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「diffusion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(116ページ目) - Weblio英語例文検索
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diffusion layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 5831



例文

A semiconductor device 100 comprises a silicon substrate 10, a gate electrode 21 formed on the silicon substrate 10 through a gate insulating layer 16, first and second impurity diffusion layers 18 and 20 formed on the silicon substrate 10, and side wall insulating layers 15a and 15b formed on the side surface part of the gate electrode 21.例文帳に追加

半導体装置100は、シリコン基板10と、シリコン基板10上にゲート絶縁層16を介して形成されたゲート電極21と、シリコン基板10に形成された第1不純物拡散層18および第2不純物拡散層20と、ゲート電極21の側面部に形成されたサイドウォール絶縁層15a,15bとを含む。 - 特許庁

To provide a formation method of a copper metal wiring of a semiconductor element which can improve burying of copper, by maximizing the suction site of chemical reinforcing agent on the surface of a diffusion barrier layer by carrying out a plasma treatment after chemical reinforcing agent deposition when a copper metal wiring is formed by using a CECVD method.例文帳に追加

CECVD法を用いて銅金属配線を形成する場合、化学的強化剤蒸着後プラズマ処理を行うことにより、拡散障壁層の表面に化学的強化剤の吸着サイトを極大化させ、これにより銅の埋込み特性を向上させることができる半導体素子の銅金属配線形成方法を提供すること。 - 特許庁

In the heat developable photosensitive material with a photosensitive layer containing at least silver halide, an organic silver salt and a binder on the base, the silver ion diffusion coefficient of the binder at 25°C is <3×10-15 cm2s-1 and that at 100°C is ≥3×10-15 cm2s-1.例文帳に追加

支持体上に、少なくともハロゲン化銀と有機銀塩とバインダーとを含有する感光層を有する熱現像感光材料において、該バインダーの25℃における銀イオン拡散係数が3×10^-15cm^2s^-1未満であり、かつ100℃における銀イオン拡散係数が3×10^-15cm^2s^-1以上であることを特徴とする熱現像感光材料。 - 特許庁

Contacts 12 can be formed in the interlayer insulating film 10, to connect a diffusion layer 7 with bit lines 32 as intersecting voids 11 by forming a sidewall insulating film 14 on the inner wall of the contacts 12, a short circuit between bit lines 32 through contacts 12 can be eliminated, and parasitic capacitance between word lines can be reduced as well.例文帳に追加

コンタクト12の内壁に側壁絶縁膜14を形成することにより、ボイド11と交差するようにして層間絶縁膜10に拡散層7とビット線32とを接続するためのコンタクト12を形成することを可能とし、ビット線32間のコンタクト12を通じての短絡を無くすと共に、ワード線間の寄生容量を減じることができる。 - 特許庁

例文

A silicon substrate 1 is provided on a single chip thereon with a neutron detecting portion having a ^10B diffusion layer 10 which is incorporated with boric acid comprising isotope ^10B, an α ray detecting portion having a p-n junction 13 which consists of a p well and an n well 12, and an analysis circuit portion for analyzing an electric charge generated at the p-n junction 13.例文帳に追加

シリコン基板1には、同位体^10Bを含むホウ素が導入された^10B拡散層10を有する中性子検出部、pウェル11とnウェル12とにより形成されるpn接合13を有するα線検出部、並びに、pn接合13に発生する電荷の解析を行う解析回路部が、同一チップ上に形成される。 - 特許庁


例文

At a position where the cathode flow channel is extended to a cathode entry header 14 and a cathode exit header 16 through the sealing region, and a position where the anode flow channel is extended to an anode entry header 18 and an anode exit header 20 through the sealing region, a diffusion medium layer at one of the sides of the film is extended for providing a load of the sealing part.例文帳に追加

カソード流れチャンネルがシール領域を通してカソード入口ヘッダー14及びカソード出口ヘッダー16まで延在する位置及びアノード流れチャンネルがシール領域を通してアノード入口ヘッダー18及びアノード出口ヘッダー20まで延在する位置において、膜の一方の側の拡散媒体層は、シール部の荷重を提供するため延在する。 - 特許庁

