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「diffusion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索
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diffusion layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 5831



例文

A p-type InP impurity diffusion region which constitutes a light receiver 9 is provided in part of the i-type InP window layer.例文帳に追加

i型InP窓層の一部に、受光部9となるp型InP不純物拡散領域が設けられている。 - 特許庁

An impurity diffusion region whose conductivity-type is opposite to that of a well under an element isolation region is made to serve as a shielding layer.例文帳に追加

また、素子分離領域下のウエルにこれとは逆導電型の不純物拡散領域をシールド層としてもよい。 - 特許庁

The light emission surface of the diffusion sheet 4 is stuck to the light entrance surface of the prism sheet 5 while interposing a light reflective layer 7 between them.例文帳に追加

拡散シート4の出射面とプリズムシート5の入射面とは反射層7を介して貼り合わされている。 - 特許庁

A dielectric layer 9 is formed on the electrodes 7a, 7b, 7c, 7d and 7e and on the diffusion prevention film 5.例文帳に追加

電極7a、7b、7c、7d、7eおよび拡散防止膜5上には誘電体層9が形成されている。 - 特許庁

例文

Consequently, the conductivity of the diffusion layer and the separator are relatively low in hydrogen supplying direction.例文帳に追加

従って、これら拡散層及びセパレータは、水素ガス供給方向に沿った導電性が相対的に小さくなっている。 - 特許庁


例文

This article contains a substrate made of a superalloy, a silicon base ceramic material and a thermally stable silicon diffusion barrier layer.例文帳に追加

物品は、超合金製の基体と、ケイ素基セラミック材料と熱安定ケイ素拡散障壁層とを含んでなる。 - 特許庁

When the ion nitriding treatment is performed under such conditions, a rigid diffusion layer is formed without the generation of the white layers.例文帳に追加

かかる条件下でイオン窒化処理が行われると、白層を生じることなく硬質の拡散層が形成される。 - 特許庁

A laser diode 5 having an N side electrode 21 and a P side electrode 22 is bonded onto the first diffusion layer 8.例文帳に追加

第1拡散層8上には、N側電極21およびP側電極22を有するレーザダイオード5が接合されている。 - 特許庁

An oxidant electrode 20 is constituted of an oxidant electrode catalyst layer 22 and an oxidant electrode diffusion electrode 21.例文帳に追加

また、酸化剤極20は、酸化剤極触媒層22と酸化剤極拡散電極21とから構成されている。 - 特許庁

例文

To provide a fuel cell in which water retentivity of an electrolyte film, gas diffusibility of a gas diffusion layer, and water drain performance are improved.例文帳に追加

電解質膜の保水性とガス拡散層のガス拡散性、水の排水性とを良くした燃料電池を提供する。 - 特許庁

例文

An extension layer 2 is formed by impurity diffusion from the Schottky source/drain 12 to the lower edge of a gate insulating film 4.例文帳に追加

ショットキーソース・ドレイン12からゲート絶縁膜4下端部まで不純物拡散によりエクステンション層2を形成する。 - 特許庁

A diffusion layer 60 is provided in the semiconductor substrate 20 and it is separated from the floating gate 40 by a predetermined distance.例文帳に追加

拡散層60は、半導体基板20内に設けられ、フローティングゲート40から所定の距離だけ離間している。 - 特許庁

Thus, the carbon fiber 24 in the diffusion layer is pierced into the surface of the electrolyte membrane 21 in the range 22a.例文帳に追加

それにより、前記領域22aでは、拡散層22のカーボン繊維24が電解質膜21の表面に突き刺さる。 - 特許庁

One is a gate electrode of MOSFET, and 2 is a diffusion layer for forming a source or drain of the MOSFET.例文帳に追加

1はMOSFETのゲート電極であり、2はMOSFETのソースまたはドレインを形成する拡散層である。 - 特許庁

The information on the factory shipment can be stored by the existence of the one side of the source/drain diffusion layer of EEPROM.例文帳に追加

