「excimer laser irradiation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Accordingly, occurrence of new defects by the irradiation of the excimer laser beam E can be prevented.例文帳に追加

これによれば、エキシマレーザビームの照射により新しい欠陥が生成することを防止できる。 - 特許庁

The laser beam is cast under reduced pressure, is subjected to pulse irradiation and is excimer laser beam or YAG laser beam.例文帳に追加

また、前記レーザ光は減圧下で照射されたこと、パルス照射されたこと、エキシマレーザ光或いはＹＡＧレーザ光であることを特徴とする。 - 特許庁

Then, a polysilicon film 7 is formed by carrying out the excimer laser irradiation, while the film thickness of the a-Si 5 remains fixed.例文帳に追加

ａ−Ｓｉ膜厚５を一定としてエキシマレーザー照射を行いポリシリコン膜７を形成する。 - 特許庁

To reduce the change in the refractive index of an irradiated portion of synthetic quartz glass, caused by the irradiation with a high energy light emitted from a light source such as a KrF excimer laser or an ArF excimer laser.例文帳に追加

ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザなどの光源から発せられる高エネルギー光の照射により発生する合成石英ガラスの照射部の屈折率変化量を低減する。 - 特許庁

During the irradiation of the pieces of the KrF excimer laser light 106, 107, oxygen not exceeding 100 Pa is introduced in the vacuum vessel 112.例文帳に追加

KrＦエキシマレーザー光１０６、１０７の照射時には、真空容器１１２内に100Pa程度の酸素を導入する。 - 特許庁

It is possible to detect with ease the fluence when light is scattered most intensely regardless of the irradiation condition of the excimer laser beam.例文帳に追加

エキシマレーザビームの照射状況に関わらず、光が最も散乱する際のフルエンスを容易に発見できる。 - 特許庁

The irradiation is carried out with ultraviolet rays, an excimer laser beam, an electron beam, an ion beam or their combined beam as the energy beam 2.例文帳に追加

エネルギービームとしては、紫外線、エキシマレーザ、電子ビーム、イオンビームまたはこれらを組合せたビームを照射する。 - 特許庁

In case of the excimer laser, the irradiation energy per pulse is preferably 20 to 180 mJ/cm^2, and the frequency of irradiation pulse is preferably 30 to 1,200 times.例文帳に追加

エキシマレーザの場合、パルス当たりの照射エネルギは２０〜１８０ｍＪ／ｃｍ^２が好ましく、照射パルス回数は３０〜１２００回が好ましい。 - 特許庁

To prevent any peeling of an EL light emitting layer and achieve high luminance by performing annealing by irradiation with an excimer laser beam.例文帳に追加

エキシマレーザ光の照射によるアニール処理によって、ＥＬ発光層を剥離することなく、かつ高い輝度を得る。 - 特許庁

Before forming the cover sheet with a film-shaped resin, a surface modifying treatment is carried out on the inner side of a plane of the case by a method such as irradiation with ultraviolet light, irradiation with plasma, irradiation by an excimer laser or the like.例文帳に追加

フィルム状樹脂によってカバーシートを形成する前に、紫外線の照射、プラズマの照射、エキシマレーザー照射などの方法により、ケースの内側に対して表面改質処理を行なう。 - 特許庁

The UV-laser light used for the irradiation is not particularly limited with a proviso that it is a UV light, either of a CW laser or a pulse laser can be used, concretely an excimer laser is preferably used.例文帳に追加

前記紫外レーザ光照射に用いられる紫外レーザ光は、紫外光であれば特に限定されず、ＣＷレーザまたはパルスレーザいずれも使用可能であり、具体的にはエキシマレーザが好適に使用できる。 - 特許庁

To reduce thermal expansion of a lens and thermal expansion of a substrate during highly repetitive, continuous irradiation of excimer laser in crystallization equipment.例文帳に追加

結晶化装置において、エキシマ・レーザーの高繰り返し連続照射におけるレンズの熱膨張および基板の熱膨張を低減する。 - 特許庁

This device is provided with an excimer laser unit for irradiating the keratocyte layer made to appear by peeling off the surface of the cornea with the excimer laser beam and decomposing, evaporating and removing the keratocyte layer to a prescribed depth and a removal unit for removing a gaseous body generated from the keratocyte layer by the irradiation of the excimer laser beam.例文帳に追加

角膜の表面を剥がして現れた角膜実質層にエキシマレーザー光を照射して、角膜実質層を所定の深さまで分解・蒸発除去するエキシマレーザー装置と、エキシマレーザー光の照射によって角膜実質層から発生したガス状体を除去する除去装置とを備えた。 - 特許庁

After a certain period elapses, irradiation with beams of KrF excimer laser light 106, 107 is performed.例文帳に追加