This electron source base has a pair of element electrodes 2, 3 of metal formed on a glass base body 1, containing sodium with a sodium diffusion preventing layer 9 intervened and an electron emitting element of a conductive thin film 4 having an electron emitting part 5, and also has metal wirings 6, 7 to be connected to the element electrodes 2, 3 while being brought into contact with the glass base body 1.例文帳に追加

ナトリウムを含有するガラス基体1上に、ナトリウム拡散防止層9を介して形成された、金属よりなる一対の素子電極2,3と電子放出部5を有する導電性薄膜4からなる電子放出素子を有し、該ガラス基体1に接し該素子電極2,3に接続される金属配線6,7とを有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a fuel cell for discharging a lump of water generated in a passage to the outside by preventing the lump of water generated in the gas passage of a cell unit of the fuel cell from moving to the vicinity or a hole of a diffusion layer and restraining deterioration of power generation capability caused by inflow of the lump of water and realizing to maintain control of stable power generation for a long period.例文帳に追加

燃料電池セルのガス流路で発生した水塊が拡散層の近傍または孔内へ移動する事を防ぐ事により、流路内で発生した水塊がセル外部へ排出され、水塊が流入する事に起因する発電能低下を抑え、安定した発電制御を長期間維持することを実現する。 - 特許庁

To provide a method for processing a lithographic printing plate for improving plate wear of a minute image with less jumping in thin lines and a highlight portion occurring during printing a large number of sheets in the lithographic printing plate which contains physical developing nuclei between an anodically oxidized aluminum support and a silver halide emulsion layer and which utilizes a silver complex salt diffusion transfer method.例文帳に追加

陽極酸化されたアルミニウム支持体とハロゲン化銀乳剤層の間に物理現像核を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版において、多数枚の印刷時に発生する細線やハイライト部の飛びの少ない、微小画像の耐刷性が改善された平版印刷版の処理方法を提供しする。 - 特許庁

例文

In the method for treating the planographic printing plate using a silver complex salt diffusion transfer method with at least a silver halide emulsion layer provided on an anodized aluminum support, phosphoric acid and an alkaline earth metal are simultaneously applied or the phosphoric acid is applied in advance to a printing plate surface development-treated with an application method.例文帳に追加

陽極酸化されたアルミニウム支持体上に少なくともハロゲン化銀乳剤層を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版の処理方法において、塗布方式により現像処理された版面にリン酸とアルカリ土類金属を同時またはリン酸を先に施すことを特徴とする平版印刷版の処理方法。 - 特許庁

例文

A high-concentration n-type diffusion layer 116 is formed in an isolation region 115 to reduce collector currents flowing through a parasitic npn transistor 102, thereby providing the drive circuit and the data line driver which improves resistance to noises between adjacent terminals while inhibiting an increase in a chip size, using a normal CMOS process.例文帳に追加

分離領域115に高濃度N型拡散層116を設けることにより、寄生NPNトランジスタ102のコレクタ電流を削減することができるので、通常のCMOSプロセスを用いて、チップサイズを抑制しながら隣接端子間のノイズに対する耐性を向上することのできる駆動回路およびデータ線ドライバを提供することができる。 - 特許庁

A lithographic printing plate which contains physical developing nuclei between an anodically oxidized aluminum supporting body and a silver halide emulsion layer and which utilizes a silver complex salt diffusion transfer method is exposed, developed and then treated with a processing liquid containing at least one compound in fluorides of metals selected from titanium, zirconium, zinc and hafnium.例文帳に追加

陽極酸化されたアルミニウム支持体とハロゲン化銀乳剤層の間に物理現像核を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版を露光、現像処理後に前記平版印刷版を、チタン、ジルコニウム、亜鉛及びハフニウムの中から選ばれる金属のフッ化物の中の少なくとも1つの化合物を含む処理液で処理する。 - 特許庁

The optical screen has a light diffusion layer, containing particulates having a spherulite structure characteristic of a crystalline high polymer, formed in such a manner that high polymer fibrils are isotropically grown in a three-dimensionally way or radially grown from one or more cores near the center of one individual particle, and having a number average particle diameter range of 1 to 30 μm.例文帳に追加

一つの単独粒子の中心付近の単数または複数のコアから高分子フィブリルが3次元的等方あるいは放射状に成長して形成した結晶性高分子特有の球晶構造を有し、数平均粒子径1〜30μmである微粒子を含有する光拡散層を有することを特徴とする光学スクリーン。 - 特許庁

