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emission laserの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1593件
Or, the optical recording medium has a recording layer having a light absorption function of the laser beam and a deformation function for producing deformation without causing melting or decomposition due to emission of the laser beam.例文帳に追加
又は、レーザ光に対する光吸収機能と、レーザ光の照射によって溶融又は分解することなく変形を起す変形機能を併せ持つ記録層を有する光記録媒体。 - 特許庁
In the multibeam laser emission unit, existing products can be used as a semiconductor laser 16 and the collimator lens 22, and the variation in the light quantity is suppressed at no cost by only setting the width w of the limiting aperture 32.例文帳に追加
半導体レーザ16、及びコリメータレンズ22は既存のものを使用でき、制限開口32の幅wを設定するのみでコストをかけずに光量の変動を抑えることができる。 - 特許庁
Consequently, even when the scanning speed of laser beams varies, the calibration can be carried out satisfactorily and stably by securing the forced light emission period of the laser diode LD.例文帳に追加
このため、レーザ光の走査速度が変動した場合にも、レーザダイオードLDの強制発光期間を確保することにより上記キャリブレーションを良好に安定して実行することができる。 - 特許庁
A light emission part of the laser light source 11 is disposed off an optical path of primary reflected and diffracted light generated by the lens 12 to prevent the primary reflected and diffracted light from being fed back to the laser light source 11.例文帳に追加
レンズ12で生じる1次反射回折光の光路外にレーザ光源11の発光部が位置し,1次反射回折光のレーザ光源11への帰還を防止できる。 - 特許庁
In the laser element portion 10A, the LED light is emitted in a comparatively low current value state, but when the current value exceeds a certain value, the laser light is emitted by induced emission.例文帳に追加
レーザ素子部10Aでは、電流値が比較的低い状態ではLED光を放出される一方、電流値がある値を超えると、誘導放出によりレーザ光が放出される。 - 特許庁
To perform the incidence and emission of a laser beam by a simple optical system using an optical fiber in an apparatus for transmitting laser beam through an optical cell to perform various measurements related to gas or the like.例文帳に追加
光学セルにレーザー光を透過させ、ガス等に関する各種測定を行う装置において、レーザー光の入射及び出射を光ファイバを用いて簡単な光学系で行う。 - 特許庁
Pulses for an airbag expanding command are output from a CPU contained in a gas generating command unit 1, allowing a FET to be electrically conductive and resulting in the emission of a laser pulses from a laser diode 2.例文帳に追加
ガス発生指令装置1中のCPUから、エアバッグ展開指令がパルス出力され、これによりFET3が導通すると、レーザーダイオード2からレーザーパルスが発せられる。 - 特許庁
To provide a laser machining system capable of suppressing the dispersion in light emission intensity among a plurality of laser machining devices over a long period in parallel machining using the machining devices.例文帳に追加
複数のレーザ加工装置による並行加工に際し、各レーザ加工装置の出射強度のばらつきを長期に亘り抑制することのできるレーザ加工システムを提供する。 - 特許庁
To prevent that a laser diode is self-broken due to erroneous light emission during configuration (aligning and wiring inner circuit elements) of a PLD when a power source is turned on, in a semiconductor laser control device of an electrophotographic apparatus.例文帳に追加
電子写真装置の半導体レーザ制御装置において、電源投入時のPLDのコンフィグレーション中におけるレーザの誤発光による自己破損を防止する。 - 特許庁
In an laser emission method, pump power PB is supplied with a reference amount to be an output amount of an amplified laser beam AB performing processing treatment in a steady state after a start of the processing treatment.例文帳に追加
レーザ出射方法は、ポンプパワーPBが、加工処理の開始後の定常状態において増幅レーザ光ABが加工処理を行う出力量となる基準量で供給される。 - 特許庁
The active layer 14 of the semiconductor laser has a DBR reflecting layer 15 on the emission-edge side, while a space for phase adjustment, where no DBR reflecting layer is formed, is provided between the emission edge 16 and the end of the emission-edge side of the DBR reflecting layer 15.例文帳に追加
