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emission laserの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1593件
This semiconductor laser device has a first light emitting portion 1 and a second light emitting portion 2 having a longer emission wavelength than that of the first light emitting portion.例文帳に追加
半導体レーザ装置は、第1発光部1及びそれより発光波長の長い第2発光部2を有する。 - 特許庁
To provide a highly reliable surface emission optical laser element having a low threshold current in which single transverse mode oscillation can be realized.例文帳に追加
低い閾値電流を有し、信頼性が高く、単一横モード発振が可能な面発光レーザ素子を提供する。 - 特許庁
Then a direction perpendicular to the film of the laser diode 1 receives the effect of diffraction and an emission angle is increased more than that of the horizontal direction.例文帳に追加
すると、膜に垂直な方向は、回折の影響を受け、水平方向に比べ放射角度が大きくなる。 - 特許庁
To provide an optical amplifier and a laser apparatus capable of coping with visible light and utilizing the light emission intensity larger than before.例文帳に追加
可視光に対応でき、従来より強い発光強度を利用した光増幅器及びレーザ装置を提供する。 - 特許庁
A first dielectric multilayer film 210 is formed on the light emission facet 1F of the nitride-based semiconductor laser element.例文帳に追加
窒化物系半導体レーザ素子1の出射面1Fには、第1の誘電体多層膜210が形成されている。 - 特許庁
To match the absorption wavelength of gas and the emission wavelength of a semiconductor laser precisely without relying upon the measurement environment.例文帳に追加
測定環境に依存することなく、ガスの吸収波長と半導体レーザの発光波長とを精度よく合わせる。 - 特許庁
Sift Z between the laser emission light sources 11, 12 in the longitudinal direction of the submount 3 is represented by P2×tanθ.例文帳に追加
サブマウント3の長さ方向におけるレーザ出射光源11、21間のずれZはP2×tanθで表される。 - 特許庁
A monitor amplifier 6 which extracts laser light emission power as an electric signal is provided with a function of switching gains.例文帳に追加
本発明においては、レーザー発光パワーを電気信号として取り出すモニタアンプ6にゲインを切り替える機能を持たせる。 - 特許庁
At least one of the reflection surfaces is partially reflective, however, to permit emission of laser signals.例文帳に追加
しかしながら、反射表面のうちの少なくとも1つは部分的に反射性であり、レーザ信号を放射できるようにする。 - 特許庁
To improve the angular accuracy of the light emission point of a semiconductor laser light source about the optical axis with small-sized, inexpensive constitution.例文帳に追加
小型かつ安価な構成で半導体レーザー光源の発光点の光軸を中心とする角度精度を向上する。 - 特許庁
The emission position of laser light from a light source 3 is fluctuated periodically in the X-axis direction by the fluctuation.例文帳に追加
この変動により、光源3からのレーザ光の出射位置が、X軸方向に周期的に変動するようになる。 - 特許庁
The face-emission semiconductor laser 21 is formed by an epitaxial lift-off (ELO) process, and is approximately 10 μm thick.例文帳に追加
面発光半導体レーザ21はエピタキシャルリフトオフ(ELO)プロセスにより形成されたものであり、厚さ約10μmである。 - 特許庁
The surface emission laser is provided with a light modulator performing intensity modulation in the optical resonator.例文帳に追加
本面発光レーザは、光共振器内部に強度変調を行う光変調器を有することを特徴とするものである。 - 特許庁
To provide a field emission device including a carbon nanotube mat subjected to laser or plasma treatment.例文帳に追加
本発明の課題は、レーザ又はプラズマで処理されたカーボンナノチューブマットを備えるフィールドエミッションデバイスを提供することである。 - 特許庁
The optical fiber bundle 12 is arranged substantially on an emission axis to transmit radiation energy generated from the laser.例文帳に追加
この光ファイバー束12は、レーザーから発生する放射エネルギーを伝えるためにほぼ放射軸上に配置されている。 - 特許庁
Currents of current sources 507-509 are controlled by APC based on a light emission intensity of a semiconductor laser 506.例文帳に追加