The method of manufacturing the solar battery includes: a step of applying the alcoholic solution of phosphorous acid to a p-type semiconductor substrate by the inkjet method so that the dots of the alcoholic solution of the phosphorous acid partially overlap; and a step of forming the n-type diffusion layer of a different phosphor concentration on the p-type semiconductor substrate by thermally diffusing phosphor.例文帳に追加

リン酸のアルコール溶液のドットが一部重なり合うようにリン酸のアルコール溶液をインクジェット法によりp型半導体基板に塗布する工程と、リンを熱拡散させることによりp型半導体基板上にリン濃度の異なるn型拡散層を形成する工程とを備えることを特徴とする太陽電池の製造方法である。 - 特許庁

A precious metal tip 16 is welded on a center electrode 3 of the spark plug for an internal combustion engine, and on a surface 21 of the precious metal tip 16 contacting with the center electrode 3, a diffusion preventing layer 19 made of either metal of Ag, Au, Mg, Ti, and Zr (a simple metal or a compound of that metal) is formed.例文帳に追加

内燃機関用スパークプラグの中心電極3上に貴金属チップ16が溶接されるが、その貴金属チップ16と中心電極3とが接する貴金属チップ16の面21にAg、Au、Mg、Ti、Zrの何れか1種類の金属(単体金属又はその金属の化合物)による拡散防止層19を形成する。 - 特許庁

Since diffusion of ions bearing charge/discharge of a solid state battery into an integrated circuit can be prevented by forming a protective film of the solid state battery into a multilayer structure and by providing a positive potential to one metal layer out of them, this system-in-package of the integrated circuit and the battery without causing characteristic deterioration or malfunction and this multilayer wiring board can be provided.例文帳に追加

固体電池の保護膜を多層構造として、その内の一層の金属層が正の電位を有することにより、固体電池の充放電を担うイオンの集積回路への拡散防止を行うことができるので、特性劣化や誤動作のない集積回路と電池のシステムインパッケージや多層配線基板を提供することができる。 - 特許庁

To provide a method for producing a planographic printing plate applying a silver complex salt diffusion transfer process, having satisfactory printing performance and achieving easy discrimination between printing and non-printing areas because the optical reflection density of the silver printing area deposited on a physical developing nucleus layer falls.例文帳に追加

本発明の目的は、銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷版に於いて、平版印刷版としての十分な印刷性能を有し、物理現像核層上に析出した銀画線部の光学反射濃度が低下し、画線部と非画線部の識別が容易な銀錯塩拡散転写法を用いた平版印刷版の製造方法を提供することである。 - 特許庁

When the silicone gel pressure- sensitive adhesive sheet is held between the periphery of the liquid crystal cell of a liquid crystal display device and the periphery and/or the pressing frame of a diffusion plate (provided that the silicone gel layer comes in contact with the liquid crystal cell), the force that causes a strain in the liquid crystal cell is reduced so that the visibility of the liquid crystal display can be improved.例文帳に追加

このシリコーンゲル粘着シートを、液晶表示装置の液晶セルの周辺部と拡散板の周辺部及び/又は押え枠との間に挟み込むと(但し、シリコーンゲル層が液晶セルと接触する様にする)、液晶セルに歪みを生じさせる力が小さくなり、液晶ディスプレイの視認性を向上させることができる。 - 特許庁

Silicide layers 47a and 47b of the MOS transistor of a fuse element 11 are formed on impurity diffusion layers 46a and 46b at a predetermined distance from sidewalls 49a and 49b, respectively, and a silicide layer 47d is formed on the contact area of a gate electrode 44 so as to avoid the area of the gate electrode 44 on the a gate oxide film 43.例文帳に追加

ヒューズ素子11のMOSトランジスタのシリサイド層47a、47bは、サイドウォール49a、49bからそれぞれ所定の間隔を隔てて不純物拡散層46a、46b上に形成するとともに、シリサイド層47dは、ゲート酸化膜43上のゲート電極44上を避けるようにしてゲート電極44上のコンタクト領域に形成する。 - 特許庁

The cutting blade chip used for the cutting blade of the drilling tool has a structure comprising a cutting blade body part 11 made of the cemented carbide (the cemented carbide member), the member 12 made of diamond supported by the cutting blade body part 11, and a metal layer 13 that is arranged between the cutting blade body part 11 and the diamond member 12 and diffusion-bonded with them respectively.例文帳に追加