活性層14は出射側にDBR反射層15を有し、出射端16とDBR反射層15の出射端側の端部との間にDBR反射層が形成されていない位相調整用の空間を設ける。 - 特許庁
The multi-emission device 20 is provided with: a free support member 23 for mounting an emission member 22 on the casing 60 such that its direction is variable; and a weight 29 for maintaining the direction of the emission member 22 from which the third laser beam LB3 is extended down to the vertical direction.例文帳に追加
マルチ発光装置20は、筐体60に対して発光部材22を向き可変に取り付ける自在支持部材23と、第3のレーザー光LB3が鉛直下方に延びる発光部材22の向きを維持する錘29とを有する。 - 特許庁
These laser array light source units 102 and 104 are disposed such that they are adjacent to each other in the second direction y, and the laser beam emission region is offset from the center of the respective laser array light source units 102 and 104 in the second direction y to an adjacent direction of the laser array light source units.例文帳に追加
これらのレーザアレイ光源ユニット102,104は、第2の方向yにおいて互いに隣接して配置されており、レーザ光出射領域は、個々のレーザアレイ光源ユニット102,104の第2の方向yの中心からレーザアレイ光源ユニットの隣接方向にオフセットしている。 - 特許庁
Positions of light emission parts 12 of the semiconductor laser array 10 by respective laser groups in the long-axis direction and laser travel direction to a reference position which are unique to laser groups by short-axis directions are previously measured and according to the positions, the positions of the 1st lenses are set.例文帳に追加
そして、予め半導体レーザアレイ10の複数の発光部12を短軸方向毎のレーザグループ毎に固有の、基準位置に対する各レーザグループ毎の発光部12の長軸方向の位置及びレーザ進行方向の位置を計測し、当該位置に基づいて、各第1レンズの位置を設定する。 - 特許庁
The toothbrush 1 has a head portion 5 internally provided with a reflecting mirror 15 for reflecting laser light emitted from a laser diode 7 and an objective lens 17 for emitting the laser light reflected by the reflecting mirror 15 to the vicinity of bristle tips of brushes 3 through a laser light emission port 16.例文帳に追加
歯ブラシ1は、ヘッド部5の内部に、レーザダイオード7から発光されたレーザ光を反射する反射ミラー15と、この反射ミラー15によって反射されたレーザ光をレーザ光放射口16を通じてブラシ3の毛先周辺に放光する対物レンズ17とが設けられている。 - 特許庁
To uniquely and precisely control the gain peak wavelengths in a plurality of light emission regions for generating the plurality of laser light beams respectively in a semiconductor laser array for outputting the plurality of laser light beams having mutually different wavelengths so that the gain peak wavelengths correspond to the wavelengths of the laser light beams respectively.例文帳に追加
互いに波長が異なる複数のレーザ光を出力する半導体レーザアレイにおいて、複数のレーザ光をそれぞれ発生する複数の発光領域における利得ピーク波長を、当該レーザ光の波長にそれぞれ対応するように一意に且つ精度よく制御する。 - 特許庁
This semiconductor laser device has a laser resonator region comprising an active layer region and a clad layer in the upper part of GaAs substrate and a region for expanding a spot diameter of laser beam in an emission surface side of the laser beam.例文帳に追加
ビ−ム拡大器集積型レーザダイオ−ドを、GaAs基板上にGaInNAsを活性層に用いた構成とすると、GaAs基板上に作製することや、従来材料より屈折率が格段に大きい等の為、これまでの素子構造をそのまま採用することに難点があった。 - 特許庁
The wavelength conversion element 312 comprises a band-pass filter multilayer film 312B, on the incidence plane thereof, that selectively transmits the laser beam of the oscillation wavelength emitted from the laser light source 311, and a dielectric multilayer film 312C, on the emission plane thereof, that transmits the laser beam of the converted wavelength and reflects the laser beam of the oscillation wavelength.例文帳に追加
波長変換素子312は、入射面にレーザ光源311から出射された発振波長のレーザ光を選択的に透過するバンドパスフィルタ多層膜312Bと、出射面に変換波長を透過し発振波長のレーザ光を反射する誘電体多層膜312Cを有する。 - 特許庁
An output coupler 80 is formed concave, in a direction facing a front window 22 of a laser chamber 20, and includes a plane of incidence/reflection 80a which faces the front window 22 and into which laser light is incident and on which laser light is reflected, and a plane of emission 80b, from which laser light is emitted.例文帳に追加