電流源507〜509は半導体レーザ506の発光強度に基づくAPCにより電流制御される。 - 特許庁
To realize a frequency-stabilized laser optical source, enabling reduction of the influence of light emission from absorption cells.例文帳に追加
吸収セルからの放出光の影響を低減することが可能な周波数安定化レーザ光源を実現する。 - 特許庁
The optical path opening/closing mechanism 3 comprises a light deflector 4 to control the angle of deflection of the laser beam, and an aperture 5 having an opening 5a to pass through the laser beam, and the emission/non-emission of the laser beam from the opening 5a of the aperture 5 can be switched by controlling the angle of deflection of the laser beam by the light deflector 4.例文帳に追加
光路開閉機構3は、レーザ光の偏向角を制御する光偏向器4と、レーザ光を通過させるための開口5aを有するアパーチャ5とを有し、光偏向器4によってレーザ光の偏向角を制御することによりアパーチャ5の開口5aからのレーザ光の出射/非出射を切り替えることができる。 - 特許庁
In this laser beam emission device for emitting a laser beam 5 generated from a laser beam source 1 through a wavelength selection film 11, a double refraction optical member 8 is disposed on an optical axis 6 on the furthermore emission side than the wavelength selection film, and the wavelength selection film is tilted so that an incident angle of the laser beam becomes 45-80°.例文帳に追加
レーザ光源1から発せられたレーザ光線5を波長選択膜11を通して射出するレーザ光線射出装置に於いて、前記波長選択膜より射出側の光軸6上に複屈折光学部材8を配設し、前記波長選択膜を前記レーザ光線の入射角が45°〜80°となる様に傾斜させた。 - 特許庁
The image forming apparatus using the face light emission laser array comprises a means for varying the emission intensity of each chip by a unit of pixel and a means for controlling the emission time period, thereby controlling the forming of primary and secondary latent images in one pixel.例文帳に追加
面発光レーザアレイを用いた画像形成装置において、画素単位で各チップの発光強度を可変する手段及び発光時間を制御する手段を持つことで、1画素の主副の潜像形成を制御する。 - 特許庁
This laser power controller is configured in such a manner that laser power of a mark part is detected several times by a mark part power detecting signal processing means 9 in one multi-pulse emission section, and the laser power is controlled by a calculation means 11 so that the average value of the detected laser power becomes the target laser power, thereby attaining stable laser power control.例文帳に追加
本発明のレーザパワー制御装置は、1つのマルチパルス発光区間において、マーク部のレーザパワーをマーク部パワー検出信号処理手段9で複数回検出して、検出したレーザパワーの平均値を目標とするレーザパワーになるように演算手段11でレーザパワーを制御するように構成することにより、安定したレーザパワーの制御を実現する。 - 特許庁
To provide a laser beam transmitting device which can ensure rapid responsiveness of a laser driving circuit and always obtain light emission output of an accurate waveform in accordance with the signal waveform input to the laser driving circuit in the laser beam transmitting device which can respond to burst transmission.例文帳に追加
バースト送信に対応できるレーザ光送信装置において、レーザ駆動回路の高速応答性が確保され、レーザ駆動回路に入力される信号波形に応じた、正確な波形の発光出力が常時得られるレーザ光送信装置を提供する。 - 特許庁
An external control unit 11 controls the laser source of each of laser machining devices A-C based on the light amount received in light-receiving elements of the individual laser machining devices A-C, and the laser machining devices A-C are adjusted so as to have the same light emission intensity.例文帳に追加
外部制御ユニット11は、個々のレーザ加工装置A〜Cの受光素子にて受光される受光量に基づいて各レーザ加工装置A〜Cのレーザ光源を制御し、各レーザ加工装置A〜Cのレーザ光の出射強度が同一となるように調整される。 - 特許庁
When the information recorded on the optical data-storage medium is reproduced, the output of the semiconductor laser light source is modulated with two modulating signals, and an emission period of light and non-emission period of light are provided.例文帳に追加
