「diffusion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

A sensor element 10 comprises both a diffused resistance layer and a solid electrolytic layer and generates sensor output according to the concentration of a specific gas, on the basis of a gas component introduced via the diffusion resistance layer.例文帳に追加

センサ素子１０は、拡散抵抗層と固体電解質層とを有してなり拡散抵抗層を介して導入されたガス成分を基に特定ガス濃度に応じたセンサ出力を発生する。 - 特許庁

To reduce the concentration of Mn remaining in a Cu layer and to reduce the specific resistance when a diffusion barrier film including Mn is formed by self-forming reaction at an interface between the Cu layer and an insulating layer.例文帳に追加

Ｃｕ層と絶縁膜の界面に自己形成反応により、Ｍｎを含む拡散バリア膜を形成する際に、Ｃｕ層中に残留したＭｎの濃度を低減し、比抵抗を低減する。 - 特許庁

Then, a lightly-doped second N-type semiconductor layer 4 is epitaxially grown on such a surface of the layer 2, and the layer 18 having a large diffusion coefficient is embedded therein.例文帳に追加

第１Ｎ型半導体層の一方の表面に低濃度の第２Ｎ型半導体層４をエピタキシャル成長させるとともに，上記拡散係数の大きいＮ型半導体層１８を埋め込む。 - 特許庁

A key top 7 is arranged on one surface of the core layer 6, and a diffusion layer 9 corresponding to the key top 7 is formed on the other surface of the core layer 6 so as to face a switch 13.例文帳に追加

コア層６の一方の面にキートップ７が設けられるとともに、このキートップ７に対応してコア層６の他方の面に拡散層９がスイッチ１３に対向するように形成されている。 - 特許庁

An inter-layer insulation film is formed on the semiconductor substrate 1, and a connection hole reaching the source/drain diffusion layer 15 is formed in the inter-layer insulation film by etching wherein the first sidewall 11a is used as a stopper.例文帳に追加

半導体基板１上に層間絶縁膜を形成し、第１サイドウォール１１ａをストッパとしたエッチングにより層間絶縁膜にソース／ドレイン拡散層１５に達する接続孔を形成する。 - 特許庁

The chromium-containing layer (58) is deposited (102) by a deposition technique that permits chromium in the chromium-containing layer (58) to more readily diffuse into a subsequently deposited (103) aluminde diffusion coating layer (66).例文帳に追加

クロム含有層（５８）は、後で堆積される（１０３）アルミナイド拡散層（６６）内にクロム含有層（５８）内のクロムがより容易に拡散できるようにする堆積法によって堆積される（１０２）。 - 特許庁

The container is formed by pressing the steel sheet so that the surface having the Ni layer and the Fe-Ni diffusion layer can be the inner surface, and plating the outer surface of the container with Ni so that the thickness of the Ni layer can be 0.5 to 5 μm.例文帳に追加

またその鋼板をＮｉ層、Ｆｅ−Ｎｉ拡散を有する面が内面となるようにプレスし、容器外面に厚さ０．５μｍ以上、５μｍ以下のＮｉめっきを施した容器である。 - 特許庁

A membrane electrode junction for the fuel cells is provided with a polymer molecule electrolyte membrane with a layer arrangement having an ion conductive membrane 2, a catalyst layer 3 and a gas diffusion layer 4.例文帳に追加

本発明は、イオン伝導性の膜（２）と、触媒層（３）と、ガス拡散層（４）とを備えた層配列を有する、高分子電解質膜を備えた燃料電池用の膜電極接合体に関する。 - 特許庁

With the forming method of the silicide layer, the nickel monosilicide layer containing iridium is formed on a source/drain diffusion layer or a gate electrode of a MISFET for example of a semiconductor apparatus.例文帳に追加

このシリサイド層の形成方法により、半導体素子の例えばＭＩＳＦＥＴのソース／ドレイン拡散層あるいはゲート電極上にイリジウム含有のニッケルモノシリサイド層を形成し上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide an electrode catalyst layer for fuel cell which has hardly cracks in the layer interface and is excellent both in adhesion to an electrolyte membrane and drainage to a gas diffusion layer, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