EEPROMのソース/ドレイン拡散層の片側の有無によって工場出荷時の情報を保持することができる。 - 特許庁

DIFFUSION LAYER FOR FUEL CELL, ITS MANUFACTURING METHOD, MEMBRANE-ELECTRODE ASSEMBLY FOR FUEL CELL, AND FUEL CELL例文帳に追加

燃料電池用拡散層及びその製造方法、ならびに燃料電池用膜−電極接合体及び燃料電池 - 特許庁

The gas diffusion layer substrate 2 from which the fiber protrusions 6 are removed in such a manner is integrated with the membrane electrode assembly.例文帳に追加

このようにして繊維突起6を除去されたガス拡散層基材2を、膜電極接合体と一体化する。 - 特許庁

The light diffusion layer 12 is provided with a binder 13 and a light diffusing agent 14 dispersed in the binder 13.例文帳に追加

この光拡散層12としては、バインダー13と、バインダー13中に分散する光拡散剤14とを有する。 - 特許庁

Each anti-diffusion layer is formed by a metallic thin film such as Ti, Ni, Cr, W, Al or the like, a silicon oxide film, a silicon nitride film or a glass thin film.例文帳に追加

拡散防止層は、Ti,Ni,Cr,W,Al等の金属薄膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、又はガラス薄膜で形成する。 - 特許庁

MEMBRANE-ELECTRODE ASSEMBLY, MEMBRANE-ELECTRODE-GAS DIFFUSION LAYER ASSEMBLY HAVING THE SAME, AND SOLID POLYMER FUEL CELL例文帳に追加

膜電極接合体、並びにこれを備える膜−電極−ガス拡散層接合体及び固体高分子形燃料電池 - 特許庁

Thereafter, impurity ions are implanted with this gate electrode 15 as a mask, thereby forming a source/drain diffusion layer 16.例文帳に追加

その後、このゲート電極15をマスクに不純物イオン注入することにより、ソース/ドレイン拡散層16を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device 10 has an epitaxial layer 12, a high concentration diffusion area 13, and a p-type semiconductor region 14.例文帳に追加

半導体素子10は、エピタキシャル層12と、高濃度拡散領域13と、P型半導体領域14を備える。 - 特許庁

An n-side electrode 8 is formed on the buffer layer 4, and a p-side electrode 9 is formed on the diffusion area 7.例文帳に追加

バッファ層4の上にはn側電極8、拡散領域7の上にはp側電極9が形成されている。 - 特許庁

Each trap film 30 is formed between either one of the electrodes opposed to each diffusion layer 40 and the side surface of each trench 50.例文帳に追加

トラップ膜30は、拡散層40に対向するいずれかの電極とトレンチ50の側面との間に形成される。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GAS DIFFUSION LAYER, AND ELECTROLYTE FILM/ELECTRODE JUNCTION AND POLYELECTROLYTE FUEL CELL APPLYING THE SAME例文帳に追加

ガス拡散層の製造方法およびそれを用いた電解質膜/電極接合体と高分子電解質型燃料電池 - 特許庁

The source/drain diffusion layer region 107b has a slope 101B to a principal surface of the semiconductor substrate 101.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡散層領域107bは、半導体基板101の主面に対して傾斜面101Bを有している。 - 特許庁

The gas diffusion layer 6 at the anode side has a smaller contact angle with respect to water than that 5 at the cathode side.例文帳に追加

アノード側のガス拡散層6は、カソード側のガス拡散層5よりも小さな水に対する接触角を備える。 - 特許庁

The underlayer 8 of the diffusion electrode 5 is pressed on the electrode catalyst layer 3 and heated to integrate them into a pile of layers.例文帳に追加

電極触媒層3上に拡散電極5を、下地層8を介して積層し加熱下に押圧して一体化する。 - 特許庁

GAS DIFFUSION LAYER FOR FUEL CELL, ELECTRODE FOR FUEL CELL, MEMBRANE ELECTRODE JUNCTION, AND SOLID POLYMER FUEL CELL例文帳に追加

燃料電池用ガス拡散層、燃料電池用電極、膜電極接合体及び固体高分子型燃料電池 - 特許庁

The imaging apparatus 1 shares a source diffusion layer 210a of an amplifying transistor between pixel circuits 2a which are not simultaneously accessed.例文帳に追加

撮像装置1は、同時にアクセスしない画素回路2a間で増幅トランジスタのソース拡散層210aを共有する。 - 特許庁

A source/drain region 51 and a diffusion layer 52 are formed by ion implantation, for which the first gate electrode 31 is a mask.例文帳に追加

