散させない異方性の拡散特性を有する異方性拡散層１２とを備えていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a radiation analysis system having high analysis accuracy and capable of preventing both disturbances in the concentration of components in a test liquid in a retention tube and the equalization of concentration due to the diffusion of the components in a radio-liquid chromatograph of a type interlocked with a liquid chromatograph having the retention tube.例文帳に追加

存置管を有する液体クロマトグラフ連動型のラジオ液体クロマトグラフにおいて、存置管における検液中成分濃度の乱れ、成分の拡散による濃度の平準化を防止した、分析精度の高い放射能分析装置を提供する。 - 特許庁

An SiGe alloy layer 4 serving as a base layer and an n-type diffusion layer 5 serving as the emitter layer are provided on the active region 2a, and a groove 60 is formed on the surface of the region 2a between the SiGe alloy layer 4 and the element isolation film 3.例文帳に追加

活性領域２ａの上には、ベース層として機能するＳｉＧｅ合金層４およびエミッタ層として機能するｎ型拡散層５を設け、ＳｉＧｅ合金層４と素子分離膜３との間の活性領域２ａの表面に溝６０が設けられる。 - 特許庁

The emitter region 6 and the collector region are arranged separately in the width direction of the side wall and the depth direction of the semiconductor substrate 1 through the second conductive type impurity diffusion layer 5, and they are arranged in the closest position in width direction of the side wall.例文帳に追加

前記エミッタ領域６と前記コレクタ領域とは前記第２導電型の不純物拡散層５を介してサイドウオールの幅方向及び半導体基板１の深さ方向に離間して配置され、かつサイドウオールの幅方向において最近接して配置されている。 - 特許庁

The reflection-type screen 50, which receives projected light and displays an image, is equipped with a 1st reflection surface 51 arranged to turn upward and a 2nd reflection surface 52 arranged to turn downward and having diffusion higher than that of the 1st reflection surface.例文帳に追加

投射光を受けることによって画像を表示する反射型のスクリーン５０であって、上方を向いて配置される第１反射面５１と、下方を向いて配置されかつ上記第１反射面より高い拡散性を有する第２反射面５２とを備える。 - 特許庁

To provide a solid high polymer type fuel cell with a separator, in which the separator can be brought into electrical contact with diffusion layers very satisfactorily without application of high pressure and no dispersion or aging effects in contact resistance occurs, and provide a method for fabricating the separator.例文帳に追加

高い圧力を加えることなくセパレータと拡散層とを電気的に極めて好適に接触させ、接触抵抗のばらつきや経時変化が生じないセパレータを備えた固体高分子型燃料電池と同セパレータの製造方法を提供する。 - 特許庁

On the surface of a silicon substrate 1, a gate oxide film 3 is formed, thereon an N-type polycrystalline silicon film 4 is formed, furthermore thereon a silicon nitride film 5 for preventing impurity diffusion is formed, and the films 3, 4, 5 are patterned so as to left in an NMOS region.例文帳に追加

シリコン基板１の表面上にゲート酸化膜３を形成し、その上にｎ型の多結晶シリコン膜４を形成し、さらにその上に不純物拡散防止用のシリコン窒化膜５を形成し、これらをｎＭＯＳ領域に残すようにパターニングする。 - 特許庁

To restrain generation of a moire without damaging display quality, in a direct-view type liquid crystal display device in which a light diffusion layer having a stripe structure extending in either the vertical or horizontal direction is provided on an observer side of a liquid crystal display panel.例文帳に追加

垂直方向または水平方向のいずれか一方に延びるストライプ構造を有する光拡散層を液晶表示パネルの観察者側に備えた直視型の液晶表示装置におけるモアレの発生を、表示品位を損なうことなく抑制する。 - 特許庁

To provide a projector type headlamp for a vehicle capable of performing light condensing or diffusion not causing unevenness to a light distribution pattern, making a space in front of the vehicle brighter, forming the light distribution pattern having a desired illuminance distribution, and improving visibility in front of the vehicle.例文帳に追加

配光パターンにムラのない集光や拡散ができ、車両前方をより明るくでき、所望の照度分布をもった配光パターンを形成でき、車両前方の視認性向上を図ることができるプロジェクタ型の車両用前照灯を提供する。 - 特許庁

