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「diffusion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索
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diffusion layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 5831



例文

In a photodiode PD1, a resistor 15 consisting of a P diffusion layer (impurity diffusion layer) and a cathode 13 consisting of a N diffusion layer 12 are formed on the surface (light receiving surface) of the N diffusion layer 12 formed on a P substrate 1.例文帳に追加

フォトダイオードPD1は、P基板1上に形成されたN拡散層12の表面(受光面)に、P拡散層(不純物拡散層)からなる抵抗15とN拡散層からなるカソード13とを形成する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF ELECTRODE DIFFUSION LAYER FOR FUEL CELL例文帳に追加

燃料電池用電極拡散層の製造方法 - 特許庁

The semiconductor substrate 110 has a diffusion layer 14.例文帳に追加

半導体基板110は、拡散層14を有する。 - 特許庁

Further, the separator is arranged outside the gas diffusion layer.例文帳に追加

さらに、セパレータをガス拡散層の外側に配置する。 - 特許庁

例文

A first first-conductive-type diffusion layer 120, a first second-conductive-type diffusion layer 130, a second first-conductive-type diffusion layer 150, and a second second-conductive-type diffusion layer 140 are arranged in this order.例文帳に追加

第1の第1導電型拡散層120、第1の第2導電型拡散層130、第2の第1導電型拡散層150、及び第2の第2導電型拡散層140はこの順に並んでいる。 - 特許庁


例文

OPTICAL DIFFUSION LAYER, OPTICAL ELEMENT AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY例文帳に追加

光拡散層、光学素子及び液晶表示装置 - 特許庁

The area of a first region facing the first diffusion layer 115, of the third diffusion layer 14A is larger than the area of a second region facing the first diffusion layer 115, of the second diffusion layer 114B.例文帳に追加

第3拡散層14Aにおいて、第1拡散層115に対向する第1領域の面積は、第2拡散層114Bにおいて第1拡散層115に対向する第2領域の面積より大きい。 - 特許庁

The DMOS transistor contains an n^+ diffusion layer 21d as a source, a p-type diffusion layer 17e as a back gate region, and an n-type diffusion layer 67 in a low concentration as a drain and an n^+ diffusion layer 21e in a high concentration.例文帳に追加

DMOSトランジスタは、ソースとなるn^+拡散層21dと、バックゲート領域となるp型拡散層17eと、ドレインとなる低濃度のn型拡散層67および高濃度のn^+拡散層21eとを含む。 - 特許庁

LIGHT DIFFUSION LAYER, LIGHT DIFFUSING SHEET AND OPTICAL ELEMENT例文帳に追加

光拡散層、光拡散性シート及び光学素子 - 特許庁

例文

A diffusion layer A is shared between the memory cells M1, M2 alone and is not directly connected to a conductive layer except the diffusion layer A.例文帳に追加

拡散層Aは、メモリセルM1,M2のみに共有され、拡散層A以外の導電層に直接結合されることがない。 - 特許庁

例文

The drain regions of the PMOSs 20_1, 20_2 are provided with a two-layer structure comprised of P-type heavily doped diffusion layer and lightly doped diffusion layer.例文帳に追加

そして、PMOS20_1,20_2のドレイン領域をP型の高濃度拡散層と低濃度拡散層による2層構造とする。 - 特許庁

The diffusion prevention layer prevents at least diffusion of alkali metal from the alkali supply layer to the substrate with the insulating layer.例文帳に追加

拡散防止層はアルカリ供給層からのアルカリ金属の絶縁層付基板への拡散を少なくとも防止するものである。 - 特許庁

An N^+-type diffusion layer 8 is formed in the N^--type semiconductor layer 2 adjacent to the P^--type diffusion layer 5.例文帳に追加

P−型の拡散層5に隣接したN−型の半導体層2の表面にはN+型の拡散層8が形成されている。 - 特許庁

An n-type buried diffusion layer 9 is formed on a p-type buried diffusion layer 6 in the substrate 3 and the epitaxial layer 4.例文帳に追加

基板3とエピタキシャル層4には、N型の埋込拡散層9がP型の埋込拡散層6上に形成されている。 - 特許庁

An N-type diffusion layer 8 of the protection element 1 and an N-type diffusion layer 19 of the MOS transistor 15 are formed in the same process, while a diffusion width W3 of the N-type diffusion layer 8 is larger than a diffusion width W4 of the N-type diffusion layer 19.例文帳に追加