第1のゲート電極31をマスクとしたイオン注入によりソースドレイン領域51及び拡散層52を形成する。 - 特許庁

To provide wiring that suppresses oxidation of a copper wiring layer and diffusion of copper while securing excellent shape controllability.例文帳に追加

良好な形状制御性を確保しつつ、銅配線層の酸化および銅の拡散を抑制できる配線を提供する。 - 特許庁

The electrode of the fuel cell is equipped with a diffusion layer 13 and a separator 16 forming a gas passage 16b.例文帳に追加

本発明の燃料電池の電極は、拡散層13と、ガス流路16bを形成するセパレータ16とを備えている。 - 特許庁

The plurality of diffusion layer portions are arranged while mutual relative positions are displaced along the surface of the electrode.例文帳に追加

複数の拡散層部分は、互いの相対的な位置が電極の面に沿って変位可能な状態で配置されている。 - 特許庁

As the result, the generated water condensed in diffusion layer 212 is effectively absorbed in the porous portion 40.例文帳に追加

この結果、拡散層212内に凝縮した生成水を、多孔質部40に効率良く吸収させることができる。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer for a polymer electrolyte fuel cell having a high power generation efficiency, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

発電効率に優れた固体高分子型燃料電池用のガス拡散層およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The light diffusion layer may be made of a plurality of light diffusing portions dispersedly laminated on one side of the base material film.例文帳に追加

上記光拡散層は、基材フィルムの片面側に散点的に積層される複数の光拡散部からなるとよい。 - 特許庁

To provide a fuel cell having a separator of porous material in which generated water in a diffusion layer is efficiently discharged.例文帳に追加

多孔質体のセパレータを備える燃料電池において、拡散層中の生成水を効率良く排出すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a light emitting element capable of efficiently forming a current diffusion layer whose conductivity type is n-type.例文帳に追加

導電型がn型とされる電流拡散層を効率よく形成できる発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor apparatus comprises a first diffusion region 22 provided in the surface layer of a semiconductor substrate 10, having a first impurity and germanium, and a second diffusion region 24 provided more shallowly than the first diffusion region 22 from the surface of the first diffusion region 22, having a second impurity not contributing to conductivity.例文帳に追加

半導体基板10の表面層に設けられ、導電性に寄与する第1の不純物及びゲルマニウムを含む第1の拡散領域22と、第1の拡散領域22の表面から第1の拡散領域22より浅く設けられ、導電性に寄与しない第2の不純物を含む第2の拡散領域24とを備える。 - 特許庁

The diffusion region 102 has: a bent part; a groove 105 formed by etching the substrate 101 along the diffusion region 102 at the outer side of the bent part of the diffusion region 102; and a buffer layer 1 (111) having a refractive index equal to or greater than that of the substrate 101 and provided at the upper part of the diffusion region 102.例文帳に追加

この拡散領域102は、曲がり部を有し、拡散領域102の曲がり部の外側に、拡散領域102に沿って基板101を掘り下げて形成した溝105と、拡散領域102の上部に設けられ、基板101の屈折率以上の屈折率を有するバッファ層1(111)と、を備えてなる。 - 特許庁

A diffusion sheet 18 is structured of an anisotropic diffusion layer (an anisotropic diffusion sheet) with a larger light diffusion angle in a direction (an X direction) parallel to a forming direction of prism grooves 12a, 12b than in a direction (a Y direction) vertical to a forming direction of prism grooves 12a, 12b of a deflection separation element 10.例文帳に追加

本発明では、拡散シート18として、偏光分離素子10のプリズム溝12a,12bの形成方向に対して垂直な方向(Y方向)よりも、プリズム溝12a,12bの形成方向に対して平行な方向(X方向)に大きな光の拡散角を有する異方性拡散層(異方性拡散シート)で構成する。 - 特許庁

An impurity concentration of the first diffusion region 101 is higher than that of a depletion layer extended from a junction surface between the first diffusion region 101 and the semiconductor substrate 100 and formed in the main whole part of the first diffusion region 101 at the time of applying a voltage to the second diffusion region 108.例文帳に追加

第1拡散領域101の不純物濃度は、第2拡散領域108に電圧を印加した際に、第1拡散領域101と半導体基板100との接合面から拡張する空乏層が第1拡散領域101の主たる部分全般に形成される濃度より高い濃度である。 - 特許庁

