例文 (999件) |
diffusion deviceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2294件
The semiconductor device 100 includes: a semiconductor element 30 having a P-type well 9 and an N-type diffusion layer 2 to be formed on the P-type well 9; and a P-type diffusion resistance 40 to be formed on the N-type well 8.例文帳に追加
本発明による半導体装置100は、P型ウェル9とP型ウェル9上に形成されるN型拡散層2とを備える半導体素子30と、N型ウェル8上に形成されるP型拡散抵抗40とを具備する。 - 特許庁
Then, the nonvolatile semiconductor memory device includes a diffusion layer (3) that is formed in the semiconductor substrate (2) at a position corresponding to a lateral side of the second insulating layer (14), and a silicide layer (11) that is formed to cover the diffusion layer (3) and first gate (6).例文帳に追加
そして、第2絶縁層(14)の側方に対応する位置の半導体基板(2)内に形成された拡散層(3)と、その拡散層(3)及び第1ゲート(6)を覆うように形成されたシリサイド(11)とを備えている。 - 特許庁
An element separating region 9 is formed in an oblique direction with respect to the surface of the diffusion layer 14 in this semiconductor device whereby a connecting area between the diffusion layer 14 and a well region 8 is reduced, thereby reducing the parasitic capacity.例文帳に追加
この半導体装置では、素子分離領域9を拡散層14表面に対して斜め方向に形成しているので、拡散層14とウエル領域8との間の接合面積を減少させて、寄生容量を減少させる。 - 特許庁
The information presentation device generates a scatter diagram with the diffusion index as the axis of abscissa and the usage fee as the axis of ordinate by reading statistical data calculated with a city, town, village, and other governmental units as one unit on the diffusion index of a specific service and usage fee.例文帳に追加
情報提示装置は、特定のサービスの普及率、利用料などについて、市町村その他の行政界単位で集計された統計データを読込み、普及率を横軸、利用料を縦軸にとって散布図を生成する。 - 特許庁
To provide a lower diffusion film which allows a high appearance-enhancing effect to be obtained without the considerable reduction in front brightness when being used as a lower diffusion film for a backlight used in a liquid crystal display device and can be made thin.例文帳に追加
液晶表示装置に用いられるバックライトユニット用の下拡散フィルムとして用いられたときに、正面輝度を大幅に下げることなく、高い見栄え向上効果が得られる薄膜化の可能な下拡散フィルムを提供すること。 - 特許庁
The semiconductor device has a semiconductor substrate (1), a p-type impurities diffusion layer (2) formed on the semiconductor substrate, and Ni silicide (3) formed on the diffusion layer, wherein it has an alignment mark (6) for lithography on its Ni silicide.例文帳に追加
半導体基板(1)と、前記半導体基板に形成されたp型不純物拡散層(2)と、前記拡散層上に形成されたNiシリサイド(3)と、を備え、前記Niシリサイド上にリソグラフィー用の合わせマーク(6)を有する。 - 特許庁
The semiconductor device is provided with a shared contact 111 that electrically connects an n-type impurity diffusion layer 106 formed on a p well 103 with a p-type impurity diffusion layer 108 formed on an n well 104.例文帳に追加
半導体装置は、Pウェル103上に形成されたN型不純物拡散層106とNウェル104上に形成されたP型不純物拡散層108とを電気的に接続するシェアードコンタクト111を備えている。 - 特許庁
In the light diffusing film for the backlight device mainly composed of a polyolefin resin, the degree of inflection in the main diffusion direction is 1-100%, and the diffusivity in the main diffusion direction of transmitted light measured at an incident angle of 0° is 30° or more.例文帳に追加
主にポリオレフィン系樹脂からなり、主拡散方向の変曲度が1〜100%であり、かつ入射角0度で測定した透過光の主拡散方向の拡散度が30度以上であるバックライト装置用光拡散フィルム。 - 特許庁
Since a diffusion sheet for performing the second diffusion on the luminous flux and a light converging sheet for converging the second direction component can be manufactured as one sheet, a manufacturing stage of the liquid crystal display device can be reduced.例文帳に追加
光束に第2次の拡散をさせるための拡散シートと第2方向成分を集光するための集光シートを一つのシートで製造することができて、液晶表示装置の製造工程を短縮させることができる。 - 特許庁
As a result, by attaching an auxiliary light device 900 equipped with the variable diffusion coefficient LED 100 to the camera with the zoom lens, the light diffusion coefficient is consecutively changed according to zoom information, thereby suitably illuminating a subject.例文帳に追加
この結果、拡散率可変LED100を備えた補助光装置900をズームレンズ付きカメラに装着することで、ズーム情報で光拡散率を連続的に変化させ被写体を好適に照明することが可能となった。 - 特許庁
In this case, the nonvolatile semiconductor memory device is preferably provided with: a first diffusion layer (3) that is formed in the semiconductor substrate (2) inside the trench, and a second diffusion layer (4) that is formed in the semiconductor substrate outside the trench.例文帳に追加