光記憶媒体に記録された情報を再生する際、2つの変調信号を用いて、半導体レーザ光源の出力を変調し、発光期間と非発光期間を設ける。 - 特許庁
This molecular fluorine (F2) laser is provided wherein a gas mixture comprises molecular fluorine for generating a spectral emission including two or three closely spaced emission lines around 157 nm.例文帳に追加
ガス混合物が、約157nmの2つまたは3つの緊密な間隔の輝線を含むスペクトル放出を発生するための分子フッ素を含む分子フッ素(F_2)レーザが提供される。 - 特許庁
To allow emission of a necessary laser beam only without emission of unnecessary lights such as satellite lights and stray lights to outside by excluding the unnecessary lights, and to obtain an appropriate monitor output.例文帳に追加
不要な衛星光や迷光などを除去し、適切なモニター出力を得るとともに、外部にはそれら不要光が出射されず必要なレーザビームのみ出射されるようにする。 - 特許庁
The nitride based semiconductor laser element comprises an n-type clad layer 3, an emission layer 5 formed on the n-type clad layer 3, and a p-type clad layer 7 formed on the emission layer 5.例文帳に追加
この窒化物系半導体レーザ素子は、n型クラッド層3と、n型クラッド層3上に形成される発光層5と、発光層5上に形成されるp型クラッド層7とを備える。 - 特許庁
When the scanning exposure to the substrate material ends, the control unit starts the light emission in the laser light emission part to measure the distance to the next substrate material (steps 116 and 118).例文帳に追加
また、基板材料への走査露光が終了すると、レーザー発光部での発光を開始し、次の基板材料に対する距離計測が可能となるようにして(ステップ116、118)。 - 特許庁
This optical transmission device 100 has an optical fiber 20 and the light receiving and emitting element (light emission part 30) having at least one of a light emitting element (surface light emission laser) and a light receiving element.例文帳に追加
光伝達装置100は、光ファイバ20と、発光素子(面発光レーザ43)および受光素子の少なくとも一方を有する受発光素子(発光部30)と、を有する。 - 特許庁
To provide a laser controller with which an abnormal emission power is not outputted without using a switching circuit operating at high speed, when changing an emission power.例文帳に追加
出射パワーを変化させる場合に、高速に動作するスイッチ回路などを使用しなくても異常な出射パワーを出力することがないレーザ制御装置を提供するものである。 - 特許庁
The space between the surface emission-type laser 1 and the supporting members 3 is combined by metal projections 41, 42 having different heights so that the light- emitting surface 11a of the surface emission-type laser 1 and the surface 32 of the supporting member 3 are disposed to face oppositely at a prescribed angle α.例文帳に追加
面発光レーザ1の発光面11aと支持部材3の面32とが所定角度αで対向配置されるように、面発光レーザ1と支持部材3との間を、高さの異なる金属製の突起41,42で結合する。 - 特許庁
An SHG laser oscillator 113 emits SHG pulses synchronizing with an emission command signal supplied from a pulse generator 111, and a fundamental wave laser oscillator 114 emits fundamental wave pulses synchronizing with an emission command signal delayed by a delay circuit 112.例文帳に追加
SHGレーザ発振器113は、パルス発生器111から供給される出射指令信号に同期してSHGパルスを出射し、基本波レーザ発振器114は、遅延回路112により遅延された出射指令信号に同期して基本波パルスを出射する。 - 特許庁
To provide a surface emission type semiconductor laser, having the characteristics of a high output, low resistance, high efficiency, and high-speed response, while satisfying the requirements for stabilizing a lateral mode, and to provide a method for manufacturing this surface emission type semiconductor laser.例文帳に追加
横モードを安定化させるという要件を満足しながら、高出力、低抵抗、高効率、かつ高速応答という特性を有する表面発光型半導体レーザ及び表面発光型半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁
