「field-effect capacitor」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The capacitor element C_1 is formed by using a storage region of a p-channel metal insulator semiconductor field-effect transistor having a gate oxide film 9B thicker than the metal insulator semiconductor field-effect transistor of a logic section.例文帳に追加

論理部のＭＩＳＦＥＴよりも厚いゲート酸化膜９Ｂを有するｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴの蓄積領域を利用して容量素子Ｃ_1を形成する。 - 特許庁

The field effect transistor or ferroelectric capacitor is formed using the ferroelectric stacked-layer structure as a gate insulating film or a capacitor film.例文帳に追加

かかる強誘電体積層構造をゲート絶縁膜又は容量膜として、電界効果トランジスタ又は強誘電体キャパシタを形成する。 - 特許庁

MANUFACTURE OF FIELD-EFFECT DEVICE AND CAPACITOR USING IMPROVED THIN FILM DIELECTRIC SUBSTANCE AND DEVICE OBTAINED THEREBY例文帳に追加

改良型薄膜誘電体を使用して電界効果デバイスおよびコンデンサを製造する方法および得られるデバイス - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING FIELD EFFECT DEVICE PROVIDED WITH THIN FILM DIELECTRIC AND CAPACITOR AND RESULTANT DEVICE例文帳に追加

薄膜誘電体を備えた電界効果デバイスおよびコンデンサを作製する方法およびその結果得られるデバイス - 特許庁

A capacitor C2 is charged by a series circuit comprising a starting resistor R1 and a field effect transistor FET1.例文帳に追加

起動抵抗Ｒ１及び電界効果トランジスタＦＥＴ１の直列回路によって、コンデンサＣ２を充電する。 - 特許庁

The amplifier device includes a field effect transistor M1 where an input signal is input into a gate; a variable capacitor Cgs that is connected between the field effect transistor M1 and a source; and a variable inductor Ls that is connected with the source of the field effect transistor M1.例文帳に追加

入力信号がゲートに入力される電界効果トランジスタＭ１と、電界効果トランジスタＭ１のゲートとソースの間に接続された可変キャパシタＣｇｓと、電界効果トランジスタＭ１のソースに接続された可変インダクタＬｓを設ける。 - 特許庁

The invention uses a field-effect transistor FET including a MIS capacitor structure or MIS capacitor structure composed of a metallic layer, an insulating layer, and a semiconductor layer.例文帳に追加

本発明は、金属層、絶縁体層、半導体層より構成されるMISキャパシタ構造、或いは該MISキャパシタ構造を含む電界効果トランジスタFETを利用する。 - 特許庁

Making a control current which charges a capacitor C3 of a time constant circuit 8 as a starting current turns on a field-effect transistor Q1.例文帳に追加

時定数回路８のコンデンサC3を充電する制御電流を起動電流として電界効果トランジスタQ1をオンする。 - 特許庁

A field-effect transistor using a wide-gap semiconductor such as an oxide semiconductor in a semiconductor layer in which a channel is to be formed is applied to a switching element used for a switched capacitor circuit.例文帳に追加

特に、スイッチング素子のリーク電流に起因する不具合が抑制された半導体回路を提供する。 - 特許庁

A depression type GaN-based field effect transistor 10 includes a capacitor 40 connected to a gate electrode 25 in series.例文帳に追加

デプレッション型ＧａＮ系電界効果トランジスタ１０は、ゲート電極２５と直列に接続されたコンデンサ４０を備える。 - 特許庁

The word line driving circuit includes: the boosting capacitor C1 that is connected with a source of an inverter I0-Im and an Id P-channel field effect transistor M21; and a P-channel field effect transistor M1 that separates the source of the P-channel field effect transistor 21 from supply potential VDD.例文帳に追加

インバータＩ０〜Ｉｍ、ＩｄのＰチャンネル電界効果トランジスタＭ２１のソース側に接続されたブースト用容量Ｃ１と、Ｐチャンネル電界効果トランジスタ２１のソース側と電源電位ＶＤＤとを分離するＰチャンネル電界効果トランジスタＭ１とを設ける。 - 特許庁