ここにおいて、その不揮発性半導体記憶装置は、トレンチ内の半導体基板(2)中に形成された第1拡散層(3)と、トレンチ外の半導体基板中に形成された第2拡散層(4)とを備えることが好ましい。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device equipped with a hydrogen diffusion preventing film, which is composed of an oxidized aluminium film, capable of effectively preventing the diffusion of hydrogen generated in a passivation process inside a capacitor, and a production method therefor.例文帳に追加
パッシべーション工程で発生する水素がキャパシタ内部に拡散されることを効果的に防止することのできる酸化アルミニウム膜からなる水素拡散防止膜を備えた半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
In the semiconductor device and its manufacturing method by executing thermal treatment with only a PSG film or a BSG film as the thermal diffusion source, a shallow low concentration source/drain diffusion region can be easily formed.例文帳に追加
PSG膜もしくはBSG膜のいずれかのみを熱拡散源として熱処理を行うことにより、容易に浅い低濃度ソース・ドレイン拡散領域を形成することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
Formed is, just under the silicide block 51a of an HV ESD protection device 1A, a diffusion layer resistance region 29a of the same junction depth as those of LDD diffusion layers 26a and 27a for forming an extension region.例文帳に追加
たとえば、HV用のESD保護素子1Aのシリサイドブロック51aの直下には、エクステンション領域を形成するためのLDD拡散層26a,27aと同じ接合深さの拡散層抵抗領域29aが形成されている。 - 特許庁
To provide a hybrid diffusion plate which can prevent heat generated by lamps from being transferred to a liquid crystal panel and, thereby, can improve luminance and eliminate bright lines, to provide a backlight assembly having the hybrid diffusion plate, and to provide a liquid crystal display device having the backlight assembly.例文帳に追加
ランプから発生した熱が液晶パネルに伝達されることを抑制し、輝度を高めて輝線を除去できるハイブリッド拡散板、これを含むバックライトアセンブリー及びこれを含む液晶表示装置を提供する。 - 特許庁
To prevent unevenness of a tube due to a bending of a light transmissive diffusion plate 4 by covering an opening 1a of a casing 1 with a sheet or a light collecting sheet 10 under the diffusion plate 4 of a back-light device.例文帳に追加
バックライト装置の光透過拡散板の下面に集光シート或はシート10を配設し、筐体1の開口部1aに覆うことにより光透過拡散板4の撓みによって生ずる管ムラの発生を防止する。 - 特許庁
This door release warning alarm device is equipped with a light source 10 provided on a door body 101, a light diffusion and irradiation part 11 set on a suitable portion of the window glass 102, and a light guide part 12 for guiding the light emitted by the light source 10 to the light diffusion and irradiation part 11.例文帳に追加
ドア本体101に配設した光源10と、ウィンドウガラス102適所に設定した光拡散照射部11と、光源10で発光した光を光拡散照射部11へ導く導光部12とを有する。 - 特許庁
To provide a protection method of high safety which does not give rise to the deterioration of a gas diffusion cathode or the corrosion of its cathode camber during the shutdown of the electrolysis in an alkali chloride electrolysis cell having the gas diffusion cathode and a protective device therefor.例文帳に追加
ガス拡散陰極を備えた塩化アルカリ電解槽で、電解運転停止中にガス拡散陰極の劣化や陰極室の腐食を生じさせない安全度も高い保護方法及びその保護装置を提供する。 - 特許庁
To improve reliability in a high melt-point metal diffusion prevention film at a first region where no high melt-point metal silicides are formed, and to improve reliability by preventing the diffusion of a high melt-point metal reliably in a semiconductor device.例文帳に追加
半導体装置において、高融点金属シリサイドを形成しない第1の領域における高融点金属拡散防止膜の信頼性を向上し、高融点金属拡散を確実に防止して信頼性の向上を図る。 - 特許庁
In the liquid crystal display device in which the optical film is disposed between a surface light emission optical source 12 and a liquid crystal panel 14, only a plurality of diffusion films 16, preferably only two sheets of diffusion films are disposed as the optical film.例文帳に追加
面発光光源12と液晶パネル14との間に光学フィルムを配置した液晶表示装置において、上記光学フィルムとして、複数の拡散フィルム16のみ、好ましくは2枚の拡散フィルムのみを配置する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a semiconductor device and the semiconductor device in which the concentration distribution of impurities in the depthwise direction of an impurity diffusion layer can be controlled, and the impurity diffusion layer displaying an approximately constant impurity concentration in the depth direction can be formed.例文帳に追加
