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「diffusion device」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索
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diffusion deviceの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2294



例文

The heating/cooling system includes the heat medium diffusion member 10 and a temperature adjusting device for adjusting temperature of the heat medium M.例文帳に追加

冷暖房システムは、熱媒体拡散部材10と、熱媒体Mの温度を調節する温調機器とを備える。 - 特許庁

The energy supply device includes a diffusion optical fiber equipped with a light emitting part and a memory element in which data are programmed.例文帳に追加

エネルギー供給装置は、光放出部分を備えた拡散光ファイバー、及びデータがプログラムされたメモリ素子を含む。 - 特許庁

A semiconductor device 10 has an epitaxial layer 12, a high concentration diffusion area 13, and a p-type semiconductor region 14.例文帳に追加

半導体素子10は、エピタキシャル層12と、高濃度拡散領域13と、P型半導体領域14を備える。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P type buried diffusion layer 4 is formed on a substrate 2 and an epitaxial layer 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、基板2とエピタキシャル層3とにP型の埋込拡散層4が形成されている。 - 特許庁

例文

In the semiconductor device, an N type buried diffusion layer 4 is formed over a substrate 2 and an epitaxial layer 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、基板2とエピタキシャル層3とに渡りN型の埋込拡散層4が形成されている。 - 特許庁


例文

SIMULTANEOUS ON-SITE DEPOSITING OF SILICON IN DIFFUSION BARRIER MATERIAL HAVING IMPROVED WETTABILITY, BARRIER EFFICIENCY, AND DEVICE RELIABILITY例文帳に追加

向上した濡れ性、障壁効率、デバイス信頼性を有する拡散障壁材料におけるSiの現場同時堆積 - 特許庁

To provide a hybrid diffusion plate having different transmittances, and to provide a backlight assembly and a display device having the plate.例文帳に追加

互いに異なる透過率を有するハイブリッド拡散板と、これを有するバックライトアセンブリ、及び表示装置が開示される。 - 特許庁

To prevent occurrence of diffusion limit phenomenon, where the internal resistance of a power supply device increases abruptly during charging/discharging.例文帳に追加

充放電時に、電源デバイスの内部抵抗が急激に上昇する拡散限界現象が発生するのを防ぐ。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device of a transreflective type including a diffusion reflection electrode adapted to minute display.例文帳に追加

精細表示に適応した拡散反射電極を具備した半透過反射型の液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a picture display device capable of obtaining a state in which an error diffusion processing by an error diffusion processing circuit is not applied to a video signal by a very simple method without increasing the circuit scale.例文帳に追加

回路規模を増大させることなく、極めて簡単な方法で誤差拡散処理回路による誤差拡散処理を施さない状態を得ることができる画像表示装置を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a diffusion plate in which a diffusion angle is controlled within a narrow range and moire fringes does not arise between a pixel or a Fresnel lens and the same and which is easily and inexpensively manufactured and a projection display device using the same.例文帳に追加

拡散角を狭い範囲で制御可能で画素やフレネルレンズとの間でモアレ縞の発生がなく容易にかつ安価に作製することができる拡散板とそれを用いた投影表示装置。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a p-type MIS transistor, which suppresses an increase of resistance of a p-type extension diffusion layer even when the p-type extension diffusion layer is joined shallowly.例文帳に追加

p型MISトランジスタを有する半導体装置において、p型のエクステンション拡散層の浅接合化を進めた場合でも、p型のエクステンション拡散層が高抵抗化されることを抑制する。 - 特許庁

An organic vapor deposition apparatus has a planar vapor releasing device 10 in which a horizontal diffusion section 10H and a vertical diffusion section 10V where vapors of a host material and a dopant material being evaporation materials are successively diffused, are provided.例文帳に追加

面蒸気放出器10に、蒸発材料であるホスト材料及びドーパント材料の蒸気が順次拡散される水平方向拡散部10H及び鉛直方向拡散部10Vを有する。 - 特許庁

In a gas diffusion layer manufacturing apparatus 100, a paste application device 10 applies paste containing a carbon particle, a thermoplastic resin particle and surfactant to an upper surface of a gas diffusion layer substrate 200.例文帳に追加