そして、保護素子1を構成するN型の拡散層8とMOSトランジスタ15を構成するN型の拡散層19を同一工程で形成するが、N型の拡散層8の拡散幅W3が、N型の拡散層19の拡散幅W4よりも広くなる。 - 特許庁

To shallow the junction of an extension high-concentartion impurity diffusion layer, preventing a dislocation loop defect layer from being formed in an extension high-concentration impurity diffusion layer and a pocket im purity diffusion layer.例文帳に追加

エクステンション高濃度不純物拡散層及びポケット不純物拡散層に転位ループ欠陥層ができないようにして、エクステンション高濃度不純物拡散層の接合を浅くする。 - 特許庁

A p-type buried diffusion layer 6 is formed on the substrate 3, and an n-type buried diffusion layer 10 is formed on a p-type buried diffusion layer 7 in the substrate 3 and the epitaxial layer 4.例文帳に追加

基板3にはP型の埋込拡散層6が形成され、基板3とエピタキシャル層4には、N型の埋込拡散層10がP型の埋込拡散層7上に形成されている。 - 特許庁

A control part 33 of a P-type diffusion layer which controls a signal read voltage and an isolation part 32 of the P-type diffusion layer which is used for layer isolation are formed on the side parts of the N-type diffusion layer 4.例文帳に追加

このn型拡散層4の側方に、信号読み出し電圧を制御するp型拡散層の制御部33と、層分離用のp型拡散層の分離部32を形成する。 - 特許庁

The gas diffusion electrode consists of a gas diffusion layer and the catalyst layer, in which a catalyst having water electrolysis activity is arranged at an interface of the gas diffusion layer and the catalyst layer.例文帳に追加

ガス拡散層および触媒層からなるガス拡散電極であって、水電解活性を有する触媒がガス拡散層および触媒層の界面に配置されてなる、ガス拡散電極。 - 特許庁

A chromium-containing layer (58) is deposited on the platinum-containing layer (50) with an aluminide diffusion layer (66) being deposited (103) on the chromium-containing layer (58), the aluminide diffusion layer (66) has an inner diffusion layer (72) adjacent to the chromium-containing layer (58) and an outer additive layer (78) adjacent to the inner diffusion layer (72).例文帳に追加

クロム含有層(58)が白金含有層(50)の上に堆積され(102)、アルミナイド拡散層(66)がクロム含有層(58)の上に堆積され(103)、アルミナイド拡散層(66)は、クロム含有層(58)に隣接する内側拡散層(72)と、内側拡散層(72)に隣接する外側付加層(78)とを有する。 - 特許庁

The Au layer 14 functions as a bonding layer, the Rh layer 16 functions as an anti diffusion layer and the Ir-containing layer functions as a mold releasing layer.例文帳に追加

Au層14はボンド層として、Rh層16は拡散防止層として、Ir含有層は離型層として機能する。 - 特許庁

A water-retention layer 60 is disposed between the catalyst layer 26 and gas diffusion layer 28 of an anode 22, and a water-retention layer 70 is disposed between the catalyst layer 30 and gas diffusion layer 32 of a cathode 24.例文帳に追加

アノード22の触媒層26とガス拡散層28との間に保水層60を設け、カソード24の触媒層30とガス拡散層32との間に保水層70を設ける。 - 特許庁

The floating diffusion layer 1 includes a diffusion region 11 and a diffusion region 12 having a higher impurity concentration than that of the diffusion region 11.例文帳に追加

浮遊拡散層1は、拡散領域11と、拡散領域11より高い不純物濃度を有する拡散領域12とを含んでいる。 - 特許庁

The n-type diffusion layer and the solar cell having the n-type diffusion layer are manufactured by applying the composition for forming the n-type diffusion layer onto a semiconductor substrate and subjecting the applied substrate to heat diffusion treatment.例文帳に追加

このn型拡散層形成組成物を半導体基板上に塗布し熱拡散処理を施すことで、n型拡散層、及びn型拡散層を有する太陽電池セルが製造される。 - 特許庁

The p-type diffusion layer and the solar cell having the p-type diffusion layer are manufactured by applying the composition for forming the p-type diffusion layer onto a semiconductor substrate and subjecting the applied substrate to heat diffusion treatment.例文帳に追加