不純物拡散層の深さ方向における不純物の濃度分布を制御することができ、深さ方向に対してほぼ一定の不純物濃度を示す不純物拡散層を形成することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁
Relating to solid-liquid separator provided with a membrane separator arranged inside a membrane separation tank and a diffusion device arranged at the lower part of the membrane separator, the diffusion device is constituted of main pipes 5, a first branch pipe 6 connected with the main pipes 5, and second branch pipes 8 connected with the first branch pipe 6.例文帳に追加
膜分離槽の内部に配設された膜分離装置と、該膜分離装置の下方に配設された散気装置とを備えた固液分離装置において、散気装置を、主管5と、主管5に接続された第一枝管6と、第一枝管6に接続された第二枝管8からなるものとする。 - 特許庁
The semiconductor device 100 comprises a surface-mounted diode 100d which has an n conduction type impurity diffusion region 12 and a p conduction type impurity diffusion region 13 arranged adjacently to each other in the surface layer of a semiconductor substrate 11, and which is structured by forming a pn junction S at the interface between the n conduction type impurity diffusion region 12 and p conduction type impurity diffusion region 13.例文帳に追加
半導体基板11の表層部において、隣接して配置されるn導電型不純物拡散領域12とp導電型不純物拡散領域13とを有し、n導電型不純物拡散領域12とp導電型不純物拡散領域13の界面でPN接合部Sが形成されてなる表面型ダイオード100dを備える半導体装置100とする。 - 特許庁
A solid-state imaging device comprises: a pixel region 11 disposed on a semiconductor substrate 20; a first diffusion layer 21 of a first conductivity type that is provided in the semiconductor substrate and constitutes at least the pixel region; and a second diffusion layer 22 of a second conductivity type provided between the first diffusion layer and a dicing line in the semiconductor substrate so as to contact the first diffusion layer.例文帳に追加
実施形態によれば、固体撮像装置は、半導体基板20に配置される画素領域11と、前記半導体基板中に設けられ少なくとも前記画素領域を構成する第1導電型の第1拡散層21と、前記半導体基板中に前記第1拡散層と接して前記第1拡散層とダイシングラインとの間に設けられる第2導電型の第2拡散層22とを具備する。 - 特許庁
METHOD FOR CALCULATING FLOW OF A PLURALITY OF FLUID DIFFUSION SUBSTANCES AND METHOD FOR CALCULATING FLOW IN MIXING AND STIRRING OF DEVELOPER IN ELECTROPHOTOGRAPHIC DEVICE例文帳に追加
複数の流動拡散物質の流れの計算方法及び電子写真装置の現像剤の混合撹拌における流れ計算方法 - 特許庁
To provide a backlight unit or the like in which an optical sheet such as a diffusion sheet cannot be seen from sideways when mounted on a liquid crystal display device.例文帳に追加
液晶表示装置に搭載した場合に、拡散シート等の光学シートが斜視にてみえないようにしたバックライトユニット等を提供する。 - 特許庁
To provide a float type air diffusion device which has no possibility that a floating matter on the water surface collides, provides a low cost of an air supply hose, and raises no hose trouble.例文帳に追加
水面の浮遊物が衝突するおそれが無く、エアー供給ホースのコストが安く、ホーストラブルが無い浮子型散気装置を提供する。 - 特許庁
To provide a gas sample introduction device, switchable between a measuring mode and a concentrating mode without unwanted diffusion of a sample gas into a pipe.例文帳に追加
計量モードと濃縮モードとが切り替えられ、且つ不所望の配管への試料ガスの拡散の無い気体試料導入装置を提供する。 - 特許庁
Here, the on-vehicle device 10 and the portable machine 20 selects the diffusion signal, respectively, based on the vehicle identification code as the authentication code.例文帳に追加
ここでは、車載装置10及び携帯機20が、認証コードとしての車両識別コードに基づいて拡散符号をそれぞれ選定する。 - 特許庁
To provide a micro device having high driving force by actualizing shallow joining and resistance reduction of an extension diffusion layer accompanying microfabrication.例文帳に追加
微細化に伴うエクステンション拡散層の浅接合化と低抵抗化とを実現し、高駆動力を有する微細デバイスを実現できるようにする。 - 特許庁
A semiconductor device is provided with a lower wiring 110, interlayer insulating films 100 and 200, anti-diffusion films 120 and 240, and an upper wiring 230.例文帳に追加
半導体装置は、下部配線110、層間絶縁膜100、200、拡散防止膜120、240、上部配線230を備えている。 - 特許庁
To provide a solid-state imaging device wherein a dynamic range of floating diffusion can be ensured while suppressing noise induced from an electric field.例文帳に追加
フローティングディフュージョンのダイナミックレンジの確保と電界起因ノイズの抑制とを両立して実現可能な固体撮像装置を提供すること。 - 特許庁
A diffusion layer 170 is formed on a portion of a substrate 100 situating at a device forming region 104, to serve as a source and a drain of a transistor 110.例文帳に追加
拡散領域170は素子形成領域104に位置する基板100に形成され、トランジスタ110のソース及びドレインとなる。 - 特許庁
