「diffusion effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a light diffusion reflective window reducing an air-conditioning loss in a building or the like to attain energy saving without storing thermal energy of light and suppressing glare around the window to reduce a harmful effect on surrounding environment.例文帳に追加

光の熱エネルギーを蓄えることなく、建物等の空調ロスを低減させて省エネルギー化を図ることができるとともに、窓周辺における眩しさを抑えて周辺環境に与える悪影響を低減させることができる光拡散反射型窓を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for compound semiconductor element provided with a nearly ideal n-type InGaAs non-alloy layer not resulting in any influence on the characteristics of transistors, by solving the problems of surface flatness, diffusion into the lower layers and memory effect resulting from an n-type dopant on the InGaAs non-alloy layer of the uppermost layer.例文帳に追加

最上層のＩｎＧａＡｓノンアロイ層へのｎ型ドーパントが及ぼす表面の平坦性、下層への拡散、及びメモリー効果といった課題を解決して、トランジスタの特性に影響が無い、理想に近いｎ型のＩｎＧａＡｓノンアロイ層を具備する化合物半導体素子用エピタキシャルウェハを提供すること。 - 特許庁

The Sn-Cu-Ni intermetallic compound functions as a barrier layer; mutual diffusion between Ni and Cu is suppressed; generation of voids due to Kirkendall effect is suppressed; a sealing property of an interface between the ceramic element 9 and an external terminal electrode is improved; and reliability of this ceramic electronic component is improved.例文帳に追加

このＳｎ−Ｃｕ−Ｎｉ金属間化合物層がバリア層として機能し、ＮｉとＣｕとの相互拡散が抑制されるとともに、カーケンダル効果によるボイドの発生を抑制し、セラミック素体９と外部端子電極との界面のシール性を向上させ、セラミック電子部品の信頼性を向上させる。 - 特許庁

In the semiconductor device having an MOS type transistor structure and using the capacity between a gate electrode 23 and an impurity diffusion layer 24 as a varicap, a short channel effect can be utilized by constituting a gate width (GW) formed in a channel region beneath the gate electrode 23 in a multistage.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、ＭＯＳ型トランジスタ構造で、ゲート電極２３と不純物拡散層２４間の容量をバリキャップとして用いるものにおいて、前記ゲート電極２３下のチャネル領域に形成されたゲート幅（ＧＷ）を多段階に構成することで、狭チャネル効果を利用することを特徴とするものである。 - 特許庁

The method of separating particulates comprises (1) isolating particulates alone, (2) removing particulates alone or (3) concentrating particulates alone, through a sieving effect without adsorption of the particulates, by separating particulates corresponding to diameters of 15 nm or smaller and dispersed in a gas or a liquid by means of a pore-diffusion-type membrane separation method.例文帳に追加

気体または液体中に分散した相当直径１５ｎｍ以下の微粒子を、孔拡散型の膜分離法を利用して、微粒子を吸着させることなく、ふるい効果で（１）微粒子のみを隔離するか（２）微粒子のみを除去するか、あるいは（３）微粒子のみを濃縮することを特徴とする微粒子の分離方法。 - 特許庁

The semiconductor storage device is provided with a field effect transistor having a gate electrode 3 formed on the bottom face section 1a of a recessed groove provided on the surface of a semiconductor substrate 1 through a gate insulating film 2 and a pair of source/drain diffusion regions 13 and 13 formed on the portions of the surface 18a of the semiconductor substrate 1 corresponding to both sides of the recessed groove.例文帳に追加

半導体基板１の表面に設けられた凹溝の底面部１ａ上にゲート絶縁膜２を介して形成されたゲート電極３と、その凹溝の両側に相当する半導体基板表面１８ａに形成された一対のソース／ドレイン拡散領域１３，１３とを有する電界効果トランジスタを備える。 - 特許庁

The field effect transistor comprises an N-type epitaxially grown layer 2 provided on a P-type semiconductor substrate 1, a P^+-type isolation diffusion layer 4 provided on the layer 2 of the circumference of the FET forming unit to electrically independently form the FET forming unit, and a P^++-type gate diffused layer 5 provided on the surface side of the layer 2.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１上にＮ型のエピタキシャル成長層２が設けられ、ＦＥＴ形成部を電気的に独立させるため、ＦＥＴ形成部周囲のエピタキシャル成長層２にＰ^+型の分離拡散層４が設けられ、そのエピタキシャル成長層２の表面側にＰ^++型のゲート拡散層５が設けられている。 - 特許庁

