例文 (23件) |
flash separationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 23件
VERTICAL SEPARATION GATE FLASH MEMORY CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
垂直型分離ゲートフラッシュメモリセル及びその製造方法 - 特許庁
The separation device is preferably a flash evaporation can.例文帳に追加
また、分離装置がフラッシュ蒸発缶であることが好ましい。 - 特許庁
SIMULATED CONTINUOUS MOVING BED ADSORPTIVE SEPARATION USING RAFFINATE LINE FLASH例文帳に追加
ラフィネート・ライン・フラッシュを用いるシミュレート連続移動床吸着分離法 - 特許庁
To realize a good element separation characteristic in a miniaturized NAND-type flash memory without lowering a processing yield of an element separation groove.例文帳に追加
微細化されたNAND型フラッシュメモリにおいて、素子分離溝の加工歩留まりを低下させることなく、良好な素子分離特性を実現する。 - 特許庁
To provide a flash memory in which virtual separation of data and a code can be performed in a physical memory bank.例文帳に追加
物理メモリバンクにおいてデータとコードとの仮想的分離が可能なフラッシュメモリを提供すること。 - 特許庁
A data storage section 31 stores an image signal received by a flash detection unit 21, an average separation residual calculation section 32 calculates an average separation residual corresponding to frames and an average separation residual corresponding to fields in units of macro blocks, a field average separation residual calculation section 33 calculates a field average separation residual, and a frame average separation residual calculation section 34 calculates a frame average separation residual.例文帳に追加
データ保持部31は、フラッシュ検出装置21に入力された画像信号を保持し、平均値分離残差算出部32は、フレームに対応する平均値分離残差およびフィールドに対応する平均値分離残差をマクロブロック単位で算出し、フィールド平均値分離残差算出部33は、フィールド平均値分離残差を算出し、フレーム平均値分離残差算出部34は、フレーム平均値分離残差を算出する。 - 特許庁
As the separation slot is formed in the internal face, protrusion and flash do not project outward, thus the tissue such as skin and blood vessel is not injured.例文帳に追加
割り溝が内側面に形成されているので、盛り上がりやバリが外側に突出しておらず、皮膚、血管などの組織を傷つけない。 - 特許庁
To provide a mold for foam molding which is equipped with a cutting apparatus to cut/separate a flash generated in the gas passage and which unnecessitates the cutting/separation work of the flash after the demolding, and to provide its molding method.例文帳に追加
ガス通路に生じたバリを切断分離する切断装置を備えており、脱型後の該バリの切断分離作業を不要とすることができる発泡成形用の金型及びその成形方法を提供する。 - 特許庁
In irradiation of a flash lamp for flash lamp annealing after implantation of ions into a second conductivity-type separation layer and a second conductivity-type collector layer to form the second conductivity-type collector layer and the second conductivity-type separation layer, the strongest portion of radiation energy is focused on a depth position from the upper portion to the central portion of a tapered side edge surface.例文帳に追加
第2導電型コレクタ層と第2導電型分離層を形成するために、前記第2導電型分離層と第2導電型コレクタ層へイオン注入後、フラッシュランプアニールのためのフラッシュランプの照射の際に、前記テーパー状の側辺面の上部から中央部にかけての深さ位置に照射エネルギーの最強部を合わせる。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a flash memory device that prevents a thin tunnel oxide film from being formed at the upper corner of a trench during device separation film formation to which the STI process applies.例文帳に追加
STI工程を適用する素子分離膜の形成に関し、トレンチの上部コーナー部位でトンネル酸化膜が薄く形成される現象を防いだフラッシュメモリ素子製造方法の提供。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a flash memory element capable of increasing a formation region of a floating gate, with no decrease of gap fill margin of an element separation film within a limited area.例文帳に追加
限られた面積の下で素子分離膜のギャップフィルマージン減少なしにフローティングゲートの形成領域を増加させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供す。 - 特許庁
To provide a flash memory device in which difference of threshold value voltage between cells of the same word line caused by separation distance to a row selecting circuit is decreased, and also to provide a method for programming the same.例文帳に追加
行選択回路との離隔距離によって生ずる同一のワードラインのセル間のしきい値電圧差を減らすことができるフラッシュメモリ装置およびそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a flash memory element effective to suppress the occurrence of active attack in an etching process upon formation of a gate for example by suppressing an EFH change of an element separation film.例文帳に追加