After the first field effect transistor Q1 is turned off, a second field effect transistor Q2 is turned on, and an operating frequency is determined by an LC series resonance circuit 37 of an inductor L2 and a capacitor C6, thus alternately turning on or off the first and second field effect transistors Q1 and Q2.例文帳に追加

第１の電界効果トランジスタQ1がオフした後に、第２の電界効果トランジスタQ2がオンし、インダクタL2およびコンデンサC6のＬＣ直列共振回路37で動作周波数を確定して第１および第２の電界効果トランジスタQ1，Q2を交互に、オン、オフさせる。 - 特許庁

When the voltage of input electric power supply device E is reduced by a voltage drop or the like of the power supply, the voltage of a capacitor C7 is reduced and the gate voltage of a field effect transistor Q3 is reduced, and the field effect transistor Q3 turned off.例文帳に追加

入力電源装置Ｅの電圧が電源の電圧降下などで低下すると、コンデンサC7の電圧が低下して電界効果トランジスタQ3のゲート電圧が低下し、電界効果トランジスタQ3がオフする。 - 特許庁

With this configuration, the chip capacitor C4 is disposed more closely to the field-effect transistor Q1 or the like as compared to a film capacitor or the like, so that a mounting area can be reduced.例文帳に追加

フィルムコンデンサなどを用いる場合と比較して、チップコンデンサC4を電界効果トランジスタQ1などに、より近接させて配置できるので実装面積を抑制できる。 - 特許庁

In the low noise amplifier, a capacitor 9 having a capacitance sufficiently larger than the parasitic capacitance in a field effect transistor 3 is provided between the drain D and source S of the field effect transistor 3 in order to vary the parasitic capacitance in a field effect transistor 3 artificially.例文帳に追加

この低雑音増幅器では、電界効果トランジスタ３内部の寄生容量に比べて容量が十分に大きなコンデンサ９を、電界効果トランジスタ３のドレインＤとソースＳとの間に設けることによって、電界効果トランジスタ３内部の寄生容量を擬似的に変化させる。 - 特許庁

In the transmission gate for a sample-hold circuit provided with P channel and N channel field effect transistors connected in parallel between an input terminal and a hold capacitor, field effect transistors whose sources and drains are respectively short-circuited and the size of which is halved are connected in series between the respective field effect transistors and the hold capacitor.例文帳に追加

入力端子とホールドコンデンサ間に並列に接続されたＰチャネルとＮチャネルの電界効果トランジスタを具えたサンプルホールド回路のトランスミッションゲートにおいて、それぞれの電界効果トランジスタとホールドコンデンサ間に、それぞれの電界効果トランジスタのサイズの２分の１のサイズでソースとドレインが短絡された電界効果トランジスタがそれぞれ直列に接続される。 - 特許庁

A drain of the field effect transistor FET1 is connected to an AC input line of a rectification circuit 2, and a drain of the field effect transistor FET2 is connected to the connection point of smoothing capacitor C5 and C6.例文帳に追加

そして電界効果トランジスタＦＥＴ１のドレインを整流回路部２の交流入力ラインに接続し、電界効果トランジスタＦＥＴ２のドレインを平滑コンデンサＣ５，Ｃ６の接続点に接続するようにしている。 - 特許庁

Field effect transistors Q1, Q2 are individually switched on and off so that each has reverse ON or OFF by a resonant frequency of inductors L1, L2 and a capacitor C3.例文帳に追加

インダクタL1，L2とコンデンサC3との共振周波数により電界効果トランジスタQ1，Q2をそれぞれオン、オフが逆になるように、オン、オフする。 - 特許庁

When the voltage of a trigger element Z3 exceeds a threshold voltage, a first field-effect transistor Q1 is turned on, and a current flows to a closed circuit consisting of a capacitor C3 of a load circuit 34, a choke coil L1, and a capacitor C4.例文帳に追加