To provide a method for producing a spinel ferrite thin film with (100) preferred orientation while suppressing oxidization of a metal electrode layer in a lower part of a spinel ferrite thin film and thermal diffusion at a lower part interface and eliminating contamination due to atmospheric components at an upper part interface, in a spin filter effect element including a spinel ferrite thin film arranged in a laminated structure.例文帳に追加

積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、（１００）優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The electric field distribution in the semiconductor in the course of diffusing the impurities in the semiconductor is found accurately by using the Poisson equation, without having to use the conventionally used simple approximate expression, and the distributions of the impurities are simulated by using electric field values, obtained from the electric field distribution in the electric-field effect term of a diffusion equation.例文帳に追加

従来のように簡略な近似式を用いることなく、半導体の拡散過程における半導体内部の電界分布をポアソン方程式を用いて正確に求め、これによって得られた電界値を拡散方程式内の電界効果項に用いて不純物分布のシミュレーション計算を行なう。 - 特許庁

The functional fiber or the functional textile product, which radiates infrared rays and charged particles, is provided, being obtained by the following steps that semiconductor particles are dispersed in a predetermined dispersion and selectively dispersed in the crystal interface regions or noncrystalline regions of a fibrous polymer to effect infiltration/diffusion into the fibrous polymer.例文帳に追加

赤外線及び荷電粒子を放射する機能性繊維又は機能性繊維製品は、所定の分散液中で半導体粒子を分散させ、半導体粒子を繊維高分子の結晶界面領域又は非結晶領域に選択的に分散させ浸透拡散することにより作成する。 - 特許庁

A carbon layer (22) is offset to depart from a gate electrode (15), relative to the tip of a source/drain extension region (18) of a field effect transistor formed in a semiconductor substrate (11); and is positioned to enclose a source/drain impurity diffusion region, in sectional profile.例文帳に追加

半導体基板（１１）に形成される電界効果型トランジスタのソース・ドレインエクステンション領域（１８）の先端に対してゲート電極（１５）から離れる方向にオフセットし、かつ、断面プロファイルでソース・ドレイン不純物拡散領域を取り囲んで位置する炭素層（２２）を有することを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

As a method for judging cooking time of instant food such as instant noodle for having after pouring hot water, color change of pigment including paper 2, which includes base ion or acid ion dissociated from alkali including paper or acid including paper 3 owing to steam, in a specific time by diffusion effect is used.例文帳に追加

熱湯を注いで食する即席麺などのインスタント食品の調理時間を判断する方法として、水蒸気でアルカリ含浸紙あるいは酸含浸紙３から塩基イオンあるいは酸イオンが解離して色素含浸紙２に含浸し、拡散効果により所定時間で色素含浸紙２が変色されることを利用する。 - 特許庁

A memory element 1 comprises a field effect transistor element which is composed of two impurity diffusion areas 11, a gate electrode 13, and a gate insulating layer 12 on a p-type silicon board 10; and a variable resistance element which is composed of a lower electrode 19, an upper electrode 21, and a variable resistance layer 20 interposed between the lower and upper electrodes 19, 21.例文帳に追加

メモリ素子１は、ｐ型シリコン基板１０に、２箇所の不純物拡散領域１１とゲート電極１３およびゲート絶縁層１２から構成される電界効果型トランジスタ素子部と、下部電極１９と上部電極２１とで可変抵抗層２０を挟み構成された可変抵抗素子部とからなる。 - 特許庁

Because the light diffusion plate brings about the profound effect of suppressing the warpage and the waviness yielded with heat etc. produced from the light source in continuously lighting the backlight unit, it is suitably used for liquid crystal display devices, for example, for liquid crystal display devices for a large sized liquid crystal monitor, a household television, a display for a personal computer and so on.例文帳に追加

本発明の光拡散板は、バックライトユニットを連続点灯する際に光源から発生する熱等により生じる、反り及びうねりの抑制効果が大きい等の効果を奏するため、液晶表示装置、例えば大型液晶モニタ、家庭用テレビ、及びパソコンディスプレイ等の液晶表示装置等に適する。 - 特許庁

To provide a fuel cell in which when a gap flow passage to short circuit the manifold inlet and outlet is closed by seals, reaction gas is made hard to flow in the closed gap flow passage, a gap is made hard to occur between the seals and a gas diffusion layer, which is superior in sealing effect, and in which power generation efficiency is effectively improved.例文帳に追加