このn型拡散層形成組成物を半導体基板上に塗布し熱拡散処理を施すことで、p型拡散層、及びp型拡散層を有する太陽電池セルが製造される。 - 特許庁

A surface layer 3 is formed by adhesion at the side of a diffusion part 1a of a diffusion water retention layer 1 in which a granulate water suction polymer 2 is sandwiched therein, and has a diffusion part 1a which has a role of a diffusion layer.例文帳に追加

内部に粒状の吸水ポリマー2が挟まれかつ拡散層の役目をする拡散部1aを有する拡散保水層1の拡散部1a側に、接着により表面層3を設ける。 - 特許庁

To provide a diffusion layer capable of improving gas diffusion property, and a membrane-electrode assembly equipped with the diffusion layer.例文帳に追加

ガス拡散性の向上を図ることができる拡散層と、この拡散層を備えた膜・電極接合体及び燃料電池と、を提供する。 - 特許庁

It is also suitable that the lower layer of the Fe-Ni alloy plated layer is provided with an Fe-Ni diffusion plated layer or an Fe-Ni diffusion plated layer and an Ni plated layer.例文帳に追加

前記Fe−Ni合金メッキ層の下層にFe−Ni拡散メッキ層、またはFe−Ni拡散メッキ層とNiメッキ層とを有することも好適である。 - 特許庁

This membrane-electrode assembly is formed by forming an adhesive layer on an assembly interface of a catalyst layer and a gas diffusion layer and strongly joining a membrane-catalyst layer and a gas diffusion layer.例文帳に追加

触媒層とガス拡散層の接合界面に接着剤層を形成し、膜−触媒層とガス拡散層を強固に接合した膜−電極接合体。 - 特許庁

With the gas diffusion electrode which has a gas diffusion layer and a catalyst layer laminated, the gas diffusion layer and the catalyst layer are equipped with porous resin, and the part of the surface of the catalyst layer which in not in contact with the gas diffusion layer is kept away from the perforated resin.例文帳に追加

ガス拡散層と触媒層とを積層したガス拡散電極において、前記ガス拡散層と前記触媒層は有孔性樹脂を備え、前記触媒層のガス拡散層と接していない表面には有孔性樹脂が存在しないようにする。 - 特許庁

Other contact holes are opened in the insulation layer 9 on the P^+-type diffusion layer 7 and the N^+-type diffusion layer 8, respectively, and a wiring layer 11 (an anode electrode) connecting the P^+-type diffusion layer 7 and the N^+-type diffusion layer 8 is formed through the respective other contact holes.例文帳に追加

P+型の拡散層7及びN+型の拡散層8上の絶縁膜9には、それぞれコンタクトホールが開口され、各コンタクトホールを通して、P+型の拡散層7とN+型の拡散層8とを接続する配線11(アノード電極)が形成されている。 - 特許庁

Between the N-type embedded diffusion layer and the P-type first embedded diffusion layer, a P-type second embedded diffusion layer 14 having the impurity concentration higher than that of the N-type embedded diffusion layer and lower than that of the P-type first embedded diffusion layer is embedded and formed.例文帳に追加

N型埋込み拡散層とP型第一埋込み拡散層との間に、不純物濃度がN型埋込み拡散層の不純物濃度より高く、且つP型第一埋込み拡散層の不純物濃度より低いP型第二埋込み拡散層14を埋込み形成する。 - 特許庁

In the trench forming a trench gate structure, an inter-diffusion-layer isolation insulating film is selectively wet etched to a diffusion layer so that the diffusion layer is projected, and the projected diffusion layer is selectively epitaxially grown so that the projected portion of the diffusion layer forms an eaves structure.例文帳に追加

溝ゲート構造となる溝内において、拡散層間分離絶縁膜を拡散層に対して選択的にウェットエッチングして拡散層が突出部した構造を形成し、さらに突出した拡散層を選択エピタキシャル成長させることで拡散層の突出部に庇状の構造を形成する。 - 特許庁

FUEL CELL AND SURFACE TREATMENT METHOD OF DIFFUSION LAYER例文帳に追加

燃料電池および拡散層の表面処理方法 - 特許庁

To provide draining property and moisture retention to a gas diffusion layer.例文帳に追加