素子分離膜のEFH変化を抑えることで、たとえばゲート形成時のエッチング工程でアクティブアタックが発生するのを抑えるのに有効なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
In the method for manufacturing a flash memory element, an element separation film 304 is formed so as to have a protruding portion higher than the surface of an active region 302, supplying a groove on the active region 302.例文帳に追加
フラッシュメモリ素子の製造方法は、素子分離膜304は活性領域302の表面よりも高い突出部を有するように形成されて活性領域302上にグルーブを供給する。 - 特許庁
To provide a thermal caulking structure and a method for thermally caulking the same capable of preventing separation of excess resin (weld flash) leaked to the outside of a weld chip from a caulking part without having influence on strength of the weld chip in thermal caulking.例文帳に追加
熱カシメ留めにおいて、溶着チップの強度に影響せず、かつ、溶着チップの外部に漏れ出した余剰樹脂(バリ)がカシメ留め部から離脱しない熱カシメ留め構造及びそのカシメ留め方法を提供する。 - 特許庁
This provides a method for manufacturing the semiconductor device having the logic and the flash memory more microscopic than a level of 0.18 μm capable of easily and accurately manufacturing the groove element separation, and this provides the semiconductor device.例文帳に追加
従って、0.18μmレベルよりも微細なロジックとFlashメモリを混載した半導体装置において、溝型素子分離の製造を容易な方法で高精度に行うことのできる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することができる。 - 特許庁
To provide a fluorine-based composition such as a fluorine-based water-repellent composition, a fluorine-based oil-repellent composition and a fluorine-based lubricant composition, containing a fluorine-based additive in high concentration, hardly causing separation of the fluorine-based additive even at a low temperature and having a low flash point.例文帳に追加
フッ素系撥水組成物、フッ素系撥油剤組成物およびフッ素系潤滑剤組成物といったフッ素系組成物であって、フッ素系添加剤を高濃度で配合が可能で、且つ低温においてもフッ素系添加剤が分離せず、引火点が無い組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device having both a logic more microscopic than a level of 0.18 μm and a flash memory, capable of easily and accurately manufacturing a groove type element separation, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加
0.18μmレベルよりも微細なロジックとFlashメモリを混載した半導体装置において、溝型素子分離の製造を容易な方法で高精度に行うことのできる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁
A slurry composition for chemical mechanical polishing for the polycrystalline silicon and the semiconductor element utilizing it are formed, by a method wherein a trench element separation film is ground with the slurry having the grinding selection ratio with respect to the polycrystalline silicon, which is higher compared with the element separation oxide film of an etching prevention film, to form the self aligned floating gate of the flash memory element.例文帳に追加
本発明は、多結晶シリコン用化学的機械的研磨(Chemical Mechanical Polishing)のためのスラリー組成物及びこれを利用した半導体素子の形成方法に関し、より詳しくはエッチング防止膜の素子分離酸化膜に比べて多結晶シリコンに対し高い研磨選択比を有するスラリーでトレンチ素子分離膜を研磨し、フラッシュメモリ素子の自己整合浮遊ゲート(Self Align Floating Gate)を形成する半導体素子の形成方法に関する。 - 特許庁
The liquid reaction composition is transferred from one or more reactors to one or more flash separation stages to form (i) a vapor fraction comprising condensable components and a low pressure off-gas comprising carbon monoxide and (ii) a liquid fraction comprising the iridium carbonylation catalyst, the ruthenium promoter and the acetic acid solvent.例文帳に追加
1つもしくはそれ以上の反応器からの液体反応組成物を1つもしくはそれ以上のフラッシュ分離段階に移送して、(i)凝縮性成分と一酸化炭素を含む低圧オフガスとからなる蒸気フラクション、および(ii)イリジウムカルボニル化触媒とルテニウム促進剤と酢酸溶剤とからなる液体フラクションを形成させる。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing such an additive to a fossil oil and water-mixture fuel as has no separation of a fossil fuel oil and water over a long period, and as water added fossil oil-fuel has the flash point lowered and the combustion flame temperature raised and as causes no increase in carbon dioxide in the atmosphere, and to provide a method for manufacturing a water added fossil oil-fuel.例文帳に追加
長期間にわたり化石燃料油と水とが分離することがなく、しかも、化石油加水燃料の引火点が下がると共に燃焼炎温度が上がり、また、大気中の二酸化炭素を増加させることがない化石油・水混合燃料添加剤の製造方法及び化石油加水燃料の製造方法を提供する。 - 特許庁
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