そこで、ある一定期間が経過した後に多層膜反射鏡１０２やマスク１０４の表面に、KrＦエキシマレーザー光１０６、１０７の照射を行う。 - 特許庁

To provide a light irradiation device capable of making an amorphous silicon film crystallize uniformly and inexpensively without using an excimer laser.例文帳に追加

エキシマレーザを光源として用いることなく、アモルファスシリコンの膜をムラ無くかつ安価に結晶化させることのできる光照射装置を提供する。 - 特許庁

The thin film can be protected against breakage even if it is recrystallized subsequently and short time processing is realized by excimer laser irradiation.例文帳に追加

続いて薄膜の再結晶化をした場合でも膜に破壊を防止でき、しかもエキシマレーザーの照射による短時間処理が実現される。 - 特許庁

To provide a silica glass optical material that has high initial transmission to the excimer laser or excimer lamp of 155-195 nm wavelengths and a small fluctuation range in the refractive index (Δn) and shows excellent durability under irradiation therewith.例文帳に追加

波長155〜195nmのエキシマレーザ、エキシマランプに対して初期透過率が高く、屈折率変動幅Δnが小さく、しかも長時間照射下での耐久性に優れたシリカガラス光学材料を提供する。 - 特許庁

This quartz glass added with the fluorine is ≤1%/cm in the quantity of the deterioration of the transmittance to an F_2 excimer laser beam of a wavelength 157 nm after irradiation with the laser beam of 1×10^6 mJ/cm^2 as the total quantity of irradiation.例文帳に追加

照射総量として１×１０^6 ｍＪ／ｃｍ^2 のレーザ光を照射された後の、波長１５７ｎｍのＦ_2 エキシマレーザ光に対する透過率劣化量が１％／ｃｍ以下であるフッ素添加石英ガラス。 - 特許庁

To form a thin film transistor uniform in crystalline quality by turning an amorphous silicon thin film into polycrystalline form by the scan irradiation of linear excimer laser beams.例文帳に追加

線状のエキシマレーザビームのスキャン照射によりアモルファスシリコン薄膜を多結晶化しての結晶品質が均一化された薄膜トランジスタを形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing an electronic device comprises steps of forming an Si3N4 film 2 as a mask having opened laser irradiation regions, and introducing lattice defects 8 for gettering metal impurities in the laser irradiation regions by irradiating it using an excimer laser 4.例文帳に追加

電子デバイスの製造工程に、レ−ザ−照射領域が開口されたマスクとしてのＳｉ_3 Ｎ_4 膜２を形成する工程、エキシマレ−ザ−４を照射することによりレ−ザ−照射領域に金属不純物ゲッタリング用の格子欠陥８を導入する工程を含ませる。 - 特許庁

To provide a quartz glass for an ultraviolet light, having less reduction of its transmitting rate by an excimer laser light irradiation and exhibiting a small positional change of refractive index, and provide a method for producing the same.例文帳に追加

エキシマレーザ光照射による透過率の低下が小さく、かつ屈折率の場所による変動の小さい紫外線用石英ガラスおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide quartz glass for UV ray and a method of manufacturing the same which is small in deterioration of transmittance caused by irradiation with excimer laser beam and whose variance width of refractive index Δn is small.例文帳に追加

エキシマレーザ光照射による透過率の低下が小さく、かつ屈折率の変動幅Δｎの小さい紫外線用石英ガラスおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

To reduce the annealing time by increasing the intensity of excimer laser by an analysis near filed structure and to improve the crystal quality by irradiation of continuous scanning type.例文帳に追加

解析ニアフィールド構造によりエキシマレーザの強度を増強してアニーリング時間を短縮し、連続走査方式の照射により結晶品質を向上させる。 - 特許庁

After a GaN film 2 is grown on a sapphire substrate 1, it is separated from the GaN film 2 by irradiation of excimer KrF laser from the back of the sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１上にＧａＮ膜２を成長した後、サファイア基板１の裏面よりエキシマＫｒＦレーザを照射してサファイア基板１とＧａＮ膜２とを分離する。 - 特許庁

To provide a synthetic quartz glass member hardly causing the rapid decrease of transmissivity in the irradiation initial stage in the irradiation with a short wave ultraviolet ray or excimer laser and having excellent transmissivity and ultraviolet durability.例文帳に追加

短波長の紫外線やエキシマレーザを照射した際、照射初期の段階で急激に透過率が低下しにくく、優れた透過率及び紫外線耐久性を備えた合成石英ガラス部材を提供する。 - 特許庁

After an ArF resist pattern is formed, the space and opening size of the pattern are reduced by temporarily reducing T_g of the resist pattern by the irradiation of a VUV excimer laser or of the E beam irradiation during the thermal treatment of the resist pattern.例文帳に追加