The gas diffusion layer for a fuel cell is formed by laminating at least two metal plates each having a plurality of through holes for gas diffusion and a through hole 7 for alignment formed by photo-etching, while aligning the through holes 7 for alignment so that the through holes for gas diffusion continuously run from the separator side to the catalyst layer side.例文帳に追加

フォトエッチングにより複数のガス拡散用貫通孔、および位置合わせ用貫通孔7が形成された少なくとも2以上の金属板を、セパレータ側から触媒層側までガス拡散用貫通孔が連続するように、位置合わせ用貫通孔7を合わせて積層させて燃料電池用ガス拡散層を形成する。 - 特許庁

The surface of the n-type silicon well region 11 wherein the impurity diffusion regions 12, 13 are formed is covered with a layer insulation film 15, and a metallic wiring layer 21 extended to a boundary line of the n-type impurity diffusion region 13 is formed thereon and is electrically connected to the p-type impurity diffusion region 12.例文帳に追加

不純物拡散領域12,13が形成されたN型シリコンウエル領域11の表面を層間絶縁膜15で覆い、この上にN型不純物拡散領域13の境界線まで広げたメタル配線層21を形成し、これをP型不純物拡散領域12に電気的に接続する。 - 特許庁

At the contacting part of the alloy grains 6 and the glass tube 1, Si diffusion layer 8 of the glass tube 1 is formed on the alloy grains 6 and zinc - mercury diffusion layer 9 is formed on the glass tube 1, and the glass tube 1 and the alloy grains 6 are mutually adhered firmly by these diffusion layers 8, 9.例文帳に追加

合金粒6とガラス管1との接触部分においては、合金粒6にガラス管1のSi拡散層8が形成され、ガラス管1に合金粒6の亜鉛−水銀拡散層9が形成されており、これら拡散層8,9によってガラス管1と合金粒6とが互いに強固に固着されている。 - 特許庁

The shapes wrapping around the overhanging part 21 are imparted to the gas diffusion layers 14, 15 by forming a double-layered structure in which a separator side gas diffusion layer 25 provided with an opening 27 to house the overhanging part 21 therein is overlapped to an ion-exchange membrane side gas diffusion layer 26, or by forming a concavity 28 to house the overhanging part 21.例文帳に追加

張出し部21を包み込む形状は、張出し部21が収められる開口部27を設けたセパレータ側ガス拡散層25をイオン交換膜側ガス拡散層26に重ね合わせる二層構成、或いは張出し部21を収容する陥没部28を形成することにより、ガス拡散層14,15に付与される。 - 特許庁

Impurities are diffused simultaneously into the first gate diffusion layer and the second gate diffusion layer while differentiating the diffusion depth.例文帳に追加

第1の電界効果トランジスタの第1ゲート拡散層上及び第2の電界効果トランジスタの第2ゲート拡散層上に、互いに物性の異なる第1絶縁膜と第2絶縁膜とを拡散マスクとしてそれぞれ露出させ、前記第1ゲート拡散層と前記第2ゲート拡散層とに拡散深さを異ならせて同時に不純物を拡散させる。 - 特許庁

A plurality of high concentration diffusion layers 3 in linear configurations whose dopant concentration is set so as to be higher than that of the surrounding area are formed on the first main surface of the semiconductor solar battery substrate 1, and the surrounding area of the high concentration diffusion layer 3 is formed as a low concentration diffusion layer 2 whose dopant concentration is low.例文帳に追加

半導体太陽電池基板1の第一主表面には、ドーパントの濃度が周囲の領域よりも高く設定された線状形態の高濃度拡散層3が複数形成され、該高濃度拡散層3の周囲領域が、それよりもドーパントの濃度が低い低濃度拡散層2とされてなる。 - 特許庁

例文

A low-melt-point metal layer 18 is formed on the upper surface of the low-melt-point metal diffusion prevention layer 14 and the end face protective film 16 for joining to a support substrate 19 via the low-melt-point metal layer 18.例文帳に追加

次に、低融点金属拡散防止層14と端面保護膜16の上面に低融点金属層18を形成し、低融点金属層18を介して支持基板19と接合する。 - 特許庁




  
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