マニホールド入口と出口とを短絡する隙間流路をシールで閉塞するに際し、閉塞した隙間流路を反応ガスが流れにくく、シールとガス拡散層との間に隙間が発生しにくく、シール効果に優れ、もって発電効率を効果的に向上させる燃料電池を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a conductor structure and the conductor structure, and a method for manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device, capable of selectively forming a barrier layer on a copper wiring without requiring preprocessings for catalytic effect so as to prevent diffusion of copper from the copper wiring embedded in connection holes and/or wiring grooves of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の接続孔や配線溝へ埋め込む銅配線の銅の拡散防止のために、触媒化のための前処理なしで、銅配線上に選択的にバリア層の形成が可能な導体構造の形成方法及び導体構造、並びに半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。 - 特許庁

This semiconductor storage comprises field effect transistors formed on one surface side of a semiconductor substrate, the plurality of ferroelectric capacitors formed in proximity to each other above the field effect transistors, an insulating film for carrying out self-aligning planarization of the gaps between the adjacent ferroelectric capacitors upon the formation thereof by covering the plurality of ferroelectric capacitors, and the hydrogen diffusion preventing film formed on the insulating film.例文帳に追加

上記の課題を解決した半導体装置は、半導体基板の一面側に形成された電界効果型トランジスタと、前記電界効果型トランジスタの上方に互いに近接して形成された複数の強誘電体キャパシタと、前記複数の強誘電体キャパシタを覆い隣接する前記強誘電体キャパシタ間の間隙をその形成時に自己整合的に平坦化する絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された水素拡散防止膜とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor device is a p-channel MOS field-effect transistor which comprises a semiconductor substrate, a gate oxide film provided on the semiconductor substrate, a gate electrode provided on the gate oxide film, and two p^+ source/drain diffusion regions formed in an n-well region in the semiconductor substrate, each having a p^- offset region.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられたゲート酸化膜と、ゲート酸化膜上に設けられたゲート電極と、半導体基板内のｎウエル領域に形成され、それぞれＰ^−のオフセット領域を有する２つのＰ^＋のソース／ドレイン拡散領域とを有する、Ｐチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタである。 - 特許庁

To provide an agitator mill which prevents a fear of an operation miss generated by a subsidiary pulverized body hitting a preventive screen, in particular, while obtaining a pulverization-diffusion effect having a narrow particle distribution, even if a pulverization material passes through the agitator mill only once when improving a conventional type agitator mill and using the subsidiary pulverized body having particularly the very small diameter.例文帳に追加

一般タイプのアジテータミルを改良し、特に極めて小さい直径を有する補助粉砕体を使用するとき、粉砕材料がアジテータミルを一度しか通過しない場合でも、狭い粒子分布を有する粉砕・分散効果を得る一方で、特に保護スクリーンに当たる補助粉砕体により生じる操作ミスの恐れを回避する。 - 特許庁

To provide an air diffuser which can optionally deflect the direction of an air bubble flow to be formed by a jet, merely by making a simple remodeling of an air diffusion pipe and also, can optionally adjust the magnitude of the membrane rocking motion and significantly enhance the cleaning effect of the membrane surface, as well as a method of operating the air diffuser and a dipping type membrane separator with the air diffuser.例文帳に追加

散気管に簡単な改良を加えるだけで、噴射流により形成される気泡流の方向を任意に偏向させることができ、膜の揺動の大きさを任意に調整することができ、膜面の洗浄効果を著しく高めることができる散気装置、その運転方法及び同散気装置を備えた浸漬型膜分離装置を提供する。 - 特許庁

The thermal energy of a thermal head in the printer is imparted to a coloring layer 6 during the slight diffusion state of the thermal energy in the multicolor thermosensitive medium 1 by an effect that the thermal energy of a thermal head in the printer is imparted from the side of an overcoat layer 9 located on the coloring layer 6 that the multicolor thermosensitive medium 1 has.例文帳に追加

印刷装置のサーマルヘッドの熱エネルギーが多色感熱媒体１が有するブラックの発色層６上にあるオーバーコート層９側から与えられることにより、多色感熱媒体１内における熱エネルギーの拡散状態が僅かなうちに、印刷装置のサーマルヘッドの熱エネルギーがブラックの発色層６に与えられる。 - 特許庁

To provide a treatment method of an aluminum planographic printing plate for obtaining stable ink receiving by improving preservation effect during passing liquid to provide water washing liquid without coloring the liquid, and further improving exfoliation and removal inferiority of an emulsion layer in running treatment in a treatment agent of the aluminum planographic printing plate using a silver salt diffusion transfer method.例文帳に追加