層界面でのひび割れが生じ難く、かつ、電解質膜への密着性とガス拡散層へ排水性がともに良好な燃料電池用電極触媒層とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique that suppresses breakage of a cathode-side catalyst layer even if generated water freezes on the interface between the cathode-side catalyst layer and a cathode-side gas diffusion layer during low-temperature start-up of a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池の低温始動時に、カソード側の触媒層とガス拡散層との界面で生成水が凍結しても、カソード側の触媒層の破損を抑制することが可能な技術を提供する。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 12 is formed by injecting ions onto an n-type semiconductor substrate 15 and an n-type resistive element region 13 is formed by injecting ions onto the surface layer of the layer 12.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１５の上にイオン注入によってｐ型の拡散層１２を形成し、拡散層１２の表面層にイオン注入によってｎ型の抵抗素子領域１３を形成する。 - 特許庁

A heterojunction allows a lower resistance of the internal base layer, while the diffusion of impurity at the internal base layer comprising the Si1-xGexCy layer formed by epitaxial growth is suppressed.例文帳に追加

ヘテロ接合を利用して、内部ベース層の低抵抗化を可能とし、かつ、エピタキシャル成長により形成されたＳｉ_1-x Ｇｅ_x Ｃ_y 層からなる内部ベース層における不純物の拡散を抑制することができる。 - 特許庁

Then a p-type gauge diffusion resistance layer 18 is formed on the epitaxial layer 11, and aluminum wiring 26 for supplying a voltage used for electrochemical etching is formed on the surface side of the epitaxial layer 11.例文帳に追加

エピタキシャル層１１にｐ型のゲージ拡散抵抗層１８を形成し、エピタキシャル層１１の表面側に電気化学エッチング用の電圧を供給するためのアルミ配線２６を形成する。 - 特許庁

Then, an unnecessary silicon oxide film 13 on the silicon nitride film layer 14 is removed, and while the exposed silicon nitride film layer 14 is permeated, a silicon oxide film layer 15 is formed thereunder by thermal diffusion.例文帳に追加

その後、シリコン窒化膜層１４上の不要なシリコン酸化膜１３が除去され、露出したシリコン窒化膜層１４を透過させつつ、熱拡散によりその下にシリコン酸化膜層１５が形成される。 - 特許庁

MICROPOROUS LAYER (MPL), GAS DIFFUSION LAYER (GDL), MEMBRANE ELECTRODE ASSEMBLY (MEGA) WITH MICROPOROUS LAYER (MPL), AND SOLID POLYMER ELECTROLYTE FUEL CELL EQUIPPED WITH THE MEMBRANE ELECTRODE ASSEMBLY (MEGA)例文帳に追加

微多孔質層（マイクロポーラス層：ＭＰＬ）、ガス拡散層（ＧＤＬ）、微多孔質層（マイクロポーラス層：ＭＰＬ）付き膜電極接合体（ＭＥＧＡ）及び該膜電極接合体（ＭＥＧＡ）を備えた固体高分子型燃料電池 - 特許庁

The rolling tool is provided with a nitrided diffused layer formed by diffusion treatment of heating a nitriding treatment layer in a nitrogen atmosphere and whose hardness is gradually reduced to the depth direction at the surface layer part.例文帳に追加

窒化処理層を窒素雰囲気中で加熱する拡散処理により形成された、深さ方向に硬度がなだらかに低下している窒化拡散層を表層部に具えてなる圧延工具である。 - 特許庁

The fuel cell gas diffusion layer comprises a hydrophilic surface layer having a thickness of 1 micron or less, and, thereunder, a hydrophobic second layer comprising a fluoropolymer having a thickness of at least 5 microns.例文帳に追加

１ミクロン以下の厚さを有する親水性表面層、および、その下に、少なくとも５ミクロンの厚さを有するフルオロポリマーを含んでなる疎水性の第２の層を含んでなる燃料電池ガス拡散層。 - 特許庁

Thus, the impurity diffusion layer 14 embedded in the hole part 13 is made into a depletion layer and the effective diameter ϕ of the impurity diffused layer 14 is made smaller than the diameter of the hole part 13.例文帳に追加