ガス拡散層製造装置100において、ペースト塗工装置10は、ガス拡散層基材200の上面に、カーボン粒子と熱可塑性の樹脂粒子と界面活性剤とを含むペーストを塗工する。 - 特許庁

To achieve a dielectric memory device which secures the effective area of the greatest capacitor decided by the size of a diffusion prevention film, and also hardly causes the exfoliation of the diffusion prevention film during heat treatment.例文帳に追加

拡散防止膜の大きさによって決まる最大のキャパシタの実効面積を確保し且つ熱処理時における拡散防止膜の剥離が生じにくい誘電体メモリ装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a anti-diffusion film of a semiconductor device which can prevent the phenomenon that impurities diffuse into a semiconductor substrate, electrical resistance is made high and a leakage current is increased, and a manufacturing method of the anti-diffusion film.例文帳に追加

不純物が半導体基板内に拡散して、電気的抵抗を高くし、漏泄電流を増大させる現象を防止し得る半導体素子の拡散防止膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a small, sensitive solid-state imaging device in which the occupied area of a flowing diffusion area in a photo diode area is small in sharing the floating diffusion area among multiple photo diode areas.例文帳に追加

複数のフォトダイオード部がフローティングディフュージョン部を共有する場合に、フローティングディフュージョン部がフォトダイオード部に占める割合が小さく、小型で高感度の固体撮像装置を実現できるようにする。 - 特許庁

The upper light reflection/diffusion layer 3 and the lower light reflection/diffusion layer 5 are arranged on vertically opposite sides of the spacer 4 to efficiently and widely guide light 11 from the light emitting device 8.例文帳に追加

スペーサ4の上下方向両側に上部光反射・拡散層3及び下部光反射・拡散層5を配置して発光素子8からの光11を効率よく且つ広範囲に導光する。 - 特許庁

In the semiconductor device using the SOI substrate, a P well diffusion layer or an N well diffusion layer is formed only in a body region being a lower part of a gate electrode in a semiconductor thin film layer.例文帳に追加

SOI基板を用いた半導体装置において、半導体薄膜層のゲート電極下部に当たるボディ領域のみにPウェル拡散層またはNウェル拡散層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The high breakdown voltage semiconductor device is characterized in that a low concentration collector diffusion layer of a first conductivity type is formed in a second conductivity type collector buffer layer so as to enclose a first conductivity type high concentration collector diffusion layer.例文帳に追加

第2導電型コレクタバッファ層内に第1導電型高濃度コレクタ拡散層を包囲するように第1導電型の低濃度コレクタ拡散層が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a formation method of a diffusion prevention film and a manufacturing method of a semiconductor device in which both prevention of variation in a threshold voltage due to diffusion of a threshold adjustment chemical element, etc. and simplification of a manufacturing process are achieved.例文帳に追加

拡散防止膜の形成方法及び半導体装置の製造方法に関し、閾値調整元素の拡散等による閾値電圧の変動の防止と製造工程の簡素化を両立する。 - 特許庁

In this MOS semiconductor device, an insulator composed of an oxide film, nitride film, etc., formed by the CVD method is embedded in the overlapping section of a gate electrode and a source diffusion layer or a drain diffusion layer, so that no void is formed.例文帳に追加

ゲート電極とソース拡散もしくはドレイン拡散のオーバーラップ部分に空隙が生じない様にCVD法による酸化膜もしくは窒化膜等の絶縁物を埋め込んだことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a gas permeability evaluation device of a gas diffusion substrate for a fuel cell capable of measuring gas permeability inside the surface, inside the opposed surface, and between the facing surfaces of the gas diffusion substrate for the fuel cell.例文帳に追加

燃料電池用ガス拡散基材の面内、対抗面内及び対峙面間のガス透気度を測定できる燃料電池用ガス拡散基材のガス透気度評価装置を提供する。 - 特許庁

To provide an error diffusion processing method for a display device which can reduce picture quality disturbance such as periodic pattern noise appearing when error diffusion processing is performed in spite of higher luminance of a panel.例文帳に追加

パネルの高輝度化が進んでも誤差拡散処理を行った際に現れる周期的なパターンノイズ等の画質妨害を低減することができる表示装置の誤差拡散処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a volatile material diffusion device for a fan, whereby containers for diffusion can simply and easily be attached to the fan, and thereby to always provide a comfortable life space.例文帳に追加