トリガ素子Z3の電圧がスレッショルド電圧を越えると、第１の電界効果トランジスタQ1をオンし、負荷回路34のコンデンサC3、チョークコイルL1、コンデンサC4の閉路に電流が流れる。 - 特許庁

Since an external capacitor is not required for a circuit for driving the field effect transistor 10 having the capacitor 40 and the diode D1, the cost can be reduced and the size of the driving circuit can be reduced.例文帳に追加

コンデンサ４０とダイオードＤ１を有する電界効果トランジスタ１０を駆動する回路には、外付けのコンデンサが不要になるので、コストの低減と駆動回路の小型化が可能になる。 - 特許庁

Or the second capacitor with a ferroelectric film may be interposed between the floating electrode configuring the gate of the field effect transistor and the third capacitor with the paraelectric film.例文帳に追加

あるいは、電界効果型トランジスタのゲートを構成する浮遊電極と常誘電体膜を有する第３キャパシタとの間に、強誘電体膜を有する第２キャパシタを挟むようにしてもよい。 - 特許庁

A second capacitor 213 having a paraelectric film is interposed between a floating electrode 205 configuring the gate of the field effect transistor and a third capacitor 214 with a ferroelectric film.例文帳に追加

電界効果型トランジスタのゲートを構成する浮遊電極２０５と強誘電体膜を有する第３キャパシタ２１４との間に、常誘電体膜を有する第２キャパシタ２１３を挟む。 - 特許庁

A capacitor microphone 1 comprises: a capacitor part 4 having a diaphragm 6 vibrating by an acoustic wave and an electrode plate 5 disposed in opposition to the diaphragm 6; a field effect transistor 10 which converts a change in electrostatic capacity of the capacitor part 4 to an impedance; and a circuit board 8 which faces the capacitor part 4 and has the field effect transistor 10 mounted therethrough.例文帳に追加

音波によって振動する振動膜６とその振動膜６に対向して配置される電極板５とを有するコンデンサ部４と、コンデンサ部４の静電容量の変化をインピーダンス変換する電界効果トランジスタ１０と、コンデンサ部４に対向されると共に電界効果トランジスタ１０が貫通した状態で実装される回路基板８と、を備えてコンデンサマイクロホン１を構成した。 - 特許庁

When the lamp current or the voltage of the field-effect transistor Q1 exceeds a prescribed value, and the voltage at charged capacitor C3 exceeds a prescribed value, on-duty of the field-effect transistor Q1 is changed by the driving circuit 13, and the voltage of the field-effect transistor Q1 is controlled so as not to exceed the rated voltage.例文帳に追加

ランプ電流が所定値以上あるいは電界効果トランジスタQ1の電圧が所定値以上の場合には、コンデンサC3が充電され所定電圧値以上になると駆動回路13により電界効果トランジスタQ1のオンデューティを変化させて、電界効果トランジスタQ1の電圧が定格電圧を超えないように制御する。 - 特許庁

A chip capacitor C4 for suppressing noise generated due to switching of the field-effect transistor Q1 is disposed on the output side of a power factor improving circuit 12.例文帳に追加

電界効果トランジスタQ1のスイッチングにより発生するノイズを抑制するチップコンデンサC4を力率改善回路12の出力側に配置する。 - 特許庁

At evulsion, a second field effect transistor rapidly discharges the electric charge of a capacitor 131, thus reducing the generation of inrush current.例文帳に追加

抜去時には第２の電界効果トランジスタがコンデンサ１３１の電荷を急速に放電させることで突入電流の発生を減少させる。 - 特許庁

To provide a metal insulator device and/or metal-insulator-metal capacitor such as a metal oxide semiconductor field effect transistor.例文帳に追加