これにより、孔部１３に埋め込まれた不純物拡散層１４を空乏層化させて、この不純物拡散層１４の実効的な径φを孔部１３の径よりも小さくすることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a metal diffusion preventing function by a nitride containing layer used for a barrier layer between two metal layers is enhanced, and adhering function between each of the metal layers and the nitride containing layer is enhanced.例文帳に追加

２つの金属層の間でバリア層として用いられる窒素含有層による金属拡散防止機能を高くするとともに、それらの金属層と窒素含有層との密着機能を高くする。 - 特許庁

The barrier layer 84 is formed on the diffusion prevention layer 82 at the side faces of the through hole 72 and the interconnection trench 74, while being formed on a third insulation layer 50 at the bottom of the interconnection trench 74.例文帳に追加

バリア層８４は、スルーホール７２の側面および配線溝７４の側面にて拡散防止層８２上に形成され、かつ、配線溝７４の底面にて第３絶縁層５０上に形成されている。 - 特許庁

To provide a fuel cell capable of preventing generation of damage by shearing caused by falling of a gas diffusion layer into a gas passage even when a position joining a separator to the gas diffusion layer is shifted by a design error, manufacturing dispersion, or the like.例文帳に追加

設計誤差や製造バラツキ等によりガス拡散層にセパレータを接合する位置がずれた場合でも、ガス拡散層がガス流路に落ち込んで剪断による損傷などを起こすこと等を防止することのできる燃料電池を提供する。 - 特許庁

To uniformly form a diffusion prevention layer on a diaphragm, in a manufacturing method of a piezoelectric actuator provided with the diffusion prevention layer formed on the diaphragm with a groove by using the aerosol deposition method and in a manufacturing method of a liquid discharge head.例文帳に追加

溝が設けられた振動板上にエアロゾルデポジション法を用いて形成した拡散防止層を備える圧電アクチュエータの製造方法、並びに液体吐出ヘッドの製造方法において、拡散防止層を振動板上にムラなく形成する。 - 特許庁

The amount of current flowing from one diffusion layer region to the other diffusion layer region at voltage application to the gate electrode 13 varies, according to the amount of charges held on the nanodot 15 of each charge-holding portion 61, 62.例文帳に追加

各電荷保持部６１、６２のナノドット１５に保持された電荷の多寡に応じて、ゲート電極１３に電圧を印加した際の一方の拡散層領域から他方の拡散層領域に流れる電流量を変化させるようになっている。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer for a solid polymer electrolyte fuel cell which has an excellent exhausting structure of gas and water by controlling an excessive damage of fine holes of a gas diffusion layer and preventing diameters of fine holes from becoming smaller.例文帳に追加

ガス拡散層の細孔が過剰に潰れたり、細孔径が小さくなることことを抑制することで、ガスと水の供給、排出機構が良好な固体高分子電解質型燃料電池のガス拡散層の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which the penetration of a contact hole into a diffusion layer can be prevented and the generation of defective conduction without allowing the contact hole to extend to the diffusion layer can be prevented without increasing manufacturing manhour.例文帳に追加

製造工数の増加を行わなくても、コンタクトホールの拡散層の突き抜けを防止できると共に、コンタクトホールが拡散層に到達せずに導通不良が発生することを防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a process for forming a source/drain diffusion layer on a semiconductor substrate, a process for performing the hydrogenation treatment of a substrate surface including the source/drain diffusion layer, and a process for performing the dehydrogenation treatment of the substrate surface that has been subjected to hydrogenation treatment.例文帳に追加

半導体基板上にソース・ドレイン拡散層を形成する工程と、ソース・ドレイン拡散層を含む基板表面を水素化処理する工程と、前記水素化処理された基板表面を脱水素処理する工程とを有する。 - 特許庁

To produce an electronic thin film material suitable as a diffusion preventive layer material for a ferroelectric capacitor, to produce a ferroelectric capacitor having a diffusion preventive layer by the same electrode thin film material and to produce a nonvolatile memory provided with the same ferroelectric capacitor.例文帳に追加

強誘電体キャパシタの拡散防止層材料して好適な電子薄膜材料、この電子薄膜材料による拡散防止層を有する強誘電体キャパシタおよび、この強誘電体キャパシタを備えた不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁

The first conductive layer connects to the first and second high concentration diffusion regions, and a second conductive layer electrically contacts and connects to the third high concentration diffusion region.例文帳に追加

フィールド酸化層は、第一高濃度拡散区、第二高濃度拡散区と第三、第四高濃度拡散区を隔離し、第一導電層は、第一及び第二高濃度拡散区を連接し、第二導電層は、第三高濃度拡散区と接触して電気連接する。 - 特許庁

The fuel cell structure includes a membrane electrode assembly 20, a first porous metal plate 30, a metal plate 40, and end plates 50, of which, the membrane electrode assembly 20 consists of an anode gas diffusion layer 24, a cathode gas diffusion layer 25, a proton exchange membrane 21, and catalyst layers 22, 23.例文帳に追加

膜電極接合体２０、第１の多孔質金属板３０、金属板４０およびエンドプレート５０から構成し、膜電極接合体２０は、アノードガス拡散層２４、カソードガス拡散層２５、プロトン交換膜２１、触媒層２２、２３からなる。 - 特許庁

To provide a solid state imaging apparatus capable of suppressing generation of a junction leakage current even when the layout pattern width of a floating diffusion layer becomes small and a polysilicon pattern is arranged circumferentially along the floating diffusion layer, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

浮遊拡散層のレイアウトパターン幅が小さくなり、かつその周囲にポリシリコンパターンが浮遊拡散層に沿って配置された場合でも、接合リーク電流の発生を抑制することができる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The gate electrode 5B, p-type diffusion region, and a first-layer wiring M1H are connected to each other at a shared contact 9A1 and the gate electrode 5E, an n-type diffusion region 7A6, and a first-layer wiring M1I are connected to one another at a shared contact 9A2.例文帳に追加

ゲート電極５ＢおよびＰ型拡散領域と１層目配線Ｍ１Ｈとはシェアードコンタクト９Ａ１で接続され、ゲート電極５ＥおよびＮ型拡散領域７Ａ６と１層目配線Ｍ１Ｉとはシェアードコンタクト９Ａ２で接続される。 - 特許庁

A rivet member 36 is inserted into this overlap, whereby the first conductive diffusion layer 32 of an electrolyte membrane/electrode structure 24(1) is electrically connected to the second conductive diffusion layer 34 of the electrolyte membrane/electrode structure 24(2).例文帳に追加

この重合部位にリベット部材３６が挿入されることにより、電解質膜・電極構造体２４（１）の第１導電性拡散層３２と、電解質膜・電極構造体２４（２）の第２導電性拡散層３４とが電気的に接続される。 - 特許庁

To prevent short circuit between a gas diffusion layer on an anode side and that on a cathode side and make the size of an electrolyte membrane and that of the gas diffusion layer almost the same in a membrane electrode assembly for a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池用膜電極接合体において、アノード極側のガス拡散層とカソード極電極のガス拡散層との間の短絡を防止するとともに、電解質膜の大きさとガス拡散層の大きさとが略同じとすることである。 - 特許庁

A memory cell transistor of the NOR flash memory shares a source diffusion layer 28b with another memory cell transistor adjacent in one of column directions and shares a drain diffusion layer 28a with further another memory cell transistor adjacent in the other column directions.例文帳に追加

ＮＯＲ型フラッシュメモリのメモリセルトランジスタは、列方向の一方で隣接する他のメモリセルトランジスタとソース拡散層２８ｂを共有するとともに、列方向の他方で隣接するさらに他のメモリセルトランジスタとドレイン拡散層２８ａを共有する。 - 特許庁

A floating diffusion region 131 formed in the p-type impurity layer 113 and a transfer gate electrode 123 formed surrounding the floating diffusion region 131 are provided on the first surface 1 side on the n-type impurity layer 111.例文帳に追加

ｐ型不純物層１１３内に形成されるフローティング拡散領域１３１、及びフローティング拡散領域１３１を囲むように形成されるトランスファーゲート電極１２３は、ｎ型不純物層１１１上の第１面１側に形成される。 - 特許庁

Second gas diffusion members 34 and 36, out of the plurality of gas diffusion members, to be arranged so as to adjoin an electrolyte layer 30 are jointed to the electrolyte layer 30 by interlaying catalyst layers 31 and 32 having activity for facilitating reaction.例文帳に追加