The emission interval of a first laser beam 7 and a second laser beam 8 is adjusted corresponding to the set value of the lining thickness, the first laser beam is emitted in the axial direction of the tunnel along the mold surface of the moving mold for lining, and the second laser beam is emitted in parallel with the first laser beam and separately in a lining thickness direction.例文帳に追加
第1のレーザ光7と第2のレーザ光8との射出間隔を巻き厚の設定値に応じて調整し、第1のレーザ光を覆工用移動型枠の型枠面に沿ってトンネルの軸線方向に射出し、第2のレーザ光を第1のレーザ光と平行に、覆工の巻き厚方向に離隔して射出する。 - 特許庁
The light-emitting device 1 is provided with a semiconductor laser element 2 oscillating a laser beam, a phosphor 4 converting at least a part of the laser beam oscillated from the semiconductor laser element 2 into an incoherent light and safety devices (photodetector 11 and control part 9) suppressing emission of a coherent laser beam to an external part.例文帳に追加
この発光装置1は、レーザ光を発振する半導体レーザ素子2と、半導体レーザ素子2から発振されたレーザ光の少なくとも一部をインコヒーレントな光に変換する蛍光体4と、コヒーレントなレーザ光が外部に出射するのを抑制する安全装置(光検知器11、制御部9)とを備える。 - 特許庁
The light emitting device includes a PPLN 12 generating the laser beam of second wavelength by changing wavelength of the laser beam of first wavelength emitted from a surface light emission type laser diode 11, and a VBG 13 transmitting the laser beam of the second wavelength and also reflecting the laser beam of the first wavelength toward the PPLN 12.例文帳に追加
発光装置は、面発光型のレーザダイオード11から出射された第1の波長のレーザ光の波長を変換して第2の波長のレーザ光を生成するPPLN12と、第2の波長のレーザ光を透過するとともに第1の波長のレーザ光をPPLN12に向かって反射するVBG13とを備えている。 - 特許庁
A laser marking method is used for emitting laser beams onto a resin composition B containing an adding material A generating the color change and foaming by emitting the laser beams and to be foamed by the emission of the laser beams, and marking is carried out by changing set conditions of the laser beams used for the marking of the same body to be emitted.例文帳に追加
レーザー光を照射することにより変色かつ発泡を引き起こす添加物(A)を含有させた、レーザー照射で発泡する樹脂組成物(B)にレーザーを照射するレーザーマーキング法において、同一の被照射体のマーキングに用いるレーザーの設定条件を変えてマーキングする事を特徴とするレーザーマーキング法。 - 特許庁
In the optical module, the semiconductor laser 10 and the optical fiber 30 are optically coupled via the silicone resin 20, an emission part 100 of the semiconductor laser 10 is covered by the silicone resin 20, and a wavelength component of emission light outputted from the emission part 100 of the semiconductor laser 10 is a wavelength component excluding wavelength components of 1.270 μm or less.例文帳に追加
半導体レーザ10と光ファイバ30とがシリコーン樹脂20を介して光結合されている光モジュールであり、この半導体レーザ10の出射部100は、このシリコーン樹脂20により覆われており、この半導体レーザ10の出射部100から出力される出射光の波長成分は1.270μm以下の波長成分を取り除いた波長成分である。 - 特許庁
A pulse laser beam stimulated from a pulse laser oscillator 21 is emitted to an electrode region including IDT electrodes 3 and reflectors 4, at least part of the emission region is eliminated by means of multiphoton absorption caused by the emission of the pulse laser beam to adjust the frequency of the surface acoustic wave element.例文帳に追加
パルスレーザ発振器21から発振されたパルスレーザビームをIDT電極3と反射器4とを含む電極領域に照射し、パルスレーザビームの照射により生じる多光子吸収を介して照射領域の少なくとも一部を除去して弾性表面波素子の周波数調整を行う。 - 特許庁
While laser light is irradiated from a laser light emission part 45 disposed directly under the semiconductor wafer W held by the holding part 7 to the peripheral part of the semiconductor wafer W, the laser emission part 45 is rotated by a rotary motor 44 centering around a center line CX of the semiconductor wafer W.例文帳に追加