金属酸化物半導体電界効果トランジスタのような金属絶縁体デバイスおよび／または金属絶縁体金属キャパシタを提供する。 - 特許庁

In a state where the capacitor C3 is not fully charged, since a Zener diode ZD3 has not reached to a Zener voltage, and the Zener diode ZD3 and the field-effect transistor Q3 may maintain the off state, then a capacitor C8 is not connected in parallel with a capacitor C7.例文帳に追加

コンデンサC3が十分に充電されていない状態では、ツェナダイオードZD3がツェナ電圧に達していないため、ツェナダイオードZD3、電界効果トランジスタQ3はオフ状態を維持するためコンデンサC7に対してコンデンサC8が並列に接続されていない。 - 特許庁

To provide a memory cell structure, where depletion of majority carrier controlled by the field effect of an embedded strap region that controls access to a trench cell capacitor is used.例文帳に追加

トレンチ・セル・キャパシタへのアクセスを制御する埋込みストラップ領域の電界効果制御される多数キャリア空乏化を用いるメモリセル構造を提供する。 - 特許庁

To provide an electric power steering device capable of exactly detecting an abnormality of a field effect transistor connected to a capacitor for smoothing in series.例文帳に追加

平滑用コンデンサと直列に接続した電界効果トランジスタの異常を正確に検出することができる電動パワーステアリング装置を提供する - 特許庁

FERROELECTRIC STACKED-LAYER STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF, FIELD EFFECT TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF, AND FERROELECTRIC CAPACITOR AND FABRICATION METHOD THEREOF例文帳に追加

強誘電体積層構造及びその製造方法、電界効果トランジスタ及びその製造方法、並びに強誘電体キャパシタ及びその製造方法 - 特許庁

To enhance a holding characteristic of a ferroelectric element of a structure of a ferroelectric substance capacitor connection to a gate electrode of a field-effect transistor (MIS-FET).例文帳に追加

電界効果型トランジスタ（ＭＩＳ−ＦＥＴ）のゲート電極に強誘電体キャパシタ接続した構造の強誘電体素子の保持特性を向上する。 - 特許庁

When the charged capacitor 13 is connected to the field-effect transistor for reversal 15 by the two input switch 12, a control transistor 8 is turned on.例文帳に追加

二入力スイッチ１２が、充電されたコンデンサ１３を反転用電界効果トランジスタ１５に接続すると、制御トランジスタ８はオン状態になる。 - 特許庁

A value of a paraelectric capacity C2 is set almost the same or larger than that of a ferroelectric capacitor C1 and is much larger than that of a gate capacitor C3 of the field effect transistor 103.例文帳に追加

常誘電体容量Ｃ２の値は強誘電体容量Ｃ１の値とほぼ同等かそれより大きく、かつ電界効果トランジスタのゲート容量Ｃ３よりも十分大きい値に設定する。 - 特許庁

To provide a switching circuit for insulating a capacitor and a unit cell during switching-off even when using an electric field effect transistor as a switch connecting the capacitor and the unit cell, and to provide a voltage measuring circuit.例文帳に追加

コンデンサと単位セルとを接続するスイッチとして、電界効果トランジスタを用いても、オフ時にコンデンサと単位セルとの絶縁を図ることができるスイッチング回路及び電圧計測回路を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electronic element such as a DRAM semiconductor memory with which proper capacitor characteristics or recording characteristics can be obtained even if the capacitor structure is very small, or a field effect transistor.例文帳に追加

本発明は、容量構造が非常に小さくとも、好適な容量特性や記録特性が得られるＤＲＡＭ半導体メモリまたは電界効果トランジスタ等の電子素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a memory device having an isolation collar 400 and a capacitor is provided, and when a field effect switch is at an off-state, a depletion region is superposed on the isolation collar 400, and the depletion region will not be superposed on the isolation collar, when the field effect switch is at an on-state.例文帳に追加

さらに、分離カラー４００およびキャパシタを有する記憶デバイスを備え、電界効果スイッチがオフ状態であるとき、空乏領域は分離カラーに重なり、電界効果スイッチがオン状態であるとき、空乏領域は分離カラーに重ならない。 - 特許庁