出力カプラ80は、レーザチャンバ20のフロントウィンドウ22側の方向と反対の方向に凹状に湾曲しており、フロントウィンドウ22と対向してレーザ光が入射、反射される入射・反射面80aと、レーザ光が出射される出射面80bとを有する。 - 特許庁
The fiber diameter D_2 of the emission side which is arranged on the side of a work 20 is smaller than the fiber diameter D_1 of the incident side which is arranged on the side of a laser device 10 when the laser beam machining is performed by guiding the laser beam with the optical fiber 30 from the laser device 10 to the work 20.例文帳に追加
レーザ装置10から加工対象物20まで光ファイバ30によりレーザ光を導いてレーザ加工を行う際に、加工対象物20側に配置される出射側のファイバ径D_2を、レーザ装置10側に配置される入射側のファイバ径D_1よりも小さくする。 - 特許庁
To provide an optical module capable of enhancing optical coupling efficiency by modifying a transparent resin by emission light of a semiconductor laser while directly optically coupling the semiconductor laser and the optical fiber to be buried between the semiconductor laser and an optical fiber with the transparent resin, and forming a light guide or a lens for guiding the emission light of the semiconductor laser to the optical fiber.例文帳に追加
半導体レーザと光ファイバが直接光結合され半導体レーザと光ファイバとの間を透明樹脂により埋めてある状態で、半導体レーザの出射光により透明樹脂を変質させて、半導体レーザの出射光を光ファイバへ導くための光導波路またはレンズを形成することにより光結合効率を高めることができる光モジュールを提供する。 - 特許庁
The light intensity of plasma emission formed in a laser weld zone or emission generated from a laser broom is detected by a photo sensor and the optimum pulse modulation frequency is decided from the sum total of time zones or the frequency of occurrence in which light intensity is at or below the threshold.例文帳に追加
レーザ溶接部で形成されるプラズマ発光、あるいは、プルームから発生する発光の発光強度を光センサで検出し、発光強度が閾値以下となる時間帯の総和あるいは出現頻度から最適なパルス変調周波数を決定する。 - 特許庁
The display device is provided with a light emission means of LEDs 12, 13 and 14 having light emission regions being different from a region of the shielding region for visible light like laser beam by protection spectacles 7, with respect to such protection spectacles as for shielding visible light like the laser beam 5.例文帳に追加
本発明の表示装置は、レーザ光5などの可視光を遮断するための保護メガネ7に対して、保護メガネ7によるレーザ光などの可視光の遮断領域と異なる領域の発光領域を有するLED12、13,14を備えたものである。 - 特許庁
Since the output has prescribed correlation to the resonance frequency of the quartz oscillator, an actual emission intensity of the laser beam 4 is measured in a laser beam emission intensity measuring part 10, based on the resonance frequency in the resonance frequency measuring part 7.例文帳に追加
その出力は水晶振動子の共振周波数と所定の関係にあるので、レーザー光照射強度測定部10では前記共振周波数計測部7における共振周波数に基づきレーザー光4の実際の照射強度を測定する。 - 特許庁
A light emission stopping signal is output to stop the emission of the laser beam, even in the midway of emitting the laser beam prescribed times by the CPU 50, when the peak of the integrated signal is determined as one generated by the reflected beam from the reflection object.例文帳に追加
そして、積算信号のピークが反射物体からの反射光によって生じたものと判定すると、CPU50が、所定回数のレーザ光の照射を行っている途中であっても、発光停止信号を出力して、レーザ光の照射を停止させる。 - 特許庁
Then, pulse energy on the wafer 14 is detected through an integrator sensor 25, and the impressed voltage of the eximer laser light source 1 at the time of the next pulse emission is set based on the detected result, and the eximer laser light source 1 is made to perform pulse emission based on this target value.例文帳に追加
インテグレータセンサ25を介してウエハ14上でのパルスエネルギーを検出し、この検出結果に基づいて次のパルス発光時のエキシマレーザ光源1の印加電圧を設定し、この目標値に基づいてエキシマレーザ光源1にパルス発光を行わせる。 - 特許庁
The optical scanner includes: a first measurement means which measures bias light emission quantity of each of the plurality of laser beams; and a first decision making means which decides the target values of the light quantity of the plurality of laser beams on the basis of the bias light emission quantity measured with the first measurement means.例文帳に追加