掘削工具において切刃として用いられる切刃片を、超硬合金製の切刃基体11(超硬合金製部材)と、切刃基体11に支持されるダイヤモンド製部材12と、これらの間に設けられて切刃基体11及びダイヤモンド製部材12とそれぞれ拡散接合される金属層13とを有する構成とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate in which a heavily doped layer having a resistance that is uniform within a lot is easily formed, and furthermore any protective film for inhibiting out-diffusion of the impurity from the heavily doped layer is not required.例文帳に追加

この発明は、低濃度の不純物を含有する低濃度不純物基板に高濃度不純物拡散層を形成し、更にその上層に前記高濃度不純物拡散層より低濃度の不純物を含有するエピタキシャル層を形成した構造とすることで、ロット内で均一な抵抗を有する高濃度不純物層を容易に形成することができ、しかも高濃度不純物層からの不純物の外方拡散を防ぐための保護膜を必要としない半導体基板を得ようとするものである。 - 特許庁

The oxide semiconductor layer 113 is in contact with the second conductive layers 115a, 115b and barrier layers 116a, 116b including aluminum oxide as the first component, whereby diffusion of aluminum atoms to the oxide semiconductor layer 113 is suppressed.例文帳に追加

インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層を有した薄膜トランジスタ150がアルミニウムを第1成分とする第1導電層(114a、114b)と高融点金属材料からなる第2導電層(115a、115b)を積層したソース電極層及びドレイン電極層(117a、117b)を有し、酸化物半導体層113が、前記第2導電層(115a、115b)および酸化アルミニウムを第1成分とするバリア層(116a、116b)と接することで、アルミニウム原子の酸化物半導体層113への拡散を抑制する。 - 特許庁

To provide an electrode tip for a spark plug which is suppressed in high temperature volatilization wear than an inclination functional material layer formed by a thermal diffusion method, improved in durability with respect to spark wear by improving high temperature strength of the electrode tip, and realizes low cost, by suppressing the amount of precious metal used by further realizing thin diameter.例文帳に追加

本発明の目的は、熱拡散法によって形成した傾斜機能材層よりも高温揮発減耗を抑制し、電極チップの高温強度を向上させることで火花減耗に対する耐久性を向上させること及び更なる細径化を図り貴金属使用量を抑えて安価であることを実現するスパークプラグ用電極チップを提供することである。 - 特許庁

In a platemaking method, in which processings at least with a developer, a washing solution and the finishing liquid are applied after exposure in the order named to the lithographic printing plate utilizing the silver complex salt diffusion transfer process having physical development kernels between the anodized aluminum support and the silver halide emulsion layer, the finishing liquid includes a polyamide epoxy resin.例文帳に追加

陽極酸化されたアルミニウム支持体とハロゲン化銀乳剤層の間に物理現像核を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版に、露光後少なくとも現像液、水洗液、及び仕上げ液の順で処理を施す製版方法において、前記仕上げ液がポリアミドエポキシ樹脂を含有することを特徴とする平版印刷版の製版方法。 - 特許庁

To provide a gas diffusion electrode for a solid polymer fuel cell in which adhesion of carbon black to a porous fiber sheet is excellent and there happens no clogging by supplied water and generated water, and adhesiveness with a catalyst layer is uniform and which is excellent in durability, its manufacturing method, and a solid polymer fuel cell using the same.例文帳に追加

本発明は、カーボンブラックの多孔質繊維シートへの固着が良好であり、かつ、供給水及び生成水による閉塞が発生せず、また、触媒層との密着性が均一で耐久性に優れた固体高分子型燃料電池用ガス拡散電極、その製造方法及びそれを用いた固体高分子型燃料電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

Surface roughness Ra of the second diffusion prevention layer 12 is set lower than surface roughness Ra of the metal base 1.例文帳に追加

本発明の酸化物超電導導体用基材10は、金属基材1上に、第1拡散防止層11と、第2拡散防止層12と、第3拡散防止層13と、イオンビームアシスト蒸着法により成膜された中間層4とがこの順に設けられてなり、第2拡散防止層12の表面粗さRaが、金属基材1の表面粗さRaよりも低く設定されてなることを特徴とする。 - 特許庁