放散用容器における扇風機への取り付けを極めて簡単にかつ容易に行うことのできる扇風機用揮散物質放散装置を提供し、常に快適な生活空間を得ることができるようにする。 - 特許庁

In this backlight device in which the diffusion plate 4 of a resin is disposed in front of a fluorescent lamp 2, the surface of the diffusion plate is whitened by radiating a laser beam to the fluorescent lamp 2 side.例文帳に追加

蛍光ランプ2の前方に樹脂からなる拡散板4を配置したバックライト装置において、拡散板4の蛍光ランプ2側にレーザ光線を照射して拡散板表面を白化処理する。 - 特許庁

To provide a backlight unit for a display device composed by improving light division performance and structure strength by integrally forming light guides and diffusion sheet parts, and by dividing the diffusion sheet parts into areas.例文帳に追加

ライトガイドおよび拡散シート部を一体的に構成して、拡散シート部もエリア分割することにより、光分割性能および構造強度を向上させた表示装置用バックライトユニットを得る。 - 特許庁

The semiconductor device has a gate electrode 10 on a substrate 50, and a source diffusion layer 30 and a drain diffusion layer 30 which are adjacent each via an insulation film 20 in the gate electrode 10.例文帳に追加

半導体装置は、基板50上に、ゲート電極10と、ゲート電極10に絶縁膜20を介して夫々隣接するソース拡散層30及びドレイン拡散層30とを備えている。 - 特許庁

Minute ruggedness is formed on either or both of surfaces of sides of the liquid crystal display device of the transparent plate made from resin and the cold cathode tube in the first diffusion plate and the second diffusion plate, respectively.例文帳に追加

第1拡散板、第2拡散板は、それぞれ、樹脂製の透明な板の液晶表示装置の側と冷陰極管の側の、一方、または、両方の表面に、微小凹凸を形成して作られている。 - 特許庁

To provide a projection display device capable of realizing video display by back projection to a transmission type diffusion screen, and capable of realizing projection on a screen larger than the diffusion screen, for example.例文帳に追加

例えば、透過型の拡散スクリーンへの背面投写による映像表示を実現するとともに前記拡散スクリーンよりも大きな画面投影を実現できる投影表示装置を提供する。 - 特許庁

The device includes an optical film, comprising a single direction diffusing film 3 which diffuses incident light at a specified incident angle to the direction of a diffusion axis, wherein the direction of the diffusion axis is aligned to the viewing angle direction of the display panel 1.例文帳に追加

光学フィルムを特定の入射角を有する入射角を拡散軸方向に拡散する一方向拡散性フィルム3とし、拡散軸方向を表示パネル1の視角方向と一致させる。 - 特許庁

The membrane type air diffusion device is provided with a bag-shaped body 2 obtained by joining sheet-shaped members 5, 6, and an air diffusion region 7 provided at least at the upper face part of the bag-shaped body 2 is composed of an air-permeable sheet-shaped member 6.例文帳に追加

シート状部材5、6を接合してなる袋状体2を備え、袋状体2の少なくとも上面部に設ける散気領域7が通気性のシート状部材6からなる。 - 特許庁

To prevent, in a light emitting device, serious deterioration of light emitting characteristics by a metal electrode due to atomic diffusion from a light emitting layer material to the metal electrode or atomic diffusion from the metal electrode to a light emitting layer.例文帳に追加

発光デバイスにおいて、金属電極は発光層材料からの原子拡散や、金属電極から発光層への原子拡散によって発光特性が大きく低下することを防止する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor light-emitting device in which the electrical characteristics of the light-emitting device are improved by smoothing current diffusion.例文帳に追加

電流拡散を円滑にして発光素子の電気的な特性を向上させたIII族窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

A projection device 20 comprises an optical element 50, an irradiation device 60, the diffusion screen 15, a magnification projection optical system 80 and a semipermeable member 90.例文帳に追加

投射装置20は、光学素子50と、照射装置60と、拡散スクリーン15と、拡大投射光学系80と、半透過部材90とを備える。 - 特許庁

To provide an electrooptical device which can obtain excellent viewing angle characteristics with smaller number of diffusion films, and to provide electronic equipment including the electrooptical device.例文帳に追加