To provide a microlens array sheet for a transmission type screen that is a light diffusion sheet which has high transmittance, by which a bright video is observed, by which an observer does not feel an unnatural feeling even when observing the video while changing a viewing angle and which has excellent diffusing performance.例文帳に追加

透過型スクリーン用のマイクロレンズアレイシートであって、透過率が高く明るい映像を観察することができ、視野角を変えながら映像を観察した場合でも観察者が違和感を覚えること無い良好な拡散性能の光拡散シートを提供する。 - 特許庁

To provide a screw conveyor type of drier which can perform drying efficiently and can effectively prevent the diffusion of stenchy matter, etc., in one which dries half solid or solid matter containing water such as excrementitious matter, strained lees, etc., while carrying it.例文帳に追加

糞尿、搾りカス等の半固形状または固形状の含水物を搬送しつつ乾燥するスクリューコンベア式乾燥装置１０において、乾燥を効率良く行うことができ、しかも、悪臭物質等の拡散を効果的に防止することができるものを提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for forming a high-quality, stable, and low-resistance (high concentration) p-type semiconductor layer, having a sheet resistance of 25 Ω/(square) or lower, by conducting a thermal diffusion of arsenic which is consistent in a silicon wafer or in a lot, using a high purity BBr_3 liquid source.例文帳に追加

高純度のBBr_3液体ソースを用い、シリコン基板内やロット内でのバラツキを抑制した硼素の熱拡散を行い高品質且つ安定で、シート抵抗が25Ω/□を下回る低抵抗(高濃度)のp型半導体層を形成する方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method for eliminating the hardness of gate working due to the employment of an embedded type element isolation insulation film while restraining the fluctuation of characteristics due to the mutual diffusion of conductive impurities or the penetration of boron.例文帳に追加

導電性不純物の相互拡散や、ホウ素の突き抜けによる特性の変動を抑制しつつ、埋め込み型の素子分離絶縁膜を採用することによるゲート加工の困難性を解消することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The data line of this non-volatile semiconductor memory device is composed of an inversion layer formed on the main plane of the semiconductor substrate 1 to which the auxiliary gate 9 faces when a desired electric voltage is impressed to the auxiliary gate 9, and the n-type diffusion layer 3.例文帳に追加

この不揮発性半導体記憶装置のデータ線は、補助ゲート９に所望の電圧を印加した際にその補助ゲート９が対向する半導体基板１の主面部分に形成される反転層と、上記ｎ型拡散層３とで構成される。 - 特許庁

Side walls 5 are formed on the gate insulating film 3 and the side faces of the gate electrode 4, and the source electrode 6 and drain electrode 7 of a P^+ type diffusion layer, to which impurity ions are injected, are formed to the silicon substrate 1 on both sides of the gate electrode 4.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３及びゲート電極４の側面にはサイドウォール５が形成され、ゲート電極４の両側のｎ型シリコン基板１には、不純物イオンが注入されｐ＋型拡散層のソース電極６とドレイン電極７とが形成される。 - 特許庁

The semiconductor device formed by such method has n-type impurity diffusion region of an active sheet carrier density between 1014 cm-2 and 1016 cm-2, and its resistance between 5 Ω/cm2 and 100 Ω/cm2.例文帳に追加

このような方法で形成された半導体装置は、ゲルマニウム層中に、活性化されたシートキャリヤ密度が１０^14ｃｍ^-2 以上、１０^1６ｃｍ^-2 以下であり、その抵抗値が５Ω／ｃｍ^2から１００Ω／ｃｍ^2の範囲にあるｎ型不純物拡散領域を有する。 - 特許庁

To provide a coating development type plate-making method which has small printing soiling and high printing resistance even when a coating amount is not larger than 60 ml/m^2 as a plate-making method for a lithographic printing plate using a silver complex salt diffusion transfer process.例文帳に追加

銀錯塩拡散転写法を利用する平版印刷版の製版方法において、塗布量が６０ｍｌ／ｍ^2以下の場合であっても、印刷汚れが少なくかつ高い耐刷力を有する塗布現像方式の製版方法を提供することである。 - 特許庁

In the fluorescent lamp type illumination lamp, a cylindrical body 10 is constructed of a cylindrical light guide tube 11 with a thickness of around 3 mm-5 mm or more made of polycarbonate resin with a light reflection layer 12 formed on the inner circumference face and a light diffusion layer 13 formed on the outer circumference face.例文帳に追加