また、複数のガス拡散部材のうち、電解質層３０に隣接するように配設すべき第２のガス拡散部材３４，３６と、電解質層３０とを、反応を促進する活性を有する触媒層３１，３２を間に介して接合する。 - 特許庁

To simplify a production process and to reduce a production cost in a solid-state imaging device by commonizing the formation of the diffusion layer of an charge transfer unit and the formation of the diffusion layer of a transistor composing an output unit in the periphery.例文帳に追加

固体撮像装置において、電荷転送部の拡散層の形成と、その周辺の出力部を構成するトランジスタの拡散層の形成とを共通化し、これにより製造工程を簡略化するとともに製造コストを削減する。 - 特許庁

The source 205, where the junction has been formed, is protected from the alloy spike owing to the barrier metal 206, while in the p-type diffusion layer 301 contact resistance can be reduced because the barrier metal has been removed, to stabilize the electric potential of the p-type diffusion layer 301.例文帳に追加

接合が形成されているソース２０５はバリアメタル２０６によりアロイスパイクが抑制され、Ｐ型拡散層３０１ではバリアメタルが除去されているためコンタクト抵抗を下げることができ、Ｐ型拡散層３０１の電位が安定化される。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a semiconductor substrate 1 wherein circuits are formed by a diffusion layer 2, a functional electrode 3 which is formed on the surface of the semiconductor substrate and is connected with the circuits in the diffusion layer and a rear electrode 4 formed on the back of the semiconductor substrate.例文帳に追加

拡散層２により回路が形成された半導体基板１と、半導体基板の表面に形成され拡散層内の回路と接続された機能電極３と、半導体基板の裏面に形成された裏面電極４とを備える。 - 特許庁

A second element has: a second body region 31 which is formed in the element forming film adjacent to the first element; a second impurity diffusion layer 7; and a third impurity diffusion layer 9 which is formed in the element forming film and reaches the insulating film.例文帳に追加

第２の素子は、第１の素子に隣接し、素子形成膜に形成される第２のボディ領域３１と、第２の不純物拡散層７と、素子形成膜に形成され絶縁膜に到達した第３の不純物拡散層９とを有する。 - 特許庁

This structure can reduce the resistance of the bit-line diffusion layer without increasing the area of the bit-line diffusion layer on a primary surface of a semiconductor substrate, thereby obtaining a semiconductor memory device having stable electrical characteristics without increasing the cell area.例文帳に追加

これにより、ビットライン拡散層の半導体基板主面上での面積を大きくせずにビットライン拡散層の抵抗を低くすることができ、セル面積を増大させることなく安定した電気的特性の半導体記憶装置が得られる。 - 特許庁

Moreover, a N-type buried diffusion (BDN) layer and a P-type buried diffusion (BDP) layer are adopted to replace the contacts in the layout of conventional decoder, such that the layout can be simplified and the bump pad pitch thereof can be decreased.例文帳に追加

また、Ｎ型埋込拡散（ＢＤＮ）層及びＰ型埋込拡散（ＢＤＰ）層を採用して従来のデコーダのレイアウトにおけるコンタクトを置換しているので、レイアウトを簡素化できるとともにそのバンプパッドのピッチを減少させることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device suitable for restraining a diffusion layer from increasing in sheet resistance due to segregation of impurities and forming an impurity diffusion layer of shallow junction depth without contaminating a substrate.例文帳に追加

基板の汚染を発生させることなく、不純物の偏析に起因する拡散層のシート抵抗値の増大を抑制することができ、浅い接合深さの不純物拡散層を形成するのに好適な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor-on-insulator wafer capable of effectively preventing degradation of a semiconductor/insulator interface, especially degradation in electrical quality of the interface, by providing a diffusion barrier layer, especially an oxygen diffusion barrier layer, on one main surface of a source substrate.例文帳に追加

拡散バリア層、特に酸素拡散バリア層をソース基板の１つの主面上に設けることにより、半導体／絶縁体界面の劣化、特に界面の電気的品質の劣化を有利に防止する半導体オンインシュレータウエハを提供する。 - 特許庁