ＡｒＦレジストパターンを形成した後、レジストパターンを熱処理する間にＶＵＶエキシマレーザーからの照射またはＥビーム照射により露光してレジストパターンのＴ_ｇを一時的に低めてパターンのスペース及び開口サイズを縮める。 - 特許庁

To provide optical quartz glass for UV which shows excellent initial transmittance and smaller transmittance reduction by irradiation with respect to an excimer laser beam such as that of KrF or ArF and also to provide a process for producing the optical quartz glass.例文帳に追加

ＫｒＦやＡｒＦなどのエキシマレーザ光に対し、初期透過率がすぐれ照射による透過率の低下が小さい紫外線用石英ガラスおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

An embedded gate electrode 3 is embedded in an oxide film 2, so that the film thickness of amorphous Si 5 can be fixed at carrying out excimer laser irradiation, for forming a reverse staggered-type transistor.例文帳に追加

逆スタガ型のトランジスタ形成におけるエキシマレーザー照射の時にアモルファスＳｉ５の膜厚が一定の膜厚になるように、埋め込みゲート電極３を酸化膜２中に埋め込む。 - 特許庁

To obtain an illuminance measuring mechanism for excimer laser light irradiation equipment capable of accurately measuring the intensity of ultraviolet rays of short wavelength at an arbitrary location where a work is actually irradiated with the ultraviolet rays.例文帳に追加

実際にワークに紫外線が照射される任意の場所の短波長の紫外線強度を正確に測定することができるエキシマ光照射装置の照度測定機構を提供する。 - 特許庁

To provide quartz glass for UV rays and a method for manufacturing the glass showing little decrease in the transmittance by irradiation of UV excimer laser light and little fluctuation in the refractive index with positions.例文帳に追加

紫外線エキシマレーザ光照射による透過率の低下が小さく、かつ屈折率の場所による変動の小さい紫外線用石英ガラスおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

To make uniform crystallization and to obtain large particle diameter in annealing, a laser oscillator 51 including an excimer laser beam source is used, and a laser beam 50 with a pulse width of 50 ns or larger is shaped by an optical system 53, so that each side of a rectangular section is set to 10 mm or more for successively subjecting the semiconductor thin film 2 to the laser beam irradiation.例文帳に追加

均一な結晶化及び大粒径化を図るため、アニール工程では、エキシマレーザ光源を含むレーザ発振器５１を用いてパルス幅が５０ｎｓ以上のレーザ光５０を各辺が１０ｍｍ以上の矩形断面となるように光学系５３で整形して、半導体薄膜４に逐次照射する。 - 特許庁

In this production, pure silica glass samples A to C are prepared and each of the samples A to C is irradiated with an ArF excimer laser beam and correlation of the degrees of reduction in UV transmissivity with the number of irradiation shots of each of the samples A to C is measured and plotted.例文帳に追加

純粋シリカガラスのサンプルＡ〜Ｃを用意し、サンプルＡ〜ＣにＡｒＦエキシマレーザを照射し、その照射ショット数に対する紫外光の透過率の減少度合を測定した。 - 特許庁

Also, the semiconductor film forming positions P1, P2 are arranged in the same shot region in heat treatment, such as excimer laser annealing, and are further arranged in the range corresponding to the superposition width in superposition irradiation.例文帳に追加

また、半導体膜形成位置Ｐ１、Ｐ２が、エキシマレーザアニールのような熱処理の同一ショット領域に配置され、さらに、重畳照射における重畳幅に相当する範囲に配置される。 - 特許庁

By constructing the optical systems and the substrate stage so that they are set in a temperature-controlled room against heat generated by highly iterative, continuous irradiation of excimer laser, the temperature of the lenses and substrate can be kept constant.例文帳に追加

エキシマ・レーザーの高繰り返し連続照射による熱発生に対して、光学系および基板ステージを恒温室内に設置する構成とすることでレンズおよび基板の温度を一定とする。 - 特許庁

To suppress precipitation of ammonium sulfate in a photomask upon irradiation with high energy exposure light such as ArF excimer laser light, and to suppress changes in a pattern dimension by a cleaning process.例文帳に追加

フォトマスクにおいて、ＡｒＦエキシマレーザ光などの高エネルギーの露光光を照射した際に、硫酸アンモニウムの析出を抑制し、さらに、洗浄処理によるパターン寸法の変化を抑制する。 - 特許庁

To provide an optical glass having particularly excellent laser resistance as an optical glass for transmitting ultraviolet rays by using an inexpensive and general purpose chlorine-based silane compound to suppress absorption/emission caused by the irradiation with ≤300 nm excimer laser.例文帳に追加

安価でかつ汎用の塩素系シラン化合物を用いて、波長３００ｎｍ以下のエキシマレーザー照射による吸収・発光の生成を抑え、紫外光透過用光学ガラスとして、特に耐レーザー特性に優れた光学ガラスの提供する。 - 特許庁