Related to a magnetic paint comprising ferromagnetic powder, abrasive, and binder, an abrasive paint comprising an abrasive and polyurethane containing polar group is prepared in advance, and when the gloss of the abrasive paint comes to be 50% or above, the abrasive paint and the magnetic paint containing ferromagnetic powder are processed for mixing/diffusion, and the resulting magnetic paint is used to provide a magnetic layer.例文帳に追加

強磁性粉末、研磨材および結合剤を含む磁性塗料であって、研磨材と極性基を有するポリウレタンとを含む研磨材塗料を予め調整し、前記研磨材塗料の光沢が50%以上になった後、該研磨材塗料と強磁性粉末を含む磁性塗料とを混合分散処理して得られた磁性塗料を用いて磁性層を設けてなる磁気記録媒体。 - 特許庁

While a conductive film 15 in a logic region Rlogc remains, a control gate electrode 17 of a non-volatile memory element, an interelectrode- insulating film 18, and a floating gate electrode 19 are formed in a memory region Rmemo, an insulating film 22 for injection protection is formed on a substrate, and ion implantation for forming the source and drain diffusion layer of the non-volatile memory element is made.例文帳に追加

ロジック領域Rlogcにおける導体膜15を残したままで、メモリ領域Rmemoにおいて不揮発性メモリ素子の制御ゲート電極17,電極間絶縁膜18及び浮遊ゲート電極19を形成した後、基板上に注入保護用の絶縁膜22を形成した後、不揮発性メモリ素子のソース・ドレイン拡散層を形成するためのイオン注入を行なう。 - 特許庁

The ceramic multilayer substrate 10 comprises a laminate 11 constituted of a plurality of ceramic layers 11A including a glass layer A; a thick film resistor 12 which is provided between the upper and lower ceramic layers 11A and includes glass B; and diffusion preventing layers 13, 14 which are provided between the thick film resistor 12 and the upper and lower ceramic layers 11A, and have glass C as the main ingredient.例文帳に追加

本発明のセラミック多層基板10は、ガラスAを含む複数のセラミック層11Aからなる積層体11と、上下のセラミック層11Aの層間に設けられ且つガラスBを含む厚膜抵抗体12と、厚膜抵抗体12と上下のセラミック層11Aとの間に設けられ且つガラスCを主成分とする拡散防止層13、14と、を有する。 - 特許庁

After a gate electrode and an impurity diffusion layer are formed, a metal film is formed and 1st metal silicide is formed through a 1st heat treatment in an inert gas atmosphere and the 1st metal silicide is varied in phase into 2nd metal silicide through a 2nd heat treatment; and then a 3rd heat treatment is carried out in an inert gas atmosphere to suppress the cohesion of the silicide.例文帳に追加

ゲート電極と不純物拡散層を形成後金属膜を成膜し、不活性ガス雰囲気中で第1の熱処理によって第1の金属シリサイドを形成し、次に活性雰囲気で第2の熱処理を施し第1の金属シリサイドを相変化させて第2の金属シリサイドとし、次に不活性ガス雰囲気中で第3の熱処理を施すことによって、シリサイドの凝集を抑制する。 - 特許庁

The capacitor is manufactured by forming a contact hole filled with a doped polysilicon layer and then a diffusion-blocking film, forming a silicate glass film having a concave hole for the capacitor into the top of the contact hole, forming the RU lower electrode in the concave hole, and continuously executing an NH3-plasma treatment and an N2O-plasma treatment to form a BST dielectric film upper electrode.例文帳に追加

本発明のキャパシタはドープポリシリコン層、オミック層及び拡散防止膜が、順次的に埋め込められたコンタクトホールを形成し、コンタクトホールの上部にキャパシタ用コンケーブホールを持つシリゲートガラス膜を形成し、キャパシタ用コンケーブホール内にRU下部電極を形成した後、NH_3-プラズマ処理及びN_2O-プラズマ処理を連続的に実施し、BST誘電体膜上部電極を形成してなる。 - 特許庁

The fuel cell has a laminated body formed by arranging a plurality of unit cells constituted by pinching with a gas diffusion layer both sides of a membrane/electrode assembly with each side of a solid polymer electrolyte film coated with electrode catalyst consisting of fuel electrode and an oxidant electrode, and further, arranging a separator at both sides for supplying fuel gas and oxidant gas.例文帳に追加