To provide a white diffusion plate which can be observed in white in a desired observation area and a reflection type liquid crystal display device which uses it as a reflecting plate.例文帳に追加
所望の観察領域で白色に観察可能な白色拡散板とそれを反射板として用いた反射型液晶表示装置。 - 特許庁
The plating device for a plating line has a constitution where a treatment tank 18 to be stored with a treatment liquid having gas emissive properties is coated with casing 25 capable of preventing the diffusion of gas.例文帳に追加
ガス発散性の処理液を貯留する処理槽18が、ガスの拡散を防止可能なケーシング25によって覆われる構成とした。 - 特許庁
The background device 10 selects any of the color light among the color lights, in response to the light source control signal S to allow the diffusion background section 40 to display the selected color light.例文帳に追加
背景装置10は、光源制御信号Sに応じて、拡散背景部40に対して複数の色を切り換えて表示する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can suppress the diffusion of implanted hydrogen ions while activating the hydrogen ions.例文帳に追加
注入した水素イオンの拡散を抑制しながら水素イオンを活性化することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a light emitting diode and a light emitting device where the efficiency of current diffusion to an ITO layer is raised and brightness and light emitting performance are improved.例文帳に追加
ITO層に対する電流拡散の効率を高め、輝度及び発光性能を向上させた発光ダイオード、発光装置を提供する。 - 特許庁
The semiconductor device has a solder diffusion barrier layer of Ta/TaN or Ta/TaN/Ta on the Ni protective layer of the circuit wiring board.例文帳に追加
この半導体装置は、回路配線基板のNi保護層上にTa/TaNまたはTa/TaN/Taのはんだ拡散バリア層を持つ。 - 特許庁
To provide a charged particle beam device improving product yield while keeping a wafer back face clean and effectively preventing the diffusion of foreign matter.例文帳に追加
ウェハ裏面を清潔に保つとともに異物拡散を効果的に予防し、製品の歩留まりを向上させる荷電粒子線装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device that can form an extremely shallow diffusion layer.例文帳に追加
極浅拡散層を形成することが可能な半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device which improves the insulation of an insulating film by suppressing an impurity diffusion in a semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板内の不純物拡散をより抑制し、絶縁膜の絶縁性が向上した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To form a fine contact without abnormally oxidizing a silicide layer provided on an impurity diffusion layer nor contaminating a film forming device.例文帳に追加
不純物拡散層上に設けたシリサイド層が異常酸化することなく、また成膜装置を汚染することなく、微細なコンタクトを形成する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which can prevent a resistance value of a diffusion resistance region from becoming unstable, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
拡散抵抗領域の抵抗値が不安定になることを防ぐことのできる半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a direct backlight module which permits a desirable diffusion effect of light ray and can enhance the quality of picture display of a liquid crystal display device.例文帳に追加
好ましい光線の拡散効果が得られ、液晶表示装置の画像表示の品質を高める直下型バックライトモジュールを提供する。 - 特許庁
In the method of manufacturing a semiconductor storage device, an impurity diffusion region is formed in the semiconductor substrate so as to be self-aligned with respect to the gate.例文帳に追加
半導体記憶装置の製造方法では、前記ゲートと自己整合的に前記半導体基板内に不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁
A p-type diffusion layer 7 is formed apart from a base region 5 in an n-type drift region 2 of the semiconductor device 100.例文帳に追加
半導体装置100のN型ドリフト領域2内部に、ベース領域5に対し離間配置されるP型の拡散層7を形成する。 - 特許庁
In this device, the gas concentration sensor 100 has a pump cell 110 and a sensor cell 120, while a porous diffusion layer 101 is provided between the cells 110, 120.例文帳に追加
ガス濃度センサ100は、ポンプセル110とセンサセル120とを有し、各セル110,120の間に多孔質拡散層101が設けられる。 - 特許庁
The downright backlight device has a plurality of linear light sources and a light diffusion plate to diffuse and emit the light from the linear light sources.例文帳に追加
本発明の直下型バックライト装置は、複数の線状光源と、線状光源からの光を拡散出射する光拡散板とを備える。 - 特許庁
To provide an earthquake alarm device for assisting appropriate actions in case of earthquakes, capable of attaining rapid diffusion, using a simple constitution.例文帳に追加
簡単な構成で迅速な普及を図ることができ、地震時の適切な行動に対する補助を行うための地震警報装置を提供する。 - 特許庁
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