ガス拡散層に排水性および保湿性を付与する。 - 特許庁

An outer base diffusion layer 6 which is superposed with an outer circumference of the intrinsic base diffusion layer 7, encloses the intrinsic base diffusion layer 7, and reaches the isolation insulation film 3 is formed.例文帳に追加

この真性ベース拡散層7の外周と重畳してこの真性ベース拡散層7を取囲み、分離絶縁膜3に達する外部ベース拡散層6を形成する。 - 特許庁

An anode electrode 18 comes into contact with the p-type diffusion layer 14, and a cathode electrode 19 comes into contact at the same time with the p-type diffusion layer 15 and the n+-type diffusion layer 16.例文帳に追加

アノード電極18はp型拡散層14にコンタクトし、カソード電極19はp型拡散層15とn^+型拡散層16に同時にコンタクトする。 - 特許庁

A P-type diffusion layer 12 is formed on the surface of an N-type silicon substrate 11, and an N-type diffusion layer 14 is formed inside the N-type diffusion layer 12.例文帳に追加

N型のシリコン基板11の表面領域にP型拡散層12が形成され、このP型拡散層12内に、N型拡散層14が形成される。 - 特許庁

To form a shallow and narrow impurity diffusion layer.例文帳に追加

不純物拡散層を浅く狭く形成することである。 - 特許庁

By interposing the P-type second embedded diffusion layer having a low impurity concentration in the bonding surface between the N-type embedded diffusion layer and the P-type diffusion layer and the bonding surface between the N-type embedded diffusion layer and the P-type embedded diffusion layer having the high impurity concentration, a C-EPI capacitance is reduced.例文帳に追加

N型埋込み拡散層とP型拡散層との接合面、およびN型埋込み拡散層と高不純物濃度のP型埋込み拡散層との接合面に低不純物濃度のP型第二埋込み拡散層を介在させることにより、C−EPI容量が減少する。 - 特許庁

To prevent diffusion of excitons into a quantum dot layer.例文帳に追加

励起子が量子ドット層へ拡散するのを防止する。 - 特許庁

PRODUCTION OF REACTING LAYER RAW MATERIAL OF GAS DIFFUSION ELECTRODE例文帳に追加

ガス拡散電極の反応層原料の製造方法 - 特許庁

GAS DIFFUSION LAYER FOR FUEL CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

燃料電池用ガス拡散層、およびこの製造方法 - 特許庁

Consequently, a membrane electrode assembly 20 and a fuel diffusion layer 5, an air diffusion layer 6, the fuel diffusion layer 5, and collectors 7, 8 are adhered to each other well and fixed.例文帳に追加

これにより、膜電極接合体20と燃料拡散層5、空気拡散層6、燃料拡散層5、集電体7,8が互いに良好に密着して固定される。 - 特許庁

GAS DIFFUSION LAYER FOR FUEL CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

燃料電池用ガス拡散層およびその製造方法 - 特許庁

GAS DIFFUSION LAYER FOR FUEL CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

燃料電池用ガス拡散層及びその製造方法 - 特許庁

Between a source diffusion layer 8 and a drain diffusion layer 9 of a semiconductor substrate 1, a memory transistor and a select transistor are formed side by side via an intermediate diffusion layer 10.例文帳に追加

半導体基板1のソース拡散層8とドレイン拡散層9との間に中間拡散層10を介してメモりトランジスタとセレクトトランジスタとを並べて形成する。 - 特許庁

FORMING/ASSEMBLING METHOD OF GAS DIFFUSION LAYER FOR FUEL CELL例文帳に追加

燃料電池用ガス拡散層の整形・組付け方法 - 特許庁

A fourth source-drain diffusion layer 22B is electrically connected to a second diffusion layer 27 and has the same potential as that of the second well 52 and that of the second diffusion layer 27.例文帳に追加

第4のソース・ドレイン拡散層22Bは、第2の拡散層27と電気的に接続され且つ第2のウェル52及び第2の拡散層27と同電位である。 - 特許庁

例文

The depth of the common base diffusion layer 16 is formed deeper than the depth of the outer base diffusion layer 6 and not exceeding the depth of the intrinsic base diffusion layer 7.例文帳に追加

この共通ベース拡散層16,17の深さは、外部ベース拡散層6の深さより深く、かつ真性ベース拡散層7の深さを超えない深さに形成する。 - 特許庁




  
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