そして、複数のレーザ各々のバイアス発光量を測定する第1の測定手段と、第1の測定手段により測定された前記バイアス発光量に基づいて、複数のレーザの光量目標値を決定する第1の決定手段とを備える。 - 特許庁
The optical module 1A comprises a surface light emission type semiconductor laser element 2 which emits light, a stem unit 4 on which the surface light emission type semiconductor laser element 2 etc., is mounted, and a fiber support housing 8 which is fitted to the stem part 4 while covering a cap 7 sealing the stem unit 4.例文帳に追加
光モジュール1Aは、光を出射する面発光型半導体レーザ素子2と、面発光型半導体レーザ素子2等を実装したステム部4と、ステム部4を封止するキャップ7に被せられて、ステム部4に取り付けられるファイバ支持筐体8を備える。 - 特許庁
The projection type image display device includes a laser light source emitting a laser beam, a light deflection circuit scanning with the laser beam to form an image, and an acceleration detection element, wherein the device has a light reducing means that stops the laser beam according to the acceleration detected by the acceleration detection element and reduces a laser beam flux upon restarting emission of a laser beam.例文帳に追加
レーザ光を出射するレーザ光源と、レーザ光を走査して画像を形成する光偏向回路と、加速度検出素子を有する投射型画像表示装置において、加速度検出素子が検出した加速度値に応じて、前記レーザ光を停止させ、レーザ光を再発光させる場合にはレーザ光の光束を減光させる減光手段を有する。 - 特許庁
The semiconductor laser device is provided with a semiconductor laser element chip 2 which generates a laser beam in a main wavelength region (about 785 nm), and a transmittance control layer 11 for controlling the emission of laser beams in other wavelength regions to the outside when the laser beams in other wavelength regions different from the main wavelength region are generated in the semiconductor laser element chip 2.例文帳に追加
この半導体レーザ装置は、主たる波長領域(約785nm)のレーザ光を生成する半導体レーザ素子チップ2と、半導体レーザ素子チップ2において主たる波長領域とは異なる他の波長領域のレーザ光が生成された場合に、他の波長領域のレーザ光の外部への出射を制御する透過率制御層11とを備えている。 - 特許庁
The multiwavelength semiconductor laser 10 comprises, on a common substrate, a first resonator structure 12 of end face emission type having an emission wavelength of 650nm, and a second resonator structure 14 of end face emission type having an emission wavelength of 780nm interposed by a separator region 11 therebetween.例文帳に追加
本多波長半導体レーザ10は、共通基板上に分離領域11を介して発振波長650nmの第1の端面出射型共振器構造12と発振波長780nmの第2の端面出射型共振器構造14とをそれぞれ備えている多波長半導体レーザである。 - 特許庁
The discharge head 12 in such a state is brought near an emission surface 65 of a surface emitting light type semiconductor laser 52 and the tip part 21c of the liquid 21 in the meniscus state is brought into contact with the emission surface 65.例文帳に追加
この状態の吐出ヘッド12と面発光型半導体レーザ52の出射面65上とを近づけ、メニスカス状態の液体21の先端部21cと出射面65とを接触させる。 - 特許庁
To provide an optical scanner which is more inexpensive and capable of keeping the amount of light emission constant, by changing the amount of the emission of laser light without using a variable resistor.例文帳に追加
レーザの発光量の変化を、可変抵抗を用いることなく実施することによって、より安価で常に発光量を一定に保つことを可能にした光走査装置を提供することにある。 - 特許庁
To provide an evaluation method for an electrostatic latent image by which influences of offset light emission of an LD (semiconductor laser light emission element) on formation of an electrostatic latent image is clarified.例文帳に追加
LDのオフセット発光による静電潜像形成への影響を明らかにすることが可能な静電潜像評価方法および静電潜像評価装置、これを用いた画像形成装置を得る。 - 特許庁
This laser emission spectrophotometer for conducting analysis of constitutive elements in an analyzed sample using an emission spectrophotometer, by irradiating a surface of the analyzed sample with high energy density of laser using giant pulse laser to excite the element on the surface of the analyzed sample and to emit light is provided with an optical system for irradiating diagonally the analyzed sample with the high energy density of laser beam provided by converging the giant pulse laser.例文帳に追加