固体高分子電解質膜の両側をそれぞれ、燃料極と酸化剤極とからなる電極触媒で被覆した膜/電極接合体の両側をガス拡散層で挟み、さらにその両側にそれぞれ燃料ガスおよび酸化剤ガスを供給するためのセパレータを配置して構成する単位セルを複数個設置して積層体を形成した燃料電池である。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor at a low cost which can restrain diffusion of impurities from a glass substrate to a semiconductor layer, and improve transistor characteristics, in particular the threshold voltage characteristic, a manufacturing method of the thin-film transistor, a transmission type liquid crystal display device capable of improving transmittance, and a manufacturing method of the liquid crystal display device.例文帳に追加

ガラス基板から半導体層への不純物の拡散を抑制し、トランジスタ特性、特にしきい値電圧特性を改善できる低コストの薄膜トランジスタ及びこの薄膜トランジスタの製造方法を提供すること、及び、透過率を向上することが可能な透過型の液晶表示装置及びこの液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer and a membrane-electrode assembly, capable of manufacturing a lightweight, compact, and high power-generation performance fuel cell which can store water produced in a positive electrode on the inside to keep a solid polymer membrane wet, and makes the supply of humidified gas unnecessary or limits to use of only a compact humidifier if need; and to provide a lightweight, compact and high power-generation performance fuel cell.例文帳に追加

正極で生成した水を内部に留め、固体高分子膜を湿潤に保つことができ、加湿ガスを供給する必要がないか、必要があったとしても小型の加湿機で済み、軽量・小型で、発電性能の優れる燃料電池とすることのできるガス拡散層、膜−電極接合体、及び軽量・小型で、発電性能の優れる燃料電池を提供すること。 - 特許庁

In crystallizing the amorphous silicon layer by utilizing a SGS method, through the selective irradiation of the laser beam, uniform low concentration diffusion control of the metal catalyst is enabled, and the size of the crystal grain and the position and direction where the crystal grows is regulated to improve the element characteristics, consequently the method for manufacturing the thin film transistor in which a uniform value is obtained is provided.例文帳に追加

SGS法を利用して非晶質シリコーン層を結晶化することにおいて、レーザービームの選択的な照射を介して金属触媒の均一な低濃度拡散制御を可能なようにして、結晶粒の大きさ及び結晶が成長する位置、方向を調節して素子特性を向上させて、均一な値を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する利点がある。 - 特許庁

This current collecting member 20 is characterized by that a Cr diffusion prevention layer 202, formed of a single element oxide of a fourth-period metal element in the periodic table except for a perovskite structure or a composite oxide of the fourth-period metal element in the periodic table, and Cr is formed on a surface of a current collection body 201 formed of alloy-containing Cr.例文帳に追加

本発明の集電部材20は、Crを含有する合金からなる集電本体201の表面に、ペロブスカイト型構造を除く周期律表第4周期金属元素の単一元素酸化物または前記周期律表第4周期金属元素とCrとの複合酸化物からなるCr拡散防止層202が設けられたことを特徴とする集電部材20である。 - 特許庁

In a solar battery 100, a second conductive dopant diffusion layer 65 is formed at the first main surface side of the first conductive semiconductor solar battery substrate 1, and a plurality of linear finger electrodes 4 for output extraction are formed on the first main surface, and solar lights are received in the first main surface area exposed between the finger electrodes 4.例文帳に追加

太陽電池100においては、第一導電型の半導体太陽電池基板1の第一主表面側に、第二導電型のドーパント拡散層65が形成され、該第一主表面上に出力取出用の線状のフィンガー電極4が複数形成され、該フィンガー電極4の間に露出した第一主表面領域にて太陽光を受光する。 - 特許庁

In preparation in which a planographic printing plate having physical developing nuclei between an anodically oxidized aluminum substrate and a silver halide emulsion layer and utilizing a silver complex salt diffusion transfer process is subjected to at least development after exposure, the amount of anodically oxidized aluminum in the planographic printing plate is ≤4 g/m2 and polyacrylic acid is contained in a developer used.例文帳に追加