保持部7に保持された半導体ウェハーWの中心直下に配置されたレーザ光出射部45から半導体ウェハーWの周縁部に向けてレーザ光を出射しつつ、そのレーザ光出射部45を半導体ウェハーWの中心線CXを回転中心として回転モータ44によって回転させている。 - 特許庁
The laser line generator comprises an incident part 10 having an incidence plane 12 making incorporated laser beams into condensed light or parallel light, and an emission part 20 having a hollow cylindrical part 27 irradiating the incorporated laser beams linearly, or a hollow semicylindrical part 29 with the emission plane 22 side formed as a curved surface.例文帳に追加
取り込んだレーザ光を集光又は平行光にする入射面12を有する入射部10と、取り込まれたレーザ光を直線状に照射する中空円柱形状部27又は出射面22側が曲面となる中空半円柱形状部29を有する出射部20とから成る。 - 特許庁
When a laser diode light emission detecting circuit 10 detects that a laser diode 1 emits light in the case that a cell signal, showing the existence period of a series of burst signal groups is in an active state, a holding circuit 30 holds an output state showing that the laser diode 1 is emitting light, in response to the detection of the light emission.例文帳に追加
一連のバースト信号群の存在期間を示すセル信号が活性状態のときに、レーザダイオード発光検出回路10が、レーザダイオード1が発光していることを検出した場合、保持回路30は、これに応答してレーザダイオード1が発光していることを示す出力状態を保持する。 - 特許庁
(c) On the basis of the acquired relationship, an emission efficiency is determined and, after the light intensity of the laser pulse reaches the stationary state, the beam deflector is caused to emit the laser beam of the energy of the determined emission efficiency portion along a second route, and to emit the laser beam of the residual energy along the first route.例文帳に追加
(c)取得された関係に基づいて出射効率を決定し、レーザパルスの光強度が定常状態に達した後に、ビーム偏向器に、決定された出射効率分のエネルギのレーザビームを第2の経路に沿って出射させ、残余のエネルギのレーザビームを第1の経路に沿って出射させる。 - 特許庁
This wavelength calibrator is equipped with an excimer laser 1, a band narrowing optical apparatus for generating narrow emission, a reference laser for generating a reference beam of known wavelength or a calibration lamp light source 2, and a lattice 7 which performs emission of narrow excimer laser and also serves as a dispersion element to allow the reference beam to enter.例文帳に追加
本発明が提供する波長較正装置は、エキシマレーザ1と、狭まった放出を生成するための帯域狭化光学機器と、既知の波長の基準光を生成するための基準レーザ又は較正ランプ光源2と、狭まったエキシマレーザ放出と基準光が入射する分散素子である格子7を備える。 - 特許庁
A scattering optical beam emitted from a surface light emission laser 101 is usually emitted in an optical axial direction (the direction of a solid line).例文帳に追加
面発光レーザ101から放射された発散性の光ビームは、通常は光軸方向(実線方向)に放射されている。 - 特許庁
To provide a surface-emitting laser element exhibiting a high emission efficiency and having lower power consumption and threshold current as compared with prior art.例文帳に追加
発光効率が高く、従来より低い消費電力及びしきい値電流を有する面発光レーザ素子を提供する。 - 特許庁
To provide a surface light emission type semiconductor laser element which has a current constriction structure of a novel constitution and a low operation voltage.例文帳に追加
新規な構成の電流狭窄構造を備え、かつ動作電圧の低い面発光型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁
The laser emission line in the facing surfaces in which a user want to obtain a gap dimension and a difference level dimension, is designated on the screen 20 of a monitor 17.例文帳に追加
ユーザが間隔寸法、段差寸法を求めたい対向面中のレーザ輝線をモニタ17の画面20に指定する。 - 特許庁
To provide a low cost optical transmitter and optical transceiver attained by reducing inspection costs by facilitating verification of laser light emission.例文帳に追加
レーザの発光確認を容易にすることで検査コストを削減し、安価な光送信器および光送受信器を提供する。 - 特許庁
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