より少ない枚数の拡散フィルムによって良好な視角特性を得ることができる電気光学装置と、これを備えた電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide a lighting system for optimizing an oscillating frequency and an amplitude when vibrating a diffusion device, and to provide a projection display device using it.例文帳に追加

拡散素子を振動させる際の振動周波数や振幅量を最適化した照明装置及びそれを用いた投射型表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device manufacturing method wherein misalignment between a tunnel diffusion region and a tunnel window is suppressed without enlargement of the device.例文帳に追加

トンネル拡散領域とトンネル窓のアライメントずれを抑制することができ、大型化することのない半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of processors 3 such as a CVD device 31 and a diffusion device 33, a measuring instrument 5, and a control computer 7 for management are connected through a LAN 9.例文帳に追加

CVD装置31や拡散装置33等の複数の処理装置3と、測定装置5と、管理用の制御コンピュータ7とをLAN9を介して接続する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing diffusion of a bonding material, which is used in mounting the semiconductor device, into an adhesion layer.例文帳に追加

半導体素子を実装する際に用いられる接合部材が、密着層に拡散されるのを軽減することができる半導体素子を提供する。 - 特許庁

To simultaneously achieve adhesion of a barrier metal with an insulating film and Cu and Cu diffusion prevention, relating to a semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、バリアメタルの絶縁膜及びCuに対する密着性と、Cu拡散防止とを両立する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can reduce the resistance of a bit line diffusion layer without exerting effects upon the transistor characteristics of flat cell type memory cells and a method of manufacturing the device.例文帳に追加

フラットセル型メモリセルのトランジスタ特性に影響をあたえず、ビット線拡散層抵抗を低減する半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

This rear projection type display device is constituted of a video projection device 1, a curved mirror 2, a diffusion screen 3 and a diffraction grating screen 4.例文帳に追加

この背面投写型表示装置は、映像投写装置1、曲面ミラー2、拡散スクリーン3、及び回折格子スクリーン4により構成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein device performance can be improved by preventing diffusion of impurities from a gate electrode to the outside.例文帳に追加

ゲート電極からの不純物の外方拡散を防止して、デバイス性能を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a display device that prevents diffusion of moisture remaining in the display device and also prevents intrusion of water or oxygen from the outside of a panel.例文帳に追加

表示装置内に残存する水分の拡散を防止するだけでなく、パネル外部からの水や酸素の浸入を防止する表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device which can suppress the external diffusion of impurities introduced to a polysilicon resistor.例文帳に追加

ポリシリコン抵抗に導入された不純物の外方拡散を抑制することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has a barrier layer excellent in adhesion with copper and in copper diffusion prevention performance, and a manufacturing method for the semiconductor device.例文帳に追加

銅との密着性および銅拡散防止性能に優れるバリア層を有する半導体装置、および、その半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device and a manufacturing method of the same which improves reliability by inhibiting secondary electrons generated in a channel region of the semiconductor storage device using a diffusion layer for a bit line.例文帳に追加

ビット線に拡散層を用いる半導体記憶装置のチャネル領域に発生する2次電子を抑制して信頼性を向上できるようにする。 - 特許庁

In the semiconductor device 1 wherein the lateral pnp transistor is incorporated in the bipolar IC, a dopant used in a buried diffusion layer 8 immediately below the lateral pnp transistor B has a diffusion coefficient larger than that of a dopant used in a buried diffusion layer 5 immediately below a control circuit A.例文帳に追加

バイポーラICに横型PNPトランジスタを内蔵する半導体装置1において、横型PNPトランジスタ部B直下の埋め込み拡散層8に用いる不純物は、制御回路部A直下の埋め込み拡散層5に用いる不純物よりも大きい拡散係数を有するものとする。 - 特許庁

例文

A semiconductor device includes: a semiconductor substrate 1; a through electrode 7 penetrating the semiconductor substrate 1; a diffusion layer 24 that is located at the upper part of the semiconductor substrate 1 and provided in a region located at the side of the through electrode 7; and the diffusion layer 22 provided at the upper part of the diffusion layer 24.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板1と、半導体基板1を貫通する貫通電極7と、半導体基板1の上部であって、貫通電極7の側方に位置する領域に設けられた拡散層24と、拡散層24の上部に設けられた拡散層22とを備えている。 - 特許庁




  
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