陽極酸化されたアルミニウム支持体とハロゲン化銀乳剤層の間に物理現像核を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版を露光後少なくとも現像処理する製版方法において、該平版印刷版の陽極酸化アルミニウム量が4g/m^2以下であり、該現像液中にポリアクリル酸を含有する事を特徴とする平版印刷版の製版方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the antiglare laminate having an antiglare layer in which the particles serving as a diffusion material for diffusing light are dispersed in a binder matrix, using a dye coating method, includes a process for applying an AC magnetic field to the coating liquid containing the particles and active energy beam cured-resin forming the binder matrix.例文帳に追加

光を拡散させる拡散材となる粒子がバインダマトリックス中に分散している防眩層を透明基材上に備える防眩性積層体をダイコーティング法を用いて製造する方法であって、該バインダマトリックスを形成する活性エネルギー線硬化樹脂と該粒子を含む塗液に交流磁場を印加する工程を経ること、を特徴とする防眩性積層体の製造方法 - 特許庁

The fuel cell is provided with a liquid fuel supply board 301 which has a concave shaped fuel passage 302 and supplied a liquid fuel to an MEA by a natural drive of capillarity, and a porous body 303 which is provided on a fuel electrode side and contacts the liquid fuel supply board 301 and permeates the liquid fuel uniformly into a fuel electrode side gas diffusion layer 304.例文帳に追加

凹構造の燃料流路302を有し且つ毛細管力による自然駆動によって液体燃料をMEAに供給する液体燃料供給板301、および、該液体燃料供給板301に接し液体燃料を燃料極側ガス拡散層304へ均一に浸透させる多孔体303を燃料極側に設置した燃料電池。 - 特許庁

A lightly doped region Y where both n+-type impurities and p+-type impurities do not exist is made on a gate electrode 14 by providing a predetermined interval between the openings of ion implantation masks, when forming the source/drain diffusion layer 37 in an n MOSFET region and the source/drain region 38 in a p MOSFET region in a self alignment process at the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極に自己整合的にnMOSFET領域のソース/ドレイン拡散層37およびpMOSFET領域のソース/ドレイン拡散層38を形成する際に、それぞれのイオン注入マスクの開口部間に所定の間隔を設けて、ゲート電極14上に、n+型不純物とp+型不純物とがともに存在しない低濃度な領域Yを形成する。 - 特許庁

In a method for making a planographic printing plate in which a planographic printing material having physical developing nuclei between an aluminum support and a silver halide emulsion layer and utilizing a silver complex salt diffusion transfer process is exposed and then at least development, washing and finishing treatment are carried out, a finishing solution containing bromine ions or iodine ions is used in the finishing treatment.例文帳に追加

アルミニウム支持体とハロゲン化銀乳剤層の間に物理現像核を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷材料を露光後、少なくとも現像処理、水洗処理及び仕上げ処理を行う製版方法において、前記仕上げ処理に臭素イオンあるいはヨウ素イオンを含有する仕上げ液を用いることを特徴とする平版印刷版の製版方法。 - 特許庁

In the display device, in which display is carried out by the unpolarized image light and the touch panel 11 having the polarizing plate 14 is used, deterioration in luminance of the touch panel 11 due to the polarizing plate 14 can be prevented while reducing reflection of the outside light when a reflection type polarizing plate 35 and a diffusion layer 36 are arranged between the display 32 and the touch panel 11.例文帳に追加

非偏光の映像光によって表示を行なう表示装置において、偏光板14を備えるタッチパネル11を用いたときに、ディスプレイ32とタッチパネル11との間に反射型偏光板35と拡散層36とを設けることによって、外光の映り込みの低減を実現しながら、しかもタッチパネル11の偏光板14による輝度低下を低減する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes the processes of: forming a wettability improving film on a surface of a semiconductor substrate; coating a surface of the wettability improving film with a dopant diffusing agent containing dopants of a first conductivity type and a second conductivity type; and forming a dopant diffusion layer by diffusing the dopants in the semiconductor substrate from the dopant diffusing agent.例文帳に追加