To provide a composition for the formation of an antireflection film having a high antireflection effect, free from intermixing with a resist layer, and usable for the lithographic process using irradiation light of a F2 excimer laser (at 157 nm wavelength).例文帳に追加

反射光防止効果が高く、レジスト層とのインターミキシングを起こさない、Ｆ２エキシマレーザー（波長１５７ｎｍ）の照射光を用いたリソグラフィープロセスにおいて使用できる反射防止膜形成組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a composition for the formation of an antireflection film which has a high antireflection effect, causes no intermixing with a resist layer and can be used in lithographic processes using irradiation light of ArF excimer laser (at 193 nm wavelength).例文帳に追加

反射光防止効果が高く、レジスト層とのインターミキシングを起こさない、ArFエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）の照射光を用いたリソグラフィープロセスにおいて使用できる反射防止膜形成組成物の提供。 - 特許庁

To provide an antireflection film which has a high antireflection effect, with which a photoresist pattern having no large footing in the lower part can be formed without causing to intermix with a photoresist, and which can be used for lithographic processes using irradiation light such as an ArF excimer laser and a F2 excimer laser, and to provide a composition for forming the antireflection film.例文帳に追加

反射光防止効果が高く、フォトレジストとのインターミキシングを起こさず、下部に大きなすそ引き形状を有さないフォトレジストパターンを形成することができ、ＡｒＦエキシマレーザー及びＦ２エキシマレーザー等の照射光を用いたリソグラフィープロセスにおいて使用できる反射防止膜、及び該反射防止膜を形成するための反射防止膜形成組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming a polycrystalline silicon thin film and a multilayer construction of the polycrystalline silicon thin film by which compatibility between the reduction in the irradiation energy of the excimer laser light and the improvement of the quality of the polycrystalline silicon thin film is ensured.例文帳に追加

エキシマレーザ光の照射エネルギの低下と多結晶シリコン薄膜の膜質の向上とを両立させた多結晶シリコン薄膜の形成方法及び多結晶シリコン薄膜の積層構造を提供することを目的とする。 - 特許庁

This resist film 11 is patternwise exposed by irradiation with F2 excimer laser light 13 having 157 nm wavelength through a mask 12 and the patternwise exposed resist film 11 is developed with a developing solution to form the objective resist pattern 14.例文帳に追加

レジスト膜１１に対してマスク１２を介して、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ_2 エキシマレーザ１３を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を現像液により現像してレジストパターン１４を形成する - 特許庁

This resist film 11 is patternwise exposed by irradiation with F2 excimer laser light 13 having 157 nm wavelength through a mask 12 and the patternwise exposed resist film 11 is developed with a developing solution to form the objective resist pattern 14.例文帳に追加

レジスト膜１１に対してマスク１２を介して、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ_2 エキシマレーザ１３を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を現像液により現像してレジストパターン１４を形成する。 - 特許庁

The colored composition comprises a pigment, a transparent resin, a polyfunctional monomer having four or more ethylenically unsaturated double bonds, a photopolymerization initiator and polyfunctional thiol, and is curable upon irradiation with an excimer laser having a wavelength of 308 nm (XeCL).例文帳に追加

顔料、透明樹脂、４つ以上のエチレン性不飽和二重結合を有する多官能モノマー、光重合開始剤および多官能チオールを含有し、かつ、波長３０８ｎｍ(ＸｅＣＬ)のエキシマレーザ照射で硬化可能な着色組成物。 - 特許庁

Before the peeling of a silicon piece 11 of the single-crystal Si substrate 10a from the hydrogen ion-implanted region 15, an amorphous Si thin film 5 formed by catalytic CVD is modified into a polycrystalline Si thin film 5' by excimer laser irradiation.例文帳に追加

そして、単結晶Ｓｉ基板１０ａのシリコン片１１を水素イオン注入部１５から剥離させる前に、触媒ＳＶＤ法により成幕した非晶質Ｓｉ薄膜５にエキシマレーザーを照射して多結晶Ｓｉ薄膜５’に改質する。 - 特許庁

By forming a non-magnetic amorphous layer 3 on the non-magnetic substrate 1 and heating the surface of the non-magnetic amorphous layer 3 with an excimer laser, the frequency of the medium distance ordered structures serving as the grain growth nuclei can be optimized by optimizing the materials of the non-magnetic amorphous layer 3 and the laser irradiation conditions.例文帳に追加

非磁性基板１上に非磁性アモルファス層３を形成し、エキシマレーザーにより非磁性アモルファス層３の表面を加熱し、レーザー照射条件及び非磁性アモルファス層３の材料を最適化することで結晶粒成長核となりうる中距離秩序構造の頻度を最適化することができる。 - 特許庁