銀塩拡散転写法を利用したアルミニウム平版印刷版の処理剤において、液経時による防腐効果を向上させ液が着色しない水洗液を提供し、更にランニング処理における乳剤層の剥離除去不良を改良し、安定したインキ受理性が得られるアルミニウム平版印刷版の処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a search method of a novel barrier material for a semiconductor integrated circuit device composed of a metal of relatively low cost or an intermetallic compound containing the metal, and having the excellent effect of suppressing copper diffusion similarly to a conventional ruthenium barrier material, with no problem in terms of supply performance.例文帳に追加

従来のルテニウムバリア材と同様に優れた銅拡散の抑制効果を有し、供給性の点で問題がなく、比較的低コストの金属又はその金属を含む金属間化合物からなる新規な半導体集積回路装置用バリア材の探索方法及び当該探索方法によって探索される半導体集積回路用バリア材を提供する。 - 特許庁

To provide a fuel cell making flow of reaction gas through a blocked clearance passage difficult, making generation of a gap between a seal and a gas diffusion layer difficult, enhancing sealing effect, and effectively enhancing power generation efficiency when the clearance passage short-circuiting a manifold inlet and a manifold outlet is blocked with the seal.例文帳に追加

本発明は、マニホールド入口とマニホールド出口とを短絡する隙間流路をシールで閉塞するに際し、閉塞した隙間流路を反応ガスが流れにくく、シールとガス拡散層との間に隙間が発生しにくい、シール効果に優れ、もって発電効率を効果的に向上させることが可能な燃料電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a fuel cell making flow of reaction gas through a blocked clearance passage difficult and making the generation of a gap between a seal and a gas diffusion layer difficult, enhancing sealing effect, and effectively enhancing power generation efficiency when the clearance passage short-circuiting a manifold inlet and a manifold outlet is blocked with the seal.例文帳に追加

本発明は、マニホールド入口とマニホールド出口とを短絡する隙間流路をシールで閉塞するに際し、閉塞した隙間流路を反応ガスが流れにくく、シールとガス拡散層との間に隙間が発生しにくく、シール効果に優れ、もって発電効率を効果的に向上させることが可能な燃料電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

By disposing a high-permeability substance 33 on the paths of targeted magnetic flux over the members of a readout head 220 and a scale 210, the loss due to leakage flux caused by the diffusion of magnetic flux occurring in a conventional winding structure is suppressed, signal intensity of magnetic flux is enhanced, and an effect of magnetic flux coming from the exterior is reduced.例文帳に追加

読み出しヘッド２２０とスケール２１０の部材上の目標とする磁束の経路上に高透磁率物質３３を配置することによって、従来の巻線構成で発生していた磁束の拡散から生ずる漏れ磁束による損失を抑え、磁束の信号強度を向上させると同時に外部からの磁束の影響を低減させる。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit apparatus, a drain D, a gate G, a source S, and a back gate BG in a high-concentration diffusion region are formed in this order, and an insulating gate field effect transistor having a drain output terminal pad is included.例文帳に追加

ドレインＤ、ゲートＧ、ソースＳ及び高濃度拡散領域のバックゲートＢＧが、この順序で形成され、ドレイン出力端子ｐａｄを有する絶縁ゲート電界効果型トランジスタを含む半導体集積回路装置において、バックゲート用に形成された前記高濃度拡散領域の一部分の、ドレイン出力端子ｐａｄが設けられた位置とは反対側のみに金属配線を設ける。 - 特許庁

Since the accelerator is a folding type tandem accelerator, a 180° analysis electromagnet is arranged at a high voltage terminal part, and a slit having an energy analysis and diffusion restricting slit function is installed at the entrance part of the acceleration tube on high energy side, and once again the beam is accelerated by the accelerator having a single hole lens effect, and by focusing, an MeV region high energy ion nano beam is formed.例文帳に追加

加速器が、折り返し型タンデム加速器であるため、高電圧ターミナル部に１８０°分析電磁石を置き、高エネルギー側の加速管の入口部にエネルギー分析及び発散制限スリット機能を有するスリットを設置し、再度、単孔レンズ効果を有する加速管によりビームを加速するとともに、集束を行い、ＭｅＶ領域高エネルギーイオンナノビームを形成する。 - 特許庁