半導体基板の表面上にぬれ性改善膜を形成する工程と、ぬれ性改善膜の表面上に第1導電型または第2導電型のドーパントを含有するドーパント拡散剤を塗布する工程と、ドーパント拡散剤から半導体基板にドーパントを拡散させることによってドーパント拡散層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The development processing method includes coating the planographic printing plate with a liquid developer by using a silver complex salt diffusion transfer process having a physical developing nucleus between an anodically oxidized aluminum support and a silver halide emulsion layer, and is characterized in that development is carried out using a liquid developer containing mercaptopyridine-N-oxide wherein a mercapto group substitues for a pyridine nucleus.例文帳に追加

陽極酸化されたアルミニウム支持体とハロゲン化銀乳剤層の間に物理現像核を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版上に現像液を塗布する現像処理方法において、ピリジン核にメルカプト基が置換したメルカプトピリジン−N−オキシドを含有する現像液を用いて現像することを特徴とする平版印刷版の現像処理方法。 - 特許庁

An interlayer insulating film 106 is formed on a memory cell 100 constituted of a bit line 102 composed of a diffusion layer formed on a semiconductor substrate 101, a gate insulation film having a trapping performance formed between bit lines 102, and a word line 104 formed on the gate insulation film, and a bit line contact plug 109 connected to the bit line 102 is formed in this interlayer insulating film 106.例文帳に追加

半導体基板101に形成された拡散層からなるビット線102、ビット線102間に形成されたトラップ性のゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成されたワード線104とで構成されたメモリセル100上に、層間絶縁膜106が形成され、この層間絶縁膜106中に、ビット線102に接続するビット線コンタクトプラグ109が形成されている。 - 特許庁

A conductive film of a barrier nature (referred to as barrier type conductive film, hereafter) preventing the diffusion of copper is provided between thin-film transistors (represented as TFTs, hereafter), so as to form the wiring containing copper without diffusing copper to the semiconductor layer of the TFT.例文帳に追加

本発明では、半導体装置に用いる配線として、配線抵抗の低抵抗化を実現する銅を含む配線を微細化して用いるとともに、銅の拡散を防ぐバリア性の導電膜(以下、バリア性導電膜)を薄膜トランジスタ(以下、TFTと表記する)との間に設けることによりTFTの半導体層に銅が拡散することなく銅を含む配線を形成することを特徴とする。 - 特許庁

Hydrocarbon gases to be decomposed are let uniformly flow through the space among porous tubes 4 constituting a series of porous tubes installed extendingly in the perpendicular direction in a decomposition reactor column 1 and air or oxygen is homogeneously spouted outwards from the inside of the porous tubes in the direction perpendicular to the flow of the hydrocarbon gases to be decomposed followed by ignition, thereby forming a diffusion flame layer at the outside of the porous tube 4.例文帳に追加

分解反応塔1内に垂直方向に延在されている多孔質チューブ群の各多孔質チューブ4間に被分解炭化水素ガスを均一に流し、多孔質チューブ内から外に、前記被分解炭化水素ガスの流れに対して直角方向に、空気または酸素を均質に噴出して点火し、多孔質チューブ4の外面に拡散火炎層Bを形成する。 - 特許庁

To provide a photographic treating liquid containing protease which does not cause deterioration in the performance with time, and more particularly, to provide a treating liquid to be used for the treatment of a lithographic printing plate by using a silver complex salt diffusion transfer method and having a silver halide emulsion layer containing protease which does not cause deterioration in the performance with time.例文帳に追加

本発明の目的は、経時による性能の劣化を起こさないタンパク質分解酵素を含む写真用処理液の提供であり、さらに詳しくは経時による性能の劣化を起こさないタンパク質分解酵素を含有するハロゲン化銀乳剤層を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版の処理に用いられる処理液を提供することである。 - 特許庁

例文

The semiconductor device has a selection gate electrode SG of a selection gate transistor ST and a perimeter gate electrode TG of a perimeter gate transistor TR, a first insulation film 30 and a first barrier film 31 on an impurity diffusion layer 28 between gate electrodes SG and TG and the side face of the gate electrode, and a second insulation film 32 filling between the gate electrodes SG and TG on the first barrier film 31.例文帳に追加

選択ゲートトランジスタSTの選択ゲート電極SG、及び周辺トランジスタTRの周辺ゲート電極TGを有し、ゲート電極SG、TG間の不純物拡散層28上及びゲート電極側面に第1絶縁膜30、第1バリア膜31を有し、第1バリア膜31上にゲート電極SG、TG間を埋める第2絶縁膜32を有する。 - 特許庁




  
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