ジャイアントパルスレーザーを用いて、被分析試料表面に高エネルギー密度のレーザーを照射することにより被分析試料表面の構成元素を励起、発光させ、発光分光分析装置を用いて、被分析試料の構成元素分析を行うレーザー発光分光分析装置において、ジャイアントパルスレーザーを集光して得られる高エネルギー密度のレーザー光を、被分析試料に対し斜めに照射する光学系を備えたこと。 - 特許庁
This illuminated button device 11 includes a surface-emission type semiconductor laser 12, a monitor PD 13 being a light receiving element, and a push button 14.例文帳に追加
照光ボタン装置11は、面発光型半導体レーザ12と、受光素子であるモニタPD13と、押しボタン14とを有する。 - 特許庁
To manufacture an optical module at a low cost combined by intersecting the optical axes of a surface emission-type laser and an optical fiber at a prescribed angle.例文帳に追加
面発光レーザと光ファイバとが光軸同士を所定角度で交差させて結合してある光モジュールを、低コストで作製する。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser device which is comparatively, easily manufactured and does not reflect returned light in the direction of a light emission axis.例文帳に追加
比較的容易に製造できて、しかも、戻り光を光出射軸方向に反射しない半導体レーザ装置を提供すること。 - 特許庁
The heat-assisted magnetic recording head is provided with; a reflection-convergence element 20 in which a surface emission laser 23 is embedded; and a translucent flat plate 25 which functions as a slider.例文帳に追加
面発光レーザ23を内蔵した反射集光素子20とスライダとして機能する透光性平板25とを備えている。 - 特許庁
The driving unit is removably stored in the cover portion and the driving mechanism and the laser emission section are mechanically removably connected.例文帳に追加
駆動ユニットは、カバー部内に着脱自在に収納され、駆動機構とレーザ出射部とが着脱自在に機械的に接続される。 - 特許庁
To provide a laser beam emission optical system capable of adjusting an energy ratio without changing a prism constituting twin spots.例文帳に追加
ツインスポットを構成するためのプリズムを交換せずに、エネルギー割合を調整することができるレーザ出射光学系を提供すること。 - 特許庁
To provide a surface emission laser element in which the oscillation of only a basic transverse mode is obtained by suppressing the oscillation of a higher order transverse mode.例文帳に追加
高次の横モードの発振を抑制し、基本横モードのみの発振を実現することのできる面発光レーザ素子を提供する。 - 特許庁
MULTILAYER SEMICONDUCTOR QUANTUM WELL LASER DEVICE USING CARRIER REDISTRIBUTION FOR EMISSION WAVELENGTH MODULATION AND HAVING QUANTUM WELLS DIFFERENT IN WIDTH AT BOTH ELECTRODES例文帳に追加
キャリアの再分布によって発光波長を変調する両極に幅の異なる量子井戸を具える多層半導体量子井戸レーザ - 特許庁
Areas opposed across light emission areas of the semiconductor laser elements 10a and 10b are denoted as first and second areas.例文帳に追加
各半導体レーザ素子10a,10bの発光領域を挟んで対向する領域をそれぞれ第1領域と第2領域とする。 - 特許庁
Based on an emission level command signal VREF from a first input terminal 12, a drive current ILD is fed to a semiconductor laser 30.例文帳に追加
第1の入力端子12からの発光レベル指令信号VREFに基づいて、半導体レーザ30に駆動電流ILD を供給する。 - 特許庁
This allows energy of the pulse light emitted from the laser processing device 100 to be stabilized without depending on the period of non-light emission.例文帳に追加
これにより、レーザ加工装置から出力されるパルス光のエネルギーを非発光期間の長さによらず安定化させることができる。 - 特許庁
One or more laser emission holes 15, 17, 19 (or a mesh part 5c) are formed in a tip part of the probe 5 as the need arises.例文帳に追加
プローブ5の先端部に必要に応じて1又は2以上のレーザ放射孔15、17、19(又はメッシュ部5c)を形成する。 - 特許庁
A cylindrical lens array pair 41 generates a secondary light source on a cylindrical lens array 41B, on the basis of the coupled emission laser beam.例文帳に追加
シリンドリカルレンズアレイ対41が、この結合された射出レーザ光に基づいてシリンドリカルレンズアレイ41B上に、2次光源を生成する。 - 特許庁
To obtain a burst optical transmitter capable of performing burst light-emission drive upon a semiconductor laser, without oscillation delay, while internally generating a burst data signal.例文帳に追加
バーストデータ信号を内部で発生しつつ、半導体レーザを発振遅延無くバースト発光駆動できるバースト光送信器を得ること。 - 特許庁
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