筒状の本体１０は、内周面に光反射層１２を形成し、外周面に光拡散層１３を形成したポリカーボネート樹脂製の肉厚３ｍｍ〜５ｍｍ前後あるいはそれ以上の円筒形の導光筒１１によって構成される。 - 特許庁

This super-high temperature incineration thermal decomposition furnace of PCB comprises the incinerator 3, a rotary fire stand 4, a diffusion type super-high temperature thermal decomposition fire blast nozzle 1, a super-high temperature after burner 2, a heating air rotation guiding injection device 20 and the like as internal structures.例文帳に追加

該焼却炉のアフターバーナーの前面に連結した焼却炉を損なわず、焼却炉内の難燃性廃棄物を１２００℃〜１５００℃に加熱し、廃熱と熱交換して１５００℃〜１８００℃で瞬時に超高温熱分解しダイオキシンを発生させない。 - 特許庁

Successively, a surface protecting film 7 is formed on the oxidized silicon film 3 including the inside of the opening 4, an opening 8 to the p-type diffusion layer 6 is then formed on the surface protecting film 7 and at the same time, the surface protecting film 7 in the outer periphery of a chip is removed.例文帳に追加

続いて開口部４の内部を含む酸化シリコン膜３上に表面保護膜７を形成した後、表面保護膜７にｐ型拡散層６に達する開口部８を形成し、同時にチップの外周部の表面保護膜７を除去する。 - 特許庁

To sufficiently ensure brightness of a diffusion region of a light distribution pattern after reducing the longitudinal length of a lamp unit, in a vehicular headlamp which is structured to form a predetermined light distribution pattern by light irradiation from a projector type lamp unit.例文帳に追加

プロジェクタ型の灯具ユニットからの光照射により所定の配光パターンを形成するように構成された車両用前照灯において、灯具ユニットの前後長を短くした上で、配光パターンの拡散領域の明るさを十分に確保可能とする。 - 特許庁

The semiconductor device is characterized in that the insulation region in the internal section of the second well, coupled with the first conductivity-type diffusion region of the first well, makes up a bipolar junction transistor which blocks an electric current from flowing from the first well to the third well.例文帳に追加

前記第２ウェルの内部の前記絶縁領域は、前記第１ウェルの前記第１導電型拡散領域と共にバイポーラジャンクショントランジスタを形成して前記第１ウェルから前記第３ウェルに流れる電流を遮断することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a membrane electrode junction element for direct methanol type fuel cell (MEA for DMFC) capable of improving diffusion performance of fuel in the catalyst layer of the anode and discharge performance of CO_2 generated, and to provide a DMFC that uses the MEA.例文帳に追加

アノードの触媒層における燃料の拡散性および生成したＣＯ_２の排出性を向上させることが可能な直接メタノール形燃料電池用膜／電極接合体（ＤＭＦＣ用ＭＥＡ）およびそのＭＥＡを用いたＤＭＦＣを提供する。 - 特許庁

To control diffusion of wiring metal on an electron emission element film (dielectric thin film) of wiring metal and electron emission part causing deterioration of electron emission characteristics in an electron source substrate used as a electron beam source of a large screen flat type image forming device.例文帳に追加

大画面の平面型の画像形成装置の電子ビーム源として用いられる電子源基板において、電子放出特性の劣化の原因となる配線金属の電子放出素子膜（導電性薄膜）上及び電子放出部上への拡散を抑制する。 - 特許庁

A rear projection display device is constituted of a projection type screen consisting of a Fresnel lens for converging light by total reflection or a method mixing both of total reflection and refraction and translucent diffusion plate as the minimum number of constitutional elements and a projector.例文帳に追加

全反射あるいは全反射と屈折両方を混在させた方式で光線を集光するフレネルレンズと、透過型拡散板とを最低構成要素とする投写型スクリーンとプロジェクタからなる事を特徴とする背面投写型ディスプレイ装置である。 - 特許庁

On the active region 2a, an SiGe alloy layer 4 functioning as a base layer and an n-type diffusion layer 5 functioning as a emitter layer are formed, and are encircled with a side wall film 6 consisting of a silicon oxide film.例文帳に追加

活性領域２ａの上には、ベース層として機能するＳｉＧｅ合金層４およびエミッタ層として機能するｎ型拡散層５が設けられ、さらにＳｉＧｅ合金層４およびｎ型拡散層５は、シリコン酸化膜からなる側壁膜６で囲われている。 - 特許庁