As a result, during the off period of the electric field effect transistor 3a, electric charges charged in a capacitor 11a are regenerated in a d-c power supply 1 through a path the capacitor 11a →a reactor 12 a → a switching means 15a for snubber → a d-c power supply 1 → the capacitor 11a.例文帳に追加

これにより、電界効果型トランジスタ３ａのオフ期間にコンデンサ１１ａに充電された電荷を、コンデンサ１１ａ→リアクトル１２ａ→スナバ用スイッチング手段１５ａ→直流電源１→コンデンサ１１ａの経路で直流電源１に回生する。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing in which the source/drain region of an FET and a capacitor lower electrode are connected in small resistance without diffusion barrier in a memory cell provided with a stacked capacitor on a MOS field effect transistor (MOSFET).例文帳に追加

MOS電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）上にスタックトキャパシタを設けるメモリセルにおいて、ＦＥＴのソース／ドレイン領域とキャパシタ下部電極を拡散バリアのない低抵抗で接続する製造方法を提供する。 - 特許庁

Oscillations of-field effect transistors Q1, Q2 in an inverter circuit 22 by charging a capacitor C4 of an oscillation stop means 24 when a predetermined time interval expires after the starting.例文帳に追加

起動後所定時間経過すると発振停止手段２４のコンデンサＣ４を充電してインバータ回路２２の電界効果トランジスタＱ１，Ｑ２の発振を停止させる。 - 特許庁

One memory cell formed in a semiconductor main body 10 includes a polycrystalline silicon packing part 22 as a capacitor for storage and one field-effect transistor.例文帳に追加

半導体本体１０内に形成された１つのメモリセルは、蓄積用コンデンサとしての１つの多結晶シリコン充填部２２と、そして１つの電界効果トランジスタとを含んでいる。 - 特許庁

Thereby, the voltage between the gate G and drain D of the field-effect transistor Q1 becomes the same AC potential, therefore no current is generated through the stray capacitance, and the input impedance of the field-effect transistor Q1 can be made high in the same way as the case that the feedback capacitor is used.例文帳に追加

これにより、電界効果トランジスタＱ１のゲートＧとドレインＤとの電位が交流的に同一になり、この間の浮遊容量を通じての電流が生じず、帰還コンデンサを用いていた場合と同様にして、電界効果トランジスタＱ１の入力インピーダンスが高められる。 - 特許庁

A field effect type transistor is constituted of a source region 101, a drain region 102, a channel region 103, a gate insulation film 104, and a floating gate electrode 105, a ferroelectric capacitor 113 is provided on the field effect type transistor through a insulation film.例文帳に追加

ソース領域１０１、ドレイン領域１０２、チャネル領域１０３、ゲート絶縁膜１０４及び浮遊ゲート電極１０５によって電界効果型トランジスタが構成されており、該電界効果型トランジスタの上には絶縁膜を介して強誘電体キャパシタ１１３が設けられている。 - 特許庁

A field effect transistor Q5 is turned into off-state by the light control signal, and the capacity of a snubber circuit 26 for supplying power to an inverter control IC 23 gets large since it gets into such a state that a snubber capacitor C8 is connected to a snubber capacitor C9 in parallel.例文帳に追加

調光信号により電界効果トランジスタQ5はオフ状態となり、スナバ回路26は、スナバコンデンサC8にスナバコンデンサC9が並列に接続された状態になるため、インバータ制御ＩＣ23へ電源を供給する容量は大きくなる。 - 特許庁

To provide a ferroelectric nonvolatile storage device by which an effect of voltage distribution to a ferroelectric capacitor is improved by increasing the coupling ratio without increasing the area of the gate electrode of a detection MIS field-effect transistor.例文帳に追加

検出用ＭＩＳ電界効果型トランジスタのゲート電極の面積を大きくすることなくカップリング比を大きくして強誘電体キャパシタへの電圧分配効果を大きくした強誘電体不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