The display device includes: an LED light source 11; a trigonal prism 12 which is arranged on a light emission surface of the LED light source 11, transmits light from the LED light source 11 and refracts the light according to a prism effect; and a diffusion plate 13 which is arranged on the light emission surface of the trigonal prism 12, projects the light from the trigonal prism 12 and is translucent.例文帳に追加

表示装置は、ＬＥＤ光源１１と、ＬＥＤ光源１１の光出射面の上に配置され、ＬＥＤ光源１１からの光を透過させてプリズム効果により屈折させる三角柱プリズム１２と、三角柱プリズム１２の光出射面の上に配置され、三角柱プリズム１２からの光を投影させる半透明の拡散板１３とを備える。 - 特許庁

A pipe 2 of a chemicals blow-diffusion apparatus 1 is continuously placed around the objective treating area A and air containing chemicals is blasted from nearly the whole length of the pipe 2 to diffuse the chemicals-containing air to the objective treating area and achieve sufficient effect of chemicals even on a wide treating area A.例文帳に追加

効力目的範囲Ａの周囲に、送風式薬剤放散装置１の管体２を連続して配設し、この管体２の長手方向ほぼ全長から薬剤を含む空気を放出することで、前記効力目的範囲Ａの範囲から薬剤を含む空気を放散するようにして、効力目的範囲Ａが広くとも充分な薬剤効果が得られるようにした薬剤の送風放散方法とする。 - 特許庁

To provide a barrier film for a highly dense copper wiring semiconductor which can obtain a sufficient barrier effect with a film thickness enough to prevent film peeling and a fine wiring pitch in suppressing diffusion of a copper in the highly dense copper wiring semiconductor, and has no variation in barrier characteristics even if a temperature rises due to heat treatment, and to provide a sputtering target for forming the barrier film.例文帳に追加

高密度銅配線半導体の銅の拡散を抑制するに際し、膜剥離を生じさせない程度の薄い膜厚で、また細かい配線ピッチでも十分なバリア効果を得ることができ、さらに熱処理等により温度上昇があっても、バリア特性に変化がない高密度銅配線半導体用バリア膜及びバリア膜形成用スパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁

To provide an electrode for a fuel cell exerting stable, high performance for a long time by removing an effect of condensed water in a slit of a cathode end plate by humidity control and keeping wetting of a catalyst layer or a gas diffusion layer in a suitable state; to provide a polymer electrolyte fuel cell and a liquid fuel cell using the electrode; and to provide information electronic equipment mounting these fuel cells.例文帳に追加

本発明の目的は、調湿によってカソード端板のスリット内に溜まる結露水の影響を除くと共に、触媒層やガス拡散層の濡れを適した状態に維持することによって、長期間安定して高い性能を発揮する燃料電池用電極、その電極を用いた高分子電解質型燃料電池および液体燃料電池と、それら燃料電池を組み込んだ情報電子機器を提供することにある。 - 特許庁

In this production method, the moisture-retaining gel or an organic polymer solution in a solvent, prepared by the sol-gel process, is brought into contact with metal oxide, metal alkoxide, or partially hydrolyzed or polycondensed metal alkoxide to effect the solution diffusion of the components from one to the other or vice versa or mutually.例文帳に追加

金属アルコキシ基を有する有機重合体からゾル−ゲル法によって作製した湿潤ゲル又は溶剤に溶解する有機重合体と；金属酸化物、金属アルコキシド化合物又は金属アルコキシド化合物の部分的加水分解および重縮合物とを；接触させ、相互にまたは一方から他方へ溶液拡散させる工程を包含する、有機重合体成分および／または金属酸化物成分の濃度が連続的に変化した成分傾斜構造を有する有機−無機成分傾斜複合材料の製造方法。 - 特許庁

By correcting the particle size distribution of the organic particles and the ratio of the binder, a diffusion effect can be optimized.例文帳に追加

透明基材１０１と、透明基材の一方の表面に凸凹構造を有する樹脂コーティング１０３とを備え、樹脂コーティングが複数の有機粒子１０５及びバインダー１０７を含む、光学フィルムであって、有機粒子がポリマー化単位として多官能基を有する少なくとも１つのアクリレートモノマータイプを含むポリアクリレート樹脂から作られ、多官能アクリレートモノマーがモノマーの総重量に基づいて約３０ｗｔ％から７０ｗｔ％までの量であり、有機粒子が平均粒子サイズを有し、有機粒子の粒子サイズ分布が平均粒子サイズの約±５％の範囲内で変動し、有機粒子がバインダーの固形部の１００重量部当たり約１８０から３２０重量部までの量である、光学フィルムを提供する。 - 特許庁